「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

A (co)polymerization of an olefin such as ethylene, propylene, etc., may be cited as the example of the objective polymerization reaction and, in more concrete, a vapor-phase polymerization reaction of an olefin may be cited.例文帳に追加

（Ａ）：重合失活剤を重合槽に供給する配管であって、その途中に少なくとも一の開閉弁を有する配管 （Ｂ）：上記（Ａ）の配管から分岐されパージ設備に連結された配管であって、その途中に開閉弁及び流量制限用のオリフィスを有する配管 本発明が対象とする重合反応の例としては、エチレン、プロピレン等のオレフィン（共）重合反応をあげることができ、更に具体的にはオレフィンの気相重合反応をあげることができる。 - 特許庁

In the optical information recording medium, signals which can be optically read by using a laser beam made incident from the other major face side of the substrate are recorded or can be recorded, and the layer on which the image is to be formed has an ink-absorbent porous layer 9 composed of a resin film containing a vapor phase process inorganic powder.例文帳に追加

透光性を有する基板の一方の主面に積層した各層を介して被画像形成層を有し、該基板の他方の主面側から入射させたレーザー光により光学的に読み取り可能な信号が記録されたまたは記録することができる光情報記録媒体であって、上記被画像形成層は気相法無機粉末を含有した樹脂膜からなるインク吸収性の多孔質層を有する光情報記録媒体。 - 特許庁

The method of preparing a molded catalyst comprising at least molybdenum, bismuth and iron for use in preparing unsaturated aldehydes or unsaturated carboxylic acids by the vapor phase catalytic oxidation of propylene, isobutylene, tertiarybutyl alcohol, or methyl tertiarybutyl ether with molecular oxygen, is characterized by adding a polymer comprising a glucose unit and a mannose unit into particles comprising the catalyst components upon molding the particles into a molded body.例文帳に追加

プロピレン、イソブチレン、第三級ブチルアルコール又はメチル第三級ブチルエーテルを分子状酸素により気相接触酸化し、不飽和アルデヒド及び不飽和カルボン酸を製造する際に用いられる、少なくともモリブデン、ビスマス及び鉄を含む成形触媒の製造方法であって、触媒成分を含む粒子に、グルコース単位及びマンノース単位を含む重合体を加えて成形することを特徴とする不飽和アルデヒド及び不飽和カルボン酸製造用触媒の製造方法。 - 特許庁

To grind a diamond or a self-standing diamond film formed on a substrate by a vapor phase synthesis method at a low temperature without degrading the quality, to maintain the stable performance of a grinding material, to use a conventional grinding device in surface grinding, and to efficiently grind a member covered by the three-dimensional diamond film.例文帳に追加

ダイヤモンド、特に気相合成法により基板上に形成したダイヤモンドあるいはダイヤモンド自立膜に、クラックや破壊あるいは品質の劣化を生ずることなく低温で研磨することができ、研磨材の安定した性能を維持し、かつ平面研削等の従来の研磨装置を使用することができ、また３次元形状のダイヤモンド膜被覆部材の研磨加工も効率良く行うことができ、さらに操作が簡単で研磨品質が安定した低コストのダイヤモンド研磨用砥石及び研磨方法を得る。 - 特許庁

The method for producing the propylene-based block copolymer by consecutive polymerization comprises: a first step of producing a crystalline propylene polymer component by using a supported metallocene catalyst; and a second step of producing the copolymer component (CP) of ethylene with at least one comonomer selected from α-olefins having 4-20 carbon atoms by a vapor-phase polymerization method.例文帳に追加

担持メタロセン触媒を用いて、結晶性プロピレン重合体成分を製造する第１工程と、次いで、エチレンと炭素数４〜２０のα−オレフィンから選ばれる少なくとも一種のコモノマーとの共重合体成分（ＣＰ）を気相重合で製造する第２工程とからなる、逐次重合によってプロピレン系ブロック共重合体を製造する方法であって、 下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の要件を満たすことを特徴とするプロピレン／エチレン−αオレフィン系ブロック共重合体の製造方法。 - 特許庁

The photocatalyst body for decomposing a volatile aromatic compound present in a vapor phase, including tungsten oxide particles and titanium oxide particles having a BET specific surface area at least three times greater than that of the tungsten oxide particles, is characterized in that an electron withdrawing substance or its precursor is supported at least by either the tungsten oxide particles or the titanium oxide particles.例文帳に追加

本発明の揮発性芳香族化合物分解用光触媒体は、気相中の揮発性芳香族化合物を分解するための光触媒体であって、酸化タングステン粒子と、該酸化タングステン粒子のＢＥＴ比表面積よりも３倍以上大きいＢＥＴ比表面積を有する酸化チタン粒子とを含み、前記酸化タングステン粒子および前記酸化チタン粒子の少なくとも一方に電子吸引性物質またはその前駆体が担持されていることを特徴とする。 - 特許庁

The reaction apparatus for manufacturing the propylene based polymer by the multi-stage continuous vapor-phase polymerization method includes at least one lateral type reaction tank having an agitator rotated around a horizontal axis inside and at least one complete mixing tank connected to the lateral type reaction tank, a receiver having a level meter is provided between the lateral type reaction tank and the complete mixing tank, and the amount of the polymer to be transferred between both tanks is controlled.例文帳に追加

プロピレン系重合体を多段連続気相重合法で製造するための反応装置であって、内部に水平軸回りに回転する撹拌機を有する横型反応槽と、該横型反応槽に連結する完全混合槽とが、それぞれ少なくとも１槽以上具備され、かつ、横型反応槽と完全混合槽との間には、レベル計を有する受器が設けられ、両槽間を移送すべき重合体の量を制御することを特徴とするプロピレン重合反応装置による。 - 特許庁

In this conductor film, the metal pattern layer 3 is formed on the laminated layer film 4a with a vapor phase film forming method and the laminated layer film 4a is formed of a composition including, as the main structural elements, a melamine system cross linking agent, and a polyester resin having carboxylic acid group and sulfonic acid group in the side chain.例文帳に追加

ポリエステルフィルム４の少なくとも片面に積層膜４ａを有し、該積層膜上に金属層がパターン形状に加工された金属パターン層３を有する導電性フィルムであって、前記金属パターン層３が前記積層膜４ａ上に気相製膜法で形成されたものであり、前記積層膜４ａが、メラミン系架橋剤と側鎖にカルボン酸基及びスルホン酸基を有するポリエステル樹脂を主たる構成成分とする組成物から形成されたものであることを特徴とする、導電性フィルム。 - 特許庁

This method for vapor-phase polymerization of olefin consisting essentially of ethylene in which a metallocene-based catalyst-containing solid component is supplied to a fluidized bed reactor 2 in the presence of hydrogen and a 3-8C saturated hydrocarbon in the reactor 2 comprises regulating a hydrogen concentration and a 3-8C saturated hydrocarbon concentration based on an ethylene concentration in the reactor 2 to control the melt index(MI) of an olefin polymer.例文帳に追加

反応器内に水素および炭素数３〜８の飽和炭化水素存在下、メタロセン系触媒含有固体成分を流動床反応器に供給するエチレンを主成分とするオレフィンの気相重合方法において、反応器内に供給するエチレン濃度に対して水素濃度および炭素数３〜８の飽和炭化水素濃度とを調整することにより、オレフィン重合体のメルトインデックス（ＭＩ）を調節することを特徴とするオレフィンの気相重合方法。 - 特許庁

When the glass article where fluorine is homogeneously added to a porous glass body, which is produced by a vapor phase method, via a fluorine adding step and a sintering step is manufactured, the fluorine adding step is performed in an atmosphere having higher concentration of a fluorine compound gas than that necessary for achieving a desired refractive index and then the sintering step is performed in the same atmosphere.例文帳に追加

気相法にて作製した多孔質ガラス体に、フッ素添加工程と焼結工程とを経てフッ素が均一に添加されたガラス物品を製造する方法において、所望の屈折率を達成するのに必要なフッ素化合物ガス濃度よりも高いフッ素化合物ガスを含む雰囲気下でフッ素添加工程を行い、その後所望の屈折率を達成するのに必要なフッ素化合物ガス濃度雰囲気下で焼結工程を行うことを特徴とするガラス物品の製造方法。 - 特許庁

In the method for producing a fluorine added glass article in which a columnar or cylindrical porous glass preform is manufactured by a vapor phase method and fluorine is added to the porous glass preform by heating the preform in an atmosphere of fluorine, the porous glass preform is manufactured in such a way that the bulk density of the porous glass in the peripheral part is made higher than that of the porous glass in the central part.例文帳に追加

気相法により多孔質ガラスからなる円柱状又は円筒状の多孔質ガラス母材を作製し、該多孔質ガラス母材をフッ素雰囲気下で加熱して前記多孔質ガラス母材にフッ素を添加するフッ素添加ガラス物品の製造方法において、前記多孔質ガラス母材を、外周部の多孔質ガラスのかさ密度が中心部の多孔質ガラスのかさ密度よりも高くなるように作製することを特徴とするフッ素添加ガラス物品の製造方法。 - 特許庁

In the treating device for ammonia containing wastewater provided with a releasing means releasing an ammonia component in the ammonia containing wastewater into a vapor phase by a stripping method and a decomposing means decomposing ammonia into harmless components by making a gas containing the free ammonia into contact with a catalyst, a means adsorbing and removing the catalyst poisoning components contained in the ammonia containing gas is provided in the upper stream side of the decomposing means.例文帳に追加

アンモニア含有排水中のアンモニア成分をストリッピング法により気相中に遊離させる遊離手段と、該遊離したアンモニアを含むガスを触媒に接触させてアンモニアを無害な成分に分解する分解手段とを備えたアンモニア含有排水処理装置において、前記分解手段の前流側に、前記アンモニア含有ガス中に含まれる触媒被毒成分を吸着除去する手段を設けたことを特徴とするアンモニア含有排水の処理装置。 - 特許庁

To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition.例文帳に追加

有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着法による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, a second boron phosphide single crystal layer is grown in a vapor phase on the first boron phosphide single crystal layer, thus obtaining a joint body of the first boron phosphide single crystal layer and the second boron phosphide single crystal layer formed thereon as the boron phosphide single crystal substrate.例文帳に追加

裏面に溝を設けた珪素単結晶基板の表面に、２５０℃を超え１２００℃以下の基板温度でＭＯＣＶＤ法により、硼素とリンとを含む非晶質層を気相成長させ、該非晶質層上に、第１のリン化硼素（ＢＰ）単結晶層を気相成長させ、珪素単結晶基板を除去した後、第１のリン化硼素単結晶層上に、第２のリン化硼素単結晶層を気相成長させて、形成した第１のリン化硼素単結晶層と第２のリン化硼素単結晶層の接合体をリン化硼素単結晶基板とする。 - 特許庁

To provide a production process capable of simplifying facilities in recycling and an apparatus for separating/recovering a gaseous component consisting essentially of an unreacted alkane, facilitating operations and maintenance and control of facilities, effectively using properties of catalyst of incompatible alkane conversion and nitrile selectivity, providing a high nitrile yield, advantageous for an industrial operation in producing an unsaturated nitrile by a vapor-phase catalytic ammoxidation reaction of alkane.例文帳に追加

アルカンの気相接触アンモ酸化反応により不飽和ニトリルを製造するに当たり、従来技術のプロセス面ではリサイクル時の設備および未反応アルカンを主体とするガス状成分の分離・回収装置を簡素化して、操作や設備の保守管理を容易にし、触媒の面ではアルカン転化率とニトリル選択率の相反する触媒の性質を有効に利用できる反応条件を見い出し、従来の欠点を克服し、高いニトリル収率が得られ、かつ、工業実施に有利な製造プロセスを提供する。 - 特許庁

In the vapor phase deposition apparatus, the first channel is branched into two paths 1a and 1b, and the second channel is branched into two paths 2a and 2b so as to supply a gas individually to a peripheral portion and to a central portion on the wafer 102.例文帳に追加

本発明の気相成長装置は、チャンバ１０３内に、支持台１０１上に載置されたウェハ１０２が収容され、ウェハ１０２上に成膜するためのガスを供給する第一の流路１２１及びウェハ１０２上に成膜される膜の不純物濃度を制御するためのガスを供給する第二の流路１３１が前記チャンバに接続された気相成長装置において、上述した第一の流路が２経路１ａ、１ｂ、第二の流路が２経路２ａ、２ｂに分割され、ウェハ１０２上の周辺部と中央部に、個々に供給されるように構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing compound semiconductor includes a disk-like susceptor 4 in which a plurality of substrates 8 are arranged along a circumferential direction; and a rotary shaft 6 for rotating the susceptor 4 around an axis center in a reactor 3, and allows a compound semiconductor to be subjected to vapor phase deposition from material gas supplied through a gas supply pipe 1 on a plurality of substrates 8 installed on the susceptor 4.例文帳に追加

複数の基板８が周方向に沿って配列される円盤状のサセプタ４と、サセプタ４を軸心廻りに回転させる回転シャフト６とをリアクター３内に備え、サセプタ４に設置された複数の基板８上に、ガス供給管１を通じて供給される材料ガスから化合物半導体を気相成長させる化合物半導体製造装置において、ガス供給管１は、サセプタ４の軸心に対向する位置に配設し、リアクター３の外周に向かう放射方向に材料ガスを流出させるガス供給部１ａを一端に設ける。 - 特許庁