「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method and equipment which can easily manufacture a low cost III group nitride semiconductor crystal by a hydlide vapor phase epitaxy method while doping a silica element with excellent controllability and reproducibility using a crystal growth furnace in which a quartz component is used.例文帳に追加

石英部材を使用した結晶成長炉を用いて、優れた制御性及び再現性でもって珪素元素をドープしながら、容易にかつ低いコストでIII族窒化物系半導体結晶をハイドライド気相成長法により製造できる方法及び装置を提供する。 - 特許庁

A multi-layer film wherein a silicon nitride film 5 which is formed by plasma chemical vapor-phase method in an atmosphere comprising hydrogen-contained gas molecules and silicon nitride-oxide films 4 and 6 having a refractive index lower than the silicon nitride film are laminated is formed as a protective film 20 for supplying a silicon substrate with hydrogen.例文帳に追加

水素含有気体分子を含む雰囲気中でプラズマ化学気相法により成膜された、シリコン窒化膜５と、シリコン窒化膜よりも低い屈折率を有するシリコン窒化酸化膜４，６とが積層された多層膜を、シリコン基板に水素を供給する保護膜２０として形成する。 - 特許庁

The radiation image conversion panel having a support, which is made of metals, and a phosphor layer formed on the support with a vapor-phase deposition method is provided with a corrosion prevention layer consisting of a resin film on the surface of the phosphor layer surface side of the support.例文帳に追加

支持体およびその上に気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該支持体が金属からなり、そして該支持体の蛍光体層側表面に樹脂フィルムからなる腐食防止層が設けられている放射線像変換パネル。 - 特許庁

To provide a method for stably controlling a vapor phase oxidation reaction system in which hydrocarbons react with oxygen-containing gas in the presence of a catalyst for a long period, particularly an effective method capable of readily controlling reaction conditions so as to keep a composition of a discharged flow from a reaction apparatus constant.例文帳に追加

触媒の存在下、炭化水素と酸素含有ガスとを反応させる気相酸化反応システムの長期間にわたり安定に制御する方法、特に反応装置からの排出流の組成を一定に保つように反応条件を容易に制御できる効率的な方法を提供する。 - 特許庁

The ink jet recording material comprises a porous ink acceptive layer containing a vapor phase process silica fine particles and provided on a support in such a manner that the acceptive layer contains a cationic compound and a thiourea compound so that a pH of a film surface is 3 to 6.例文帳に追加

支持体上に気相法シリカ微粒子を含有する多孔質のインク受容層を設けたインクジェット記録材料において、該インク受容層にカチオン性化合物およびチオ尿素系化合物を含有し、膜面ｐＨが３〜６であることを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁

To provide a thin film manufacturing apparatus for depositing a semiconductor thin film and an insulating thin film capable of reducing the take-in of fluorine atoms into the semiconductor film when manufacturing the thin film using a plasma chemical vapor phase deposition(CVD) method, and a thin film manufacturing method using the apparatus.例文帳に追加

プラズマ化学気相堆積（ＣＶＤ）方法を用いた薄膜製造において、フッ素原子の半導体膜中への取り込みを低減することが可能な、半導体薄膜および絶縁薄膜を形成する薄膜製造装置と、それを用いた薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the spherical silicon crystal includes a process for heating and melting a silicon material kept in a vessel, a process for adding a fine powder of AlP to the molten silicon material, and a process for allowing droplets of the molten silicon material containing the fine powder of AlP to fall into a vapor phase from the vessel.例文帳に追加

容器内に保持したシリコン材料を加熱して、溶融する工程、溶融したシリコン材料に、AlPの微粉末を添加する工程、及び、AlPの微粉末を含む溶融シリコン材料の液滴を、前記容器から気相中へ落下させる工程を含む、球状シリコン結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide a technique capable of easily obtaining a film containing at least one metallic element being constituting elements of an organometallic compound and a carbon element when a vapor phase decomposition is applied to the organometallic compound even in the case of using the organometallic compound relatively low in decomposing temperature is used.例文帳に追加

分解温度が比較的低い有機金属化合物が用いられた場合であっても、その有機金属化合物の気相分解を行った場合、有機金属化合物の構成元素である金属元素と炭素元素とを含む膜が簡単に得られる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silane from a trialkoxysilane by the vapor-phase reaction in high reaction result at a low cost by converting a tetraalkoxysilane into the trialkoxysilane and enabling the use of the product as a raw material for the production of silane and provide a method for producing a trialkoxysilane from a tetraalkoxysilane.例文帳に追加

気相法による安価で高い反応成績を有すると共に、テトラアルコキシシランをトリアルコキシシランに転換させ、再びシランを生成するための原料として用いることが可能なトリアルコキシシランからシランの製造方法およびテトラアルコキシシランからトリアルコキシシランの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical fiber preform which is uniform in a longitudinal direction and is free of fluctuation in its external diameter by improving the deposition rate of soot without lowering the manufacturing speed over the entire part in manufacturing a large size preform for the optical fiber by an OVD (outside vapor phase deposition) soot method.例文帳に追加

外付けスート法によって、光ファイバ用母材となる大型のプリフォームを製造するにあたり、全体の製造速度を低下させることなくスートの堆積速度を向上させ、長さ方向に均一で外径変動のない光ファイバ母材用のプリフォームの製法を提供するものである。 - 特許庁

An AlAs layer 9 is grown up between a GaAs substrate 1 and epitaxial layers 2-8, and continuous growth can be performed because a removing work of the remains Se performed in the interval of growth becomes unnecessary by shutting the remains Se within vapor phase epitaxy equipment into this AlAs layer 9.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１とエピタキシャル層２〜８との間に、ＡｌＡｓ層９を成長し、このＡｌＡｓ層９に気相成長装置内の残留Ｓｅを閉じ込めることにより、成長の合間に行っていた残留Ｓｅの取り除き作業が不要となり、連続的な成長が行える。 - 特許庁

To provide a solid electrolyte battery, manufactured using a cathode composed, as an active material, of a Li-containing transition-metal compound deposited by a vapor phase epitaxial method and a solid electrolyte deposited thereupon, which helps to suppress the occurrence of short-circuit failures.例文帳に追加

気相成長法を用いて成膜されたＬｉ含有遷移金属化合物を活物質とする正極とさらにその上に成膜された固体電解質を用いて作製される固体電解質電池であって、短絡不良の発生が抑制された固体電解質電池を提供する。 - 特許庁

Since the temperature dependence of the etching rate of hydrofluoric acid in vapor- phase etching is extremely high, the gate insulating film formed on the wafer W can be well patterned by selectively removing the film without significantly damaging the silicon oxide film and polysilicon film by appropriately adjusting the temperature of the wafer W.例文帳に追加

ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、酸化シリコン膜およびポリシリコン膜に大きな損傷を与えることなく、ウエハＷ上のゲート絶縁膜を良好に選択除去してパターニングできる。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing a single crystal 10 is equipped with a seed crystal 3, a container 1 which contains a raw material 5 of a single crystal 6, a main body 21 which composes a furnace 2 containing the seed crystal 3 and the container 1, a lid 22, and a holder 23, and the single crystal 6 is manufactured by a vapor phase deposition.例文帳に追加

単結晶製造装置１０は、種結晶３と、単結晶６の原料５が収容される容器１と、種結晶３及び容器１が収容される炉２を構成する本体部２１、蓋体部２２及び保持部２３とを備え、気相法により単結晶６を製造する。 - 特許庁

The holder 1 for the vapor-phase epitaxial growth supports and fixes the substrate 3 facedown to a reception hole 12 of the holder body 11, and a plurality of spring members 4, for supporting the substrate 3 by pressing with the spring force in a diameter-inward direction, are provided inside the reception hole 12.例文帳に追加

本発明に係る気相エピタキシャル成長用治具１は、基板３を治具本体１１の収容穴１２にフェイスダウン構造で支持、固定するものであり、収容穴１２内に、基板３を径方向内方に付勢してバネ力で支持するバネ部材４を複数個設けたものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic EL device in which alkaline metal, alkaline earth metal, as well as halide (LiF, for example) and oxide of rare earth metal are formed by a liquid phase process, while they have actual results by a vapor process, and provide the electronic equipment equipped with the organic EL device obtained hereby.例文帳に追加

気相プロセスで実績のあるアルカリ金属やアルカリ土類金属、希土類金属のハロゲン化物（例えばＬｉＦ）や酸化物を、液相プロセスで形成するようにした有機ＥＬ装置の製造方法、及びこれによって得られる有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供する。 - 特許庁

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask.例文帳に追加

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。 - 特許庁

This apparatus decomposes moisture-containing organic waste in a high temperature and pressure condition below a critical pressure, and is provided with a preheater 1 maintained at nearly moisture evaporating temperature, and a reactor 2 directly connected to the preheater 1 and maintained in a vapor phase condition above the critical temperature of water.例文帳に追加

水分を含む有機性廃棄物を水の臨界圧力以下の高温高圧条件下で分解処理する装置であって、水分蒸発温度付近に維持された予熱器１と、これに直結され水の臨界温度以上の気相条件に維持された反応器２とからなる。 - 特許庁

To provide an organic metal vapor phase epitaxy device which enables further stable film formation of atomic layer level, and further uniform film thickness distribution in-wafer surface or inter-wafer film thickness, and enables film formation of uniform film thickness distribution, even if gas flow is disturbed.例文帳に追加

本発明は、ウエハー面内の膜厚分布あるいは各ウエハー間の膜厚をより均一に原子層レベルの成膜をより安定的に形成でき、さらに、ガス流の乱れがあっても均一な膜厚分布の成膜を可能にする有機金属気相成長装置を提供するものである。 - 特許庁

The vapor phase epitaxial growth device comprises a reaction tube including a gas introduction section and a gas reaction section provided so as to be continuous to the gas introduction section, and a susceptor which exposes the surface to the interior of the gas reaction section of the reaction tube and mounts and fixes a substrate on the surface.例文帳に追加

実施形態の気相成長装置は、ガス導入部、及びこのガス導入部と連続するようにして設けられたガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。 - 特許庁

In the method for growing the gallium nitride single crystal in a vapor phase by supplying a gas containing a gallium source and a gas containing a nitrogen source, the single crystal is grown in the (000-1) direction at a partial pressure of the gallium source of ≤3×10^-4 atm and at a growth temperature of ≥950°C in the presence of hydrogen gas.例文帳に追加

反応容器内にガリウム源含有ガスと窒素源含有ガスとを供給し、窒化ガリウム単結晶を気相成長させる方法であって、水素ガス存在下、ガリウム源の分圧を３×１０^−４ａｔｍ以下、成長温度９５０℃以上とし、〈０００−１〉方向に成長させる。 - 特許庁

First, vapor-phase method carbon fibers having a mean fibrous diameter of 200 nm or less, an aspect ratio of 5 to 500, the interlayer distance of a crystalline structure of 0.340 nm or less, and a thermal conductivity at 25°C of 400 W/(m K) or more, are mixed with an easily graphitized carbide in 0.1 to 20 mass%.例文帳に追加

一つは易黒鉛化性炭素化物に平均繊維径が２００ｎｍ以下、アスペクト比が５〜５００、結晶構造の層間距離が０．３４０ｎｍ以下、２５℃における熱伝導率が４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である気相法炭素繊維を０．１〜２０質量％混合する。 - 特許庁

To improve utilization efficiency deposition gases, particularly a gaseous starting material at formation of a thin film on a semiconductor substrate by vapor phase growth, and in addition, to reduce the clogging of an exhaust pipe with an unreacted gaseous starting material by improving the utilization efficiency of the gaseous starting material.例文帳に追加

半導体基板上に薄膜を気相成長させるにあたり、成膜用ガス、特に、原料ガスの利用効率を向上させることを目的とし、さらに、原料ガスの利用効率向上により、未反応原料ガスによる排気管のつまりを減少させることを目的とする。 - 特許庁

When cleaning the vapor phase epitaxial growth device is carried out using cleaning gas such as ClF_3 gas, the number of revolutions of a vacuum exhaust pump is decreased, thus reducing the self-heating value due to adiabatic compression of the vacuum exhaust pump.例文帳に追加

本発明の特徴は、ＣｌＦ_３ガスなどのクリーニングを用いて気相成長装置のクリーニングを実施する際に、排気用真空ポンプの回転数を低下させるように制御し、排気用真空ポンプの断熱圧縮の作用による自己発熱量を低減させることにある。 - 特許庁

In this radiological image conversion panel, a phosphor layer formed by a vapor-phase sedimentation method comprises a columnar crystal of a phosphor, and the orientation constant (hkl) specified by the formula has an orientation face satisfying the conditions: the orientation constant (hkl)≥2.5; and (the orientation constant (hkl)/N)×100≥35%.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層が、蛍光体の柱状結晶からなり、下記式で規定される配向定数（ｈｋｌ）≧２．５と（配向定数（ｈｋｌ）／Ｎ）×１００≧３５％を満足する配向面（ｈｋｌ）を有する放射線像変換パネル。 - 特許庁

When the diamond film is formed by a vapor phase synthesis method, the diamond film 2 is formed not only on the upper surface of a base material 1 but also on side surfaces and is separated from the base material after film forming and, thereby, the diamond component of a three-dimensional shape having a flat plate and sidewalls on the surrounding thereof.例文帳に追加

気相合成法でダイヤモンド膜を形成する際に、基材１の上面だけでなく、側面にもダイヤモンド膜２を形成し、これを成膜後に基材から分離することにより、平板とその周囲に側壁を有する立体形状のダイヤモンド部品を得ることができる。 - 特許庁

In a compound semiconductor epitaxial wafer manufacturing apparatus 10 in which a compound semiconductor crystal is subjected to vapor phase epitaxial growth on a compound semiconductor crystal substrate 11, a slope 23 is provided in a reaction tube 16 which forms a material gas passage G in a reactor 18.例文帳に追加

化合物半導体結晶基板１１上に、化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１０において、反応炉１８内で原料ガス流路Ｇを形成する反応管１６内にスロープ２３を有する。 - 特許庁

In the ink jet recording medium, in which an ink receiving layer is provided on a support, the ink receiving layer is provided by coating and drying a coating liquid for the ink receiving layer including a vapor phase silica dispersant compounded with the hydroxide of alkali metal, a colloidal silica and a resin onto the support.例文帳に追加

支持体にインク受理層を設けたインクジェット記録媒体において、アルカリ金属の水酸化物を配合した気相法シリカ分散液とコロイダルシリカと樹脂とを含有するインク受理層用塗工液を支持体上に塗工乾燥してインク受理層を設ける。 - 特許庁

A continuous film-forming process for supplying the insulating substrate 70, where the gate electrode is formed to the reaction room 12 of a film forming device, forming a gate oxide film with a chemical vapor phase growing method, and forming a semiconductor thin film by overlapping it on the gate oxide in the same reaction room 12 is executed.例文帳に追加

ゲート電極を形成した絶縁基板７０を成膜装置の反応室１２に投入して化学気相成長法によりゲート酸化膜を形成し、更に同一の反応室１２内でゲート酸化膜に重ねて半導体薄膜を形成する連続成膜工程を行なう。 - 特許庁

To provide a method for producing an olefin polymer of excellent quality by preventing lubrication oil from mixing in an inert gas used in a fluidized bed reactor and its incidental equipment in a production process of an olefin polymer where an olefin is subjected to a vapor phase polymerization reaction in the presence of a catalyst.例文帳に追加

触媒の存在下にオレフィンを気相重合反応させるオレフィン重合体製造プロセスにおいて、流動床反応器とその付帯設備において使用する不活性ガスへの潤滑油の混入を防止し、品質の優れたオレフィン重合体を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The molding die for glass has such a layered structure that an electrically conductive layer deposited by a vapor phase method, a metal-plated layer formed by electroplating and a diffusion preventing layer for preventing the diffusion of lower-layer constituent components at the least are layered in this order on the surface of the base material part of the molding die.例文帳に追加

型基材部表面に、気相法により形成された導電層と、電気めっきにより形成された金属めっき層と、少なくとも下層構成成分の拡散を防止する拡散防止層とがこの順に積層された積層構造を有するガラス成形型とする。 - 特許庁

To provide a method for producing ε-caprolactam from cyclohexanone oxime under vapor-phase reaction condition using a solid catalyst in improved conversion of cyclohexanone oxime and selectivity of ε-caprolactam and provide a catalyst therefor.例文帳に追加

固体触媒を使用して気相反応条件下にシクロヘキサノンオキシムからε−カプロラクタムを製造する方法において、シクロヘキサノンオキシムの転化率およびε−カプロラクタムの選択率を改善したε−カプロラクタムの製造方法およびこれに使用する触媒を提供することである。 - 特許庁

The surface hydrophilization method for the polyurea membrane deposited by the vapor deposition polymerization method on the object to be deposited comprises depositing the polyurea membrane by exposing an oligomer formed from a raw material polymer to an ozone atmosphere while causing the solid phase polymerization thereof at 50 to 150°C.例文帳に追加

被成膜処理物に蒸着重合法により成膜するポリ尿素膜の表面親水化方法であって、原料ポリマーから生成されるオリゴマーを５０〜１５０℃の温度下で固相重合させながら、オゾン雰囲気に曝すことによりポリ尿素膜を成膜することを特徴とする。 - 特許庁

This vapor phase polymerization method of an olefin by feeding a metallocene-based catalyst-containing solid component to a fluidized bed reactor 2 is characterized by ≤20 ppb carbon monoxide concentration in the component fed to the reactor 2 and/or the component in the reactor 2.例文帳に追加

メタロセン系触媒含有固体成分を流動床反応器に供給するオレフィンの気相重合方法において、反応器内に供給する成分および／または反応器中の成分の一酸化炭素濃度が２０ｐｐｂ以下であることを特徴とするオレフィンの気相重合方法。 - 特許庁

Moreover, by using the alkoxide raw material, the bismuth layered compound is formed by a chemical vapor phase growth method, and a semiconductor system having the bismuth layered compound on a substrate or a ferroelectric memory using the bismuth layered compound as a ferroelectric material is fabricated.例文帳に追加

また、このアルコキシド原料を用いて化学的気相成長法によりビスマス層状化合物を形成して、基板上にビスマス層状化合物を有する半導体装置もしくはビスマス層状化合物を強誘電体材料として用いた強誘電性メモリを製造する。 - 特許庁

To provide a method of producing acrolein and acrylic acid in high yield, as the temperature in the hot spots is sufficiently suppressed, in the process for producing acrolein and acrylic acid by vapor phase catalytic oxidation of propylene with molecular oxygen in the presence of a solid oxidation catalyst in a fixed bed tubular reactor.例文帳に追加

固定床管型反応器にてプロピレンを固体酸化触媒の存在下に分子状酸素で気相接触酸化してアクロレインおよびアクリル酸を製造する方法において、ホットスポット部の温度を十分抑制し、アクロレインおよびアクリル酸を高収率で製造する方法を提供する。 - 特許庁

The olefin polymerization process comprises the use of 0.3-3.0 mg of an organoaluminum compound together for 1 g of a prepolymerization catalyst, in supplying a catalyst slurry containing the prepolymerization catalyst supported on a solid carrier to a vapor-phase reactor to perform the main polymerization of an olefin.例文帳に追加

本発明に係るオレフィン重合方法は、固体に担持した予備重合触媒を含む触媒スラリーを、オレフィンの本重合を行う気相反応器に供給するに際して、 該予備重合触媒１ｇに対して、０．３〜３．０ｍｇの有機アルミニウム化合物を同伴させることを特徴としている。 - 特許庁

This method for producing monohydroxyacetone comprises carrying out the vapor phase dehydrogenation of 1,2-propanediol in the presence of a copper oxide-silica catalyst having ≤0.10 mol×kg^-1 in ammonia elimination level determined by the temperature-rising ammonia elimination method.例文帳に追加

１，２−プロパンジオールを触媒の存在下で気相脱水素反応させてモノヒドロキシアセトンを製造するにあたり、触媒としてアンモニア昇温脱離法によるアンモニア脱離量が０．１０モル・ｋｇ^−１以下である酸化銅−シリカ触媒を使用することを特徴とするモノヒドロキシアセトンの製造方法。 - 特許庁

In a so-called flux method where GaN crystals are grown by supplying nitrogen (N) from the vapor phase to a molten liquid of gallium (Ga) alloyed with another metal, the GaN crystal with a low impurity concentration is stably produced by using gold (Au) as the flux.例文帳に追加

ガリウム（Ｇａ）と他の金属を合金化した融液に、気相から窒素（Ｎ）を供給することによってＧａＮ結晶を成長させる、所謂フラックス法において、フラックスとして金（Ａｕ）を用いることにより、不純物濃度が低いＧａＮ結晶を安定して作製する。 - 特許庁

A raw material is photodecomposed by an optical excitation method using vacuum ultraviolet rays so as to obtain the low-resistance n-type semiconductor diamond by a diamond vapor phase synthetic method, and a lithium material is irradiated with excimer laser rays so as to scatter lithium atoms for feeding.例文帳に追加

該低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドを得るためには、ダイヤモンドの気相合成法において、真空紫外光を用いた光励起方法で原料を光分解し、リチウム原料はエキシマレーザーを照射してリチウム原子を飛散させて供給することにより得ることができる。 - 特許庁

The method is for manufacturing a vapor-phase growth carbon fiber by bringing a gas containing carbon into contact with a catalyst, wherein a coprecipitated product prepared by using a carrier containing magnesium acetate, an active metal species and a promotor is used as the catalyst.例文帳に追加

炭素を含むガスを触媒と接触させて気相成長炭素繊維を製造する方法において、触媒として、酢酸マグネシウムを含む担体、活性金属種および助触媒とを、シュウ酸を用いて共沈させて得られるものを用いる気相成長炭素繊維の製造方法である。 - 特許庁

To provide a new analysis method by a method of converting volatile aldehydes into carboxylic acid stably by a limited vapor-phase oxidation method and a method of analyzing carboxylic acid which was previously difficult to be analyzed, directly and easily.例文帳に追加

揮発性アルデヒド類を限定的気相酸化法によってカルボン酸に安定して転換生成させる方法と、上述したように従来分析が困難であったカルボン酸を直接的且つ簡易に分析することが可能な方法とにより、新規分析方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for producing a polymerized toner in which no scale-like deposits are formed on the surfaces of parts protruding in the vapor phase parts of polymerization and distillation vessels among the constituent members of polymerization and distillation apparatus in polymerization and distillation processes.例文帳に追加

重合工程および蒸留工程において、重合装置及び蒸留装置を構成する部材のうち、重合容器および蒸留容器の気相部に突出した部分の表面に、スケール状付着物を生成させることのない重合トナーの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

An unsaturated nitrile such as methacrylonitrile is produced by subjecting an aliphatic hydrocarbon such as isobutylene or isobutane to vapor phase catalytic ammoxidation using a molecular oxygen containing gas and ammonia in the presence of a catalyst for the ammoxidation reaction, which is composed of a Sb-Re complex oxide such as SbRe2O6.例文帳に追加

ＳｂＲｅ_2Ｏ_6等のＳｂ−Ｒｅ複合酸化物からなるアンモ酸化反応用触媒の存在下、イソブチレンやイソブタン等の脂肪族炭化水素を分子状酸素含有ガスとアンモニアにより気相接触アンモ酸化し、メタクリロニトリル等の不飽和ニトリルを製造する。 - 特許庁

This method for producing the pyridine base comprises subjecting an aliphatic aldehyde, an aliphatic ketone or its mixture to a vapor-phase catalytic reaction with ammonia in the presence of a zeolite catalyst containing at least one kind selected from titanium and cobalt, and boron and silicon as constituent elements.例文帳に追加

チタンおよびコバルトから選ばれる少なくとも一種とホウ素とケイ素を構成元素として含有するゼオライト触媒の存在下、脂肪族アルデヒド、脂肪族ケトンまたはそれらの混合物とアンモニアとを気相接触反応せしめることを特徴とするピリジン塩基類の製造方法。 - 特許庁