「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

Oxygen is doped into a gallium nitride crystal through a non-C-plane by using a seed crystal having the non-C-plane on its upper surface and performing the vapor-phase growth of the gallium nitride crystal while supplying material gases including gallium, nitrogen and oxygen to be doped.例文帳に追加

非Ｃ面を上面にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより非Ｃ面を通して酸素をドーピングする。 - 特許庁

In this manufacturing method of a protein chip substrate, plasma polymerized cyclohexane (PPCHex) and plasma polymerized ethylenediamine (PPEDA) having an amine functional group are deposited by using an inductively coupled plasma chemical vapor-phase deposition method.例文帳に追加

プラズマ重合されたサイクロ核酸（ＰＰＣＨｅｘ）と、アミン機能性グループを有するプラズマ重合されたエチレンダイアミン（ＰＰＥＤＡ）を誘導結合型プラズマ化学気相蒸着法を用いて蒸着するタンパク質チップ基板の製造方法を構成する。 - 特許庁

The problem is solved by forming the phosphor layer on the polyparaxylene film through a vapor phase deposition method after forming the polyparaxylene film on the surface of the substrate which has a metal surface and giving plasma treatment to the polyparaxylene film.例文帳に追加

金属表面を有する基板の表面にポリパラキシリレン膜を成膜し、このポリパラキシリレン膜表面にプラズマ処理を施した後、気相堆積法によって、前記ポリパラキシリレン膜上に蛍光体層を形成することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electronic device using a group III nitride compound semiconductor by using an appropriate index for highly purifying an epitaxial film grown under a varying growth condition in an organic metal vapor phase epitaxy furnace.例文帳に追加

有機金属気相成長炉において変動する成長条件の下で成長されるエピタキシャル膜の高純度化のための適切な指標を用いて、III族窒化物系化合物半導体を用いる電子デバイスを作製する方法を提供する。 - 特許庁

The highly hydrophilic laminate has a polymer substrate having minute unevenness on its surface and a highly hydrophilic layer formed on the substrate by a vapor phase method.例文帳に追加

本発明は、表面に微細な凹凸を有する高分子基材と、前記高分子基材上に気相法により形成された高親水層とを有することを特徴とする高親水性積層体を提供することにより上記目的を達成するものである。 - 特許庁

To simply remove a high-boiling point impurity attached to a reactive gas inlet part of a cooling tower when cooling a reactive gas in the cooling tower in a method for producing (meth)acrylic acid or (meth)acrolein by a catalytic vapor phase oxidation reaction.例文帳に追加

接触気相酸化反応により（メタ）アクリル酸又は（メタ）アクロレインを製造する方法において、反応ガスを冷却塔で冷却する際、冷却塔の反応ガス入口部に付着した高沸点不純物を簡便に除去すること。 - 特許庁

To provide an oxide coating film having a good surface morphology and crystal quality, in forming an oxide coating film by organo-metallo-chemical vapor phase growth method using at least two organometallic compound feed gases and oxygen gas.例文帳に追加

二種類以上の有機金属化合物原料ガスおよび酸素ガスを使用して有機金属化学的気相成長法によって酸化物被膜を成膜するのに際して、良好な表面モフォロジーと結晶品質とを有する酸化物被膜を形成する。 - 特許庁

To provide a forming method of silicon nitride film by vapor phase epitaxy which is capable of forming the silicon nitride film having excellent film characteristics while employing trisilyl amine as a precursor at a comparatively high growth rate even at comparatively low temperatures.例文帳に追加

トリシリルアミンを前駆体として用いながら、優れた膜特性を有するシリコン窒化物膜を比較的低温でも比較的高い成長速度で製造することができる気相成長によるシリコン窒化物膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase catalytic oxidation method to enable stable continuous operation over a long period while keeping high yield and suppressing the increase of pressure drop, especially a method to produce (meth)acrylic acid.例文帳に追加

気相接触酸化を行うにあたり、高い収率を維持しながら、圧力損失の増加を抑えて、長期間にわたる安定的な連続操業を可能にする気相接触酸化方法、特に（メタ）アクリル酸の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A wafer W is stored into a chamber 1, a cuprous carbonate complex, e.g., CH_3COOCu and a reducing agent reducing the same are introduced into the chamber 1 in a vapor phase state, and a Cu film is deposited on the wafer W by a CDV process.例文帳に追加

チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

The vapor phase growth device includes a substrate holding member 20 to hold a substrate to be treated 1 that is disposed in a chamber 11, a substrate heater 4 to heat the substrate to be treated 1, and a soaking material 30 disposed between the substrate holding material 20 and substrate heater 4.例文帳に追加

チャンバ１１内に配設され被処理基板１を保持する基板保持部材２０と、被処理基板１を加熱する基板加熱ヒータ４と、基板保持部材２０と基板加熱ヒータ４との間に配設された均熱部材３０とを備えている。 - 特許庁

The substrate 1 is made to adhere to a metal block 103 via a pressure-sensitive sheet 102 and an insulating material 130, and is installed on a substrate support inside a deposition device, and then the stimulable phosphor layer is formed on the substrate surface by a vapor-phase growth.例文帳に追加

当該基板１を粘着シート１０２と断熱材１３０を介して金属ブロック１０３に密着させ、蒸着装置内の基板支持体に設置後、気相成長法により当該基板表面に輝尽性蛍光体層を形成させる。 - 特許庁

To provide a method of growing a compound semiconductor crystal in a vapor phase, by which the formation of cracks in a flow channel caused by the sticking of deposits on the inner wall of the flow channel can be prevented and a gaseous raw material can be supplied efficiently onto a crystal substrate.例文帳に追加

フローチャネル内壁への堆積物付着によるフローチャネルの割れを防止すると共に、結晶基板上に原料ガスを効率よく供給できる化合物半導体結晶気相成長方法及び気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase deposition system which enables uniformizing of the surface temperature of a substrate to be processed, when forming a film and increasing a temperature by increasing the measurement accuracy of the surface temperature of a susceptor, thereby enabling further uniformizing of film-forming quality, such as film thickness.例文帳に追加

サセプタ表面温度の計測精度を高めることにより成膜時および昇温時の処理基板の表面温度を均一化でき、膜厚に代表される成膜品質をより均一化できる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

The chemical vapor phase growing raw material includes the precursor made of a metallic compound wherein the number of particles whose diameter is greater than 0.5 μm in 1 ml is 100 or below by particle measurement using an optical scattering type in-liquid particle detector.例文帳に追加

金属化合物からなるプレカーサを含有してなり、液相での光散乱式液中粒子検出器によるパーティクル測定における０．５μｍより大きい粒子の数が１ｍｌ中１００個以下である化学気相成長用原料。 - 特許庁

The CVD process for forming the dielectric film starts, after a vapor-phase molecular compound of a metal element that constitutes the dielectric film, is made to adsorb uniformly on the molecular layer of the insulator and is oxidized to form a dielectric molecular layer.例文帳に追加

前記絶縁物の分子層に、前記誘電体膜を構成する金属元素の気相分子化合物を一様に吸着させ、これを酸化させて誘電体分子層を形成した後、前記誘電体膜のＣＶＤプロセスを開始する。 - 特許庁

The concentration of the metal-containing precursor (one or more metal-containing precursors) in the vapor phase, which also contains liquid therein, can be at a level to provide conditions at or near saturation for the metal precursor (one or more metal precursors).例文帳に追加

蒸気相はその中に液体も含有し、該蒸気相中の金属含有前駆体（一または複数の金属含有前駆体）の濃度は、金属前駆体（一または複数の金属前駆体）について飽和またはそれに近い状態にある。 - 特許庁

The melt polymerization apparatus for the polytrimethylene terephthalate is washed in a state where the oxygen concentration in the gaseous phase is kept at 5 vol% or less using trimethylene glycol heated up to at least 150°C and at most a temperature where the vapor pressure is 0.5 MPa.例文帳に追加

ポリトリメチレンテレフタレートの溶融重合装置を洗浄する際に、気相部の酸素濃度を５体積％以下に保った状態にて、１５０℃以上、蒸気圧が０．５ＭＰａとなる温度以下に加熱したトリメチレングリコールを用いて洗浄する。 - 特許庁

Since the temperature dependency of the etching rate of hydrofluoric acid in vapor-phase etching is extremely high, the polymer left on the wafer W can be removed satisfactorily and selectively without damaging the copper wiring film and insulating film.例文帳に追加

ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーを良好に選択除去できる。 - 特許庁

There is provided the method for preparing ethylene oxide that performs contact vapor phase oxidation on ethylene with gases containing oxygen in the presence of silver catalyst, wherein the reactor on which pretreatment is performed with a chlorine compound is employed.例文帳に追加

本発明は、エチレンを銀触媒の存在下、酸素含有ガスにより接触気相酸化してエチレンオキシドを製造する方法において、塩素化合物により前処理を行った反応器を使用することを特徴とするエチレンオキシドの製造方法である。 - 特許庁

In the vapor phase growth device including at least a reactor and a barrel type susceptor which is disposed inside the reactor and rotates around the rotating shaft, the rotating shaft of the susceptor is fixed by a collet chuck mechanism.例文帳に追加

少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置。 - 特許庁

To provide a vapor-phase epitaxial growth system and a manufacturing method of an epitaxial wafer using the same apparatus wherein the influence of its flow-rate distribution can be suppressed in spite of using a relatively simple mechanism, and resultantly, a good film-thickness distribution of its wafer can be secured.例文帳に追加

比較的単純な機構によりながら、流量分布の影響を効果的に減殺することができ、ひいては良好な膜厚分布を確保できる気相成長装置と、それを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法とを提供する。 - 特許庁

The vapor phase growth apparatus includes a substrate supporting member 23a for supporting a substrate 31 so as to arrange a processing surface in a gas flow passage, a first heater 1, and a second heater 3a arranged separate from the first heater with respect to the substrate 31.例文帳に追加

気相成長装置は、処理面をガス流路に配置するように被処理基板３１を支持するための基板支持部材２３ａと、第１ヒータ１と、被処理基板３１に対して第１ヒータよりも離れて配置された第２ヒータ３ａとを含む。 - 特許庁

To obtain a catalyst for manufacturing metacrolein and/or methacrylic acid at a high yield by the vapor phase catalytic oxidation of isobutane, to provide a manufacturing method for the catalyst and a manufacturing method for metacrolein and/or methacrylic acid using the catalyst.例文帳に追加

イソブタンを気相接触酸化してメタクロレインおよび／またはメタクリル酸を高収率で製造することができる触媒、その触媒の製造方法、および、その触媒を用いたメタクロレインおよび／またはメタクリル酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method that can produce an aromatic nitrile in high yield and high selectivity with reduced consumption of ammonia in the process for producing the aromatic nitrile through a vapor phase catalytic reaction between an aromatic aldehyde and ammonia.例文帳に追加

触媒の存在下、芳香族アルデヒドをアンモニアと気相接触反応させて芳香族ニトリルを製造する方法において、少ないアンモニア使用量で高収率及び高選択率で芳香族ニトリルを製造できる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for stably producing a corresponding unsaturated nitrile in a high yield by subjecting propane or isobutane to a vapor-phase catalytic ammoxidation reaction in the presence of an oxide catalyst containing molybdenum, vanadium, antimony and niobium but not tellurium.例文帳に追加

モリブデン、バナジウム、アンチモン、ニオブを含有して、且つ、テルルを含有しない酸化物触媒の存在下、プロパンまたはイソブタンで気相接触アンモ酸化反応を行い、高収率で安定的に対応する不飽和ニトリルを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The method for manufacturing the catalyst for synthesizing isobutylene includes a process of chemical gas phase vapor deposition of at least one kind of element selected from the group consisting of tin, germanium, indium, gallium and lead on MFI structure zeolite containing platinum.例文帳に追加

白金を含有するＭＦＩ構造ゼオライトに対して、スズ、ゲルマニウム、インジウム、ガリウムおよび鉛からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を化学気相蒸着させる工程を含む前記イソブチレン合成用触媒の製造方法。 - 特許庁

In the method for manufacturing propylene oxide by vapor phase oxidation of propylene, propylene, oxygen and nitrogen oxide-containing gas is brought into contact with a catalyst in which an inorganic carrier is carried with an alkali metal compound and an alkaline earth metal compound.例文帳に追加

プロピレンの気相酸化によるプロピレンオキシドの製造方法において、プロピレン、酸素及び窒素酸化物含有ガスをアルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物を無機担体に担持させた触媒と接触させるプロピレンオキシドの製造方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound oxide which is used in the vapor-phase catalytic oxidation or ammoxidation of propane or isobutane enables obtaining the corresponding unsaturated acid or nitrile at a high yield.例文帳に追加

プロパン又はイソブタンの気相接触酸化又は気相接触アンモ酸化反応に用いる複合酸化物の製造方法であって、対応する不飽和酸又は不飽和ニトリルを高収率で得ることができる複合酸化物の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To avoid deterioration in quality of liquid chlorinated silane based on trichlorosilane and silicon tetrachloride, which is obtained from exhaust gas discharged from a reduction furnace when polycrystalline silicon is manufactured by a vapor phase growth method, when the liquid chlorinated silane is purified by using a distillation column.例文帳に追加

気相成長法による多結晶シリコンの製造に伴って還元炉から排出される排ガスより得たトリクロロシラン及び四塩化珪素を主成分とするクロルシラン液を蒸留塔に通して精製する際の品質低下を回避する。 - 特許庁

To provide a technique for forming a low-permittivity film over a substrate, by forming insulating particulates in a vapor phase by plasma CVD using gas containing Si as source gas, and effectively transferring the formed particulates to over the surface of the substrate, while suppressing aggregation.例文帳に追加

ソースガスとしてSi含有ガスを使ってプラズマCVDにより絶縁性微粒子を気相中で形成し、凝集を抑制しながら、形成された微粒子を基板表面まで有効に移送することにより、基板上に低誘電率膜を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the single crystal gallium nitride substrate, the ingot 1 of a gallium nitride single crystal grown by a vapor-phase growing method is cut along specified planes S1, S2, and S3 to manufacture one or a plurality of single crystal gallium nitride substrates.例文帳に追加

単結晶窒化ガリウム基板を製造する方法は、（ａ）気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。 - 特許庁

When producing quinuclidines represented by formula (2) by carrying out vapor phase dehydration reaction of 4-(2-hydroxyalkyl)piperidines represented by formula (1) (R is a hydrogen atom or a lower alkyl group) in the presence of a catalyst, the catalyst comprising titania and/or zirconia is used.例文帳に追加

触媒の存在下で式（１）：（Ｒは水素原子又は低級アルキル基。）で示される４−（２−ヒドロキシアルキル）ピペリジン類を気相脱水反応させて式（２）：で示されるキヌクリジン類を製造するにあたり、触媒がチタニア及び／又はジルコニアを含有する。 - 特許庁

In this method for manufacturing the fine particle dispersion, a resin substrate containing an ion-exchange group is brought into contact with a solution containing metal ions and then subjected to at least one treatment selected from reduction, oxidation and sublurization in a vapor phase.例文帳に追加

イオン交換基を含む樹脂基材を、金属イオンを含有する溶液に接触させた後、気相中において還元、酸化及び硫化から選ばれた少なくとも一種の処理を行うことを特徴とする微粒子分散体の製造方法。 - 特許庁

This electrode material of a lithium secondary battery is characterized in that a carbon fiber prepared by a vapor phase deposition method with multiple carbon network layers each forming a bottomless cup shape stacked and with the end faces of the carbon network layers exposed.例文帳に追加

本発明に係るリチウム二次電池の電極材では、底の無いカップ形状をなす炭素網層が多数積層した、気相成長法による炭素繊維であって、炭素網層の端面が露出している炭素繊維からなることを特徴とする。 - 特許庁

A bipolar transistor and a capacitive element are formed on the same semiconductor substrate 11 wherein a base region 20 formed of an epitaxial layer and the upper electrode 21 of the capacitive element are patterned from a vapor phase epitaxial growth layer formed simultaneously.例文帳に追加

同一の半導体基板１１にバイポーラトランジスタ及び容量素子が形成され、エピタキシャル層で形成されたベース領域２０及び容量素子の上部電極２１が、同時に形成された気相成長層からパターニングされて形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a catalyst having improved catalytic performance such as a raw material conversion or selectivity for a selective reaction such as a vapor phase catalytic oxidation reaction for producing acrolein or metacrolein from propylene.例文帳に追加

プロピレンからアクロレイン又はメタクロレインを製造する気相接触酸化反応等の選択的反応に用いられる触媒として、原料転化率や選択率等の触媒性能がより向上した触媒を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for safely obtaining propylene oxide at a low cost relatively at high selectivity and high yield, suppressing generation of an environment contamination substance and maintaining sufficient catalytic activity when propylene oxide is manufactured by vapor phase oxidation of propylene.例文帳に追加

プロピレンの気相酸化でプロピレンオキシドを製造する際、環境汚染物質の発生を抑制し、良好な触媒活性が持続し、安全かつ低コストで比較的に高選択率及び高収率でプロピレンオキシドを得る方法を提供する - 特許庁

In the growth method of gallium nitride crystal, the gallium nitride crystal is grown by the hydride vapor phase epitaxy (HVPE) method on a base substrate by using carrier gas, row material of gallium nitride and gas including silicon as dopant.例文帳に追加

窒化ガリウム結晶の成長方法は、キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法である。 - 特許庁

To provide a new substance combination as a vapor phase corrosion inhibitor for protecting general broad range of customary utility metals including iron, chromium, nickel, tin, zinc, aluminum, copper, magnesium and their alloys against the corrosion in an environmental of high humidity.例文帳に追加

鉄、クロム、ニッケル、スズ、亜鉛、アルミニウム、銅、マグネシウムおよびその合金を含む、幅広い範囲の一般の実用的な金属を、湿度の高い環境における腐食から保護するための、気相腐食防止剤としての新規の物質配合物を提供する。 - 特許庁

This method for producing a polymer comprises a process for previously an oxidizing agent and a reducing agent a redox polymerization initiator to a polymerizable monomer-containing solution in a vapor phase and polymerizing the monomer in a droplet state.例文帳に追加

レドックス系重合開始剤である酸化剤と還元剤を予め混合した開始剤混合液と重合性モノマー含有液とを気相中で混合し、液滴状で重合させる工程を含むことを特徴とする、ポリマーの製造方法。 - 特許庁

To provide manufacturing methods of a susceptor capable of easily realizing an equalization within field in dopant density and resistivity, and to provide vapor phase epitaxy equipment and an epitaxial wafer, and the epitaxial wafer in a semiconductor wafer having an orientation flat.例文帳に追加

本発明は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウェーハにおいて、ドーパント濃度及び抵抗率の面内均一化を容易に実現し得るサセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供することを目的とする。 - 特許庁

When coating osmium on a metal plate 16, such as an iris plate of an electron microscope as a metal plate in which micropores are made, hydrogen gas is added in addition to sublimation gas, consisting of osmium oxide using the plasma excitation chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

例えば微小な孔を空けた金属板である電子顕微鏡の絞りプレート等の金属板１６にオスミウムのコーティングを施す際に、プラズマ励起化学気相堆積法において、酸化オスミウムからなる昇華ガスに加えて水素ガスを添加する。 - 特許庁

To provide a method for regenerating a deteriorated catalyst after use of the catalyst for plant operation, regarding a molybdenum - bismuth - iron-type compounded oxide catalyst to be used for vapor phase contact oxidation reaction for producing acrolein from propylene or methacrolein from isobutene or tert-butanol.例文帳に追加

プロピレンからアクロレインを、イソブテンまたはターシャリーブタノールからメタクロレインを製造する気相接触反応に使用されるモリブデン−ビスマス−鉄系複合酸化物触媒について、プラント運転で使用した後の劣化触媒の再生方法を提供する。 - 特許庁

A refrigerant in a vapor phase state discharged from a compressor 1 is introduced to evaporators 4A, 4B without being passed through a condenser 2 and expansion valves 3A, 3B in a state that a pressure is reduced to less than an inside storage temperature saturated pressure of a keep-warm storage by a constant pressure expansion valve 11.例文帳に追加

圧縮機１から吐出される気相状態の冷媒を、コンデンサ２や膨張弁３Ａ，３Ｂを介さず、定圧膨張弁１１によって保温庫の庫内温度飽和圧力以下に減圧させたうえでエバポレータ４Ａ，４Ｂに導入する。 - 特許庁