「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the ink jet recording material comprises the steps of coating a coating liquid prepared by mixing a dispersion liquid containing the vapor phase method silica and the titanium chelate compound with the hydrophilic binder on the support, and drying the liquid.例文帳に追加

また、気相法シリカとチタンキレート化合物を含有する分散液と親水性バインダーを混合して調製した塗布液を支持体に塗布、乾燥して製造することを特徴とするインクジェット記録材料の製造方法。 - 特許庁

To provide an improved method for producing a (meth)acrylic ester capable of being operated for a long time by inhibiting polymerization of (meth) acrylic acid and the (meth)acrylic ester on a material existing in a vapor phase part of a reactor.例文帳に追加

反応器気相部に存在する部材における（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルの重合を防止し、長期間に亘って連続運転を行なうことが出来る様に改良された（メタ）アクリル酸エステルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The laminated porous body is manufactured by a process for forming the oxidation resistant coating film on the surface of the porous carbonized material and a process for forming the alkali corrosion resistant layer on the surface of the oxidation corrosion resistant coating film by a vapor phase reaction.例文帳に追加

積層多孔質体は、多孔質炭素化物の表面に耐酸化皮膜を形成する工程と、耐酸化皮膜の表面に耐アルカリ腐食層を気相反応により形成する工程とにより製造することができる。 - 特許庁

The vapor phase composition surface of the diamond is normally a hydrogen terminated surface, however, when oxygen ion beam is irradiated with an entering energy of 100 eV and dose quantity 10^12/cm^2, the oxygen terminated region 5 can be partially formed.例文帳に追加

気相合成ダイヤモンド表面は、通常、水素終端表面であるが、例えば酸素イオンビームを入射エネルギー１００ｅＶ、ドーズ量１０^１２／ｃｍ^２で照射すると、酸素終端領域５を部分的に形成できる。 - 特許庁

In the method of forming the SiC monocrystal thin film, the SiC monocrystal is homoepitaxially grown at 800 to 1,200°C on a substrate including a monocrystalline silicon carbide (SiC) region by plasma chemical vapor phase growth (plasma CVD).例文帳に追加

単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）領域を含む基板上に、プラズマ化学気相成長法（プラズマＣＶＤ法）を用いて、８００〜１２００℃でＳｉＣの単結晶をホモエピタキシャル成長させるＳｉＣ単結晶薄膜の作製法である。 - 特許庁

To provide a method capable of efficiently dyeing a plastic lens with high density as compared with conventional dipping method and vapor phase method, effectively preventing the generation of uneven dyeing at the time of dyeing processing and easily performing processing after dyeing.例文帳に追加

従来の浸漬法及び気相法に比べて効率良く高濃度に染色し得るとともに、染色処理時に生じる染色ムラを効果的に防止し、かつ染色後の処理が容易なプラスチックレンズの染色方法を提供する。 - 特許庁

An organic metal gas to be a metal component source, an oxygen component source gas and a p-type dopant gas are supplied into a reaction container, thereby growing a p-type Mg_xZn_1-xO layer by a metal organic vapor phase deposition.例文帳に追加

反応容器内に、金属成分源となる有機金属ガス、酸素成分源ガス及びｐ型ドーパントガスとを供給することにより、有機金属気相成長法によりｐ型Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ層を成長させる。 - 特許庁

In the evaluation method of the semiconductor wafer, foreign matter on the surface of the semiconductor wafer is made apparent, by supplying weak acid in its vapor phase to the surface of the semiconductor wafer, and then the foreign matter is detected by the particle counter.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面に弱酸を気相により供給することによって、前記半導体ウェーハ表面の異物を顕在化させた後、パーティクルカウンタで検出することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth apparatus whose mechanism is relatively simple, however, can still effectively decrease an effect of a flow distribution in a width direction inside a reaction chamber, and can keep a high film-thickness distribu tion accuracy.例文帳に追加

比較的単純な機構によりながら、反応容器内の幅方向の流量分布の影響を効果的に減殺することができ、ひいては良好な膜厚分布精度を確保できる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

A silicon epitaxial layer having a haze level of 0.18 ppm or less is formed by vapor phase growth on the main surface of a silicon single crystalline substrate having an off-angle inclined by an angle not smaller than 0.5° and not larger than 3° in a <100> axial direction nearest from a {110} face.例文帳に追加

｛１１０｝面から最近接の＜１００＞軸方向へ０．５°以上３°以下傾斜させたオフアングルを有するシリコン単結晶基板の主表面上に、ヘイズレベルが０．１８ｐｐｍ以下のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition apparatus to continuously and uniformly form a single phase film or a mixed film which consists of a single element or different elements and has a predetermined composition and a target thickness on a traveling film.例文帳に追加

走行中のフィルム表面に単一元素または異なる元素からなり、所定の組成比および目標厚みを有する単相膜または混合膜を、連続的かつ均一に形成できる真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁

This coating solution for an inkjet recording medium contains vapor-phase-method silica having a primary particle diameter of 20 nm or less, a hydrophilic binder and a nonionic surfactant which has a lipophilic chain including a branched structure and having a number of carbon atoms of 13 or less and which has HLB of 14.0 or more.例文帳に追加

一次粒子径が２０ｎｍ以下である気相法シリカと、親水性バインダーと、分岐構造を含む炭素数１３以下の親油鎖を有し、ＨＬＢが１４．０以上である非イオン性界面活性剤とを含んでいる。 - 特許庁

The vapor phase epitaxial growth device is provided with a susceptor 3 including a placing face onto which a substrate 2 to be processed is placed and a reaction tube 32 which forms an inner space 6 for storing the substrate 2 to be processed so as to allow a gas flow to be formed in the inner space 6.例文帳に追加

気相成長装置は、被処理基板２が載置される載置面を含むサセプタ３と、被処理基板２を収容する内部空間６を形成し、内部空間６にガス流れが形成される反応管３２とを備える。 - 特許庁

The susceptor has a through-hole at a periphery of the through-hole for lift pin insertion, and the vapor-phase epitaxy is carried out by placing the semiconductor wafer on the susceptor after the reverse principal surface of the semiconductor wafer with a hydrogen-fluoride-based solution.例文帳に追加

前記サセプタは、上記リフトピン挿通用貫通孔の周囲に貫通孔を有し、前記気相成長を、前記半導体ウェーハの主裏面を弗酸系溶液により洗浄した後、該半導体ウェーハを前記サセプタ上に載置して行う。 - 特許庁

The coating liquid for a recording layer contains vapor phase method silica having a bulk density of 50 g/l or more and a specific surface area measured by BET method of 250 m^2/g or more, and the recording medium has a recording layer produced by using the coating liquid.例文帳に追加

かさ密度が５０ｇ／ｌより高く、ＢＥＴ法による比表面積が２５０ｍ^2／ｇ以上の気相法シリカを含む記録層用塗布液、及び該塗布液を用いて作製された記録層を有する記録媒体。 - 特許庁

The material for the setter for sintering has a coating film which is formed into a thickness of 0.1 to 5 μm on the surface of a woven fabric or nonwoven fabric of a carbon fiber with a vapor-phase growing method, and is made from a ceramic material such as SiC, Si_3N_4, Al_2O_3, AlN and BN.例文帳に追加

織布又は不織布状の炭素繊維の表面に気相成長法によってＳｉＣ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＢＮ等のセラミックスの被膜を０．１〜５μｍ厚に形成したものを焼結用セッター材とする。 - 特許庁

Such an arrangement can adjust a flow rate of the process gas to be supplied to the whole surface on which a vapor phase deposited film of the wafer 105 is formed, improving the uniformity in film thickness and impurity concentration over the whole surface of the wafer 105.例文帳に追加

これにより、ウェハ１０５の気相成長膜が成膜される全面に供給するプロセスガスの流量を調整し、ウェハ１０５全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a single crystal growing method for growing a single crystal with high crystallinity by a vapor phase method on an SiC seed crystal, and to provide a group III nitride single crystal and an SiC single crystal obtained by using the method.例文帳に追加

気相法によりＳｉＣ種結晶上に結晶性のよい単結晶を成長させる単結晶成長方法、その方法により得られるＩＩＩ族窒化物単結晶およびＳｉＣ単結晶を提供する。 - 特許庁

To obtain an excellent moisture absorbing and releasing fiber which absorbes not only to sweat of liquid phase but also to water vapor (insensible volatilization) emitted from the human body and is quick-dryed and provides a dry feeling, and a product using the fiber.例文帳に追加

液相の汗のみならず、人体から発生している水蒸気（不感蒸散）に対しても吸放湿性が優れ、速乾性があり、乾燥感を得ることができる吸放湿性繊維およびこれを用いた製品を提供する。 - 特許庁

In a testing apparatus 10 for simulating the flow phenomenon of the vapor-liquid two-phase flow where droplets are dispersed in an air flow, a gas of sulfur hexafluoride is used as the air flow and alcohol, sprayed into the gas of sulfur hexafluoride as the droplets.例文帳に追加

気流中に液滴を分散させた気液二相流の流動現象を模擬するための試験装置１０において、気流として６フッ化硫黄ガスを用い、液滴として６フッ化硫黄ガス中に噴霧したアルコールを用いた。 - 特許庁

To provide a composite metal oxide catalyst which is used when producing corresponding unsaturated nitrile by the vapor phase catalytic ammoxidation reaction of alkane or alkene, has high selectivity of a target product, and is excellent in performance.例文帳に追加

アルカン又はアルケンの気相接触アンモ酸化反応により対応する不飽和ニトリルを製造する際に用いられる複合金属酸化物触媒であって、目的生成物の選択性が高く、性能に優れた触媒を提供すること。 - 特許庁

The inkjet recording medium has the ink receptive layer including at least one low-molecular-weight amide compound selected from carboxylic acid amide, sulfonic acid amide and phosphoric acid amide, a zirconium compound, vapor phase process silica and a water-soluble resin.例文帳に追加

カルボン酸アミド、スルホン酸アミド及びリン酸アミドから選択される少なくとも１種の低分子アミド化合物、ジルコニウム化合物、気相法シリカ、並びに水溶性樹脂を含むインク受容層を有するインクジェット記録媒体。 - 特許庁

The semiconductor layer employs a group III-V semiconductor compound represented in a general form Al_xGa_yIn_zN (0≤x<1, 0<y<1, 0<z<1, x+y+z=1) as its main constituent and its film formation takes place through laser assist metal-organic vapor phase growth.例文帳に追加

本発明の半導体層は、一般式Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０≦ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるIII−Ｖ族半導体化合物を主成分とし、レーザアシスト有機金属気相成長法により成膜されたものである。 - 特許庁

The material for the vapor phase growth apparatus consists of Si dispersed vitrous carbon in which that atomic level Si is dispersed and compounded as homogeneous and continuous phases in the vitrous carbon structure at the range of 0.5-15 wt.%.例文帳に追加

ガラス状カーボンの組織中に、０．５〜１５重量％の範囲でＳｉが原子レベルで均一な連続相として分散複合した組織性状を備えるＳｉ分散ガラス状カーボンからなる気相成長装置用部材。 - 特許庁

In S301, a silicon substrate 201 is carbonized using a carbon source whose decomposition temperature is within to the operation substrate temperature range of a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) device, to form a silicon carbide layer 202, in the MOVPE device.例文帳に追加

Ｓ３０１で、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置において、このＭＯＶＰＥ装置の動作基板温度範囲に分解温度が属する炭素源を用いてシリコン基板２０１を炭化し、炭化珪素層２０２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a catalyst for producing a methacrylic ester in high yield by catalytically reacting a propionic ester with formaldehydes in a vapor phase, the catalyst and a method for producing the methacrylic ester in high yield.例文帳に追加

プロピオン酸エステルとホルムアルデヒド類とを気相接触反応させてメタクリル酸エステルを高収率で製造できる触媒の製造方法、その触媒、およびメタクリル酸エステルを高収率で製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the method of storing tetrachlorosilane, a vapor phase part of a container 21 for storing liquefied tetrachlorosilane contains a rare gas selected from among argon, helium, neon and a gaseous mixture thereof.例文帳に追加

本発明に係るテトラクロロシラン貯留方法は、液化テトラクロロシランを貯留する容器２１内の気相部がアルゴン、ヘリウム、ネオン及びこれらの混合ガスからなる群より選ばれる希ガスを主成分として含有することを特徴とする。 - 特許庁

The method for cyclohexane dehydrogenation includes bringing cyclohexane into contact with molecular oxygen in a vapor phase in the presence of a catalyst in which at least one kind of a noble metal is supported on a compound oxide composed of ceria and zirconia.例文帳に追加

少なくとも１種の貴金属がセリア及びジルコニアからなる複合酸化物に担持されてなる触媒の存在下に、シクロヘキサンを分子状酸素と気相で接触させることを特徴とするシクロヘキサンの脱水素化方法。 - 特許庁

To provide a catalyst with which a methacrylic acid ester can be manufactured in a high yield by catalytically reacting in vapor phase a propionic acid ester with formaldehyde and/or a formaldehyde derivative, and a method of manufacturing the methacrylic acid ester in a high yield.例文帳に追加

プロピオン酸エステルとホルムアルデヒドおよび／またはホルムアルデヒド誘導体とを気相接触反応させてメタクリル酸エステルを高収率で製造できる触媒、および高収率でメタクリル酸エステルを製造する方法を提供する。 - 特許庁

1,4-Alkanediol and/or a cyclic ether are allowed to react with ammonia or an alkylamide in the presence of a catalyst of titanium and/or lantern on alumina in the vapor phase.例文帳に追加

１，４−アルカンジオール及び／又は環状エーテルとアンモニア又はアルキルアミンをアルミナにチタン及び／又は又はランタンを坦持した触媒の存在下に気相接触反応を行うことを特徴とする環状アルキレンイミン類の製造方法。 - 特許庁

To provide a methacrylic acid production catalyst for producing methacrylic acid at a high yield by vapor phase contact oxidation of methacrolein using molecular oxygen, its production method, and to provide a method for producing methacrylic acid using the catalyst.例文帳に追加

メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を高収率で製造できるメタクリル酸製造用触媒、その製造方法及びその触媒を用いたメタクリル酸の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for obtaining a highly active regenerated catalyst by sufficiently restoring the activity of a heteropoly acid-based catalyst containing phosphorus, molybdenum and vanadium and used in a vapor phase catalytic oxidation reaction of methacrolein.例文帳に追加

メタクロレインの気相接触酸化反応に使用したリン、モリブデンおよびバナジウムを含むヘテロポリ酸系触媒の活性を十分に回復させて、優れた活性を有する再生触媒を得ることができる方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a new gasoline composition which effectively increases the octane number while reducing environmental loads, does not cause the occurrence of phase separation nor the increase in Reid vapor pressure, and exhibits a stable performance as an automobile fuel.例文帳に追加

環境負荷を低減しつつ、オクタン価を効果的に向上させ、相分離の発生やリード蒸気圧の上昇を招くことなく、自動車用燃料として安定した性能を発揮することができる新規なガソリン組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of efficiently carrying out a vapor-phase dehydration reaction by bringing the starting gas into contact with a solid oxide catalyst including an alkali element, as the starting gas and the objective product are inhibited from being decomposed.例文帳に追加

原料ガスをアルカリ金属元素を含有する固体酸化物触媒に接触させることから成る気相脱水反応を、原料および目的生成物の分解を抑制して効率よく行なう方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a catalyst having a long life and used in producing a methacrylic acid through vapor phase catalytic oxidation of methacrolein with molecular oxygen, and also to provide a method for producing the same, and further to provide a method for producing the methacrylic acid using the catalyst.例文帳に追加

メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を製造する際に用いられる、寿命の長い触媒、その製造方法、および、この触媒を用いたメタクリル酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

To produce a compound oxide catalyst which is hardly reduced in reaction performance with the elapse of time by enabling the efficient vapor phase catalytic oxidation reaction of acrolein even under relatively low temperature condition so as to suppress the occurrence of hot spots.例文帳に追加

アクロレインの気相接触酸化反応を比較的低温の条件でも効率よく行なえるようにし、ホットスポットの発生を抑制して、経時的に反応成績が低下しにくい複合酸化物触媒を製造する。 - 特許庁

The method for producing the decalin by hydrogenation of naphthalene comprises carrying out vapor phase reaction in the presence of a catalyst by using naphthalene in which desulfurization treatment is carried out and a hydrogen-containing gas in which desulfurization treatment is carried out as raw materials.例文帳に追加

ナフタレンの水素化によるデカリンの製造方法であって、脱硫処理したナフタレンと脱硫処理した水素含有ガスを原料とし、触媒を用いて気相反応させることを特徴とするデカリンの製造方法。 - 特許庁

A group III-V nitride boule is formed by growing a group III-V nitride material on a corresponding native group III-V nitride seed crystal by vapor phase epitaxy at a growth rate above 20 μm per hour.例文帳に追加

相応する天然III−Ｖ族窒化物シード結晶上で、気相エピタクシーによって、１時間に２０μｍを上回る成長速度で、III−Ｖ族窒化物材料を成長させることにより、III−Ｖ族窒化物ブールを形成する。 - 特許庁

The production of an isocyanate by reacting a suitable primary amine with phosgene in a vapor phase is practiced under adiabatic conditions by ensuring that the average residence time in a reaction chamber is 0.05-15 sec.例文帳に追加

好適な第一級アミンとホスゲンとを気相中で反応させることによるイソシアネートの製造を、断熱条件下で、反応チャンバ中の平均滞留時間が０．０５〜１５秒であることを保証することによって実施する。 - 特許庁

To provide a method for producing vapor-phase growth carbon fibers, by which carbon nanofibers having minute diameters are produced using simple equipment, the diameters are not largely dispersed and formed carbon nanofibers are readily recovered.例文帳に追加

簡単な設備を用いて微小直径を有するカーボンナノファイバーを製造でき、その直径が大きくばらつかず、生成したカーボンナノファイバーを容易に回収できる気相成長炭素繊維の製造方法を提供を提供すること。 - 特許庁

The carbon nanotubes are grown by a vapor phase synthesis by supplying a raw material gas containing carbon atoms to a base material made of a porous material, on whose surface a catalyst is supported, from an opposite side of the catalyst supporting surface on which the catalyst is supported.例文帳に追加

表面上に触媒が担持された多孔体からなる基材に対し、触媒が担持されている触媒担持面の反対側から炭素原子を含む原料ガスを供給し、カーボンナノチューブを気相合成により成長させる。 - 特許庁

The gallium nitride-based compound semiconductor is obtained by growing at least a first gallium nitride-based compound semiconductor layer and a second gallium nitride-based compound semiconductor layer in this order on a substrate by using a hydride vapor phase growth method.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法を用いて、基板上に少なくとも、第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、第２の窒化ガリウム系化合物半導体層とをこの順で成長させて窒化ガリウム系化合物半導体基板を得る。 - 特許庁

To provide a process for producing N-alkyl-tert-butylamine which is an industrially useful compound, by subjecting tert-butylamine to a vapor-phase catalytic reaction with a primary alkyl alcohol in a high yield.例文帳に追加

本発明は、ｔｅｒｔ−ブチルアミンを第１級アルキルアルコールと気相接触反応させて、工業的に有用な化合物であるＮ−アルキル−ｔｅｒｔ−ブチルアミンを高収率で製造する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To perform a reaction with high selectivity through a long time at the time of manufacturing olefin oxide by the vapor phase catalytic oxidation of olefin by using a catalyst with a support, which contains Ag, Re and an alkali metal as active ingredients.例文帳に追加

活性成分としてＡｇ、Ｒｅ及びアルカリ金属を含有している担体付触媒を用いて、オレフィンを気相接触酸化してオレフィンオキシドを製造するに際し、長時間に亘り高選択率で反応を行わせる。 - 特許庁

A catalyst film 150 covering a portion of a catalyst-carrying film 104 is provided on the catalyst-carrying film 104 having boehmite on its surface, and carbon nanotubes 105 having a single layer structure are grown in a vapor phase from the catalyst film 150 as a starting point.例文帳に追加

ベーマイトを表面に有する触媒担体膜１０４上に、触媒担体膜１０４の一部を覆う触媒膜１５０を設け、この触媒膜１５０を起点として単層構造のカーボンナノチューブ１０５を気相成長させる。 - 特許庁