「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To significantly upgrade the adhesive strength of a metal and a plastic film in forming a metallic film on the plastic film while curbing an increase in a manufacturing cost to a maximum possible extent by a gas phase process for sputtering or vapor deposition.例文帳に追加

スパッタや蒸着等の気相法によりコストアップを極力抑えながらプラスチックフィルム上に金属薄膜を形成するに当たり、金属とプラスチックフィルムの密着強度の大幅な向上を図る。 - 特許庁

To suppress outside air from infiltrating into a reaction chamber and a vapor phase from backflow, while the reaction chamber is opened to the outside via a substrate-inserting/ejecting opening.例文帳に追加

反応容器の内部が基板搬入搬出口を介して外部に開放されている期間、反応容器の内部への外気の侵入と気相の逆流とを抑制することができるようにする。 - 特許庁

When performing vapor phase growth by using the substrate, the shape of the projections and depressions suppresses a lateral direction growth and accelerates a C-axis direction growth, so that the shape is used as a body surface for forming a facet surface.例文帳に追加

この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。 - 特許庁

In the method, at the time of growing crystals by vapor phase method, at least one pit 10p having a plurality of facets 12 is formed on the main growing plane 11 of the Al_xGa_1-xN crystals (0<x≤1) 10.例文帳に追加

気相法による結晶成長の際に、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶（０＜ｘ≦１）１０の主成長平面１１に複数のファセット１２を有するピット１０ｐを少なくとも１つ形成する。 - 特許庁

Even when the fuel tank has a higher fill-up level, fuel in a liquid phase is positively prevented from flowing into a canister via a vapor line.例文帳に追加

壁体４４の内側と流路４６とが確実に閉塞され、燃料タンクの満タン液位を高く設定しても、燃料が液体のままでベーパ配管からキャニスタに流入してしまうことを確実に阻止できる。 - 特許庁

When vapor phase epitaxy is carried out by using this substrate, the concavo-convex shape suppresses growth in the lateral direction and promotes growth in a C axial direction, thereby affording a base surface capable of forming a facet plane.例文帳に追加

この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。 - 特許庁

The crystal growing unit 500 grows a second GaN crystal on a substrate formed by using the GaN wafer by the HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) method, thus producing a bulked GaN crystal.例文帳に追加

結晶成長装置５００は、作製されたＧａＮウエハを基板として、ＨＶＰＥ法によって基板上に第２のＧａＮ結晶を結晶成長させ、塊状のＧａＮ結晶を製造する。 - 特許庁

The organic liquid 10 is cooled and maintained at a temperature equal to or lower than its boiling point using a water-cooling means 2, and the organic liquid 10 in a vapor phase is returned to a liquid tank 1 using a condensation means 7.例文帳に追加

有機液体１０の温度を有機液体１０の沸点以下に保つために水冷手段２を用いて冷却し、また、気相の有機液体１０を凝縮手段７にて液体槽１に戻す。 - 特許庁

In the method of producing micaceous iron oxide, a fused XFeCl_3 compound (X is an alkali metal element such as Na and K) is made into an atomized mist, and is subjected to vapor phase oxidation with humidified air at a high temperature of 950 to 1,500°C.例文帳に追加

溶融したＸＦeＣl_3化合物（Ｘはアルカリ金属元素、例えばＮa，Ｋなど）を噴霧ミストにして、950〜1500℃の高温度下で加湿空気によって気相酸化させる雲母状酸化鉄の製造方法。 - 特許庁

To provide vapor phase epitaxy equipment which equalizes temperature distribution of gas in a perimeter region of a processed substrate and reduces variation of composition and thickness of a thin film formed on the processed substrate.例文帳に追加

被処理基板の周辺領域におけるガスの温度分布を均一化し、被処理基板に形成される薄膜の組成および厚さのばらつきを軽減する気相成長装置を提供する。 - 特許庁

In this carbon fiber by vapor-phase growth, a large number of cup-shaped carbon net layers are laminated and the end faces of the carbon net layers are exposed.例文帳に追加

本発明に係る気相成長法による炭素繊維は、底の無いカップ形状をなす炭素網層が多数積層した、気相成長法による炭素繊維であって、炭素網層の端面が露出している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical fiber preform, by which the glass particulates formed by a vapor-phase axial deposition method can be efficiently deposited at a high speed, and a porous preform can be stably grown.例文帳に追加

気相軸付け法により生じたガラス微粒子を高速度で効率良く堆積させ、多孔質母材を安定して成長させることのできる光ファイバ母材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The nucleic acid decomposer irreversibly decomposing the nucleic acid contains a vapor-phase material (MR gas) derived from methanol and containing radical species at least containing a hydroxymethyl radical, a hydroperoxy radical, a hydrogen radical and a hydroxyl radical.例文帳に追加

ヒドロキシメチルラジカル、ヒドロペルオキシラジカル、水素ラジカル、ヒドロキシルラジカルを少なくとも含むラジカル種メタノール由来の気相物質（ＭＲガス）を含有し、核酸を非可逆的に分解する核酸分解剤。 - 特許庁

To provide a photocatalyst body for quickly decomposing a volatile aromatic compound present in a vapor phase, and a functional product of a photocatalyst employing the photocatalyst body.例文帳に追加

気相中の揮発性芳香族化合物を速やかに分解し得る揮発性芳香族化合物分解用光触媒体と、該光触媒体を用いた光触媒機能製品とを提供する。 - 特許庁

A vapor phase growth system comprises a susceptor 21, which is a plate-like object formed of graphite which is formed with circular recessed parts 21a to store wafers and is provided with a SiC film on the surface.例文帳に追加

気相成長装置は、ウエハを収容可能な円形凹部２１ａが形成され、かつ表面にＳｉＣ膜が形成された黒鉛からなる板状のサセプタ２１が反応室内に設置されたものである。 - 特許庁

By using an organometallic vapor phase growth method, a crystalline thin-film solar cell by a compound semiconductor is formed directly on a cover glass, which is used to enhance the radiation resistance of the solar cell for space.例文帳に追加

化合物半導体による結晶性薄膜太陽電池を、宇宙用太陽電池の耐放射線性向上のために用いられるカバーガラス上に有機金属気相成長法により直接形成する。 - 特許庁

The surface of a lower diamond film 2 is formed of the diamond (111) crystal plane, and quadrangular pyramidal diamond projections are formed on the above surface through a vapor-phase composition method.例文帳に追加

下層ダイヤモンド膜２は、表面がダイヤモンド（１１１）結晶面により構成され、前記表面にダイヤモンドの４角錐状の突起が形成されたものであり、気相合成により形成されている。 - 特許庁

An N-alkenyl carboxylic acid tertiary amide having excellent storage stability is obtained by wetting the inner wall surface contacting with the vapor phase part of a storage container with the N-alkenyl carboxylic acid tertiary amide.例文帳に追加

貯蔵容器の気相部に接する内壁面をＮ−アルケニルカルボン酸３級アミドで濡らすことによって、良好な貯蔵安定性を有するＮ−アルケニルカルボン酸３級アミドを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing for ethylene oxide capable of stabilizing ethylene oxide and capable of manufacturing ethylene oxide in high selectivity in manufacturing ethylene oxide by a vapor phase catalytic reaction of ethylene.例文帳に追加

エチレンの気相接触反応により酸化エチレンを製造するにあたり、酸化エチレンを安定して、さらには高選択率で製造し得るようにした酸化エチレンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To synthesize a cost effective catalyst precursor for use in homopolymerization or copolymerization of an olefin, which can produce an olefin having high bulk density and excellent morphology suitable for a vapor phase process technology.例文帳に追加

オレフィンの単独重合または共重合において、気相プロセス技術に適した高嵩密度および優れたモルホロジーを持つオレフィンを製造できる対費用効果的な触媒前駆体を合成する。 - 特許庁

To provide a catalyst capable of manufacturing methacrylic acid in a high yield by vapor phase catalytic oxidation of methacrolein with molecu lar oxygen, to provide a method for manufacturing the catalyst and a method for manufacturing methacrylic acid using the catalyst.例文帳に追加

メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を高収率で製造できる触媒、その製造方法、および、この触媒を用いたメタクリル酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

The zeolite produced by the production method is used as a catalyst, and in the presence of the catalyst, cyclohexanone oxime is brought into vapor phase Beckmann rearrangement reaction to thereby produce ε-caprolactam.例文帳に追加

かかる製造方法により製造されたゼオライトを触媒として用い、この触媒の存在下にシクロヘキサノンを気相にてベックマン転位反応させることにより、ε−カプロラクタムを製造する。 - 特許庁

To manufacture acrylonitrile and/or acrylic acid in a stabilized reaction for a long time by suppressing deterioration of a catalyst in the manufacture of the acrylonitrile and/or acrylic acid by a vapor phase catalytic oxidation of propane.例文帳に追加

プロパンの気相接触酸化反応によりアクリロニトリル及び／又はアクリル酸を製造するに際し、触媒の劣化を抑制して長時間にわたり安定した成績で反応を行わせる。 - 特許庁

Trimethyl aluminum, triethyl aluminum and tri-isobutyl aluminum are used for the organic aluminum materials, which are supplied at vapor phase molar fraction of 5% or less to the supply amount of trimethyl gallium.例文帳に追加

有機アルミニウム材料にはトリメチルアルミウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが用いられ、トリメチルガリウムの供給量に対して有機アルミニウム材料を、気相モル分率で５％以下として供給する。 - 特許庁

This method for producing allyl 2-hydroxyisolactate comprises reacting 2-hydroxyisolactic acid with propylene and oxygen or an oxygen- containing gas in the presence of palladium and an alkali metal on a support in a vapor phase.例文帳に追加

パラジウム及びアルカリ金属を担体に担持させた触媒の存在下、２−ヒドロキシイソ酪酸、プロピレン、及び酸素若しくは酸素含有ガスを気相中で反応させて２−ヒドロキシイソ酪酸アリルを製造する。 - 特許庁

This method for producing the hexafluoroethane comprises steps of reacting a mixed gas containing the hexafluoroethane and chlorotrifluoromethane with hydrogen fluoride in the presence of a fluorinating catalyst in the vapor phase at 200-450°C and fluorinating the chlorotrifluoromethane.例文帳に追加

ヘキサフルオロエタンとクロロトリフルオロメタンを含む混合ガスを、フッ素化触媒の存在下、フッ化水素と気相で２００〜４５０℃で反応させて、前記クロロトリフルオロメタンをフッ素化する工程を含む製造方法。 - 特許庁

This method for producing the aromatic vinyl compound by dehydrohalogenating the aromatic haloalkyl compound comprises carrying out the reaction in the vapor phase in the presence of a weak acidic or basic inorganic solid material.例文帳に追加

芳香族ハロアルキル化合物を脱ハロゲン化水素させて芳香族ビニル化合物を製造する方法において、反応を気相で且つ弱酸性ないし塩基性無機固体物質の存在下で行う。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-quality hydroxyalkyl (meth) acrylate in high yield at a low cost while intactly using (meth)acrylic acid obtained by a vapor-phase oxidizing reaction.例文帳に追加

本発明は、気相酸化反応で得られた（メタ）アクリル酸をそのまま用いながら高収率で高品質のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを低コストで製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing acrylonitrile advantageous in aspects of equipment or variable cost when industrially carrying out the method in the method for producing the acrylonitrile by a vapor-phase catalytic oxidizing reaction of a hydrocarbon with ammonia.例文帳に追加

炭化水素とアンモニアの気相接触酸化反応によるアクリロニトリルの製造方法において、工業的実施の際に設備的或いは変動費的に有利なアクリロニトリルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To uniformize the distribution of the temperature in a reaction tube of a vapor phase epitaxial growth system, and to thereby uniformize the film thickness and emission wavelengths of a grown epitaxial wafer for LED.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長装置の反応管内の温度分布の均一化を図り、これにより成長するＬＥＤ用エピタキシャルウェハの膜厚の均一化、発光波長の均一化を達成する。 - 特許庁

To obtain a porous glass body by a vapor phase deposition capable of manufacturing a fluorine-added synthetic quartz glass material where fluorine is uniformly added and distortion hardly remains.例文帳に追加

気相法で得られた多孔質ガラス体であって、均一なフッ素の添加ができ、かつ歪みがほとんど残ることがないフッ素添加合成石英ガラス材を製造できる多孔質ガラス体を得ることにある。 - 特許庁

The vapor phase growth apparatus further includes, on the surface portion facing the susceptor, a fine porous part for ejecting an inert gas toward inside of the reactor furnace and a structure for supplying the inert gas to the fine porous part.例文帳に追加

さらに、サセプタの対面に、不活性ガスを反応炉内に向かって噴出するための微多孔部、及び不活性ガスを微多孔部に供給するための構成を備えてなる気相成長装置とする。 - 特許庁

In a method for manufacturing a silicon wafer, a material gas is supplied to a main surface of a silicon single crystal substrate 2 to carry out a vapor phase growth of a silicon thin film on the main surface.例文帳に追加

シリコン単結晶基板２の主表面上に原料ガスを供給することにより該主表面上にシリコン薄膜を気相成長させてシリコンウェーハを製造するシリコンウェーハの製造方法である。 - 特許庁

To provide an SiC substrate which does not adhere to a susceptor, when the SiC substrate placed on the susceptor is grown by vapor phase deposition, and is not damaged when it is peeled.例文帳に追加

ＳｉＣ基板をサセプター上に載置し、気相成長する場合に、ＳｉＣ基板がサセプターに固着せず、剥がすときにＳｉＣ基板の損傷を防止することができるＳｉＣ基板を提供する。 - 特許庁

Thus, hot spot in the reactor can uniformly be decreased, and therefore the catalytic vapor-phase oxidation reaction of propylene or isobutylene can be carried out in such as way that an objective reaction product is obtained in a good yield.例文帳に追加

本発明によれば、均一に反応管のホットスポットを減少することができ、これにより目的生成物を収率良く、プロピレンまたはイソブチレンの接触気相酸化反応を行うことができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the group III-V compound semiconductor is for use in the group III-V compound semiconductor by organic metal vapor phase epitaxy employing a material containing group III element.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法は、ＩＩＩ族元素を含む原料を用いた有機金属気相成長法によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を製造する方法である。 - 特許庁

In a growth process S1, a gas G1 containing an ammonia and group III organic metal matter is supplied into a growth furnace 15 of a vapor phase growth apparatus 11 to grow a group III nitride semiconductor of GaN etc.例文帳に追加

成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。 - 特許庁

To control heat generation on the surface of a catalyst and to prolong the life of the catalyst in a technique for producing 1,1,1-trifluoroacetone by hydrogenolysis of a halogenated trifluoroacetone in a vapor phase in the presence of the catalyst.例文帳に追加

ハロゲン化トリフルオロアセトンを気相中、触媒の存在下、水素化分解して１，１，１−トリフルオロアセトンを製造する技術において、触媒表面の発熱を抑制し、触媒の寿命を延長させる。 - 特許庁

Since mica and the reconstituted mica substrate have high insulation properties and heat-resistant temperature, they can be selenized at an optimum treatment temperature in vapor phase selenization treatment, thus high conversion efficiency is obtained.例文帳に追加

マイカ及び集成マイカは、高い絶縁性及び耐熱温度を有しているから、気相セレン化処理において最適な処理温度でセレン化することができ、高い変換効率を得ることができる。 - 特許庁

An ingot 1 of a gallium nitride single crystal grown by a vapor-phase growth method is cut along specified planes S1, S2, and S3 to manufacture one or a plurality of single crystal gallium nitride substrates 7.例文帳に追加

気相成長法によって成長された窒化ガリウム単結晶のインゴット１を所定の平面Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３に沿って切断して一または複数の単結晶窒化ガリウム基板７を作製する。 - 特許庁

This carbon fiber of vapor phase method has the volume of micropore having ≤2 nm pore diameter in a range of 0.01-0.4 ml/g and the isothermal line of nitrogen adsorption and desorption exhibiting II or III type.例文帳に追加

細孔直径２ｎｍ以下であるミクロ孔の容積が、０．０１〜０．４ｍｌ／ｇの範囲にあって、窒素吸着脱離等温線がＩＩ型あるいはＩＩＩ型を示す気相法炭素繊維。 - 特許庁

To provide a method for producing a hydroxy aromatic compound alkylated at the o-position by subjecting a hydroxyaromatic compound and an alkyl alcohol to a vapor-phase catalytic reaction in the presence of a metal oxide catalyst.例文帳に追加

ヒドロキシ芳香族化合物とアルキルアルコールを金属酸化物触媒の存在下に気相接触反応を行い、オルト位アルキル化ヒドロキシ芳香族化合物を製造する方法を提供する。 - 特許庁

In the compound semiconductor epitaxial wafer, a GaAs epitaxial layer, a GaInP epitaxial layer and an AlGaInP epitaxial layer are successively grown on a GaAs substrate by an organo-metallic vapor phase growth method.例文帳に追加

有機金属気相成長法によりＧａＡｓ基板上にＧａＡｓエピタキシャル層、ＧａＩｎＰエピタキシャル層およびＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層を順次成長させてなる化合物半導体エピタキシャルウェハ。 - 特許庁

A high polymer material incorporating a carbon nanotube and/or vapor phase growth carbon fibers similar to it is used as a resin layer and a rubber layer (base layer 52) constituting the developer carrier (for instance, developing roller).例文帳に追加

現像剤担持体（例えば現像ローラ）を構成する樹脂層やゴム層（ベース層５２）としてカーボンナノチューブ及び／又はそれに類似する気相成長炭素繊維を含有させた高分子材料を用いる。 - 特許庁

To uniformalize discharge voltages between electrodes of an AC type plasma display panel, by planarizing a dielectric layer formed in a vapor phase film-forming method and planarizing a protective film formed on the dielectric layer.例文帳に追加

ＡＣ型のプラズマディスプレイパネルにおいて、気相成膜法で形成される誘電体層を平坦化し、誘電体層上に形成する保護膜を平坦にして、電極間の放電電圧の均一化を図る。 - 特許庁