「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

In the manufacturing method for the granular composite carbon material, the hydrophilic vapor phase growth carbon fiber is stuck to the granular carbon material containing the graphite material by imparting mechanical energy.例文帳に追加

また、親水性気相成長炭素繊維を、黒鉛質物を含有する粒状炭素材料に、機械的エネルギーを付与して付着させる粒状複合炭素材料の製造方法。 - 特許庁

To provide a method for the synthesis of a fluorine-containing β-diketone Ni complex useful as a raw material for forming a thin film by vapor-phase chemical reaction (CVD) and having excellent vaporizability and stability.例文帳に追加

気相化学反応（ＣＶＤ）により薄膜を形成させるための原料として有用な、気化性、安定性に優れた含フッ素β−ジケトンＮｉ錯体の合成方法を提供する。 - 特許庁

A susceptor 1 supports a semiconductor wafer W during a vapor phase epitaxy process in which the semiconductor wafer W is heated from both the principal front surface side and the principal rear surface side.例文帳に追加

半導体基板Ｗを主表面側からと主裏面側からとの双方から加熱して行う気相成長の際に該半導体基板Ｗを支持するサセプタ１である。 - 特許庁

To obtain acrylic acid of high purity by efficiently removing impurities, for example, aldehydes and the like from the crude acrylic acid produced by the vapor-phase oxidation process, as the formation of polymers is suppressed.例文帳に追加

気相接触酸化法で得られた粗アクリル酸から、重合物の生成を抑制しつつアルデヒド類等の不純物を効率的に除去して、高純度のアクリル酸を得る。 - 特許庁

The primer 12, the target nucleic acid 1, the DNA polymerase 2 and the deoxynucleoside triphosphate 3 are released to the vapor phase by a finely subdividing means 5, and each thereof reacts and amplified.例文帳に追加

プライマー１２、対象の核酸１、ＤＮＡポリメラーゼ２、デオキシヌクレオシド三燐酸３は微細分化手段５により気相中に放出され、それぞれが反応、増幅するものである。 - 特許庁

To provide a new oxidative dehydrogenation catalyst by which a lower olefin corresponding to a lower alkane can be manufactured in high yield by subjecting the lower alkane to vapor-phase oxidative dehydrogenation reaction by using oxygen of a molecular state.例文帳に追加

低級アルカンを分子状酸素により気相酸化脱水素して対応する低級オレフィンを高収率で製造できる新規な酸化脱水素用触媒を提供する。 - 特許庁

In the presence of a catalyst constituted of (A) copper single or (B) a combination thereof with the second metal, a nonconjugated unsaturated aldehyde is hydrogenated in a vapor phase to produce the objective unsaturated alcohol.例文帳に追加

（Ａ）銅単独、又は（Ｂ）銅及び第２の金属で構成されている触媒の存在下、非共役系の不飽和アルデヒドを気相系において水素化し、不飽和アルコールを製造する。 - 特許庁

The hydroxy aromatic compound is a mixture of phenol and o-cresol, and the amount of the o-cresol in the vapor-phase mixture is regulated so as to be ≤0.6 mol based on 1 mol phenol.例文帳に追加

ヒドロキシ芳香族化合物がフェノールとオルソクレゾールの混合物であり、オルソクレゾールが気相混合物中にフェノール１モル当たり０．６モル以下の範囲の量にて存在させる。 - 特許庁

The susceptor 1 (30, 40) supports the semiconductor substrate W when the vapor phase growth is carried out by heating the semiconductor substrate W through both of the main front side and main back side.例文帳に追加

半導体基板Ｗを主表面側からと主裏面側からとの双方から加熱して行う気相成長の際に該半導体基板Ｗを支持するサセプタ１（３０，４０）である。 - 特許庁

This method of producing sulfuryl fluoride comprises bringing sulfuryl fluorochloride into contact with active carbon in the vapor phase at a temperature of at least 130°C and producing the sulfuryl fluoride, SO2 and Cl2 in the process.例文帳に追加

少なくとも１３０℃の温度で塩化フッ化スルフリルを気相で活性炭と接触させ、その際、フッ化スルフリル及びＳＯ_２並びにＣｌ_２を生じさせる、フッ化スルフリルの製造方法 - 特許庁

To provide a process for producing isopropyl alcohol by a vapor phase hydrogenation reaction of acetone, in which an equipment installation cost is reduced and energy can be efficiently utilized.例文帳に追加

アセトンの気相水素化反応におけるイソプロピルアルコールの製造設備の低減を図り、しかもエネルギーを効率的に活用できるイソプロピルアルコールの製造プロセスを提供することにある。 - 特許庁

The surface of the wafer W is oxidized with the ozone gas into a chemical oxide film, and this chemical oxide film is selectively removed by vapor phase etching by the use of the hydrofluoric acid steam.例文帳に追加

オゾンガスによってウエハＷの表層部が酸化されてケミカル酸化膜となり、このケミカル酸化膜がふっ酸蒸気による気相エッチングによって選択的に除去される。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial growth system equipped with means for preventing generation of chromium carbide on the surface of a metal protective tube of a thermocouple without touching a susceptor and the thermocouple directly.例文帳に追加

サセプタと熱電対が直接接触することなく、熱電対の金属保護管表面にクロムカーバイトが発生することを防止する手段を備えた気相成長装置を提供する。 - 特許庁

A vapor-phase growth device 100 includes a cooling chamber 10 for cooling a semiconductor wafer 1 by approximating the heated semiconductor wafer 1 to a metallic disk-shaped cooling plate 11.例文帳に追加

気相成長装置１００は、加熱した半導体ウェーハ１を金属製の円板状の冷却プレート１１に近接して、半導体ウェーハ１を冷却する冷却チャンバ１０を備える。 - 特許庁

The raw material gas increases a vapor-liquid interfacial area by contact with foam of the disperse phase gas and thereby the reaction is promoted in the reaction tower in which the suspended catalyst solution is reacted.例文帳に追加

前記原料ガスは、懸濁した触媒溶液が反応する反応塔内で、分散相気体の泡沫と接触し、気−液界面積を増大させて、反応を促進させる。 - 特許庁

In the method of forming the metal film, the polyimide surface is treated with a strong alkali to open an imide ring, and then the metal film is laminated on the surface by the vapor phase growing method.例文帳に追加

金属膜形成方法は、ポリイミドの表面を強アルカリで処理して、イミド環を開環させたのち、当該表面に、気相成長法によって金属膜を積層、形成する。 - 特許庁

To improve an operating method of a discharge lamp system with vertical segregation of a vapor phase kind lowered so as to enable to more easily excite a synthetic acoustic mode than in the case of a conventional technique.例文帳に追加

蒸気相種の垂直分離が低減されている放電ランプシステムを作動する方法を、合成音響モードを従来技術の場合より容易に励振できるように改良する。 - 特許庁

The vapor phase-grown carbon fiber is a rigid fiber having an average diameter of 20-200 nm, an average length of 5-20 μm and an average of the flexing index, defined by expression (1) below, of 5-15.例文帳に追加

気相成長炭素繊維は、平均直径が２０〜２００ｎｍ、平均長さが５〜２０μｍであり、下記式（１）で定義される屈曲指数の平均値が５〜１５の剛直な繊維である。 - 特許庁

The spiral flow generator 10 has a conduit 11, and a twist ribbon 12 installed in the conduit 11 to generate a spiral flow in the exhaust gas of a vapor-liquid two-phase fluid.例文帳に追加

螺旋流発生装置１０は、導管１１と、導管１１内に設置されて気液２相流体の排出ガスに螺旋流を発生させるねじりリボン１２とから構成される。 - 特許庁

To prevent the production of an optical fiber preform having a nonuniform glass density distribution based on a difference in characteristics of burners in production of the optical fiber preform by an outside vapor-phase deposition method.例文帳に追加

外付け法による光ファイバ母材の製造において、バーナーの特性の違いに基づき、不均一なガラス密度分布をもつ光ファイバ母材が製造されることを防止する。 - 特許庁

Adhesive force between the support body and the stimulable phosphor layer is 2-100MPa, in this radiographic image conversion panel formed with the stimulable phosphor layer on the support body by a vapor deposition method (vapor phase method), and provided with the protection layer on the stimulable phosphor layer.例文帳に追加

支持体４上に輝尽性蛍光体層を気相堆積法（気相法）により形成し、該輝尽性蛍光体層上に保護層を設けた放射線画像変換パネルにおいて、支持体と輝尽性蛍光体層間の付着力が２〜１００ＭＰａであることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the glass particulate deposit by a VAD (vapor-phase axial deposition) process or OVD (outside vapor deposition) process comprises maintaining the humidity within the apparatus for manufacturing the glass particulate deposit at ≤5 g/kg or the oxygen concentration therein at ≤20%.例文帳に追加

ＶＡＤ法若しくはＯＶＤ法によってガラス微粒子堆積体を製造する方法において、ガラス微粒子堆積体製造装置内の湿度を５ｇ／ｋｇ以下又は酸素濃度を２０％以下に保持することを特徴とするガラス微粒子堆積体の製造方法。 - 特許庁

To provide a vapor phase deposition apparatus and a vapor deposition method by which the gas concentration distribution on the surface of a substrate to be treated in a growth chamber can be uniformized and the thickness of a deposition film and the compositional ratio can be improved when a raw material gas is introduced from a peripheral part of a shower head.例文帳に追加

原料ガスをシャワーヘッドの周辺部から導入した場合に、成長室の被処理基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

For example, when mixed gas (air containing water vapor) containing condensable gas at partial pressure slightly lower than vapor pressure at substrate temperature is supplied onto the silicon oxide film 2 under the condition of the substrate cooled, the liquid phase 4 is formed only around a contact 10 owing to capillary condensation.例文帳に追加

例えば、基板冷却下で、基板温度における蒸気圧よりわずかに小さい分圧で凝縮性ガスを含んでいる混合ガス（例えば、水蒸気を含む空気）を酸化シリコン膜２上に供給すると、毛管凝縮によって接点１０の周囲にのみ液体相４が形成される。 - 特許庁

The method for producing the acrylonitrile by using a fluidized bed reactor by carrying out a vapor-phase catalytic ammoxidation reaction includes regulating the feeding temperature of the raw material gas so as to be ≥0°C and ≤30°C, and so that the feeding pressure of the raw material gas may be lower than the vapor pressure at the feeding temperature.例文帳に追加

流動層反応器を用いて気相接触アンモ酸化反応を行うことによりアクリロニトリルを製造する方法であって、原料ガスのフィード温度を０℃以上３０℃以下とし、且つ、原料ガスのフィード圧力を前記フィード温度における蒸気圧未満とする、アクリロニトリルの製造方法。 - 特許庁

The surface-treated carbon black is produced by (A) a step in which carbon black is subjected to a water vapor plasma treatment at ≤100°C so as to have a surface hydroxy amount of 0.25-0.55 mmol/g, and (B) a step in which a silane coupling agent is adsorbed on the carbon black by vapor phase adsorption after the step (A).例文帳に追加

（Ａ）カーボンブラックを１００℃以下の温度で水蒸気プラズマ処理し、表面水酸基量を０．２５〜０．５５ｍｍｏｌ／ｇに調整する工程、および（Ｂ）工程（Ａ）の後、カーボンブラックにシランカップリング剤を気相吸着させる工程により、表面処理カーボンブラックを製造する。 - 特許庁

The layer 24 made of a mixed crystal compound semiconductor containing two or more types of group III elements is formed by an organic metal vapor phase growing process, and the diffusion layer 7 is formed on the layer 24 by a hydride vapor growing process.例文帳に追加

そして、該オフアングルを有する単結晶基板１上に、２種以上のＩＩＩ族元素を含む混晶化合物半導体よりなる発光層部２４を有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The rust-proofing film includes at least an outer layer having a water vapor barrier resin layer and an oxygen barrier resin layer and an inner layer which has a heat fusing resin layer containing the vapor phase corrosion inhibitor where the outer layer and the inner layer are lamination-integrated so as to form a multilayer resin layer by a coextrusion method.例文帳に追加

少なくとも、水蒸気バリア樹脂層と酸素バリア樹脂層とを有する外層と、気化性防錆剤を含有する熱融着性樹脂層からなる内層とから構成され、前記外層と前記内層とが共押し出し法で積層一体化された多層樹脂層から成る。 - 特許庁

The invention relates especially to a final optical-fibre preform comprising a primary preform 3 obtained by a VAD (vapor-phase axial deposition) process or an OVD (outside vapor deposition) process, a silica sleeve tube 4 surrounding the primary preform 3, and a built-up layer 5 made of silica particles surrounding the silica sleeve tube 4.例文帳に追加

本発明は、ＶＡＤ堆積法またはＯＶＤ堆積法によって得られる一次プリフォーム３と、一次プリフォーム３を取り囲むシリカスリーブチューブ４と、シリカスリーブチューブ４を取り囲むシリカ粒子でできたビルトアップ層５とを含む、光ファイバ最終プリフォームに特に関する。 - 特許庁

The method for manufacturing the ferroelectric layer contains the steps of forming a first ferroelectric layer 22 on a substrate by a vapor phase method, and forming a second ferroelectric layer 24 on the first ferroelectric layer 22 by a liquid phase method.例文帳に追加

強誘電体層の製造方法は、基体の上方に、気相法によって第１の強誘電体層２２を形成する工程と、第１の強誘電体層２２の上方に、液相法によって第２の強誘電体層２４を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

When the liquid hydrocarbon L is brought into contact with stripping gas G in countercurrent in the distillation column 1 having a temperature gradient dropping temperature toward the overhead, mercury is efficiently transferred from a liquid phase to a vapor phase without bringing a light fraction in exhaust gas.例文帳に追加

塔頂に向かって降温する温度勾配を付けた蒸留塔１内で液状炭化水素ＬをストリッピングガスＧと向流接触させると、軽質留分が排ガスＷに持ち込まれることなく、水銀が効率よく液相から気相に移行する。 - 特許庁

To provide an optical film (e.g. a polarizing plate protection film or a phase difference film) having a low water vapor permeability and an improved dimensional stability, a phase difference film with suppressed retardation variation, a polarizing plate and an antireflection film both excellent in durability, and manufacturing processes for them.例文帳に追加

透湿度が低く、寸法安定性が改善された偏光板保護フィルム、位相差フィルム等の光学フィルム、さらに、位相差フィルムのリターデーション変動を抑制し、又、耐久性の優れた偏光板、反射防止フィルムおよびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

The reversely sublimable material is a sublimable material that changes from a vapor phase to a solid phase and it is, e.g. pyromellitic anhydride, phthalic anhydride, maleic anhydride, anthraquinone, naphthalic anhydride, benzoic acid, phenylmaleic anhydride, phenanthrene or nicotinic acid and is preferably pyromellitic anhydride.例文帳に追加

逆昇華性物質とは気相から固相に変化する昇華性物質であって、無水ピロメリット酸、無水フタル酸、無水マレイン酸、アントラキノン、無水ナフタル酸、安息香酸、無水フェニルマレイン酸、フェナントレイン、ニコチン酸などを例示され、なかでも無水ピロメリット酸が好ましい。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 22B contains Si, Sn or their alloy, and is formed by a vapor phase method, a liquid phase method, or a sintering method, and is alloyed with the negative electrode current collector 22A in at least one part of interface with the negative electrode current collector 22A.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化している。 - 特許庁

To provide a method for producing an amorphous silicon which method, like a vapor-phase freezing method such as a plasma CVD method, can easily mass-produce a large-area amorphous silicon with a low energy consumption without using a silane gas toxic to a human body, by utilizing a nonequilibrium process belonging to a solid phase method.例文帳に追加

固相法に属する非平衡プロセスを利用することによって、プラズマＣＶＤ法等の気相凍結法と同様にエネルギー消費が少なく、大面積化・量産化が容易であるが、人体に有毒なシランガスを使用せずに、アモルファスシリコンを製造する。 - 特許庁

An electrode is manufactured in such a way that slurry prepared by dispersing flake graphite powder and/or vapor phase growth carbon fibers, and a binder in a solvent is applied to a current collector, the flake graphite powder and/or the vapor phase growth carbon fibers are oriented by a magnetic field, and the solvent is removed by drying, and the obtained electrode is used as the positive electrode of a lithium ion secondary battery.例文帳に追加

鱗片黒鉛粉末および／または気相成長炭素繊維と結着剤とを溶媒に分散されてなるスラリーを集電体に塗布した後、磁場によって、スラリー中の鱗片状黒鉛粉末および／または気相成長炭素繊維を配向させて、溶媒を乾燥除去することにより製造された電極をリチウムイオン二次電池用の正極に採用する。 - 特許庁

The method for manufacturing the epitaxial wafer, wherein the thickness of the epitaxial layer formed in the surrounding region of a silicon wafer is controlled by controlling a growth speed and/or a growth temperature of the epitaxial layer of which vapor-phase epitaxy is achieved, in the method for manufacturing the epitaxial wafer by supplying a raw material gas onto the silicon wafer to achieve vapor-phase epitaxy of the epitaxial layer.例文帳に追加

シリコンウエーハ上に原料ガスを供給してエピタキシャル層を気相成長させることによりエピタキシャルウエーハを製造する方法において、前記気相成長させるエピタキシャル層の成長速度及び／又は成長温度を制御することにより、前記シリコンウエーハの周辺部に形成されるエピタキシャル層の厚さを制御することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a system for stably obtaining a (meth)acrylic acid solution of high and constant (meth)acrylic acid concentration coming out of a noncondensable gas separation apparatus regardless of the temperature fluctuation of the gas discharged from a vapor phase catalytic oxidation reactor employed in a (meth)acrylic acid production process that employs a vapor phase catalytic oxidation reaction, and a method for producing (meth)acrylic acid that utilizes the system.例文帳に追加

本発明は、接触気相酸化反応による（メタ）アクリル酸の製造工程において、接触気相酸化反応器から排出されるガスの温度変動に拘わらず、非凝縮性ガス分離装置から得られる（メタ）アクリル酸溶液を高濃度で且つ一定濃度で安定的に得るためのシステムと、当該システムを利用する（メタ）アクリル酸の製造方法を提供することを目的にする。 - 特許庁

This multi-air conditioner includes many exterior heat exchangers, many exterior fans for cooling each exterior heat exchanger, and a control means for controlling the rotational frequency of the exterior fans so that the mixing ratio of the vapor-phase/liquid-phase coolant flowing into the vapor-liquid separator via each exterior heat exchanger can be adjusted properly according to each operation condition.例文帳に追加

本発明によるマルチ空気調和機は、多数台の室外熱交換機と、前記各室外熱交換機を冷却する多数個の室外ファンと、前記各室外熱交換機を経て気液分離機に流入する気相／液相冷媒の混合比が各運転条件にしたがって適切に調節されるよう前記室外ファンの回転数を制御する制御手段を含めてなる。 - 特許庁

The radiation image conversion panel which has stimulable phosphor layers on a support is characterized in that at least one of the stimulable phosphor layers is formed by a vapor phase method (or a vapor phase deposition method) so that its film thickness will be 50 μm to 1 mm and two or more rare-earth compounds are contained in the phosphor composition.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の該輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚を有するように形成され、蛍光体組成中に希土類化合物を２種類以上均一に含有していることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

In a radiation image conversion panel having at least a stimulable phosphor layer on a support body, at least one layer of the stimulable phosphor layer is formed by a vapor phase method (also referred to as vapor phase deposition method) so as to have film thickness of 50 μm or more and grain size of the stimulable phosphor body in the layer is 90 nm or more.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の少なくとも１層が、気相法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ以上の膜厚を有するように形成され、且つ、該層中の輝尽性蛍光体の結晶子サイズが９０ｎｍ以上であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

This radiological image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support has a characteristic wherein at least one stimulable phosphor layer is formed by a vapor-phase method (namely, a vapor-phase deposition method) so as to have the film thickness of 50μm - 1 mm, the support is constituted of a thermoplastic resin, and a carbon fiber is mixed in the thermoplastic resin.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の該輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚を有するように形成され、該支持体が熱可塑性樹脂で構成され、熱可塑性樹脂中に炭素繊維が混合されていることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

This radiological image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support has a characteristic wherein at least one stimulable phosphor layer is formed by a vapor-phase method (namely, a vapor-phase deposition method) so as to have the film thickness of 50μm - 1 mm and a protection layer having at least one layer of a thermoplastic resin is formed on the phosphor layer.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の該輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚を有するように形成され、該蛍光体層上に少なくとも１層の熱可塑性樹脂を有する保護層が形成されていることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

In the gas phase reaction for oxidizing gaseous zinc in the presence of oxygen and water vapor, the gas containing a zinc vapor in an inert gas and the gas containing oxygen and water vapor are respectively introduced into a reactor to effect the oxidation reaction of zinc wherein the reactor, and then the silicon containing composition is introduced into the reaction zone for the oxidization, whereby the complex oxide can be produced.例文帳に追加

前記複合酸化物は、気体状の亜鉛を酸素と水蒸気の存在下で酸化させる気相反応において、不活性ガス中に亜鉛蒸気を含むガスと、酸素と水蒸気とを含むガスを、反応器にそれぞれ導入し、反応器内で亜鉛の酸化反応をさせ、その反応帯に珪素含有組成物を導入し酸化することにより得られる。 - 特許庁

This heat absorbing or dissipating body 100 receives temperature energy of thermal conductive fluids 110 flowing in a first fluid pipe 101 and a second fluid pipe 102, and exerts a cold energy releasing function for absorbing heat to solid-phase, rubber-state, liquid-phase or vapor-phase article or space 200, or a heat energy releasing function by dissipation.例文帳に追加

吸熱または放熱体１００は、第一流体配管１０１及び第二流体配管１０２で流動する導温流体１１０の温度エネルギーを受け、固相またはゴム状態または液相または気相物体または空間２００に対して吸熱する冷熱エネルギー放出機能を作動させ、または、放熱の熱エネルギー放出機能を作動させる。 - 特許庁