「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress abnormal growth of a gallium nitride crystal in circumferential parts of both ends of a seed substrate in manufacture of a gallium nitride self-supporting substrate in a vapor phase growth method.例文帳に追加

気相成長法による窒化ガリウム自立基板の製造において種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する。 - 特許庁

Either or both of the first and second protective films 20, 22 is of a laminated structure pinching a vapor phase epitaxy inorganic film 26 with at least plasma polymerization films 24.例文帳に追加

この第１及び第２保護膜２０，２２のいずれか又は両方を、少なくともプラズマ重合膜２４によって気相成長無機膜２６を挟んだ積層構造とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for vapor phase deposition, which can deposit a tungsten metal layer fully inside of a hole, for a substrate provided with the hole of a high aspect ratio.例文帳に追加

アスペクト比が高いホールが設けられた基板に対しても、ホール内に充分にタングステン金属層を埋め込むことが可能な気相堆積方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a susceptor, a vapor phase growth device, a method of manufacturing an epitaxial wafer, and an epitaxial wafer, which are capable of readily achieving the in-plane uniformity of dopant concentration and resistivity.例文帳に追加

ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を容易に実現し得るサセプタ、気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

A dense glass body is obtained by subjecting a silica porous glass body containing hydroxy groups to a vapor phase reaction under an atmosphere of a volatile silicon compound except halogenated silanes, and firing the resulting silica porous glass body.例文帳に追加

水酸基を含むシリカ多孔質ガラス体を、ハロゲン化シランを除く揮発性珪素化合物雰囲気中で気相反応させた後、焼成して緻密なガラス体とした。 - 特許庁

Consequently, adhesion between the conductive layer and the base material can be increased when a monomer such as thiophene is formed on the surface of the base material by vapor-phase polymerization.例文帳に追加

この導電性ポリマーからなる導電層を、チオフィンなどのモノマーを基材表面上に気相重合して形成すると、基材と導電層との密着性に優れる。 - 特許庁

To provide an enzyme carrier enabling enzyme activity to be maintained well over a long period in a vapor phase environment and also preferably standing use of its own under a high-temperature environment.例文帳に追加

気相環境で長期間に渡り良好に酵素活性を維持することができ、また好ましくは高温環境での使用にも耐え得る酵素担持体を提供する。 - 特許庁

Subsequently, a semiconductor layer 104 consisting of a compound semiconductor is formed to cover the nanowire 103 by chemical vapor phase growth thus forming a columnar nanopillar 105.例文帳に追加

次に、化学的気相成長法により、化合物半導体からなる半導体層１０４を、ナノワイヤ１０３を覆って形成することで柱状のナノピラー１０５を形成する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device in which material gas can be uniformly supplied to the surface of a substrate and a uniform semiconductor thin film can be allowed to grow on the surface of the substrate.例文帳に追加

原料ガスを均質に基板面に供給することができ、基板面に均一な半導体薄膜を成長させることができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

In the method for growing the gallium-nitride-based compound semiconductor on the substrate, a growth speed is changed, and the compound semiconductor is grown at two stages by a hydride vapor-phase epitaxial growth method.例文帳に追加

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる方法であって、ハイドライド気相エピタキシャル成長法で成長速度を変えて２段階成長させる。 - 特許庁

To obtain an adhesive by using a by-product on a gaseous phase treatment for treating wood with the vapor of a solution consisting mainly of water and methylene chloride.例文帳に追加

本発明は、水とメチレンクロライドを主体とした溶液の蒸気により木材を処理する気相処理において、生成される副産物を利用することを課題とする。 - 特許庁

Graphite layer or graphite layer with ceramics mixed thereto deposited by the chemical gas phase vapor deposition method is deposited as an acoustic matching layer (5) on one electrode (2) of a piezoelectric (1).例文帳に追加

圧電素子(1)の一方の電極(2)面に音響整合層(5)として化学気相蒸着法により形成した黒鉛もしくはセラミックスを混入した黒鉛を形成する。 - 特許庁

The susceptor 10 that supports a semiconductor wafer W during vapor phase growth, in which a counterbore 11 where the semiconductor wafer W is arranged on the upper surface.例文帳に追加

気相成長の際に半導体基板Ｗを支持するサセプタ１０であり、上面には、内部に半導体基板Ｗが配置される座ぐり１１が形成されている。 - 特許庁

The plurality of layers are laminated by performing vapor phase growth while varying at least one of the kind, ratio, and flow rate of a material gas constituting a source gas.例文帳に追加

原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気相成長させることにより、複数層を積層させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor epitaxial wafer which can suppress a backside hole, when forming a current diffusion layer using hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法を用いて電流拡散層を形成する場合に、裏面穴を抑制することのできる化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The volatile organic chlorine compound materials, or the like, vaporized and separated in the spray reaction chamber are introduced through a condenser together with the unutilized gaseous ozone into a vapor phase reaction chamber 9.例文帳に追加

又、噴霧式反応槽内で気化分離した揮発性有機塩素化合物質等は未利用オゾンガスと共にコンデンサー８を経由して気相反応槽９へ導入する。 - 特許庁

This rubber composition is obtained by compounding vapor- phase-grown carbon fibers as a filler, or which the aspect ratio is below 10, with a rubber material being a base material.例文帳に追加

ゴム材料を基材とし、充填材として平均アスペクト比が１０未満である気相成長炭素繊維を配合することを特徴とするゴム組成物である。 - 特許庁

To provide an actuator material which can be reduced in weight and size and also can be safely used in a vapor phase such as in the atmosphere or the like, and an actuator using the same.例文帳に追加

軽く、超小型化が可能で、大気中などの気相中で安全に安定して使用できるアクチュエータ材料、およびこれを用いたアクチュエータを提供すること。 - 特許庁

To prevent the sticking of a boat with a heat reserving tube by a reactive product formed on a contact face between the boat and the heat reserving tube in a reduced pressure vertical vapor phase growing system.例文帳に追加

減圧縦型気相成長装置において、ボートと保温筒との接触面に成膜される反応生成物によるボートと保温筒との固着を防止する。 - 特許庁

Methods for producing an electrically conductive resin composition are provided, being characterized by comprising blending a molten matrix resin with carbon fiber produced by vapor-phase method with a fiber diameter of 2-500 nm.例文帳に追加

溶融状態にあるマトリックス樹脂に、繊維径が２〜５００ｎｍの気相法炭素繊維を混合することを特徴とする導電性樹脂組成物の製造方法。 - 特許庁

This invention is characterized in that diamond is used as a cold cathode for an imaging element, without relying on manufacturing methods such as a natural high-pressure high-temperature synthesizing method, a vapor-phase epitaxy method, and a combustion flame method.例文帳に追加

天然・高圧・高温合成法・気相成長法・燃焼炎法など製法によらず、ダイヤモンドを撮像素子の冷陰極として使用することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for vapor-phase polymerization, capable of precisely detecting the formation of bulk of polymer formed in a fluidized bed and controlling the action of a fluidized bed reactor according to the detected result.例文帳に追加

流動床内で形成される重合体の塊の形成を正確に検出し、この検出結果に応じて流動床反応器の動作を制御する。 - 特許庁

As a result, the inconvenience of causing pulsating current by the generation of the vapor phase component when feeding the liquid fuel to the following step can be prevented without setting the volume of the buffer tank 123 large.例文帳に追加

バッファタンク１２３の容量を大きく設定しなくても後段への供給時に気相分の発生による脈流が生じる不都合を防止できる。 - 特許庁

Metal powder of 1 to 500 μm diameter is heated to a temperature region between 650°C and 900°C, and Si is concentrated in the surface layer part of the metal powder by a vapor phase reaction in the temperature region.例文帳に追加

直径が１〜500μmの金属粉末を、650℃以上 900℃以下の温度域に加熱し、この温度域にて気相反応により該金属粉末の表層部にSiを濃化させる。 - 特許庁

A graphite layer 2 is provided on the seed crystal 1 comprising a silicon carbide single crystal, and the silicon carbide single crystal film 3 is formed on the graphite layer 2 by a vapor phase method.例文帳に追加

炭化珪素単結晶からなる種結晶１上にグラファイト層２を設け、グラファイト層２上に炭化珪素単結晶膜３を気相法によって生成させる。 - 特許庁

This apparatus for vapor-phase growth is constituted such that a part of the reaction-tube wall that faces to the substrate is tilted downward from the upstream to the downstream of the material-gas channel.例文帳に追加

基板と対向する反応管壁の一部が、原料ガス流路の上流から下流に向かって下方向に傾斜した構成の気相成長装置とする。 - 特許庁

A template layer is deposited on a substrate formed of diamond, silicon, platinum-covered material, etc., by a physical or chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明により、ダイヤモンド基板あるいはシリコン又は白金被覆材料のような他の基板上の方向性あるペロブスカイトＰＺＴ層を含むデバイスが実現される。 - 特許庁

The method for producing methacrolein and methacrylic acid includes a step of subjecting isobutylene or tertiary butyl alcohol to vapor phase catalytic oxidation using molecular oxygen in the presence of the catalyst for producing methacrolein and methacrylic acid.例文帳に追加

該触媒の存在下で、イソブチレン又は第三級ブチルアルコールを分子状酸素により気相接触酸化する、メタクロレイン及びメタクリル酸の製造方法。 - 特許庁

The inhibitor of the polymerization activity is fed, for example, from two or more positions of A of the vapor phase part, and at least one of B, C and D which are powder parts in the figure.例文帳に追加

触媒活性抑制剤は、たとえば図の気相部であるＡおよび粉体部であるＢ、ＣおよびＤの少なくとも１箇所の２箇所以上より供給される。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth apparatus capable of maintaining it easily without degrading the uniformity of the flow of raw-material gases passing over the surface of a processed substrate.例文帳に追加

被処理基板の表面を通過する原料ガス流の均一性を悪化させることなく容易にメンテナンスすることが可能な気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To lower a synthesis temperature of carbon nanotubes in a production method in which carbon nanotubes are grown by vapor phase synthesis in a direction along a flow of raw material gas.例文帳に追加

カーボンナノチューブを気相合成により原料ガスの流れに沿った方向へ成長させる製造方法において、カーボンナノチューブの合成温度をより低くできるようにする。 - 特許庁

To provide a method for producing carbon nanotubes enabling to generate carbon nanotubes while using an oxide as the catalyst carrier in the catalytic chemical vapor phase growth method.例文帳に追加

触媒化学気相成長法における触媒担体として酸化物を使用しながらカーボンナノチューブの生成を可能にするカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

In this method for producing α-chloro-o-xylene by reacting o-xylene with chlorine gas by radical reaction in a vapor phase, conversion of o-xylene is controlled to 20-50%.例文帳に追加

ｏ-キシレンと塩素ガスを気相中で反応させα-クロロ−ｏ−キシレンを製造する方法において、ｏ-キシレンの転化率を２０〜５０％の範囲内に制御する。 - 特許庁

To provide a method which can produce ε-caprolactam with good selectivity by reacting cyclohexanone oxime with good conversion in a vapor phase Beckmann rearrangement reaction.例文帳に追加

気相でのベックマン転位反応において、シクロヘキサノンオキシムを良好な転化率で反応させ、良好な選択率でε−カプロラクタムを製造しうる方法を提供する。 - 特許庁

This negative electrode containing lithium polyacrylate, vapor-phase growth carbon fiber or carbon black as the negative electrode 3 of this nonaqueous electrolyte secondary battery 1 such as a lithium secondary battery.例文帳に追加

リチウム二次電池などの非水電解質二次電池１の負極３として、ポリアクリル酸リチウムと気相成長炭素繊維又はカーボンブラックとを含んだ負極を用いる。 - 特許庁

A susceptor has a counterbored groove for housing a semiconductor wafer in manufacturing an epitaxial wafer by vapor phase growing an epitaxial layer on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハの表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に該半導体ウェーハを収容する座ぐり凹部を有するサセプタ。 - 特許庁

To provide a method for preparing a methylamine through a vapor-phase catalytic reaction between methanol and ammonia, more precisely, an inexpensive method for stably and continuously synthesizing a methylamine.例文帳に追加

メタノールとアンモニアの気相接触反応によりメチルアミンを製造する方法、より詳しくはメチルアミンを安定的にかつ安価に連続合成する方法を提供する。 - 特許庁

(Meth)acrolein and (meth)acrylic acid are produced by a vapor-phase catalytic oxidation reaction of propylene or the like with molecular oxygen in the presence of the solid catalyst.例文帳に追加

さらにこの固体触媒の存在下で分子状酸素により気相接触酸化する（メタ）アクロレイン及び（メタ）アクリル酸、並びに（メタ）アクリル酸の製造方法である。 - 特許庁

The vapor deposition polymerization reaction is preferably carried out by controlling the vaporization temperature of the diamine compound at below solid phase polymerization temperature of the diamine compound containing sulfonic acid group.例文帳に追加

あるいは、蒸着重合反応に際して、スルホン酸基含有ジアミン化合物の蒸発温度を該アミン化合物の固相重合温度以下とすることが望ましい。 - 特許庁

The carbon nanotubes 6 are manufactured by a chemical vapor phase growth method by using fine particles 2 of a sulfur compound of nickel as a catalyst and introducing a hydrocarbon gas 5 at high temperature.例文帳に追加

ニッケルの硫黄化合物微粒子２を触媒とし、高温下で炭化水素ガス５を導入し、化学的気相成長法によってカーボンナノチューブ６を作製する。 - 特許庁

The nickel base superalloy and cobalt base superalloy are simultaneously subjected to vapor-phase aluminizing at about 1900 to 1950° F for 4.5 to 5.5 hr in an inert or reducing atmosphere.例文帳に追加

ニッケル基超合金とコバルト基超合金を、不活性または還元性雰囲気中約１９００〜約１９５０°Ｆの温度で４．５〜５．５時間同時に気相アルミナイズする。 - 特許庁

Next, a seed crystal film 6 comprising a nonpolar group-III nitride and having a crystal orientation of axis a, axis c, and axis m is formed by a vapor phase growth method.例文帳に追加

次いで、非極性面ＩＩＩ族窒化物からなり、ａ軸、ｃ軸およびｍ軸の結晶方位を有する種結晶膜６を気相成長法によって形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of improving the surface morphology of a ferroelectric film formed through an organic metal vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

有機金属気相成長法により形成された強誘電体膜の表面モホロジーを改善することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As the polycrystalline diamond, diamond sintering member wherein diamond particles are combined with iron group metal and polycrystalline diamond obtained by a vapor phase synthetic method can be used.例文帳に追加

多結晶ダイヤモンドとして、ダイヤモンド粒子を鉄族金属で結合したダイヤモンド焼結体や気相合成法によって得られた多結晶ダイヤモンドを使用できる。 - 特許庁

A first dilution pipe 82 introducing an inert gas so as to control the concentration of hydrogen in the gas at the second vapor phase part on the cathode side to 70 to 10% is arranged.例文帳に追加

陰極側の第２気相部分におけるガス中の水素濃度が７０〜１０％となるように、不活性ガスを導入する第１希釈管８２が配設される。 - 特許庁