「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The 3,3-dimethylbutanol is oxidized to the 3,3-dimethylbutyraldehyde in the vapor phase by contacting the 3,3-dimethylbutanol with an oxidizing metal oxide compound.例文帳に追加

気相中で３，３−ジメチルブタノールを酸化性金属酸化物と接触させることによって、３，３−ジメチルブタノールを３，３−ジメチルブチルアルデヒドに酸化する。 - 特許庁

In a granular composite carbon material, a hydrophilic vapor phase growth carbon fiber is stuck to at least a part of a granular carbon material containing a graphite material.例文帳に追加

黒鉛質物を含有する粒状炭素材料の少なくとも一部に、親水性気相成長炭素繊維が付着した粒状複合炭素材料。 - 特許庁

This iron base nanometer scale acicular body can be produced by reducing an iron compound such as a bivalent iron compound in a vapor phase.例文帳に追加

鉄系ナノメートルスケール針状体は、鉄化合物、例えば２価の鉄の化合物を気相において還元することにより製造され得るものである。 - 特許庁

This sheet for ink jet recording has a layer, containing particulate synthetic silica and alumina with 50 nm or less average grain dia. of primary particle, which is obtained by a vapor phase process.例文帳に追加

（１）一次粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下の気相法による合成シリカとアルミナ微粒子を含有する層を有するインクジェット記録用シート。 - 特許庁

To provide a method for depositing a ruthenium film good in original characteristics by a chemical vapor phase evaporation method and to provide a structure of the ruthenium film.例文帳に追加

本発明は化学気相蒸着法で本来の特性が良好なルテニウム膜を形成する方法及びそのルテニウム膜の構造を提供する。 - 特許庁

This anatase-type titanium oxide single crystal is obtained by a vapor-phase reaction of titanium tetrachloride, and has ≥0.1 μm particle diameter and ≤50% rate of rutile.例文帳に追加

本発明に係るアナターゼ型酸化チタン単結晶は、四塩化チタンの気相反応で得られ、粒径０．１μｍ以上かつルチル化率５０％以下である。 - 特許庁

To provide low rutile type ultrafine-grained titanium oxide which has excellent dispersibility and has a low halogen content by a vapor phase method, and to provide a production method thereof.例文帳に追加

気相法において、分散性に優れ、かつハロゲン含有量の低い低ルチル型の超微粒子酸化チタン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for the selective production of ethanol by vapor phase reaction of acetic acid over a hydrogenating catalyst composition to form ethanol.例文帳に追加

水素化触媒組成物上で酢酸を気相反応させてエタノールを生成することによってエタノールを選択的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

An assembly is vapor phase aluminided such that aluminum is deposited on an exposed portion 92 of the gas turbine blade 20 that is not within the masking enclosure 50.例文帳に追加

組立体は、マスキング用囲い（５０）内にないガスタービン翼（２０）の露出部分（９２）上にアルミニウムが蒸着されるように、気相アルミナイド処理される。 - 特許庁

To provide a method of detecting eccentricity in a susceptor in rotation in a vapor phase deposition apparatus having the susceptor for arranging a substrate at a prescribed position.例文帳に追加

所定の位置に基板を配置するためのサセプタを備えた気相成長装置において、回転時におけるサセプタの偏心を検知する方法を提供する。 - 特許庁

A gallium nitride material is grown by an HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth) method.例文帳に追加

ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for silicon an epitaxial wafer which improves the planarity or the resistivity distribution of a vapor phase growth silicon epitaxial layer.例文帳に追加

気相成長されるシリコンエピタキシャル層の平坦度、あるいは抵抗率分布を改善することができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Titanium dioxide made spherical in a short high temperature residence time is obtained by the flame fusion method using titanium dioxide obtained by a vapor phase method and having excellent dispersibility as a raw material.例文帳に追加

気相法で得た分散性の良い二酸化チタンを原料として、火炎溶融法で、短い高温滞留時間で球状化した二酸化チタンを得る。 - 特許庁

By this, during lighting of the halogen lamp, partial pressure (vapor pressure) in the vicinity of 500 [K] of a tungsten compound containing tungsten oxide and in a gas phase state becomes high.例文帳に追加

これにより、ハロゲン電球点灯中において、タングステン酸化物を含む、気相状態のタングステン化合物の５００[Ｋ]近傍の分圧（蒸気圧）が高くなる。 - 特許庁

HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT OF Al CONTAINING NITRIDE, PROCESS FOR FABRICATING Al CONTAINING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND Al CONTAINING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

Ａｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置およびＡｌ含有窒化物半導体基板の製造方法ならびにＡｌ含有窒化物半導体基板 - 特許庁

To provide a method for producing acrylic acid by catalytic vapor-phase oxidation of acrolein stably, on an industrial scale, over a long period of time and in high yield.例文帳に追加

アクロレインの接触気相酸化により、工業的規模で長期に渡って安定して高収率でアクリル酸を製造できる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a susceptor for a vapor-phase epitaxial growth device allowing a silicon wafer to be mounted at a certain position of the susceptor by preventing skidding upon mounting the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハを載置する際の滑りを防止して、サセプタの定位置にウェーハを載置することができる気相成長装置用サセプタを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an unsaturated carboxylic acid or an unsaturated nitrile from a 2-8C alkane by a single-step catalytic vapor-phase (amm)oxidation reaction.例文帳に追加

炭素数２〜８のアルカンを原料として、不飽和カルボン酸又は不飽和ニトリルを一段接触気相酸化反応で製造する方法を提供する。 - 特許庁

A p-type group III-V compound semiconductor film 32 containing magnesium is formed on the substrate 30 by using an organometallic vapor phase growth device 10.例文帳に追加

次に、有機金属気相成長装置１０を用いて、マグネシウムを含むｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体膜３２を基板３０上に形成する。 - 特許庁

Preferably the unsaturated fluorinated carbon compound is brought into contact with a calcined metal oxide besides the gas extraction operation from the vapor-phase part.例文帳に追加

また、上述の気相部からのガス抜き操作に加えて、不飽和フッ素化炭素化合物を焼成した金属酸化物と接触させることが好ましい。 - 特許庁

The projecting linear defects K which occur on the main surface of the substrate W are vapor- phase etched by using a hydrogen chloride gas (step S3).例文帳に追加

シリコン単結晶基板の主表面に形成されている凸形状の線状形状欠陥Ｋを塩化水素ガスにより気相エッチングする（ステップＳ３）。 - 特許庁

To provide a method for decreasing the iodine concentration in a mixture of vapor phase, particularly a mixture of acetic acid with an alkyl iodide and/or hydroiodic acid.例文帳に追加

蒸気相の混合物、特に酢酸と沃化アルキルおよび／または沃化水素酸との混合物中の沃素濃度を減少させる方法の提供。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial growth device which can enhance the in-plane composition and the uniformity of film thickness in a crystal growing on the surface of a substrate.例文帳に追加

基板面に成長する結晶における面内の組成及び膜厚の均一性を向上し得る気相成長装置を提供すること。 - 特許庁

The specific surface area of the vapor-phase silica or the wet method silica measured by the BET method is preferably smaller than that of the alumina hydrate measured by the BET method.例文帳に追加

気相法シリカまたは湿式法シリカのＢＥＴ法による比表面積が、アルミナ水和物のＢＥＴ法による比表面積よりも小さいと好ましい。 - 特許庁

The patterning of a plurality of transistors 7, 8 and 9 is carried out on a substrate 2, by using a vapor phase growth method, a photolithography method, an etching method or the like for the substrate 2.例文帳に追加

基板２に対して気相成長法、フォトリソグラフィー法、エッチング法等を施すことによって複数のトランジスタ７，８，９を基板２上にパターニングする。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth method which can easily solve a temperature difference between a plurality of substrates which are rotated and revolved, and can deposit uniform thin films.例文帳に追加

自公転する複数の基板の温度差を簡単に解消することができ、均一な薄膜を形成することができる気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a ready and stable operation method considering the characteristics of a reactor when carrying out a vapor-phase oxidation reaction by a multitubular heat exchanger-type reactor.例文帳に追加

多管式熱交換器型反応器にて気相酸化反応を行う場合に、反応器の特性を考慮した、簡便で安定な運転方法を提供する。 - 特許庁

To efficiently form a GaN film on a large diameter safire substrate or a large number of safire substrates in a hydride vapor phase growing device.例文帳に追加

ハイドライド気相成長装置において、大口径または多数枚のサファイア基板上にGaN膜を均一に効率的に製膜することを可能にする。 - 特許庁

To provide a filter element for smoke of a cigarette, which contains a carbon part, prevents the carbon part from coming into contact with a smoke phase of a particulate, and makes a filter exert a greater filtration effect of elimination of a vapor phase than usual.例文帳に追加

炭素部分を含み、この炭素部分は微粒の煙相と接触せず且つフィルターは蒸気相の除去を行う通常より高い濾過効果を有する煙草煙用フィルターエレメントを提供する。 - 特許庁

To improve cooling performance of a cooling device by improving discharging efficiency of a vapor-phase refrigerant by increasing the supply of liquid-phase refrigerant, promoting heat diffusion to the inside of a porous member, and encouraging boiling.例文帳に追加

液相冷媒の供給量の増加、多孔質部材内部への熱拡散の促進、沸騰を生じやすくさせること、気相冷媒の排出性の向上によって、冷却装置の冷却性能を向上させる。 - 特許庁

To obtain a polymer particle supporting a metal compound, having a large specific surface area, a high catalytic efficiency in a reaction, ready handleability, readily separating and recovering a catalyst in a vapor phase or liquid phase.例文帳に追加

比表面積が大きく、反応における触媒効率が高く、ハンドリングが容易であり、気相あるいは液相においても触媒の分離回収が容易である金属化合物担持ポリマー粒子を提供することにある。 - 特許庁

A vapor phase growing apparatus 100 for performing vapor growing of the single crystalline thin film on the main surface of the semiconductor substrate W is provided with a plate-like susceptor 2 for horizontally supporting the semiconductor substrate W from downward in a counerbore 2c.例文帳に追加

半導体基板Ｗの主表面上に単結晶薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、半導体基板Ｗを座ぐり２ｃ内で下方から水平に支持する盤状のサセプタ２を備えている。 - 特許庁

A chemical vapor deposition method comprises providing a thin silicon layer on the surface of an insulation-coated substrate before a tantalum-based barrier layer is formed from a mixture of a vapor-phase reactant comprising a tantalum halide and reducing gas.例文帳に追加

化学気相成長方法は、ハロゲン化タンタル及び還元ガスを含む気相反応物質の混合物からタンタルを基礎とするバリア層を成膜する前に絶縁被覆された基板の表面に薄いシリコンの層を備えることを含む。 - 特許庁

A wafer W is heated on a hot plate 45 to a predetermined temperature, and, in such condition, a hydrofluoric acid vapor is introduced to the surface of the wafer W, and the process for removing the film which removes an oxide on the wafer surface by vapor-phase processing is performed.例文帳に追加

ホットプレート４５上でウエハＷを所定温度に加熱し、その状態で、ウエハＷの表面にふっ酸蒸気を導き、気相エッチング処理によってウエハＷの表面の酸化膜を除去する膜除去工程を行う。 - 特許庁

In a producing method of the gas hydrate comprising reacting the raw material with water in a reaction vessel 20, the method comprises extracting water from a water phase L in the vessel 20, jetting the water into a vapor phase G in the vessel 20, and driving the raw material gas in the vapor phase G by the jetted water as a driving medium to accelerate it into contact with the water.例文帳に追加

原料ガスと水とを反応容器２０の内部で反応させてガスハイドレートを生成するガスハイドレートの生成方法において、反応容器２０内部の水相Ｌから水を抽出し、この水を反応容器２０内部の気相Ｇ中に噴射し、噴射される水を駆動媒体として気相Ｇ中の原料ガスを駆動して水との接触を促す。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth apparatus that is capable of forming films stably for a long time without giving negative influences on a quality of a semiconductor film even in performing a vapor-phase growing reaction employing a furiously corrosive gas with an elevated temperature for a gallium nitride compound semiconductor or the like so that breaking of wire, etc. of a heater is inhibited.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体のような高温で腐食性の高いガスを用いた気相成長反応を行なう場合であっても、半導体膜の品質に悪影響を与えることなく、ヒータの断線等を抑制することができ、長期間にわたり安定した成膜が可能な気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth device capable of securing a uniform flow of purge gas with respect to all directions around a rotary shaft without depending on accuracy in assembly, and protecting device components such as a heater and the rotary shaft from generation of extraneous matter due to a material gas and corrosion due to gas, and a vapor-phase growth method.例文帳に追加

組み立て時における精度によらず、回転軸の周りの全方向に対して均一なパージガスの流れを確保することができ、原料ガスによる付着物の生成やガスによる腐食からヒーターや回転軸等の装置構成部品を保護し得る気相成長装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing diamond includes the steps of: growing a semiconductor diamond layer by a vapor phase synthesis method on a diamond substrate; growing an insulating diamond layer by a vapor phase synthesis thereon; and separating the insulating diamond layer from the substrate by electrochemical etching in the semiconductor diamond layer.例文帳に追加

ダイヤモンド基板上に気相合成法により半導体ダイヤモンド層を成長させる工程と、その上に気相合成法により絶縁性ダイヤモンド層を成長させる工程と、前記半導体ダイヤモンド層の電気化学的エッチングにより、絶縁性ダイヤモンド層と該基板を分離する工程を含むダイヤモンドの製造方法。 - 特許庁

To provide a method for stably obtaining a (meth)acrylic acid solution of high (meth)acrylic acid concentration regardless of the fluctuation of the temperature of the gas discharged from a vapor phase catalytic oxidation reactor employed in a (meth)acrylic acid production process that employs a vapor phase catalytic oxidation reaction, and a system to be used in the method.例文帳に追加

本発明は、接触気相酸化反応による（メタ）アクリル酸の製造工程において、接触気相酸化反応器から排出されるガスの温度変動に拘わらず、高濃度のアクリル酸溶液を安定的に得るための方法と、当該方法で用いるシステムを提供することを目的とする。 - 特許庁

In continuously polymerizing a vinyl monomer mainly composed of a methacrylate, there is used, as a polymerization reactor, the one in which the tip of the projecting portion into the vapor phase of at least one pipe other than the monomer charging pipe among various pipes installed in the vapor phase section of the polymerization reactor is coated with a fluororesin.例文帳に追加

メタクリル酸エステルを主成分とするビニル単量体を連続重合するに際し、重合器として、重合容器の気相部に設けられる各種配管のうち、単量体供給配管以外の少なくとも１本の配管の気相突出部の先端部がフッ素樹脂で被覆されている重合器を使用する。 - 特許庁

The vapor-phase catalytic oxidation reaction is carried out by using a fixed bed reactor containing a treating agent for the removal of organic materials and/or carbonized materials at the upstream side of the vapor-phase oxidation catalyst layer relative to the flow direction of the gas and exchanging at least a part of the treating agent at a frequency of at least once a year.例文帳に追加

気相接触酸化反応を行うに際して、ガス流れ方向に対して気相酸化触媒層の上流側に有機物および／または炭化物を除去するための処理剤を配置した固定床反応器を用い、該処理剤のすくなくとも一部を年1回以上の頻度で交換する。 - 特許庁

According to this constitution, since the liquefied gas in the container 3 is heated by the heat exchanger 7 to increase the amount of vaporization, when the pressure of the liquefied gas of the vapor phase flowing in the gas pipeline 5 is less than the pressure determined by the pressure detecting means 11, the liquefied gas of vapor phase can be supplied with the predetermined pressure or more.例文帳に追加

このような構成とすれば、ガス管路５を通流する気相の液化ガスの圧力が圧力検知手段１１に設定された圧力以下になった場合、熱交換器７によって容器３内の液化ガスが加熱されて気化量が増えため、所定の圧力以上で気相の液化ガスを供給することができる。 - 特許庁

To provide a method for vapor phase oxidation comprising conducting an exothermic reaction using a shell-and-tube type reactor for e.g. producing ethylene oxide by vapor phase oxidation of ethylene through suppressing the formation of by-products such as aldehydes as impurities to a minimum so as to enable the objective high-purity oxidation product of low impurity content to be obtained.例文帳に追加

エチレンの気相酸化によるエチレンオキシドの製造などの発熱反応をシェルアンドチューブ式反応器を用いて実施するにあたり、アルデヒドなどの不純物の副生を可及的に抑制して、不純物含量の少ない高純度の目的酸化生成物を製造し得るようにした気相酸化方法を提供する。 - 特許庁

This radiological image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support has a characteristic wherein the stimulable phosphor layer is formed by a vapor-phase method (namely, a vapor-phase deposition method) so as to have the film thickness of 50μm -1 mm and a thermoplastic resin is provided on the support.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚を有するように形成され、該支持体上に熱可塑性樹脂膜を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

A free-standing film is obtained by purifying a raw material gas to fully eliminate water or oxygen, adding water or oxygen in a desired amount to HCL, NH_3 or hydrogen gas as the raw material gas, and epitaxially growing GaN on a GaAs substrate by HVPE (Halide Vapor Phase Epitaxy) or MOC (Metallorganic Chloride Vapor Phase Epitaxy) method.例文帳に追加

原料ガスを精製し水や酸素を充分に除去してから所望の量の水あるいは酸素を、原料ガスの、ＨＣｌ、ＮＨ_３あるいは水素ガスに含ませて、ＨＶＰＥ法あるいはＭＯＣ法でＧａＡｓ基板の上にＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＡｓ基板を除去し自立膜を得る。 - 特許庁