「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The vapor deposition system 1 for thin film formation comprises: an evaporation source 20 of heating and evaporating a vapor deposition material; a feed tube 30 of transferring the vapor deposition material of a vapor phase fed from the evaporation source; an opening/closing means of opening/closing the feed tube; and an jetting means connected to the feed tube and jetting the vapor deposition material toward a substrate.例文帳に追加

本発明による薄膜形成用蒸着装置は、蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸発源と、前記蒸発源から供給された気相の蒸着材料を移送する送り管と、前記送り管を開閉する開閉手段と、前記送り管に連結され、前記蒸着材料を基板に向けて噴射する噴射手段とを含んでなる。 - 特許庁

To provide a liquid carrying device which is capable of increasing the copper vapor deposition speed, and realizing the reproducibility when a copper layer is vapor deposited by a metal-organic chemical phase vapor deposition method using a raw liquid copper in the manufacturing process of a semi- conductor element.例文帳に追加

半導体素子の製造工程中、銅液体原料を用いて金属−有機化学気相蒸着法で銅層を蒸着する時、銅の蒸着速度を増大させるとともに、再現性を具現することのできる液体運送装置を提供すること。 - 特許庁

The member for a semiconductor processing apparatus having corrosion resistance and plasma erosion resistance in combination is created by a base material, and a vapor phase precipitated vapor deposition film of a chemically stable amorphous carbon-hydrogen solid material containing 15 to 40at.% hydrogen formed on the surface of the base material, and by dispersively incorporating superfine particles of a metal oxide into the vapor phase precipitated vapor deposition film of the amorphous carbon-hydrogen solid material.例文帳に追加

基材と、その表面に形成された１５〜４０ａｔ％の水素を含有する化学的に安定なアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜と、そのアモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜中には金属酸化物の超微粒子を分散含有させることによって、耐食性と耐プラズマエロージョン性を兼備した半導体加工装置用部材をつくる。 - 特許庁

The content of the vapor phase epitaxy carbon fiber is preferably in a range of 5-75 pts.wt. to 100 pts.wt. of compounded rubber.例文帳に追加

気相成長炭素繊維の含有量は、配合ゴム１００重量部に対して５〜７５重量部の範囲内であることが好ましい。 - 特許庁

In a process to form the Ti film 18, a physical vapor phase epitaxy method is used under the atmosphere having a pressure of not more than 0.3 Pa.例文帳に追加

ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。 - 特許庁

A plurality of passages have a sufficiently large diameter so that only the low pressure drop is present in the vapor phase flowing through the head.例文帳に追加

複数の通路は、ヘッドを通して流れる気相に低い圧力の低下のみがあるように十分大きな直径を有している。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device allowing individual semiconductor layers having different compositions to be formed with high in-plane uniformity and high repeatability.例文帳に追加

異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for dyeing plastic lens by vapor phase process in a shorter time compared to conventional methods.例文帳に追加

気相法によるプラスチックレンズの染色方法において、従来法に比してさらに短時間でレンズを染色する方法を提供すること。 - 特許庁

A porous film obtained from the precursor composition is irradiated with an ultraviolet radiation and then reacted with a hydrophobic compound in a vapor phase.例文帳に追加

この前駆体組成物から得られた多孔質膜に対して紫外線照射した後、疎水性化合物を気相反応させる。 - 特許庁

A tungsten film is deposited on a surface of an aperture of a layer structure on a substrate by a chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

この発明は、基板上の層構造が有する開口の表面上に化学気相堆積法によってタングステン膜を形成する。 - 特許庁

The sample is supplied to an ionic mobility spectrometer 5, and analyzed as a substance existing in vapor phase above the lubricating oil.例文帳に追加

この試料はイオン移動度分光計（５）に供給され、そこで潤滑油上の蒸気相中に存在する物質の点で分析される。 - 特許庁

The system is provided with a substrate 100, at least one light emitting diode, a plasma chemical vapor phase epitaxial layer 130 and a transparent material layer 140.例文帳に追加

基板１００、少なくとも一つの発光ダイオード、プラズマ化学気相成長層１３０及び透明材料層１４０を備える。 - 特許庁

This hydrous solid material is obtained by adding 40-300 pts.wt. of water to 100 pts.wt. of inorganic oxide particles synthesized by a vapor-phase method.例文帳に追加

気相法で合成した無機酸化物粒子１００重量部に水４０〜３００重量部を添加してなる含水固体状物質。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth method and apparatus for uniformly forming a film up to the circumferential part of a wafer.例文帳に追加

本発明は、ウェーハの周縁部まで均一に成膜することが可能な気相成長方法および気相成長装置を提供する。 - 特許庁

In the first phase transition step, a water vapor 56 is brought into contact with an outside support layer 10s of a curled laminated film.例文帳に追加

第１相転移工程ではカールした状態の積層フィルムのうち外側の支持層１０ｓへ水蒸気５６を接触させる。 - 特許庁

To provide a method for growing up a large-sized GaN crystal in HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) at a crystal growth temperature of 1,100°C or less.例文帳に追加

ＨＶＰＥ法において、１１００℃以下の結晶成長温度で、大型のＧａＮ結晶を成長させる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical fiber preform by an outside vapor phase deposition process by which a glass rod is prevented from being broken.例文帳に追加

外付け法による光ファイバ母材の製造方法において、ガラスロッドの割れを防止することが可能な製造方法の提供。 - 特許庁

After that, on the first gate insulating film 10, a second gate insulating film 12 comprising a silicon nitride film is deposited by a vapor-phase deposition method.例文帳に追加

その後、第１ゲート絶縁膜１０上に、気相堆積法を用いてシリコン窒化膜からなる第２ゲート絶縁膜１２を堆積する。 - 特許庁

To provide a process for controlling the particle size and the particle size distribution of titanium dioxide in a multi-stage vapor-phase oxidation reactor.例文帳に追加

二酸化チタンの粒子サイズおよび粒子サイズ分布を制御するための多段階気相酸化リアクタにおけるプロセスを提供すること。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device that can improve film thickness uniformity of a growth crystal layer on a substrate and have high yield.例文帳に追加

基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。 - 特許庁

A coating material phase present in a vapor state 23b and a condensed (solid or liquid) state 23a is deposited on the substrate.例文帳に追加

蒸気形態２３ｂおよび凝縮（固体または液体）形態２３ａで存在する被覆材料相が、基板上に被着する。 - 特許庁

This carbon granular heat insulating material is produced from carbon black pellet coated with deposited thermal decomposition carbon on its surface by vapor phase reaction.例文帳に追加

カーボンブラックペレットの表層部が、気相反応により析出沈着した熱分解炭素により被膜された炭素質粒状断熱材。 - 特許庁

An electron beam transmission membrane 2 with ≤5 μm thickness comprising a polycrystalline diamond thin film is synthesized in a vapor phase on a highly resistant Si substrate.例文帳に追加

高抵抗Ｓｉ基板上に、多結晶ダイヤモンド薄膜からなる厚さが５μｍ以下の電子線透過膜２を気相合成する。 - 特許庁

This rubber composition is obtained by compounding the vapor- phase-grown carbon fibers having coated surfaces with a rubber material being a base material.例文帳に追加

ゴム材料を基材とし、表面をコーティング処理した気相成長炭素繊維を配合することを特徴とするゴム組成物である。 - 特許庁

The cathode part for electron emission which can emit electrons by applying the electric field includes a group III nitride layer (12) deposited on an electrode (11) by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

そのような電子放出用陰極部は、たとえば蛍光表示装置などにおいて好ましく利用され得るものである。 - 特許庁

A stimulable phosphor layer 3 is provided on a surface of the heat resistant resin film 20 satisfying the conditions by a vapor phase depositing method.例文帳に追加

上述の条件を満たした耐熱性樹脂膜２０の表面に輝尽性蛍光体層３を気相堆積法により設ける。 - 特許庁

Desirably, 10-40% of the total feed amount of the vapor-phase-process silica is fed before the addition of the cationic resin.例文帳に追加

好ましくは、カチオン性樹脂を添加する前に投入全量の１０％以上４０％以下の気相法シリカを投入する。 - 特許庁

A gallium nitride epitaxial layer is formed on the gallium polarity plane 10_Ga, by transportation into an epitaxial growth device (organic metal vapor-phase growth device).例文帳に追加

エピタキシャル成長装置（有機金属気相成長装置）に搬入し、ガリウム極性面１０_Gaに窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。 - 特許庁

Also this tubular structure 102 is preferably-used as a reactor tube of a multi-tube type reactor vessel utilized for a contact vapor phase oxidizing reaction.例文帳に追加

また、この管状体１０２は、接触気相酸化反応に使用する多管式反応器の反応管として好適に用いられる。 - 特許庁

To provide a method for preventing polymer adhesion to a vapor phase part in a polymerization reactor even in polymerization of a vinyl monomer containing an acrylate.例文帳に追加

アクリル酸エステルを含むビニル単量体の重合であっても、重合器気相部へのポリマー付着を防止する方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR DEPOSITING RUTHENIUM FILM BY CHEMICAL VAPOR PHASE EVAPORATION METHOD WHILE CHANGING PROCESS CONDITIONS, AND RUTHENIUM FILM DEPOSITED BY THE METHOD例文帳に追加

工程条件を変化させつつ化学気相蒸着法でルテニウム膜を形成する方法及びそれにより形成されたルテニウム膜 - 特許庁

A material containing powder of either vapor phase deposited fibers, acetylene black or conductive ceramic fibers is used for the conductive material.例文帳に追加

導電材料として、気相成長炭素繊維、アセチレンブラック又は導電性セラミック繊維のいずれかの粉末を含むものを用いる。 - 特許庁

As its preferable embodiment, the ultrafine inorganic particle is amorphous synthetic silica by a vapor phase method or an alumina hydrate.例文帳に追加

さらに該無機超微粒子が気相法による非晶質合成シリカまたはアルミナ水和物であることはより好ましい態様である。 - 特許庁

A vapor phase processing apparatus 1 includes a processing chamber 4, a susceptor 2, a heater 5, a wall part cooling member 52, and a reactive gas supply member 9.例文帳に追加

気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。 - 特許庁

To provide a vapor-phase processing apparatus and method that homogeneously performs processing with less defects on the processing surface of the target.例文帳に追加

処理表面の欠陥が少なく、かつ、均一な処理を行なうことが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。 - 特許庁

To preferentially orient a crystal film with a perovskite structure containing Pb in a predetermined crystal orientation with respect to a metal organic vapor phase growth method.例文帳に追加

有機金属気相成長法に関し、Ｐｂを含むペロブスカイト構造結晶膜を所定結晶方位に優先配向させる。 - 特許庁

Furthermore, when a via-hole is filled up with a tungsten film through a CVD process, hydrogen gas is supplied together with the vapor phase material of tungsten.例文帳に追加

さらにタングステン膜のＣＶＤプロセスによりビアホールを充填する際に、タングステンの気相原料と同時に水素ガスを供給する。 - 特許庁

To accurately control fuel supplying amount to an engine by calculating vapor mixing amount to fuel in a liquid phase state.例文帳に追加

液相状態の燃料における蒸気混入分を見込んでエンジンに対する燃料供給量を精度よく制御すること。 - 特許庁

The fibrous carbon is vapor phase growth carbon fibers, and 1-30 mass% is contained with respect to the total mass of the electrode.例文帳に追加

また繊維状炭素は気相成長炭素繊維であり，電極の総質量に対して１〜３０質量％含有されている。 - 特許庁

The deaeration of dissolution gas in water is continuously carried out for a predetermined time, and gas other than water vapor is eliminated also from a gas phase section 11a.例文帳に追加

所定時間継続で水中の溶解気体は脱気され、気相部１１ａからも水蒸気以外の気体が除去される。 - 特許庁

By suitably increasing or decreasing the amount of active oxygen or ozone generated in a vapor phase, step coverage can be controlled.例文帳に追加

本発明では、気相中に発生した活性酸素またはオゾン量を適宜増減させることにより、ステツプカバレツジをコントロールできる。 - 特許庁

A nanowire 103 of a compound semiconductor is then formed by chemical vapor phase growth by using the metallic fine particle 102 as a catalyst.例文帳に追加

次に、金属微粒子１０２を触媒とした化学的気相成長法により化合物半導体のナノワイヤ１０３を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon single crystal pulling device capable of preventing the direct metal contamination mediated by the vapor phase of Si single crystal being grown.例文帳に追加

育成中のＳｉ単結晶の気相を介した直接の金属汚染を防止し得るＳｉ単結晶引上装置を提供する。 - 特許庁

With the vapor which is generated when the liquid has been phase-changed, the coating of the catheter is activated, and thus, the low frictional surface is imparted to the catheter.例文帳に追加

液体が相変化すると生じる蒸気によりカテーテルのコーティングが活性化することでカテーテルに低摩擦面をもたらす。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth method and apparatus which can form a film on a wafer uniformly up to its peripheral edge.例文帳に追加

本発明は、ウェーハの周縁部まで均一に成膜することが可能な気相成長方法および気相成長装置を提供する。 - 特許庁