「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The vapor phase deposition device uses the temperature sensing element hereinbefore as a temperature sensing element for measuring a temperature of a susceptor.例文帳に追加

また、気相成長装置は、サセプタの温度を測定する測温体として、上記測温体を用いたものである。 - 特許庁

To efficiently produce a vapor-phase growth carbon fiber excellent in dispersibility in a resin and the property of expressing electric conductivity.例文帳に追加

樹脂への分散性及び導電性の発現性に優れた気相成長炭素繊維を効率的に製造する。 - 特許庁

Thin membrane 2 formed of an inorganic solid electrolyte is formed on a heated base material 1 by vapor-phase growth method.例文帳に追加

加熱されている基材１上に無機固体電解質からなる薄膜２を気相成長法により形成する。 - 特許庁

Consequently, the densities of crystal defects in the vicinities of the recesses 11 after the metal organic vapor phase epitaxy is performed can be reduced.例文帳に追加

その結果、有機金属気相成長後の凹部１１の近傍の結晶欠陥密度を低減することができる。 - 特許庁

VAPOR-PHASE GROWTH METHOD OF III-V NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の気相成長方法およびこれを用いた半導体発光素子 - 特許庁

Compositions including germanium compounds suitable for use as vapor phase deposition precursors for germanium-containing films are provided.例文帳に追加

ゲルマニウム含有膜の蒸着前駆体として用いるのに好適なゲルマニウム化合物を含有する組成物が提供される。 - 特許庁

A GaN semiconductor layer 2 is formed on the GaN substrate 1 by an organic metal chemical vapor phase growth method.例文帳に追加

このＧａＮ基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。 - 特許庁

To provide a carbon fiber composite material containing uniformly dispersed vapor phase growth carbon fibers and having high heat resistance.例文帳に追加

気相成長炭素繊維が均一に分散された高耐熱性を有する炭素繊維複合材料を提供する。 - 特許庁

The negative electrode layer 14 is a thin film containing at least lithium formed on the SE layer 15 by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

負極層14は、気相堆積法によりＳＥ層15上に形成された、少なくともリチウムを含む薄膜である。 - 特許庁

The liquid coolant evaporates by absorbing the heat from the inverter during the phase change from liquid to vapor.例文帳に追加

液体から蒸気への相変化の間にインバータからの熱を吸収することで液体冷却剤を蒸発させる。 - 特許庁

The piezoelectric device has a piezoelectric film deposited on a substrate via an electrode by a vapor phase growth method using plasma.例文帳に追加

圧電素子は、プラズマを用いる気相成長法により、基板上に電極を介して圧電膜が成膜されている。 - 特許庁

To provide a composition a method for promoting aluminizing to an internal cooling passage without requiring a vapor phase aluminizing method.例文帳に追加

気相アルミナイジング法を必要とせずに、内部冷却通路のアルミナイジングを促進する組成物及び方法の提供。 - 特許庁

A sapphire substrate 11 having C face as a main face is introduced into a metal organic vapor phase epitaxial growth(MOVPE) furnace in the process shown in Fig. 1 (a).例文帳に追加

図１（ａ）に示す工程で、Ｃ面を主面とするサファイア基板１１をＭＯＶＰＥ炉内に導入する。 - 特許庁

An organic medium in the vapor phase is brought into contact with metallic salt dispersed and carried on the activated carbon at 100-300°C.例文帳に追加

蒸気相中の有機媒体を活性炭に分散担持された金属塩と１００℃〜３００℃の温度で接触させる。 - 特許庁

A whole surface of the first coating layer 15 is coated by a second coating layer 16 comprising vapor phase synthesized diamond.例文帳に追加

第１のコーティング層１５の全面を、気相合成ダイヤモンドからなる第２のコーティング層１６によってコーティングする。 - 特許庁

Especially, an extremely planar nonpolar (a)-plane GaN film is grown by a halide vapor-phase growing method (HVPE).例文帳に追加

特に、極めて平坦な無極性ａ面ＧａＮ膜をハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって成長させる。 - 特許庁

The boat 6 is transferred to the inside of a vertical type pressure reducing (chemical vapor phase deposition) apparatus 11, and a thin film is formed on the substrate to be processed.例文帳に追加

ボート６は縦型減圧CVD装置１１内部に移送され、被処理基板上には薄膜が成膜される。 - 特許庁

An in-liquid opening hole 36 for releasing the vapor-liquid mixing phase in the tank body 31 is opened in an erected part 33 of the vapor-liquid introducing pipe 32 on the downside of the liquid draining port 35.例文帳に追加

排液口３５より下側にて気液導入管３２の立上げ部３３に、気液混在相を液中で槽体３１内に開放する液中開放穴３６を開口する。 - 特許庁

In the interior of the chamber 2, the vapor growth device 1 is provided with an upper liner 16 and a lower liner 17; and a susceptor 4, in which a wafer W for performing the vapor phase growth of an epitaxial layer is laid in a top surface thereof.例文帳に追加

チャンバー２内部には、アッパーライナー１６およびロアライナー１７と、上面にエピタキシャル層を気相成長させるためのウェーハＷが載置されるサセプタ４を備える。 - 特許庁

The liquid in the second cavity can be phase-changed into a vapor which can enter the first cavity from the second cavity through the barrier, and the vapor can activate the coating.例文帳に追加

第２のキャビティ内の液体は、第２のキャビティからバリアを通って第１のキャビティに入ることが可能な蒸気に相変化することができ、蒸気はコーティングを活性化することができる。 - 特許庁

Carbon vapor is brought into contact with nonmagnetic transition metals including at least two selected from ruthenium, rhodium, palladium and platinum to grow the objective carbon nanotubes in the vapor phase.例文帳に追加

本発明の方法では、炭素蒸気と、ルテニウム、ロジウム、パラジウムおよび白金のうち少なくとも２種を含む非磁性遷移金属とを接触させて、カーボンナノチューブを気相成長させる。 - 特許庁

To provide technique of achieving an increase of a vapor deposition rate of a titanium compound in a gaseous phase vapor deposition method without using special excitation and activation means.例文帳に追加

本発明は、特別な励起、活性化手段を用いることなく気相蒸着法におけるチタン化物の蒸着速度の増大を達成させる技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

To obtain a cooling device capable of easily removing vapor bubbles so as to gain stable cool performance even if the vapor bubbles are generated in a liquid-phase working fluid.例文帳に追加

液相の作動流体に蒸気泡が発生した場合であっても、蒸気泡を容易に除去できるようにし、安定した冷却性能が得られる冷却装置を実現する。 - 特許庁

When the foamed plastic piece 25 is recycled, the foamed plastic piece 25 is fused and is further evaporated, and subsequently the foamed plastic piece 25 is recovered by a liquid phase by cooling the vapor and liquefying the vapor.例文帳に追加

発泡プラスチック片の再資源化に当たっては、発泡プラスチック片２５を溶融し、さらに蒸発させた後、その蒸気を冷却して液化することで、液相で回収する。 - 特許庁

The refining method includes cleaning the metallic ultrafine powder obtained by vapor-phase-reducing the vapor of the metal halide, with the use of an aqueous solution of glutaminic acid to remove the remaining halide in the metallic ultrafine powder.例文帳に追加

金属ハロゲン化物の蒸気を気相還元して得た金属超微粉を、グルタミン酸水溶液を用いて洗浄し、前記金属超微粉中の残留ハロゲン化物を除去する。 - 特許庁

A Ge nanowire is produced by growing a mixture crystal nanowire of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase (VLS) growth method and coating the filament with an SiO_2 film by oxidation concentration method.例文帳に追加

気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid: VLS ）成長法により、Ｓｉと Ｇｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_2 膜で被覆されたＧｅナノ細線 を作製する。 - 特許庁

Note (c) attached to the column of “vapor” in Table 3.1.1 states, “For some chemicals, the test atmosphere (Note by the producer of the technical guideline: This means the phase including the test substance in the inhalation chamber containing the animal, upon implementing the inhalation test) will not just be a vapor but will consist of a mixture of liquid and vapor phase.例文帳に追加

表 3.1.1.の蒸気の欄に付された注記（ｃ）は、「化学品によっては、試験対象となる雰囲気（技術指針作成者注：これは吸入試験を実施する際に動物をいれる吸入チャンバー内の試験対象物質を含んだ気相という意味）が蒸気だけではなく、液体相と気体相で混成される。 - 経済産業省

To provide a vapor phase glowth system capable of executing the measurement of temperature in a wide range at the optional position of a sub strate in a vapor phase growth system for feeding plural kinds of gaseous starting materials high in reactivity with good accuracy.例文帳に追加

反応性の高い複数種の原料ガスを供給するための気相成長装置において基板の任意位置でかつ広範囲の温度測定を精度良く行うことができる気相成長装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method for carbon fiber of vapor phase method comprises activating carbon fiber of vapor phase method having ≥0.33 nm lattice spacing (d_002) of crystal measured by X-ray diffraction method in the presence of an alkali metal compound at ≤1,000°C temperature.例文帳に追加

Ｘ線回折法で測定した結晶格子面間隔（ｄ_002）が０．３３ｎｍ以上の気相法炭素繊維をアルカリ金属化合物の存在下、１０００℃以下の温度で賦活することを特徴とする気相法炭素繊維の製造方法。 - 特許庁

The vapor phase growing apparatus comprises the reaction tube 3 for forming a film by a vapor phase growth, and a gas supply tube 7 for supplying a gas to the tube 3 and having a heating means 12 for baking the tube 3.例文帳に追加

気相成長により成膜が行われる反応管３と、上記反応管３にガスを供給するガス供給管７とを備え、上記ガス供給管７には、上記反応管３をベーキングするための加熱手段１２が設けられている。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device capable of reducing variations in film thickness of an epitaxial wafer by preventing a rotating shaft of a susceptor from being swung by a simple structure, and also to provide a method of manufacturing a compound semiconductor substrate utilizing the vapor phase growth device.例文帳に追加

簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置、及びそれを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this method for storing the (meth)acrylic acid or its ester in the storage tank, molecular oxygen is added to a vapor-phase part in the storage tank and the composition of the vapor-phase is made outside the range of an explosion limit.例文帳に追加

貯槽に（メタ）アクリル酸またはそのエステルを貯蔵する方法において、貯槽内の気相部に分子状酸素を含有させ、かつ当該気相部の組成を爆発限界の範囲外とすることを特徴とする（メタ）アクリル酸またはそのエステルの貯蔵方法。 - 特許庁

Next, a Ti film 108 is deposited by a physical vapor phase growth method, a TiCN film 109 is deposited by a chemical vapor phase growth process, and the surface of the film 109 is exposed to N2 plasma to form a TiN film 110.例文帳に追加

次に物理的気層成長法によりＴｉ膜１０８を、続いて化学的気層成長法によりＴｉＣＮ膜１０９を堆積し、ＴｉＣＮ膜１０９の表面をＮ_2 プラズマに暴露することによりＴｉＮ膜１１０を形成する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system, which can instantaneously correct the pressure difference between a gas supply pipe and a send-out pipe caused, when a raw material line is switched, and so on, and can improve steepness of the interface between films formed in vapor phase growth.例文帳に追加

原料ラインの切り換えなどにより生じるガス供給管と送出管の圧力差を瞬時に補正でき、気相成長における生成膜の界面の急峻性を向上することができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

The supported catalyst containing the mixed metal oxide is useful for vapor phase oxidation of the alkane or the mixture of alkane and alkene to the unsaturated carboxylic acid and vapor phase ammo-oxidation of the alkane or the mixture of alkane and alkene to unsaturated nitrile.例文帳に追加

混合金属酸化物を含む担持触媒は、アルカンまたはアルカンならびにアルケンの混合物の不飽和カルボン酸への気相酸化に、およびアルカンまたはアルカンならびにアルケンの混合物の不飽和ニトリルへの気相アンモ酸化に有用である。 - 特許庁

When forming a recording layer 5 having at least a magnetic recording film 4 on one main surface 1A of a substrate 1 by means of a vapor-phase film forming method, a thin film 11 is formed on the other main surface 1B of the substrate 1 using a vapor-phase film forming method.例文帳に追加

本発明では、基板１の一方の主面１Ａに、気相成膜法によって、少なくとも磁気記録膜４を有する記録層５を形成する際に、基板１の他方の主面１Ｂに、気相成膜法を用いて薄膜１１を形成する。 - 特許庁

Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapor deposition (CVD), metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE).例文帳に追加

半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。 - 特許庁

The opening 3 overlaps the openings 6 while rotating the disks, and a first substance to constitute a ternary phase diagram is vapor-deposited.例文帳に追加

回転しながら開口３と開口６を重ね合わせると共に３元系相図を構成する第１物質を蒸着する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device having such a structure that can form a higher-quality layer film on an objective substrate at high speed.例文帳に追加

より良質な層膜を高速に対象基板に形成することができる構造の気相成長装置を提供する。 - 特許庁

The adjusting device 1 adjusts an introduced amount of the mixed material gas 10 introduced into the vapor-phase growth chamber 38.例文帳に追加

調整装置１は、混合原料ガス１０を気相成長室３８内に対して導入する導入量を調整する。 - 特許庁

This air release valve is mounted in a ventilation pipe communicating a vapor-phase part of the tank storing a volatile liquid and the outside air.例文帳に追加

揮発性の液体を貯蔵するタンクの気相部分と外気とを連通する通気管に設けられる排気弁である。 - 特許庁

The catalyst can highly selectively produce butene, hexene or propylene from ethylene in the vapor phase.例文帳に追加

次いで、その触媒を用いることにより、気相でエチレンから高選択的にブテン、ヘキセンあるいはプロピレンを製造することができた。 - 特許庁

To provide: a vapor-phase growth device capable of forming a film having excellent quality; and a manufacturing method of a semiconductor substrate.例文帳に追加

優れた品質の膜を形成することが可能な気相成長装置および半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the difference exceeds a threshold value, a purge valve 54 is subjected to PID control to release a noncondensing gas contained in the vapor-phase part 44a.例文帳に追加

該差分が閾値を越えたら、パージ弁５４をＰＩＤ制御して気相部４４ａに含まれる不凝縮ガスを放出させる。 - 特許庁

To provide an Si-based organic/inorganic hybrid membrane having various excellent characteristics by a vapor phase growth method in a simple manner at low cost.例文帳に追加

種々の優れた特性を有するＳｉ系有機・無機ハイブリッド膜を気相成長法で簡便かつ低コストで提供する。 - 特許庁