| 意味 | 例文 |
VAPOR- PHASEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2273件
To obtain a semiconductor vapor phase growth apparatus which can make satisfactory crystal grow with high efficiency, using a simple construction.例文帳に追加
簡易な構造で、効率良く良好な結晶を成長させることが可能な半導体気相成長装置を提供する。 - 特許庁
Water, in which a lipophilic water-soluble organic solvent is dissolved, is used to catch a volatile organic compound in a vapor phase.例文帳に追加
親油性を有する水溶性有機溶剤が溶解する水で気相中の揮発性有機化合物を捕捉するようにした。 - 特許庁
A part of the heated sample water is evaporated to have a vapor phase, and sent into a thermostat 6 via a connection pipe 5.例文帳に追加
加温された試料水の一部は蒸発されて気相となり、連結管5を介して恒温槽6内に送り込まれる。 - 特許庁
The carbon fiber composite material comprises an elastomer and a vapor phase-grown carbon fiber dispersed therein.例文帳に追加
本発明にかかる炭素繊維複合材料は、エラストマーに、気相成長炭素繊維が分散した炭素繊維複合材料である。 - 特許庁
In the method, the reaction is carried out under ≥101.3 kPa (atmospheric pressure) partial pressure of vapor phase hydrogen fluoride in the reaction vessel.例文帳に追加
この方法では、101.3kPa(大気圧)以上である反応器内の気相のフッ化水素の分圧下にて反応を実施する。 - 特許庁
This writing utensil is characterized in that a polyparaxylylene film is formed on the surface of the elastic resin by a gas phase vapor deposition/polymerization process.例文帳に追加
弾性樹脂表面にポリパラキシリレン皮膜を気相蒸着重合法により形成したことを特徴とする筆記具。 - 特許庁
The radiation image conversion panel has the stimulable phosphor layer shaped like a column crystal made by a vapor phase deposition method.例文帳に追加
気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルである。 - 特許庁
To provide a chemical vapor-phase growth device that forms a thin film of uniform thickness, on an insulating body or a semiconductor substrate.例文帳に追加
絶縁体または半導体基板上に膜厚の均一な薄膜を形成する化学気相成長装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for vapor-phase polymerization in a fluidized bed, which allows the polymerization reactions to proceed while controlling sheeting caused by the heat generated in the bed, and also to provide an apparatus therefor.例文帳に追加
流動床内が熱を持つため生じるシーティングを抑えながら重合反応を進めることを可能にする。 - 特許庁
When the leaching reaction is progressed, the partial pressure of oxygen in the vapor phase part in contact with the slurry liquid face is controlled to ≤0.6 MPa.例文帳に追加
浸出反応を進行させる際には、スラリー液面に接する気相部における酸素分圧を0.6MPa以下とする。 - 特許庁
To efficiently produce an inorganic phase-difference-compensating plate having a direction of an optical axis changed in a thickness direction, by an oblique vapor deposition technique.例文帳に追加
光軸の方向が厚み方向に変化した無機位相差補償板を斜方蒸着法により能率よく作製する。 - 特許庁
The electrode is constructed so that the activated carbon or a carbon fiber of a vapor phase method is preferably added to it to be borne on a collector.例文帳に追加
電極はこの活性炭またはこれに好ましくは気相法炭素繊維を添加し、集電体に担持したものである。 - 特許庁
Si(OR)_4 and Hf(NR'R")_4 are employed as materials for forming the film by chemical vapor phase epitaxial method.例文帳に追加
化学気相成長方法により膜を形成する為の材料であって、 Si(OR)_4とHf(NR’R”)_4とを用いる。 - 特許庁
To produce an aromatic diisocyanate by reacting a corresponding primary aromatic diamine with phosgene in a vapor phase.例文帳に追加
芳香族ジイソシアネートを、気相中において相当する第一級芳香族ジアミンをホスゲンと反応させることによって製造する。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING VANADIUM-CONTAINING OXIDE THIN FILM BY VAPOR-PHASE GROWTH METHOD USING VANADIUM TRIS (β-DIKETONATE) AND RAW MATERIAL SOLUTION例文帳に追加
バナジウムトリス(β−ジケトネート)を用いた気相成長法によるバナジウム含有酸化物薄膜の製造方法および原料溶液 - 特許庁
TRIS(ETHYLCYCLOPENTADIENYL)LANTHANOID, METHOD OF PRODUCING THE SAME AND METHOD OF PRODUCING OXIDE THIN FILM THROUGH VAPOR-PHASE例文帳に追加
トリス(エチルシクロペンタジエニル)ランタノイドとその製造方法およびそれを用いた気相成長法による酸化物薄膜の製造方法 - 特許庁
A substrate 1 such as a sapphire substrate having (0001) face is arranged on a susceptor of a metal organic-hydrogen chloride vapor phase apparatus 11.例文帳に追加
有機金属塩化水素気相装置11のサセプタ上に、(0001)面を有するサファイア基板といった基板1を配置する。 - 特許庁
Concrete examples of the vapor phase antirust are N-acylsarcosine, N-acyl-β-alanine, thiourea and their salts.例文帳に追加
気化性防錆剤の具体例としては、N−アシルサルコシン、N−アシル−β−アラニン、チオ尿素、及びこれらの塩等が挙げられる。 - 特許庁
The method for manufacturing ethylene oxide involves a vapor-phase contact oxidation of ethylene with a molecular oxygen-containing gas in the presence of the catalyst.例文帳に追加
エチレンオキシドの製造方法は、前記の触媒の存在下、エチレンを分子状酸素含有ガスにより気相接触酸化する。 - 特許庁
This acrylonitrile composition is manufactured by a vapor phase catalytic oxidation of propane and ammonia, and includes ≤20 wt.ppm of acrylic acid.例文帳に追加
プロパンとアンモニアとの気相接触酸化反応により製造され、アクリル酸の含有量が20wtppmであるアクリロニトリル組成物。 - 特許庁
PRODUCTION OF ACETIC ACID THROUGH VAPOR PHASE OXIDATION OF MIXTURE OF SATURATED HYDROCARBON HAVING FOUR CARBON ATOMS WITH UNSATURATED HYDROCARBON HAVING FOUR CARBON ATOMS例文帳に追加
飽和C4—炭化水素およびその不飽和C4—炭化水素との混合物の気相酸化による酢酸の製造方法 - 特許庁
Particularly, polycrystalline diamond which is formed on a ceramic substrate 5 composed of silicon carbide by a vapor phase synthetic method is desirable.例文帳に追加
中でも、炭化珪素からなるセラミック基板5上に気相合成法で形成された多結晶ダイヤモンドであることが望ましい。 - 特許庁
A seed crystal film 5 comprising a group III nitride single crystal is formed on the intermediate layer 3 by a vapor-phase growth method.例文帳に追加
中間層3上に、III族窒化物単結晶からなる種結晶膜5を気相成長法によって形成する。 - 特許庁
A hard mask 4b is formed by etching the exposed side face of an insulating film 4a in a vapor phase hydrofluoric acid atmosphere.例文帳に追加
気相フッ酸雰囲気中にて、絶縁膜4aの露出した側面にエッチングを施すことによりハードマスク4bを形成する。 - 特許庁
When the vapor-phase catalytic oxidation is especially carried out at 300-400°C temperature, the dimethoxymethane can be produced in high selectivity.例文帳に追加
特に、気相接触酸化を300〜400℃の温度下で行うと、高選択率でジメトキシメタンを生成せしめることができる。 - 特許庁
To provide a method for producing methacrylic acid in high yield and stably for a long period by vapor phase catalytic oxidation of methacrolein.例文帳に追加
メタクロレインを気相接触酸化してメタクリル酸を高収率、かつ長期間安定して製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide an apparatus for uniformly and efficiently coating a sample in a three-dimensional shape with a vapor phase synthesized diamond film.例文帳に追加
3次元形状試料に対して、均一に気相合成ダイヤモンド膜を効率良くコーティングするための装置を提供する。 - 特許庁
To provide a vapor phase growth device having a structure wherein a layer film of higher quality can be formed on an object substrate quickly.例文帳に追加
より良質な層膜を高速に対象基板に形成することができる構造の気相成長装置を提供する。 - 特許庁
Meanwhile, a vapor-fluid heat exchanger is equipped for the purpose of heat exchange between the outlet side of the heat removal device 70 and the outlet side of the evaporator 50, and as the heating element 80 is cooled, refrigerants have two phases wherein a gaseous phase and a liquid phase are mixed; and the refrigerants can be made into a liquid phase through heat exchanging in the vapor-fluid heat exchanger.例文帳に追加
また、除熱器70の出口側とエバポレータ50の出口側とで熱交換を行う気液熱交換器を備え、発熱体80の除熱を行うことにより気相と液相とが混在した2相状態となった冷媒を、気液熱交換器において熱交換することで、液相とすることもできる。 - 特許庁
To provide a continuous production process of a polyolefin capable of separation and recovery of an unreacted monomer accompanying with the polymer during transfer from a loop type liquid phase polymerization tank to a fluid bed type vapor phase polymerization tank and capable of reduction of the unreacted excess monomer in the vapor phase polymerization tank placed at the downstream.例文帳に追加
ループ型液相重合槽から流動床型気相重合槽へ移送する際に、ポリマーに同伴する未反応モノマーを分離回収し、下流に配置されている気相重合槽で余剰になる未反応モノマーを減少させることができるポリオレフィンを連続的に製造する方法を提供する。 - 特許庁
In this method for producing an acid chloride by chlorinating an organic acid with thionyl chloride in the presence of an organic solvent under a non-reflux condition, the method for producing the acid chloride is characterized in that an inert gas for the reaction is introduced to a liquid-phase part or a vapor-phase part or the vapor-phase part is depressurized.例文帳に追加
有機溶媒の存在下に非還流条件で、有機酸と塩化チオニルをクロル化反応させて酸クロル化物を製造する方法であって、反応に不活性なガスを液相部又は気相部に導入するか、或いは、気相部を減圧にすることを特徴とする酸クロル化物の製造方法。 - 特許庁
To provide an air conditioner capable of reducing the pressure loss and reducing the refrigerant noise by dividing the flow of refrigerant into vapor phase refrigerant and liquid phase refrigerant by a three-way joint at an inlet side of an indoor heat exchange, and adjusting the number of passes at the liquid phase refrigerant side of high density to be more then that at the vapor refrigerant side in a cooling operation.例文帳に追加
冷房運転時に、室内熱交換器の入口側で3方継手により、気相冷媒と液相冷媒に分流し、密度の大きい液相冷媒側のパス数を、気相冷媒側のパス数より多くするように構成し、圧力損失を低減させ、冷媒音を小さくできる空気調和機を提供する。 - 特許庁
In this condenser where the refrigerant introduced from a compressor coexists under a superheated vapor condition, a two-phase condition and a supercooled liquid condition, the plurality of refrigerant passages in at least one of a superheated vapor area and the two-phase area is coupled to be connected to the supercooled liquid area formed in a rear end of the two-phase area.例文帳に追加
圧縮機から導入された冷媒が、過熱蒸気状態、二相状態及び過冷液状態で共存する凝縮機において、過熱蒸気領域及び二相領域の少なくとも一つにおける複数の冷媒経路を結合して二相領域の後端に形成された過冷液領域へ接続する。 - 特許庁
Moreover, even if a vapor phase is passed to the channel 13 for evaporation operation or the channel is vacuumed, the liquid phase stored in the pool part 12 stays in the pool part 12 due to the surface tension.例文帳に追加
しかも、蒸発操作のために流路13に気相を流したり、流路を真空引きしたりしても、プール部12に溜まった液相が表面張力によってプール部12にとどまる。 - 特許庁
To provide a high-quality nondefective binary-alloy single crystal nanostructure having excellent solid-phase configuration, and to provide a method for producing the nanostructure through a vapor-phase synthesis method using no catalyst.例文帳に追加
触媒を使用しない気相合成法を用いて高品質かつ欠陥のないすぐれた形状の固相の二元合金単結晶ナノ構造体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Vapor phase spaces inside the steam drums 11, 12 are communicated by a communication pipe 20, and liquid phase spaces inside thereof are communicated by a communication pipe 21.例文帳に追加
かかる汽水ドラム11,12は、連通管20によって各内部の気相空間を互いに連通させるとともに、連通管21によって各内部の液相空間を互いに連通させる。 - 特許庁
In this semiconductor device, an AlGaInP negative strain layer 11 and an AlGaAs mixed crystal prevention layer 12 are grown on the GaAs growth substrate 1 by a vapor-phase growth method, and thereafter the thick-film AlGaAs layer 2 is grown by a liquid-phase growth method.例文帳に追加
GaAs成長基板1上にAlGaInPマイナス歪層11及びAlGaAs混晶防止層12を気相成長法で成長させ、その後、厚膜AlGaAs層2を液相成長法で成長させる。 - 特許庁
A layer 14 of softening material such as boron which decreases the glass softening point is formed as buried in a CVD oxide film 6 as deep as prescribed by implantation of ions or thermal oxidation carried out in vapor phase, liquid phase or solid phase.例文帳に追加
イオン注入あるいは気相、液相、または、固相での熱酸化により、ホウ素等のガラス軟化点温度を低下させる軟化物質層14を、CVD酸化膜6の表面から所定の深さにかけて形成する。 - 特許庁
To provide a method for treating metallic oxide coarse powder by which the operability of metallic oxide coarse powder obtained by vapor phase oxidation reaction or vapor phase hydrolysis reaction of a metallic halide can be improved, and the powder becomes more suitable for storage, transfer, conveyance or the like.例文帳に追加
金属ハロゲン化物の気相酸化反応または気相加水分解反応で得られる金属酸化物粗粉体の作業性を改良し、保管、移送または輸送等にてきしたものにする金属酸化物粗粉体の処理方法を提供すること。 - 特許庁
A single wafer vapor phase epitaxial growth system is employed in this vapor phase epitaxy, the underlying silicon wafer is brought into a state for rotating horizontally in a reaction chamber, and deposition gas is suitably made to flow down onto the major surface of an underlying silicon wafer from above.例文帳に追加
この気相成長では、枚葉式気相成長装置を用い、反応容器内において下地シリコンウェーハが水平回転する状態にし、下地シリコンウェーハの上方から下地シリコンウェーハの主表面上に上記成膜用ガスを流下させると好適である。 - 特許庁
In the method of producing the group 13 nitride semiconductor nanoparticles where particles are produced in a vapor phase and are collected, the raw materials of an organometallic compound comprising the group 13 element(s) and nitrogen are mixed, and are reacted in a vapor phase or in plasma.例文帳に追加
気相中で粒子を生成し捕集する本発明の13族窒化物半導体ナノ粒子の製造方法は、13族元素を含有する有機金属化合物と窒素原料を混合し、気相又はプラズマ中で反応させることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a vapor phase growth device, a vapor phase growth method, and a method of manufacturing a semiconductor element in which a metal material susceptible to solidification can be introduced effectively into a reactor without adhering to a shower head or the side surface of piping and doped.例文帳に追加
凝固しやすい金属材料をシャワーヘッドや配管の壁面に付着させることなく効果的に反応炉へ導入し、効果的なドーピングを行うことのできる気相成長装置、気相成長方法、および半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
The ink jet recording material comprises an ink accepting layer containing a vapor phase method silica and an alumina or an alumina hydrate in such a manner that the weight ratio of the silica fine particles to the alumina or the alumina hydrate is the vapor phase method silica/alumina or the alumina hydrate < 1.5.例文帳に追加
インク受容層中に気相法シリカとアルミナまたはアルミナ水和物とをあわせて含有し、シリカ微粒子とアルミナまたはアルミナ水和物との重量比が気相法シリカ/アルミナまたはアルミナ水和物<1.5であることを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁
A silicon wafer 1 is made into anode, a porous silicon layer 2 is formed on the surface, an intermediate layer 3 containing diamond-like carbon is formed on the porous silicon layer 2 by vapor phase growth, and the diamond membrane is formed on the intermediate layer 3 by vapor phase growth.例文帳に追加
シリコンウェハー1を陽極化成し、表面に多孔質シリコン層2を形成し、多孔質シリコン層2の上にダイヤモンド状炭素を含む中間層3を気相成長により形成し、中間層3の上にダイヤモンド薄膜を気相成長により形成する。 - 特許庁
To provide a gas-barrier laminated film which, by laminating/forming a gas-barrier layer continuously by a catalyst vapor phase growth method and a physical vapor phase growth method, is excellent in gas-barrier properties without applying primer processing on the surface of a substrate film and a method for producing the gas-barrier laminated film.例文帳に追加
触媒気相成長法と物理気相成長法により連続してガスバリア層を積層形成することにより、基材フィルム表面にプライマー処理を施すことなくガスバリア性に優れたガスバリア積層フィルム、及び該フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁
The diamond-aluminum joined body has a vapor phase synthesized diamond plate 11 onto which an intermediate layer 31 composed of aluminum alloy including silicon and a metal film 21 composed of pure aluminum or aluminum alloy are formed in order from the vapor phase synthesized diamond plate 11.例文帳に追加
気相合成ダイヤモンド板11上に、該気相合成ダイヤモンド板11側から順に、シリコン含有アルミニウム合金からなる中間層31と純アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属膜21とを有しているダイヤモンド・アルミニウム接合体である。 - 特許庁
To provide a vapor phase thin film epitaxial growth system and a vapor phase thin film epitaxial growth method in which production per butch of film depositing operation can be increased without sacrifice of the thickness of a thin film being deposited on an article being processed and the uniformity of compositional ratio.例文帳に追加
被処理体上に成膜される薄膜の膜厚および組成成分比の均一性を損なうことなく、成膜操作の1バッチ当たりの生産量を増加することのできる気相薄膜成長装置および気相薄膜成長方法を提供する。 - 特許庁
To store catalyst precursor in a large amount during a firing process without deterioration when firing is interrupted, in a method for preparing an oxide catalyst which is used in a vapor phase contact oxidation reaction or a vapor phase contact ammoxydation reaction of propane or isobutane.例文帳に追加
プロパンまたはイソブタンの気相接触酸化反応または気相接触アンモ酸化反応に用いる酸化物触媒の調製方法において、焼成を中断する場合、焼成途中の触媒前駆体を、大量に劣化させることなく保管できる。 - 特許庁
To provide a tray which prevents a decrease of effective stacking area of a workpiece, whose film thickness uniformity is not damaged by intrusion of an reaction gas to susceptor, and which can decrease a frequency of maintenance of a susceptor, and to provide a vapor phase growth equipment and a vapor phase growth method.例文帳に追加
被処理基板の成膜有効面積の減少を回避し、サセプタへの反応ガスの侵入による膜厚の均一性を損なわず、かつサセプタのメンテナンスの頻度を低減し得るトレイ、気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁
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