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「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > VAPOR- PHASEの意味・解説 > VAPOR- PHASEに関連した英語例文

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VAPOR- PHASEの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2273



例文

Vapor phase synthetic diamond 15 is applied by coating on an overall surface of the surface 11 of the base board 10 including cutting blade 14 parts on the protruded parts 12.例文帳に追加

凸部12における切刃14部分を含んで、基板10の表面11の全面に、気相合成ダイヤモンド15をコーティングする。 - 特許庁

In the vapor phase growth method of placing the wafer on a susceptor in a reaction chamber and forming the thin film on the wafer by vapor phase deposition, the material gas is branched to at least two lines, each of the branched material gases is temporarily branched into two and then mixed together, and further branched into two to be supplied to the reaction chamber, thereby carrying out the vapor phase growth.例文帳に追加

反応室のサセプタ上にウエーハを載置し、該ウエーハ上に薄膜を気相成長させる方法であって、少なくとも、原料ガスを、2つのラインに分岐し、その後該分岐させた原料ガスの各々を一旦2つに分岐させた後に合流させ、その後更に2つに分岐させて、原料ガスを前記反応室に供給しながら気相成長させることを特徴とする薄膜の気相成長方法。 - 特許庁

To provide indexes for the time of firing with which a large quantity of a catalyst having high selectivity of an aimed product at the time of reaction can be prepared with high reproducibility with respect to a preparation method of an oxide catalyst to be employed for vapor-phase contact oxidation reaction of propane or isobutane or vapor-phase contact ammoxidation reaction.例文帳に追加

プロパンまたはイソブタンの気相接触酸化反応または気相接触アンモ酸化反応に用いる酸化物触媒の調製方法において、反応時の目的物の選択率が高い触媒を、大量に、再現性良く調製でき、また、焼成の際の指標を提供する。 - 特許庁

After a stimulable phosphor layer 11 is formed on a support body 12 by a vapor-phase deposition method (vapor phase method), a polyurea protective film 15 is formed on the phosphor layer by deposition by using an amine compound and an isocyanate compound either of which is an aliphatic compound.例文帳に追加

支持体12上に気相堆積法(気相法)により輝尽性蛍光体層11を形成後、何れか1種の化合物が脂肪族系化合物であるアミン化合物及びイソシアネート化合物を用いて蛍光体層上にポリウレア保護膜15を蒸着により形成する。 - 特許庁

例文

To provide a vapor phase deposition film manufacturing method, a vapor phase deposition film manufacturing apparatus, and a radiation image conversion panel manufacturing method capable of manufacturing a radiation image conversion panel suppressing occurrence of point defects or the like and obtaining an image of high quality with less defects.例文帳に追加

点欠陥などの発生を抑制し、欠陥が少ない高品位な画像が得られる放射線像変換パネルを製造することができる気相堆積膜の製造方法および気相堆積膜の製造装置並びに放射線像変換パネルの製造方法を提供すること。 - 特許庁


例文

Thus because the MOD layer 31 is formed at first and subsequently the vapor phase synthesized layer 32 is formed, this can prevent the deterioration in properties of the vapor phase synthesized layer 32 due to heat treatment in the process of forming the MOD layer 31 (heat treatment in the MOD method).例文帳に追加

このように、MOD層31を先に形成してから、その後に気相合成層32を形成することになるので、MOD層31を形成する工程での熱処理(MOD法における熱処理)により気相合成層32の特性が劣化することを防止できる。 - 特許庁

The inkjet recording medium includes an ink receiving layer containing vapor-phase silica, hydroxycarboxylate ester with an I/O value of not smaller than 1.5 which is calculated based on an organic concept drawing, and a polyvinyl alcohol where the content of the hydroxycarboxylate ester is not smaller than 0.1 mol but not larger than 2 mol with respect to 1 kg of the vapor-phase silica.例文帳に追加

気相法シリカ、有機概念図に基づいて算出されたI/O値が1.5以上であるヒドロキシカルボン酸エステル、及びポリビニルアルコールを含み、前記ヒドロキシカルボン酸エステルの気相法シリカ1kgに対する量が0.1mol以上2mol以下であるインク受容層を有している。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device for a gallium nitride compound semiconductor, wherein a flow rate of GaCl gas can be increased by prolonging a reaction time with a Ga melt even when a flow rate of HCl gas is increased, and to provide a vapor phase growth method for a gallium nitride compound semiconductor.例文帳に追加

HClガスの流量を増やしても、Ga融液との反応時間を長くしてGaClガスの流量を増加させることができる窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法を提供すること。 - 特許庁

In the inkjet recording sheet having on a substrate a porous layer containing inorganic fine particles and a hydrophilic binder, the inorganic fine particle is a mixture of a vapor phase method silica and hydrophobic silica obtained by treating the vapor phase method silica with a hydrophobic group.例文帳に追加

支持体上に無機微粒子及び親水性バインダーを含有する多孔質層を有するインクジェット記録用紙において、該無機微粒子が気相法シリカと該気相法シリカに疎水基を処理した疎水性シリカの混合物であることを特徴とするインクジェット記録用紙。 - 特許庁

例文

In addition, the water vapor component generated by the sublimation is removed from the substrate surface Wf together with the flow of the nitrogen gas for freeze dry, whereby the water vapor component can securely be prevented from returning to the liquid phase and the solid phase and reattaching to the substrate surface Wf.例文帳に追加

また、昇華により発生した水蒸気成分は凍結乾燥用窒素ガスの気流に乗って基板表面Wfから取り除かれるため、水蒸気成分が液相や固相に戻り基板表面Wfに再付着するのを確実に防止することができる。 - 特許庁

例文

In a method for precipitating boron nitride by reacting gases of a boron source and a nitrogen source by using a plasma, a fluorine gas or a fluorine-containing gaseous species is used as one component of a vapor phase and a substrate bias is used to synthesize the cubic boron nitride from the vapor phase.例文帳に追加

ホウ素源および窒素源のガスをプラズマを用いて反応させて窒化ホウ素を析出させる方法において、フッ素ガスまたはフッ素を含むガス種を気相の一成分として用い、さらに基板バイアスを用いて上記の立方晶窒化ホウ素を気相から合成する。 - 特許庁

To provide a method of judging the flow pattern of vapor-liquid two- phase flow in which the flow pattern of a vapor-liquid two-phase flow in piping, the inside of which cannot be observed visually, can be judged objectively with high correct rate (accuracy) from the outside without having any effect on the piping and its flow.例文帳に追加

内部が目視観察できない配管内の気液二相流のフローパターンを、配管およびその流れに影響を与えることなく、外部から高い正解率(精度)で、客観的に判別することができる気液二相流のフローパターン判別方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth system which suppresses a leak of a vapor-phase material from a space between a flow liner and a susceptor, prevents adhesion of a reaction product and a decomposition product to the susceptor and a heater, and attains an extension of replacement time of these and an extension of a system's service life.例文帳に追加

フローライナーとサセプタとの間から気相原料が漏洩することを抑制でき、サセプタやヒーターへの反応生成物や分解生成物の付着を防止でき、これらの交換時期の延長、装置寿命の延長が図れる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

After a coating film containing boron and phosphorus is formed on an internal wall of the vapor phase growth furnace by passing a gas containing boron and phosphorus and a carrier gas accompanied by the gas through the furnace, the boron phosphide-based semiconductor layer is vapor- phase grown on the single-crystal silicon substrate.例文帳に追加

硼素とリンとを含む気体と、それを随伴する搬送用気体とを、気相成長炉内に流通させて、気相成長炉の内壁に、硼素とリンとを含んでなる被膜を形成した後、珪素単結晶基板上にリン化硼素系半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

The evaporation apparatus includes evaporation sources 3A, 3B discharging evaporation materials 32A, 32B in a state of vapor phase by heating, and can rolls 4A, 4B for holding an evaporation object 1 with the evaporation materials 32A, 32B in a state of vapor phase being adhered thereto and deposited thereon inside an evacuation treatment tank 2.例文帳に追加

この蒸着装置は、蒸着処理槽2の内部に、加熱により気相状態の蒸着物質32A,32Bを放出する蒸発源3A,3Bと、気相の蒸着物質32A,32Bが付着して堆積することとなる被蒸着物1を保持するキャンロール4A,4Bとを備える。 - 特許庁

To provide a fixed bed reactor for vapor-phase catalytic oxidation which performs vapor-phase catalytic oxidation with such a reduced increase in pressure loss as to realize to long-term continuous operation and to finally lead to a high yield and to provide a method for producing acrolein or acrylic acid.例文帳に追加

気相接触酸化を行うにあたり、高い収率を維持しながら、圧力損失の増加を抑えて、長期間にわたる安定的な連続操業を可能にする気相接触酸化用の固定床反応器およびアクロレインまたはアクリル酸の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The fixed bed reactor for vapor-phase catalytic oxidation is one having a reaction tube packed with a vapor-phase oxidation catalyst, wherein a solid acid having an acid strength (H_0) in the range of -5.6≤H_0≤1.5 is placed in a gas passage containing a raw material compound and/or a formed compound.例文帳に追加

気相接触酸化用の固定床反応器は、気相酸化触媒を充填した反応管を有する固定床反応器であって、原料化合物および/または生成化合物を含むガス流路に酸強度(H_0)が−5.6≦H_0≦1.5である固体酸が配置されている。 - 特許庁

Subsequently, a Ta film 111 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the film 110, a Cu film 112 is deposited by the physical vapor phase growth process on a surface of the Ta film 111, and then a Cu film 113 is deposited by electroplating on a surface of the Cu film 112.例文帳に追加

次にTiN膜110表面に物理的気層成長法によりTa膜111を堆積し、次にTa膜111表面に物理的気層成長法によりCu膜112を堆積した後に、電解メッキ法によりCu膜112の表面にCu113膜を堆積する。 - 特許庁

This method for producing the polyolefin by a continuous vapor- phase polymerization by using an olefin polymerization catalyst is characterized in that an inhibitor of a catalytic activity is fed to a vapor phase part of the polymerization vessel and a powder part of the polymerization vessel from sidewalls of the polymerization vessel.例文帳に追加

オレフィン重合触媒を用いた連続気相重合によるポリオレフィンの製造方法において、触媒活性抑制剤を、重合槽気相部と重合槽の側壁から重合槽粉体部へ供給することを特徴とするポリオレフィンの製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxidation reaction catalyst used when unsaturated nitrile is manufactured by the vapor phase catalytic ammoxydation reaction of propane or isobutane or an unsaturated carboxylic acid is manufactured by the vapor phase catalytic oxidation reaction of propane or isobutane and having high selectivity with respect to unsaturated nitrile or the unsaturated carboxylic acid.例文帳に追加

プロパンまたはイソブタンの気相接触アンモ酸化反応による不飽和ニトリルの製造または気相接触酸化反応による不飽和カルボン酸の製造の際に用いる、不飽和ニトリルまたは不飽和カルボン酸の選択率が高い触媒の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This method for polymerizing the vinyl monomers containing ≥0.1 mass% of an acrylic ester is characterized in that a liquid phase part which is a reactional liquid containing the vinyl monomers and the vapor phase part are present in a reactor and a ≥2C alcohol is made to exist in the vapor phase part to carry out polymerization of the vinyl monomers.例文帳に追加

本発明のアクリル酸エステルを0.1質量%以上含むビニル単量体の重合方法は、反応装置内には、前記ビニル単量体を含む反応液である液相部と、気相部とが存在し、この気相部に炭素数2以上のアルコールを存在させて前記ビニル単量体の重合を行うことを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing a hydroxyalkyl (meth)acrylate comprises bringing methacrylic acid prepared by a vapor-phase oxidizing reaction of a 4C compound or acrylic acid obtained by a vapor-phase oxidizing reaction of a 3C compound into contact with a primary amine in the liquid phase and then reacting the methacrylic acid or acrylic acid containing the primary amine with an alkylene oxide.例文帳に追加

炭素数4の化合物の気相酸化反応で得られたメタクリル酸または炭素数3の化合物の気相酸化反応で得られたアクリル酸を、第1級アミンと液相中で接触させた後、前記第1級アミンを含む前記メタクリル酸またはアクリル酸とアルキレンオキサイドとを反応させることを特徴とするヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートの製造方法。 - 特許庁

In the vapor phase growth apparatus for placing a plurality of substrates on a rotary susceptor within a reactor and growing a thin film on each substrate by vapor phase growth, calculation is carried out over continuously measured temperature data with use of a substrate phase calculated from the rotational speed of the rotary susceptor and a placed substrate position to extract only the temperature of each substrate.例文帳に追加

反応炉内の回転式サセプタ上に複数の基板を設置して各基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、連続して測定された温度データに対し、回転式サセプタの回転数および基板設置位置から算出される基板位相を用いて演算を行い、各基板の温度のみ抽出する。 - 特許庁

The extracted gas generated by the thermal decomposition and discharged from the treating chamber 3 is separated at a separation chamber 5 to a liquid-phase gas and a vapor-phase gas, and each thereof is collected individually at collecting chambers 6.例文帳に追加

熱分解により発生して処理室3から排出される抽出ガスが分離室5において液相ガスと気相ガスに分離され、それぞれ個別に回収室6で回収される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a crystal which can prevent the decline in growth rate and the deviation in solid phase composition when growing a C-doped compound semiconductor using the metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いてCドープ化合物半導体を成長する際に、成長速度の低下や固相組成のずれを抑制することができる結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

A heat pipe 5 constitutes a closed loop comprising an evaporation part 6 fixed to an imaging element 4, a condensation part 10 fixed to a corner of a camera casing 2, a vapor phase path 7, and a liquid phase path 8.例文帳に追加

ヒートパイプ5は、撮像素子4に固着された蒸発部6と、カメラ筺体2のコーナーに固着された凝縮部10と、気相路7と、液相路8とから成る閉ループを構成している。 - 特許庁

To provide a reliable method which determines the thermodynamic soundness of various phase equilibrium data such as binary system vapor-liquid equilibrium data, etc., and to provide a method for estimating phase equilibrium data.例文帳に追加

2成分系気液平衡データをはじめとする幅広い相平衡データについて、該データの熱力学健全性を判定する信頼できる方法および相平衡データを推算する方法を提供すること。 - 特許庁

A vapor tube 6 guides the liquid phase operating fluid 10 into a condenser 7 in the arrow-sign direction while the liquid tube 8 re-circulates the liquid-phase operating fluid 13 into the evaporator 1 in the arrow-sign direction.例文帳に追加

蒸気管6は気相の作動流体10を矢印の方向に凝縮器7へ導き、液管8は液相の作動流体13を矢印の方向に蒸発器1へ還流させる。 - 特許庁

To provide a piezoelectric oscillator which can be immersed directly in liquid, without insulating both surfaces of a vibrator electrode, using a coating material and stably oscillate in both liquid phase and vapor phase.例文帳に追加

被覆材を用いて振動子電極を両面とも絶縁することなく直接液体に浸漬可能で、液相中・気相中を問わず安定して発振可能な圧電発振器を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst for performing the oligmerization reaction of ethylene currently performed in a liquid phase high-pressure reaction system with a complex catalyst, using simple and inexpensive vapor phase normal- pressure flow system reaction.例文帳に追加

現在、錯体触媒を用いて液相高圧反応系で実施されているエチレンのオリゴマー化反応を、簡便かつ安価な気相常圧流通系反応で実施するための触媒を開発する。 - 特許庁

The metallic powder obtained with a gaseous phase reduction of metallic halide vapor is washed with water with a surfactant added and the metallic halide remaining after the gaseous phase reduction is removed from the metallic powder.例文帳に追加

金属ハロゲン化物の蒸気を気相還元して得た金属粉を、界面活性剤を添加した水により洗浄し、気相還元後に残留する金属ハロゲン化物を金属粉から除去する。 - 特許庁

The plastic is decomposed in the reaction tank 10 in a water vapor phase, and the oil component produced by the decomposition is discharged to the outside of the reaction tank 10 with the water vapor jetted into the reaction tank 10 through the water vapor jet nozzles 22 through a discharge hole 26.例文帳に追加

反応槽10内において水蒸気気相中でプラスチックが分解し、その分解により生成した油分が、水蒸気噴出ノズル22を介して反応槽10内に噴出した水蒸気と共に排出孔26を介して反応槽10外部に排出される。 - 特許庁

The gas barrier laminated film is constituted by providing a vapor deposition film 2 of an inorganic oxide on a base material 1 by a physical vapor phase growing method, and providing a gas barrier coating film 3 on the vapor deposition film 2 and characterized in that the specific gravity of the coating film 3 is 1.8-2.8 (g/cm^3).例文帳に追加

基材1上に化学気相成長法により無機酸化物の蒸着膜2を設け、その上にガスバリア性塗布膜3を設けてなるガスバリア性積層フィルムであって、塗布膜3の比重が、1.8〜2.8(cm^3/g)の範囲にあるガスバリア性積層フィルム。 - 特許庁

More desirably, the hydrogen gas remover E is disposed in the gas phase zone of the separator 26 or the regenerator 3 at a portion on the downstream side of an internal separator 26a separating the refrigerant vapor from a liquid-drip like absorbent following the refrigerant vapor in the refrigerant vapor passing direction.例文帳に追加

また望ましくは、分離器26や再生器3の気相域部において、冷媒蒸気とそれに随伴す液滴状の吸収液とを分離する内装分離具26aよりも冷媒蒸気通過方向における下流側の部分に水素ガス除去器Eを配置する。 - 特許庁

A vapor channel 34, the vapor line 26, a condensation channel 44, and the liquid line 28 form a heat siphon, or a heat pipe and a pressure two-phase cooling cycle for working fluid flowing through the cooling module.例文帳に追加

蒸気流路34、蒸気管路26、凝縮流路44、液体管路28は、冷却モジュールを流れる作業流体の流れに対して、熱サイフォン、やヒートパイプ、及び圧送二相冷却サイクルを形成するようにする。 - 特許庁

To provide a vapor compression type refrigerating cycle comprising an accumulator capable of preventing flowing of a liquid-phase refrigerant into a vapor outflow tube in low load, and reducing cycle variability in low load.例文帳に追加

低負荷時においても蒸気流出管へ液相冷媒が流入することを抑え、低負荷時におけるサイクル変動を低減させることが可能なアキュームレータを備えた蒸気圧縮式冷凍サイクルを提供する。 - 特許庁

To provide a production method and a purification method of a carbon nanotube produced by a chemical vapor-phase growth method wherein a carbon compound vapor is thermally decomposed by the contact with a substrate composed of a porous carrier carrying a metal catalyst.例文帳に追加

多孔性担体に金属触媒を担持した基体に炭素化合物気体を接触させて熱分解する化学気相成長法で製造したカーボンナノチューブの製造方法および精製方法を提供する。 - 特許庁

A plasma treatment surface is provided on one surface of a polyamide resin film and a vapor deposition film of an inorganic oxide with a thickness of 4-10 nm due to a chemical vapor phase growing method is provided on the plasma treatment surface to constitute a transparent barrier film.例文帳に追加

ポリアミド系樹脂フィルムの一方の面に、プラズマ処理面を設け、更に、該プラズマ処理面の面に、化学気相成長法による膜厚4〜10nmの無機酸化物の蒸着膜を設けた透明バリア性フィルム。 - 特許庁

A conductive layer is formed on the surface of the titanium oxide particles obtained by a vapor-phase oxidation method, and further the surface is treated by using a hydrophobizing agent.例文帳に追加

気相酸化法によって得られた酸化チタン粒子の表面に導電層を形成し、さらに疎水化剤によって表面処理する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth apparatus, which can remove precipitate deposited on an inner wall of an exhaust piping without dismounting the piping.例文帳に追加

排気配管を取り外すことなく、その排気配管の内壁に付着した析出物を除去できる気相成長装置を提供すること。 - 特許庁

When vapor phase growth is performed by using the substrate 1, crystal growth occurs only from the tops of the projecting sections 11 due to presence of the mask 3.例文帳に追加

この基板を用いて気相成長した場合、マスク3が存在するため、凸部11の上方部からしか結晶成長が起こらない。 - 特許庁

To enhance the position accuracy of a thin film by accurately controlling substrate temperature in film formation by vapor-phase deposition using a mask.例文帳に追加

マスクを用いた気相堆積法による成膜時の基板温度をより正確に管理し、これにより、これら薄膜の位置精度を向上させること。 - 特許庁

To provide a method for depositing a silicon dioxide film of high quality on a substrate by using a plasma enhanced chemical vapor phase growth and TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate).例文帳に追加

プラズマ増強化学気相成長とTEOSを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。 - 特許庁

A CVD oxide film 17 is formed on an opening 15 by using a vapor phase growing method, a reduced pressure TEOSCVD method or an ordinary pressure CVD method.例文帳に追加

気相成長法である減圧TEOSCVD法、常圧CVD法を用いて開口15上にCVD酸化膜17を形成する。 - 特許庁

A III-V group nitride element layer is grown up by metal organic vapor phase epitaxy (MOCVD), and all layers become the 4 H-type polytypes.例文帳に追加

引き続き、有機金属気相成長法(MOCVD)により、III-V族窒化物素子層を成長させ、全ての層が4H型ポリタイプとなる。 - 特許庁

CATALYST FOR VAPOR PHASE OXIDATION OF COMPOUND HAVING ALKYL GROUP AND METHOD FOR MANUFACTURING ALDEHYDE COMPOUND OR CARBOXYLIC ACID COMPOUND USING THE CATALYST例文帳に追加

アルキル基を有する化合物の気相酸化用触媒およびその触媒を用いたアルデヒド化合物またはカルボン酸化合物の製造方法 - 特許庁

Methacrylonitrile is produced by carrying out catalytic reaction of methacrylic acid or its ester with ammonia in a vapor phase by using silicaaluminophosphate as a catalyst.例文帳に追加

触媒としてシリカアルミノホスフェートを用いて、メタクリル酸又はそのエステルをアンモニアと気相で接触反応させてメタクリロニトリルを製造する。 - 特許庁

To efficiently suppress the adhesion of molybdenum oxide in a vapor phase reaction apparatus for causing reaction using a metal oxide catalyst containing molybdenum.例文帳に追加

モリブデンを含む金属酸化物触媒を用いて反応を起こさせる気相反応装置での、モリブデン酸化物の付着を効率的に抑制する。 - 特許庁

An energy beam irradiation is applied to a film forming surface when the solid electrolyte layer is formed by a vapor-phase deposition method.例文帳に追加

なお前記固体電解質層の形成方法が気相成膜法である場合に、被成膜面にエネルギー照射を行う電気化学素子の製法。 - 特許庁

例文

In the production method, preferably the vapor-phase oxidation is performed by passing ethylene glycol through a plurality of packed beds filled with silver catalysts having different bulk densities.例文帳に追加

さらにかかる気相酸化をかさ密度の異なる銀触媒を充填した複数の充填層を通過させて行うのが好ましい。 - 特許庁




  
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