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「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > VAPOR- PHASEの意味・解説 > VAPOR- PHASEに関連した英語例文

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VAPOR- PHASEの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2273



例文

ORGANIC METAL VAPOR PHASE EPITAXY METHOD, AND NITRIDE-BASED III GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT ELEMENT FORMED THEREBY例文帳に追加

有機金属気相成長法及びそれにより形成したIII族窒化物系化合物半導体光素子 - 特許庁

METHOD OF FORMING HIGH QUALITY WAVEGUIDE BY VAPOR-PHASE PROTON-EXCHANGE PROCESS WITH POST-ANNEALING AND REVERSED PROTON EXCHANGE例文帳に追加

ポストアニーリングと反転陽子交換とを伴う気相陽子交換工程による高品質導波路の形成方法 - 特許庁

VAPOR-PHASE ALUMINIZATION PROCESS FOR METAL PARTS AND DONOR LINER OF TURBOMACHINE, AND TURBOMACHINE VANE INCLUDING SUCH LINER例文帳に追加

ターボ機械の金属部品およびドナーライナーの気相アルミ被覆プロセスならびにそのようなライナーを含むターボ機械翼 - 特許庁

CATALYST LINE CHEMICAL VAPOR PHASE GROWING APPARATUS AND REGENERATING METHOD OF CATALYST LINE IN SAME例文帳に追加

触媒線化学気相成長装置および触媒線化学気相成長装置における触媒線の再生方法 - 特許庁

例文

A processing apparatus 1 as a vapor-phase deposition apparatus has a susceptor 5 as a holding member for mounting a substrate 7.例文帳に追加

気相成長装置としての処理装置1は、基板7を搭載する保持部材としてのサセプタ5を備える。 - 特許庁


例文

The flow medium is returned to the vapor phase combustion part 6 and only the granular aggregate is left in the combustion part 4.例文帳に追加

流動媒体は気相燃焼部6に返送され、粒状骨材のみが焼結部4内に残留する。 - 特許庁

The vapor-phase growth carbon fiber is manufactured by the method and has a graphitization degree of 3.0 or higher.例文帳に追加

前記製造方法により製造され、グラファイト化度が3.0以上である気相成長炭素繊維である。 - 特許庁

To provide artificial soil having lightweight, capable of permanently keeping on maintaining a three-layer structure comprising a vapor phase, a liquid phase and a solid phase, and usable for a rooftop and a wall of a building or the ground.例文帳に追加

軽量で、気相、液相、固相からなる三相構造を永続的に持続することができ、且つ建物の屋上や壁面、或いは地面に利用することができる人工土壌を提供する。 - 特許庁

Water as mixed phase flow coolant in liquid-vapor equilibrated state is made to flow, in a state with a boiling and mixed phase area being present, and the reaction heat accompanying the CO-removing reaction is cooled and removed by the use of the evaporation latent heat of the mixed phase flow coolant in liquid-vapor equilibrated state.例文帳に追加

冷却管9内には、気液平衡状態の混相流冷媒としての水が沸騰・混相領域が存在する状態で流動させ、気液平衡状態の混相流冷媒の気化潜熱を利用して、CO除去反応に伴う反応熱を冷却除去する。 - 特許庁

例文

To provide a cleaning method of an exhausting portion (the vicinity of the pressure control valve of the valve of a vapor-phase growth apparatus), in the vapor-phase growth apparatus wherein the automatic control of its pressure control valve can be performed by the pressure of its chamber.例文帳に追加

本発明は、圧力調整弁の自動制御をチャンバー内の圧力から行えるようにした新規な気相成長装置における排気部(バルブの圧力調整弁付近)のクリーニング方法を提供するものである。 - 特許庁

例文

When the surface of the mold material 2 being a composite material of the vapor-phase growth carbon fiber and the glassy carbon is worked with a focused ion beam, a working efficiency is fallen at the vapor-phase growth carbon fiber and then the worked face of the mold material 2 becomes uneven.例文帳に追加

ガラス状カーボンおよび気相成長炭素繊維の複合材の型材2の表面を集束イオンビーム加工した際に、気相成長炭素繊維の部分で加工効率が低下し、型材2の加工面が凹凸になる。 - 特許庁

In the surface hydrophilization method for the vapor phase deposition polymerization polymer membrane-covered body, the vapor phase deposition polymerization polymer membrane-covered body to be treated is exposed to an ozone atmosphere and thereafter it is left to stand at a humidity atmosphere of 30-70%.例文帳に追加

蒸着重合高分子膜被覆体の表面親水化方法であって、被処理蒸着重合高分子膜被覆体をオゾン雰囲気に曝し、その後、30〜70%湿度雰囲気に放置することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a vapor-phase content removing device, which when attached to a post stage of a CVD apparatus for forming a film on the surface of a semiconductor wafer, efficiently collects vapor-phase components of the process gas exhausted from the CVD apparatus.例文帳に追加

半導体ウェハの表面に成膜をなすCVD装置の後段に装着され、当該CVD装置から排気される処理ガスの気相成分を効率よく補集することのできる気相成分除去装置を提供する。 - 特許庁

To provide a susceptor for a vapor phase growth device, capable of preventing a flaw and a contact trace in a backside of an epitaxial wafer and hardly causing deformation in high temperature treatment, and a vapor phase growth device using the susceptor.例文帳に追加

本発明は、エピタキシャルウェーハ裏面への傷、接触痕を防止でき、且つ高温処理において変形が起こりにくい気相成長装置用サセプタ及び該サセプタを用いた気相成長装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The vapor phase growth system 100 is used to heat both surfaces of the single crystal silicon substrate W of a diameter of 300 mm or more and to grow in vapor phase a silicon epitaxial layer on the main surface thereof.例文帳に追加

気相成長装置100は、直径300mm以上のシリコン単結晶基板Wを両面から加熱しつつシリコン単結晶基板Wの主表面上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させる装置である。 - 特許庁

In the second mixing step (b), a vapor phase-grown carbon fiber having an average diameter of 20-200 nm and an average length of 5-20 μm is mixed with the first mixture to give the second mixture in which the vapor phase-grown carbon fiber is dispersed.例文帳に追加

第2の混合工程(b)は、その第1の混合物に、平均直径が20〜200nmかつ平均長さが5〜20μmの気相成長炭素繊維を混合して、気相成長炭素繊維が分散した第2の混合物を得る。 - 特許庁

The process unit 1 is a vacuum device such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device, or an ion beam spatter device, or a film growing device, a surface treatment device or the like such as an organic metal vapor phase growing device, a liquid phase epitaxial device or the like.例文帳に追加

プロセス装置1は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

After passage of a prescribed time from the movement of the culture container, the vapor-phase temperature within of the closed space for cooling is set at a temperature required for preservation and transportation, and the vapor-phase temperature and the temperature of a medium are kept at the temperature.例文帳に追加

培養容器を移動させた後、所定の時間の経過後に、冷却用閉鎖空間の内部の気相温度を保存、輸送に必要とされる温度に設定し、気相温度をその温度に維持して、その温度に培地温度を維持する。 - 特許庁

To provide a method for reactivating a catalyst containing P and Mo used in the production of methacrylic acid by the vapor phase oxidation of methacrolein or the vapor phase oxidative dehydrogenation of isobutyric acid when the catalyst is deteriorated and has lowered activity.例文帳に追加

メタクロレインの気相酸化、またはイソ酪酸の気相酸化脱水素によりメタクリル酸を製造する際に使用する、PおよびMoを含有する触媒であって、活性の低下した劣化触媒を再活性化する方法を提供する。 - 特許庁

The gas/liquid mixing/dissolving method is characterized in that a gas phase is dissolved in a liquid phase by simultaneously passing the vapor phase and the liquid phase through a screen having an ultra-narrow width formed by a metal or a high hard plastic.例文帳に追加

金属又は高硬度プラスチックで形成された極狭小幅を有するスクリーンに気相及び液相を同時に通過させることにより、液相中に気相を溶解させることを特徴とする気液混合溶解方法に係る。 - 特許庁

For cleaning vapor, above treatments water and acetic acid vapor are used, and only with combination of the treatment in a vapor phase, the removal, i.e., the cleaning of organic impurities adhered on the surface having a fine structure is attained.例文帳に追加

洗浄に用いる気体を水蒸気および酢酸とし、これらの処理を組み合わせた気相中のみの処理により微細構造を持つ表面に付着している有機不純物や銅酸化物の除去、すなわち清浄化を図る。 - 特許庁

(d) For some chemicals, the test atmosphere may not just be a vapor but may consist of a mixture of liquid and vapor phases. For other chemicals, the test atmosphere may consist of a vapor which is substantially a gaseous phase.例文帳に追加

(d) 化学品によっては、試験対象となる雰囲気が蒸気だけでなく、液体相と気体相の混合物で構成されることもあり、また化学品によっては、試験雰囲気が、ほぼ気体相に近い蒸気であることもある。 - 経済産業省

To provide a muffler for a vapor-liquid separable fuel cell vehicle which has a small size and simplified structure and in which an exhaust gas is separated into a gas phase and a liquid phase which can be exhausted into an exterior.例文帳に追加

小型かつ簡略化した構造であり、排出ガスを気相と液相とに分離して外部に排出可能な燃料電池車両用マフラーを提供すること。 - 特許庁

The upper part of the inner tube 31 is connected to an upper header by the medium of a vapor-phase side communication pipe, while the lower part thereof is connected to a lower header by the medium of a liquid-phase side communication pipe.例文帳に追加

内筒31は、上部が気相側連通管を介して上部管寄せに接続され、下部が液相側連通管を介して下部管寄せに接続される。 - 特許庁

To provide a method for carrying out the concentration and composition control of a mixed gas by using changes of composition in a vapor-phase and solid-phase hydrate following a formation of a gas hydrate with time.例文帳に追加

ガスハイドレートの形成に伴う気相および固相ハイドレート中の組成の時間変化を利用して、混合ガスの濃縮や組成制御を行う方法を提供する。 - 特許庁

In a plasma chemical vapor phase deposition(CVD) apparatus, the surface roughness (Ra) of a member in a vacuum tank is set to be ≤5.0 μm.例文帳に追加

プラズマ化学気相堆積(CVD)装置において、真空槽内の部材の表面粗さ(Ra)を5.0μm以下とする。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device which is capable of controlling the surface temperature of a semiconductor wafer with high accuracy.例文帳に追加

気相成長装置において、半導体ウエハ表面の温度制御を正確に行なうことができるようにする。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial method capable of suppressing in-plane variation in sheet carrier concentration of a planar dope HEMT.例文帳に追加

プレーナドープHEMTのシートキャリア濃度の面内バラツキを抑えることができる気相成長方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device capable of easily adjusting a film thickness distribution and achieving a more uniform film thickness distribution.例文帳に追加

膜厚分布の調整を容易、且つより均一な膜厚分布を実現できる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

Especially a dividing plate is arranged at the vapor-phase part of the water tank so as to improve the contact of the bone-dry gas with the water surface.例文帳に追加

特に、水面と絶乾ガスの接触を良くするために水槽の気相部分に仕切り板を設けたものである。 - 特許庁

The solid electrolyte layer has a laminated structure, made of solid electrolytes of the same type and formed by a vapor-phase method.例文帳に追加

そして、固体電解質層は、同種の固体電解質からなり、気相法により形成された積層構造を有する。 - 特許庁

To simulate flow phenomenon of a vapor-liquid two-phase flow of high temperature and pressure, under conditions of lower temperature and pressure of flow.例文帳に追加

より低い条件下で高温高圧の水蒸気−水二相流の流動現象を模擬できるようにすること。 - 特許庁

Then a thick oxide film 4 (CVD oxide film) is vapor-phase deposited on the flat section of the silicon 3 and the surface of the polysilicon 2 (b).例文帳に追加

シリコン3の平坦部と、ポリシリコン2の表面に厚い酸化膜4(CVD酸化膜)を気相堆積させる(b)。 - 特許庁

To provide a chemical vapor phase epitaxial growth device in which a thin film can be formed on the wafer surface with uniform thickness.例文帳に追加

ウェハ面上に形成する薄膜の膜厚を均一にできる化学的気相成長装置を提供すること。 - 特許庁

To produce a carbon fiber having high activity of the surface and good in adhesiveness to resins and the like by vapor-phase growth.例文帳に追加

表面の活性度が高く、樹脂等との密着性が良好な気相成長法による炭素繊維を提供する。 - 特許庁

To provide a method for the safe start-up of a catalytic vapor-phase oxidation reactor to enable the reuse of exhaust gas.例文帳に追加

接触気相酸化反応器における、安全かつ排出ガスを再利用できるスタートアップ方法を提供する。 - 特許庁

A vertical-type diffusion furnace is used as a diffusion furnace, and vapor-phase diffusion is performed while the semiconductor substrate is heated at 1,150°C or higher.例文帳に追加

拡散炉には縦型拡散炉を用い、気相拡散は半導体基板を1150℃以上の温度として行う。 - 特許庁

At that time, the heat treatment of the resin board is carried out in a non-oxidized vapor phase atmosphere, and then the plasma treatment is carried out.例文帳に追加

この際に、樹脂基板を非酸化性気相雰囲気中で熱処理した後に上記のプラズマ処理を行なう。 - 特許庁

When the surface of the mold material 2 is worked to be cut, the vapor-phase growth carbon fiber is difficult to be projected from the worked face.例文帳に追加

型材2の表面を切削して加工した際に加工面から気相成長炭素繊維が突出しにくくなる。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING VAPOR PHASE DEPOSITION FILM, METHOD FOR MANUFACTURING RADIATION IMAGE CONVERSION PANEL例文帳に追加

気相堆積膜の製造方法および気相堆積膜の製造装置並びに放射線像変換パネルの製造方法 - 特許庁

To provide a liquefied gas supply device capable of supplying the liquefied gas of a vapor phase with a predetermined pressure or more.例文帳に追加

所定の圧力以上で気相の液化ガスを供給することができる液化ガス供給装置を提供する。 - 特許庁

The gas in the heat exchange medium gas layer 11 is vapor formed by converting the phase of the liquid in the heat exchange medium liquid layer 9.例文帳に追加

熱交換媒体気層11の気体は、熱交換媒体液層9の液体が相転換した蒸気である。 - 特許庁

The bottom 22a of the seat 2 is recessed more than the deflection figure of the substrate W in heating of vapor phase growth.例文帳に追加

座ぐり2の底面22aが、気相成長の加熱の際における基板Wの撓み形状よりも窪まされている。 - 特許庁

POLYCRYSTALLINE SILICON FILM VAPOR PHASE FORMATION METHOD AND APPARATUS BY PULSE POWER SUPPLY AND PULSE DISCHARGE SPUTTERING例文帳に追加

パルス電源とパルス放電スパッタによる多結晶シリコン膜気相合成法並びに多結晶シリコン膜気相合成装置 - 特許庁

ε-Caprolactam is produced by using benzene as a starting raw material and successively subjecting the material to partial hydrogenation, nitration, partial hydrogenation and vapor-phase rearrangement reaction.例文帳に追加

ベンゼンを出発原料として、部分水素化、ニトロ化、部分水素化、気相下の転位反応を順次行う。 - 特許庁

GROWTH METHOD USING NANOSTRUCTURE COMPLIANT LAYER AND HVPE (HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY) FOR PRODUCING HIGH QUALITY COMPOUND SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

高品質化合物半導体材料を製造するためのナノ構造適応層及びHVPEを使用する成長法 - 特許庁

To provide a method and an arrangement for vapor phase growth in which the growing speed of a semiconductor thin film is improved.例文帳に追加

半導体薄膜の成長速度の向上が図られた気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To improve periodical thin film fluctuations in a substrate diameter direction at film forming by using a vapor phase thin-film growing device.例文帳に追加

気相薄膜成長装置を用いた成膜における基板直径方向の周期的な膜厚変動を改善する。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a p type ZnO-based semiconductor thin film with high carrier concentration by vapor phase epitaxy.例文帳に追加

気相成長によりキャリア濃度の高いp型ZnO系半導体薄膜を成膜できる方法を提供する。 - 特許庁

例文

In using the natural gas, it is desorbed till the vapor phase pressure of the storage tank reaches the atmospheric pressure.例文帳に追加

この天然ガスを使用する場合には、貯蔵タンクの気相部圧力が大気圧程度となるまでの脱離にとどめる。 - 特許庁




  
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