「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目)

横形反応管を用いる気相成長において、大型の基板の気相成長あるいは複数枚の基板の同時気相成長を行なう場合であっても、気相成長温度を高温度に設定して気相成長を行なう場合であっても、基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置あるいは気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The vapor phase deposition apparatus 1 provided with the nozzle 7 for supplying gas which is salient in a reactive atmosphere during vapor phase deposition and supplies gas for vapor phase deposition onto a principal plane of a substrate, and the method of cleaning the nozzle 7 (103) for supplying gas are provided.例文帳に追加

気相成長の際に反応雰囲気内に突出して気相成長用ガスを基板の主表面上に供給するガス供給用ノズル７を備える気相成長装置１およびガス供給用ノズル７（１０３）の清浄化方法である。 - 特許庁

To provide a method for industrially advantageously carrying out a vapor-phase reaction while effectively preventing the attachment of a tar-like material to piping or the like when carrying out various kinds of the vapor- phase reactions such as production or the like of an aziridine compound by a vapor-phase intramolecular dehydration reaction.例文帳に追加

気相分子内脱水反応によるアジリジン化合物の製造などの各種気相反応を実施するに当たり、配管などへのタール状物質の付着を効果的に防止し、気相反応を工業的に有利に行う方法を提供する。 - 特許庁

A vapor phase containing the foam B and the other liquid phase are gas/liquid-separated from each other through the dipping pipe 121 and the opening 122.例文帳に追加

この泡沫Ｂを含む気相とそれ以外の液相とは浸漬管１２１および開口１２２を介して気液分離される。 - 特許庁

The separated vapor phase is discharged to the outside of the system (sewage, a septic tank or the like) through a discharge pipe 108 by a vapor phase flow caused by the air supplied from the diffusion pipe 112.例文帳に追加

分離された気相は散気管１１２から供給されるエアーに起因する気相流によって排出管１０８を通じて系外（下水道、浄化槽等）へ排出される。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial growth device which has a simple structure of sufficient assemblability and can form a film of good quality on a substrate to be processed, and to provide a vapor phase epitaxial growth method.例文帳に追加

組立性の良い簡略な構造を有し、被処理基板上に良質な膜を形成することができる、気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth method capable of growing a thin membrane having a uniform composition even on treating many base substrates having a large area simultaneously, and a vapor phase growth device.例文帳に追加

大面積の基板を多数同時に処理する場合にも均一な組成の薄膜を成長させることのできる気相成長方法および気相成長装置を提供する。 - 特許庁

The vapor phase pulse of at least one metallic source material and the vapor phase pulse of at least one oxygen source material are alternatively fed to a reaction space and are brought into contact with a base material.例文帳に追加

少なくとも一つの金属源材料の気相パルスおよび少なくとも一つの酸素源材料の気相パルスを交互に反応空間へ供給し、基材と接触させる。 - 特許庁

A loop-shaped vapor phase pathway K1 is formed while including a steam section 1a of a steam drum 1 or a boiler shell 1A, and the horizontal vapor-phase pipe conduit section 120 of the pipe conduit 12 for measuring.例文帳に追加

蒸気ドラム１又はボイラ胴１Ａの蒸気部１ａと計測用管路１２の横引き気相管路部１２０とを含めてループ状の気相経路Ｋ１を形成している。 - 特許庁

After the carbon nanofiber 40 is manufactured by vapor phase growth method, it is heat-treated at 1,100°C-1,600 °C, which is higher than the reaction temperature in the vapor phase growth method.例文帳に追加

カーボンナノファイバー４０は、気相成長法によって製造された後、気相成長法における反応温度より高温であって、かつ、１１００℃〜１６００℃で熱処理されている。 - 特許庁

To provide a method for preparing a catalyst in which a selectivity of the corresponding unsaturated acid or unsaturated nitrile is high in a vapor phase catalytic oxidation or a vapor phase catalytic ammoxidation reaction of an alkane.例文帳に追加

アルカンの気相接触酸化または気相接触アンモ酸化反応において、対応する不飽和酸または不飽和ニトリルの選択率が高い触媒の調製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth device and a silicon epitaxial wafer manufacturing method by which vapor-phase growth can be performed at low cost with high productivity while contamination of impurities is sufficiently suppressed.例文帳に追加

不純物汚染を十分に抑制しながら、低コストで、生産性良く気相成長を行うことができる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Even if the liquid phase coolant and the refrigerating machine oil are circulated by convection in the vapor-liquid separator 50, the liquid phase coolant and the refrigerating machine oil stay in the vapor-liquid separator 50 in the separated condition.例文帳に追加

これにより、気液分離器５０内で液相冷媒と冷凍機油が対流しても、液相冷媒と冷凍機油とは分離した状態で気液分離器５０内に溜まる。 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide an organic pigment powder which can be formed into ultrafine particles by the vapor phase method and has an excellent color tone even after forming ultrafine particles by the vapor phase method.例文帳に追加

本発明の目的は、気相法によって超微粒子化でき、且つ気相法による超微粒子化後にも優れた色調を有している有機顔料粉体を提供することにある。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing method for nitride semiconductor, whereby a uniform crystal layer can be obtained with a high reproducibility by the vapor phase growth technology for gallium nitride compound semiconductors, etc.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体などの気相成長技術において、均一で再現性の高い結晶層を得ることのできる窒化物半導体の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The amorphous hafnium oxide is formed by so-called ALD method wherein, after low temperature adsorption of vapor phase reaction products in sequence, the vapor phase reaction products are deposited by low temperature oxidation.例文帳に追加

非晶質酸化ハフニウムは、気相反応物を順次に下部電極１４上に低温吸着後、低温酸化することにより堆積させる方法、いわゆるＡＬＤ法で形成される。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for vapor phase deposition that improve the uniformity in film thickness and impurity concentration over the whole surface of a vapor phase deposited film formed on a wafer.例文帳に追加

ウェハ上に成膜される気相成長膜の全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The method of evaluating the vapor deposition film measures a phase change by scanning vibratingly a probe of an atomic force microscope on a vapor deposition film surface of an optical member having the vapor deposition film on a base material, and evaluates the vapor deposition film, based on the measured phase change.例文帳に追加

基材上に蒸着膜を有する光学部材の該蒸着膜表面上で、原子間力顕微鏡の探針を振動させながら走査して位相変化を測定し、測定された位相変化に基づいて前記蒸着膜を評価する蒸着膜評価方法。 - 特許庁

To provide a vapor phase growing apparatus which performs like the manufacture of a gallium nitride compound semiconductor, which heats a substrate to a high temperature of 1000 °C or higher, and which can vapor phase grow efficiently a semiconductor film uniformly with proper crystallinity on a plurality of substrates, and to provide a vapor phase growing method.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の製造のように、基板を１０００℃以上の高温に加熱し、しかも複数の基板上に均一で結晶性が良好な半導体膜を効率よく気相成長させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for vapor phase epitaxy using a horizontal circular susceptor capable of preventing a wafer from sticking to its periphery and improving semiconductor productivity in forming a vapor phase epitaxial film, and to provide a method for the vapor phase epitaxy.例文帳に追加

水平円盤型サセプタを使用する気相成長装置において、ウェーハとその周辺部との貼り付き現象を防止し、気相成長膜形成の半導体生産性を向上することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve the durability life of a vapor phase epitaxial growth device by reducing self-heat generation of a vacuum pump during a cleaning operation of the vapor phase epitaxial growth device where the vapor phase epitaxial growth device has a high risk of damage, and to make it possible to use an inexpensive sealing member.例文帳に追加

本発明は、気相成長装置をクリーニングする際に、気相成長装置を損傷するおそれの多いクリーニング操作中の真空ポンプの自己発熱を低減させて、気相成長装置の耐用寿命を改善し、また、安価なシール用部材の使用を可能とすることを目的としている。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial growth device having a straightening plate capable of preparing a film free from film quality degradation on a substrate with high reproducibility even when the flow rate of a material gas changes significantly during vapor phase epitaxial growth, and to provide a vapor phase epitaxial growth method.例文帳に追加

気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な整流板を有する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase deposition apparatus capable of uniformizing the surface temperature of a substrate as compared with the conventional art when performing the film deposition by using the vapor-phase deposition method for the substrate as an object to be treated held by a holding member, and to provide a vapor-phase growth method.例文帳に追加

The housing and the vapor phase raw material distribution head 34 define a plenum 32 coupled to a film precursor evaporation system 50, and configured to receive the vapor phase raw material of the film precursor 52 from the evaporation system 50 and distribute the vapor phase raw material to the process chamber 10 through the plurality of the openings.例文帳に追加

ハウジングと気相原料分散ヘッド３４により、膜前駆体蒸発システム５０と結合され、蒸発システム５０からの膜前駆体５２の気相原料を受けてこの気相原料を複数の開口を通してプロセスチャンバ１０へ分散するよう構成されるプレナム３２が形成される。 - 特許庁

In the vapor phase growth method for epitaxially growing a group III-V compound semiconductor layer on a substrate in a vapor phase growth device by the hydride vapor phase growth method, gas etching is performed in the vapor phase growth device by interrupting the epitaxial growth at least once in the way of epitaxial growth of the group III-V compound semiconductor layer.例文帳に追加

気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 - 特許庁

The present invention provides a manufacturing method comprising: a film formation process which forms vapor phase synthesized diamond film 2 on a main surface of a silicon substrate 1 by a vapor phase deposition method; a routing process which forms a pattern on the vapor phase synthesized diamond film 2 using a laser; and a protrusion process which forms a protrusion on the routed vapor phase synthesized diamond film 2 by a reactive chemical dry etching.例文帳に追加

本発明は、シリコン基板１主面部に気相合成法によって気相合成ダイヤモンド膜２を成膜する成膜工程と、該気相合成ダイヤモンド膜２をレーザーによって外形を切り出す外形工程と、切り出した気相合成ダイヤモンド膜２に反応性化学ドライエッチングによって突起を形成する突起工程を経ることを特徴とするダイヤモンドプローブの製造方法である。 - 特許庁

Inner peripheral surfaces of the front end lens frame 33 and the lens holder 37 are disposed with thin film sections 10 made of a vapor deposition material such as nickel or copper which is vapor-deposited by physical vapor-phase growth method.例文帳に追加