「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

METALLIC LAYER DEPOSITION SYSTEM FOR REDUCING PARTICLE FORMATION AND VAPOR PHASE RAW MATERIAL DISTRIBUTION SYSTEM AND METHOD例文帳に追加

パーティクルの形成を低減する金属層成膜システム、気相原料分配システムおよび方法 - 特許庁

The bonding force of a constituent atom for a vapor-phase growth carbon fiber is stronger than that for glassy carbon.例文帳に追加

ガラス状カーボンよりも気相成長炭素繊維の方が構成原子の結合力が強い。 - 特許庁

Namely, the expand metal 2 combines both functions of a reinforcing member and a vapor-phase flow passage.例文帳に追加

すなわち、エキスパンドメタル２は、補強部材及び気相流路の両方の機能を兼ね備える。 - 特許庁

To overcome the demerit of the conventional method for producing an isocyanate by vapor-phase phosgenation of an amine.例文帳に追加

アミンの気相ホスゲン化による既知のイソシアネート製造方法の短所を克服することである。 - 特許庁

METHOD FOR WAFER CONVEYANCE OF VAPOR-PHASE THIN-FILM GROWTH DEVICE AND WAFER SUPPORT MEMBER USED THEREFOR例文帳に追加

気相薄膜成長装置におけるウエハ搬送方法およびそれに用いるウエハ支持部材 - 特許庁

At this time, vapor-phase growth such as vacuum deposition, sputtering, laser ablation, and ion plating is used.例文帳に追加

このとき、真空蒸着，スパッタリング，レーザーアブレーション，イオンプレーティング等の気相成長法を用いる。 - 特許庁

FIXED BED REACTOR FOR VAPOR-PHASE CATALYTIC OXIDATION AND METHOD FOR PRODUCING ACROLEIN OR ACRYLIC ACID例文帳に追加

気相接触酸化用の固定床反応器およびアクロレインまたはアクリル酸の製造方法 - 特許庁

The diffused region 367 is formed through vapor-phase doping, plasma doping, or plasma infiltration ion implantation.例文帳に追加

拡散領域は、気相ドーピング、プラズマドーピング、あるいはプラズマ浸漬イオンインプランテーションにより形成される。 - 特許庁

VAPOR PHASE EPITAXY EQUIPMENT, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

気相成長装置およびこれを用いた半導体基板の製造方法および半導体基板 - 特許庁

Delivery devices for delivering solid precursor compounds in the vapor phase to reactors are provided.例文帳に追加

固体前駆体化合物を気相で反応装置に送るためのデリバリーデバイスが提供される。 - 特許庁

The fiber diameter of the vapor phase epitaxy carbon fiber is preferably in a range of 0.04-0.4 μm.例文帳に追加

また、気相成長炭素繊維の繊維径は、好適には０．０４〜０．４μｍの範囲内である。 - 特許庁

To measure the quantity of powder polyolefins in a reaction vessel manufactured by a vapor-phase polymerization method.例文帳に追加

気相重合法で製造される反応容器内の粉体ポリオレフィンの量を測定する。 - 特許庁

The carrier for vapor phase catalytic oxidation contains a solid acid with an acid strength (H_0) of -5.6≤H_0≤1.5.例文帳に追加

気相酸化触媒用の担体は、酸強度（Ｈ_0）が−５．６≦Ｈ_0≦１．５である固体酸を含む。 - 特許庁

APPARATUS FOR CONTROLLING FEEDING AMOUNT OF CATALYST AND DISCHARGING AMOUNT OF POLYMER IN VAPOR-PHASE POLYMERIZATION APPARATUS例文帳に追加

気相重合装置における触媒供給量および重合体排出量の制御装置 - 特許庁

The preferable inorganic ultrafine particle is an amorphous synthetic silica by a vapor phase method or an alumina hydrate.例文帳に追加

さらに該無機超微粒子が気相法による非晶質合成シリカまたはアルミナ水和物である。 - 特許庁

SUSCEPTOR, APPARATUS AND METHOD FOR VAPOR PHASE EPITAXY, AND EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

気相成長用サセプタ及び気相成長装置及び気相成長方法並びにエピタキシャルウエーハ - 特許庁

To provide an apparatus by which lithium thin film deposition can be performed safely by a vapor-phase process.例文帳に追加

気相法により安全にリチウム薄膜形成を行うことのできる装置を提供する。 - 特許庁

VAPOR PHASE POLYMERIZATION OF OLEFIN, SOLID CATALYST COMPONENT SUPPLYING DEVICE, AND FLUIDIZED BED REACTOR例文帳に追加

オレフィンの気相重合方法、固体触媒成分供給装置および流動層反応器 - 特許庁

The method for dissolving and mixing gas and liquid is characterized in that a vapor phase is dissolved in a liquid phase by simultaneously passing the vapor phase and the liquid phase through the linear slit provided on (1) a metal sheet, (2) a plastic sheet or (3) a molded product of the metal sheet or the plastic sheet.例文帳に追加

１）金属シート、２）プラスチックシート又は３）金属シート又はプラスチックシートの成型品に設けられた線状スリットに気相及び液相を同時に通過させることによって、液相中に気相を溶解させることを特徴とする気液混合溶解方法に係る。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

To provide a hydrophilization method of hydrophilizing a surface of a vapor phase deposition polymerization polymer membrane-covered body film-formed on an object to be film-formed by a vapor phase deposition polymerization method in a short time.例文帳に追加

被成膜処理物に蒸着重合法により成膜する蒸着重合高分子膜被覆体の表面を短時間で親水化することができる親水化方法を提供すること。 - 特許庁

To inhibit the powdery polymer from deposit its lumps on the inner wall surface of the joint tube for sucking gas from the polymer in the sedimentation tank for the vapor-phase polymerizer and simultaneously reduce the parts count for the vapor-phase polymerizer.例文帳に追加

気相重合装置の沈降設備からガスを抜くための接続管の内壁面に粉状ポリマーの塊ができないようにするとともに気相重合装置の部品点数を減らすこと。 - 特許庁

In the case of a vapor phase epitaxy of the second clad layer, the growth pit is formed in the front surface using the growth temperature as 1,000°C or less, and the vapor phase epitaxy is performed until the thickness is set to 100 nm or more.例文帳に追加

第２クラッド層の気相成長に際しては、成長温度を１０００℃以下としてその表面に成長ピットを形成し、且つ、厚さが１００ｎｍ以上となるまで気相成長させる。 - 特許庁

To provide a uniform transportation reaction tube of raw material gas for semiconductor wafer vapor-phase growth, capable of uniformly supplying a raw material gas to the surface of a semiconductor wafer in a vapor-phase growth process of semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェハの気相成長工程において、原料ガスを半導体ウェハの表面へ均一に供給できる、半導体ウェハ気相成長用の原料ガス均一輸送反応管を提供する。 - 特許庁

To suppress the gelation of a raw material mixed liquid in a method for producing an oxide catalyst used for vapor phase catalytic oxidation or vapor phase catalytic ammoxidation of an alkane or an alkene, and to provide a method of producing an unsaturated acid or an unsaturated nitrile using the obtained oxide catalyst.例文帳に追加

アルカンまたはアルケンの気相接触酸化または気相接触アンモ酸化に用いる酸化物触媒の製造方法において、原料調合液のゲル化を抑制することである。 - 特許庁

In a vapor-phase growth process, by supplying monosilane gas at a level not lower than 550°C to less than 750°C to the principal surface of the silicon substrate W in the reaction vessel, the silicon epitaxial layer is formed in vapor phase growth.例文帳に追加

反応容器内のシリコン基板Ｗの主表面上に、５５０℃以上７５０℃未満でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行う。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes a vapor phase growth process of carrying out vapor phase growth of a semiconductor growing layer of a nitride in the trench 42 of a semiconductor base layer 10 of a nitride having the trench 42 formed at a surface layer portion.例文帳に追加

表層部にトレンチ４２が形成されている窒化物の半導体下地層１０のトレンチ４２内に、窒化物の半導体成長層を気相成長させる気相成長工程を備えている。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth apparatus capable of improving the yield rate of wafers by stopping infiltration of metal contaminants generated below a horizontal disk-like susceptor, and to provide a vapor phase growth method.例文帳に追加

水平円盤型サセプタの下方から発生する金属汚染物の浸入を遮蔽し、ウェーハの歩留まり率を改善することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a susceptor capable of improving uniformity in film thickness of a thin film to be formed on a wafer surface when the thin film is grown by vapor phase growing using a vapor phase growing apparatus.例文帳に追加

気相成長装置を使用してウェーハに薄膜を気相成長させる際、形成する薄膜のウェーハ面内における膜厚の均一性を改善することができるサセプタを提供する。 - 特許庁

In the method for producing glyoxal by vapor-phase oxidation of ethylene glycol, the production method comprises bringing ethylene glycol into contact with a silver catalyst having ≤3 g/cm^3, preferably 0.5-3 g/cm^3 bulk density and carrying out the vapor-phase oxidation.例文帳に追加

エチレングリコールを気相酸化してグリオキザールを製造するに当り、かさ密度が３ｇ／ｃｍ^3 以下、好ましくは０．５〜３ｇ／ｃｍ^3の銀触媒と接触させ気相酸化を行う。 - 特許庁

To provide a vapor or liquid phase reagent dispensing apparatus that may be used for dispensing vapor or liquid phase reagents such as precursors for deposition of materials in the manufacture of semiconductor materials and devices.例文帳に追加

半導体材料の製造および装置において、材料を被着するための前駆体等の気相または液相試薬の送出に使用可能な気相または液相試薬送出装置を提供する。 - 特許庁

The ink reception layer is formed principally of inorganic particulates which are at least one kind among porous silica, vapor-phase method silica, alumina, alumina hydrate, and vapor-phase method alumina.例文帳に追加

インク受容層が主に無機微細粒子からなり、該無機微細粒子が多孔質シリカ、気相法シリカ、アルミナ、アルミナ水和物、気相法アルミナの少なくとも１種からなることを特徴とするＩＣカード。 - 特許庁

To provide a vapor-phase epitaxial growth apparatus and a vapor-phase epitaxial growth method, by which a flow rate of a raw material gas on a surface of a substrate can be regulated partially and also entirely on the surface of the substrate continuously.例文帳に追加

基板表面上における原料ガスの流速を部分的に、かつ、基板表面上の全体的に連続して調節可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

Then, a Ti film 108 is deposited by a physical vapor-phase growth method and then a TiN film 109 by a chemical vapor-phase growth method, and the surface of TiN film 109 is exposed to N2 plasma.例文帳に追加

次に、物理的気層成長法によりＴｉ膜１０８を、続いて化学的気層成長法によりＴｉＮ膜１０９を堆積し、ＴｉＮ膜１０９の表面を、Ｎ２プラズマに暴露する。 - 特許庁

Furthermore, at the circulation passage (17) connecting the anode electrode (5) to the mixing tank (11), a vapor-liquid separating member (29B) is provided in which a fluid discharged from the anode electrode is separated to the vapor phase and the liquid phase.例文帳に追加

また、アノード極（５）から混合タンク（１１）に至る循環流路（１７）に、アノード極（５）から排出される流体を気体相と液体相とに分離する気液分離部材（２９Ｂ）を備える。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system capable of enhancing the durability of a reaction vessel and further enhancing exhaust efficiency and efficiently depositing high-quality deposit, and to provide a vapor phase growth method.例文帳に追加

反応容器の耐久性を高め、更に排気効率を高めて、効率よく、高品質の析出物を析出させ得る気相成長装置及び気相成長方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A step for forming the antireflection structure is carried out by any method among a chemical vapor deposition method, a vapor phase epitaxy method and a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

反射防止構造体を形成する工程は、化学蒸着法、気相エピタキシー法、あるいは分子線エピタキシー法のうちのいずれかの方法により行う。 - 特許庁

The inorganic oxide layer is preferably manufactured by a vacuum deposition method, a spattering method, an ionization vapor deposition method, an ion beam method, or a chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

前記無機酸化物層は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンビーム法、または化学気相蒸着法により作製されるのが好ましい。 - 特許庁

A vapor phase growth apparatus 100 for vapor-growing the thin film on the principal surface of the semiconductor substrate comprises a susceptor 2 in a cold wall type reactor 1.例文帳に追加

半導体基板の主表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置１００は、コールドウォール型の反応炉１の中にサセプタ２を備えている。 - 特許庁

To provide a method for the mass-synthesis of high purity carbon nanotubes perpendicularly arranged on a large area substrate by thermochemical vapor phase vapor deposition method.例文帳に追加

熱化学気相蒸着法によって大面積基板上に垂直整列された高純度カーボンナノチューブの大量合成方法を提供する。 - 特許庁

When all the layers are formed using a sputtering method, a vapor deposition method, or a chemical vapor phase growth method, a solid lithium ion secondary battery can be obtained.例文帳に追加

全ての層をスパッタ法、蒸着法、または化学気相成長法を用いて形成すれば、固体リチウムイオン二次電池も実現することができる。 - 特許庁

More specifically, the capacitive insulating film (6) is formed using metal organic vapor phase epitaxy under second temperature (590°C or above) higher than a first temperature at which the crystal phase of the ferroelectric film undergoes phase transition from fluorite phase to perovskite phase.例文帳に追加

具体的には、強誘電体膜の結晶相がフルオライト相からペロブスカイト相へ相転移する第１の温度よりも高い第２の温度（５９０℃以上）の下で、有機金属気相成長法を用いて容量絶縁膜（６）を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing iodine pentafluoride by reacting fluorine with iodine, a molten iodine phase and iodine pentafluoride phase positioned adjacent to and above the molten iodine phase are formed and the fluorine is supplied to a vapor phase and/or the iodine pentafluoride phase positioned adjacent to and above the iodine pentafluoride phase.例文帳に追加

フッ素とヨウ素とを反応させて五フッ化ヨウ素を製造する方法では、溶融ヨウ素相とそれに隣接して上方に位置する五フッ化ヨウ素相とを形成し、五フッ化ヨウ素相に隣接してその上方に位置する気相および／または五フッ化ヨウ素相にフッ素を供給する。 - 特許庁

The negative electrode activator layer 12B is alloyed with a negative electrode current collector 12A manufactured by a vapor phase method, a liquid phase method.例文帳に追加

また、負極活物質層１２Ｂは気相法，液相法あるいは焼結法より形成され負極集電体１２Ａと合金化している。 - 特許庁

To provide a continuous polymerization apparatus for olefins in which a reactive gas accompanying polymer granules pulled out from an upstream vapor phase polymerization tank can readily be substituted in an arbitrary ratio with other gas and transferred to a downstream vapor phase polymerization tank and continuous vapor phase polymerization of olefin is advantageously practiced thereby, in continuous polymerization for olefins using the apparatus in which a plurality of vapor phase polymerization tanks are serially arranged.例文帳に追加

複数の気相重合槽が直列に配置された装置を用いるオレフィンの連続重合において、上流の気相重合槽から抜出されるポリマー粉粒体に同伴する反応ガスを容易に、かつ任意の割合に別のガスと置換して下流の気相重合槽に移送することができ、これにより、有利にオレフィンの連続気相重合を実施することができるオレフィン連続重合装置を提供する。 - 特許庁