「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a gas-phase exothermic reaction method which well satisfies process stability and economy in performing a gas-phase exothermic reaction by using a fluidized bed reactor having heat removal tubes in its inside by performing the temperature control by efficiently passing a vapor through the heat removal tubes.例文帳に追加

内部に除熱管を有する流動層反応器を用いて気相発熱反応させる際に、蒸気を効率的に除熱管内に流通して反応器の温度制御を行うことで、十分にプロセス安定性及び経済性を満足する気相発熱反応方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A film is formed by a method for depositing a film containing alkyl groups in a vapor phase by a CVD method at a low temperature or a method for depositing a silica film containing alkyl groups in a liquid phase by a spin coating method and then the alkyl groups are released from the formed film by heat treatment to generate micropores of <10 nm size.例文帳に追加

ＣＶＤ法を用いて低温でアルキル基を含む膜を気相で堆積する方法、スピンコート法を用いてアルキル基を含むシリカ膜を液相で堆積する方法などで形成した膜からその後の熱処理によりアルキル基を脱離して１０ｎｍ未満の大きさの微細な気孔を生じさせる。 - 特許庁

To provide a gas/liquid distribution method which enables the even distribution of the resultant gas/liquid two-phase fluid among the distribution pipes without causing a dispersion of their flow rates to thereby uniform the vapor temperatures at the exit of a furnace in mixing gas/liquid two-phase fluids from many inflow pipes and distributing the mixture among a plurality of distribution pipes, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加

多数の流入管からの気液二相流体を混合して複数の分配管路に分配するに当たり、該気液二相流体を分配管路に流量のばらつきを生ずることなく均等に分配して、火炉出口の蒸気温度を均一化し得る気液分配方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

Interfacial active agent, added to peel resist on a substrate by injecting multiphase fluid including continuous phase of water vapor and scattering phase of water, is nonion-based interfacial active agent with primary alkyl area and polyoxyethylene area.例文帳に追加

連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加される界面活性剤であって、 前記界面活性剤が、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤であることを特徴とする、レジスト剥離用界面活性剤。 - 特許庁

The cooling means 12 extracts and mixes industrial refrigerants of a liquid phase state and a vapor phase state in the refrigerating cycle 1, and sprays the same to the industrial refrigerant of the bypass passage 11 by an atomizer 13, so that cooling is performed by latent heat generated when a liquid component of the sprayed industrial refrigerant vaporizes.例文帳に追加

冷却手段１２は、冷凍サイクル１内の液相状態と気相状態の工業用冷媒を抽出して混合し、バイパス路１１の工業用冷媒にアトマイザ１３で噴霧するもので、この噴霧された工業用冷媒の液分が気化する際に生じる潜熱で冷却を行う。 - 特許庁

A cap 14 at one end side and a reserver cap 16 at the other end side opposite to the cap 14 are connected to a housing 12 of an integrated suction line heat exchanger and suction line accumulator unit 10, and a collecting reserver 17 for receiving the low-pressure refrigerant and separating the received low-pressure refrigerant into its liquid phase and a vapor phase is surrounded in the unit 10.例文帳に追加

一体型のサクションライン熱交換器及びサクションラインアキュムレータユニット１０のハウジング１２が、一端側のキャップ１４と、キャップ１４とは反対の端部側のリザーバキャップ１６とを連結し、ユニット１０内に、低圧冷媒を受け、受けた低圧冷媒を液相と蒸気相とに分離する収集リザーバ１７を包囲する。 - 特許庁

The production method and the purification method are characterized by the following: a crude carbon nanotube is produced by a chemical vapor-phase growth method wherein a carbon compound vapor is thermally decomposed by the contact with a substrate composed of a porous carrier carrying a metal catalyst; and the crude carbon nanotube is immersed in an acidic solution at least containing tetrafluoroboric acid to remove the substrate.例文帳に追加

多孔性担体に金属触媒を担持した基体に炭素化合物気体を接触させて熱分解する化学気相成長法で製造した粗カーボンナノチューブを得て、ついで少なくともテトラフルオロホウ酸を含む酸性溶液に浸漬処理して前記基体を除去することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法および精製方法。 - 特許庁

To provide a rust-proofing film which has a flexible and durable barrier layer, is furthermore easy to be laminated, excellent in workability and economic efficiency and free from the generation of a delamination defect where the barrier layer can prevent a vapor phase corrosion inhibitor that functions as rust-proofing from discharging out of package and exterior water vapor and oxygen from permeating when a metal part etc. is packed.例文帳に追加

金属部品などを包装した時に、発錆防止機能を発現させる気化性防錆剤の包装外への放出と外部からの水蒸気及び酸素の浸入を抑制できる柔軟で耐久性のあるバリア層を備え、かつ、積層が容易で加工性・経済性に優れ、デラミネーション不良の発生しない防錆フィルムを提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for the radiation image transformation panel wherein a photostimulable phosphor layer on the support body is formed by a vapor deposition method (vapor phase deposition method), a magnetic material or a layer having the magnetic material is provided between a support holder for fixation-installing the support body, and the photostimulable phosphor layer.例文帳に追加

支持体上の輝尽性蛍光体層が気相堆積法（気相法）により形成される放射線画像変換パネルの製造方法において、該支持体を固定設置する支持体ホルダと該輝尽性蛍光体層との間に磁性材料又は磁性材料を有する層を設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 - 特許庁

In the manufacturing method forming a positive electrode made of lithium manganate on a substrate by a vapor phase method, a manganese oxide is used as a raw material of manganese of lithium manganate or a partial substitution compound of lithium manganate, the manganese oxide is put into a vapor deposition source container 61, and energy for vaporization is applied in oxygen-containing atmosphere.例文帳に追加

気相法によって基材上にマンガン酸リチウムの正極を形成する、製造方法であって、マンガン酸リチウムまたはマンガン酸リチウムの部分置換型化合物の、マンガンの原料に酸化マンガンを用い、酸化マンガンを蒸着源容器６１に入れ、酸素含有雰囲気中で、蒸発用エネルギーを投入することを特徴とする。 - 特許庁

The complex oxide is preferable, which is obtained by mixing the molybdenum- and cobalt-containing complex oxide catalyst, which is used in the vapor-phase catalytic oxidation reaction, with an aqueous extracting solution, which is obtained by dissolving at least one of ammonia and an organic base in water, to extract molybdenum and cobalt in the aqueous phase, drying the aqueous phase and calcining the extracted molybdenum and cobalt in an atmosphere of an oxidizing gas.例文帳に追加

前記複合酸化物は、気相接触酸化反応に使用されたモリブデン及びコバルトを含有する複合酸化物触媒を、アンモニア及び有機塩基の少なくとも一方が水に溶解してなる抽出用水溶液と混合することにより、モリブデン及びコバルトを水相に抽出させた後、該水相を乾燥し、次いで酸化性ガスの雰囲気下に焼成して得られる複合酸化物が好ましい。 - 特許庁

To provide an overcoating agent for conductor that can rapidly increase the insulation property of the coated layer by improving the uniformity of film thickness of silicon nitride film formed through vapor phase chemical reaction on the surface of the conductor prepared from metal powder.例文帳に追加

金属粉を用いて形成した導体表面に設ける化学的気相反応法による窒化ケイ素被膜等の膜厚均一性を向上させ、当該被膜の絶縁性を飛躍的に向上させることを目的とする。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxial growth device having a view port for preventing harmful reaction gas from flowing to the outside, and for preventing atmosphere from flowing in a chamber even when any crack is generated in the transparent board of a view port.例文帳に追加

ビューポートの透明板に割れが生じることがあっても、有害な反応ガスが外部に流出することを防止でき、大気がチャンバ内に流入することも防止できるビューポートを備えた気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor-phase growth apparatus that can simplify the insulation structure between a process chamber and heating means, can improve the heating efficiency of a substrate to be processed, and can prevent progression of aged deterioration due to overheating by the heating means.例文帳に追加

プロセス室と加熱手段との間の遮蔽構造を簡単化すると共に、被処理基板の加熱効率を向上させ、加熱手段の過加熱による経年劣化の促進を防ぐことのできる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

Not less than 65% (measured on number basis) of the carbon fiber by the vapor phase method has 80-500 nm average fiber diameter, 100-200 aspect ratio and fiber diameters within ±20% of average fiber diameter, and preferably, the bulk density is about ≤0.02 g/cm^2.例文帳に追加

平均繊維径８０〜５００ｎｍ、アスペクト比１００〜２００で平均繊維径の±２０％の範囲に全繊維の６５％（本数基準）以上が含まれ、好ましくは嵩密度が約０.０２ｇ／ｃｍ^3以下である気相法炭素繊維。 - 特許庁

To provide a thermally integrated fuel cell humidifier for rapid warm-up which can maintain as much single phase vapor as possible in various gas passages in a fuel cell system and similarly can control a heat loss from the system to a minimal extent.例文帳に追加

システム内の様々なガス流内に可能な限り多くの単相水蒸気を維持し、同様に、燃料電池システムからの熱損失を最小に抑える急速暖化のための熱集積燃料電池加湿器を提供すること。 - 特許庁

(C) A first transparent base body 10 on which the vapor-deposited film 11 reflecting near infrared ray is formed and a second transparent base body 20 on which a phase grating 21 having an optical low-pass function is formed are adhered to constituted a device.例文帳に追加

（Ｃ）近赤外光を反射する蒸着膜１１が形成された第１の透明基体１０と、光学的ローパス機能を有する位相格子２１が形成された第２の透明基体２０とが接着されて構成されている。 - 特許庁

To provide a vapor phase epitaxy method for a III-V compound semiconductor such that embedding growth on a structure having been made uneven is carried out over the entire area in a wafer surface, and stable embedding flattening irrelevant to the uneven shape is achieved.例文帳に追加

ウェーハ面内全域にて凹凸加工された構造を埋め込み成長可能であり、かつ、凹凸形状によらない安定した埋め込み平坦化が可能なIII−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth device of a rotation/revolution type which keeps a flow rate of a purge gas or a raw material gas constant at a time when a direction in which the raw material gas is introduced and a direction in which a susceptor rotation is introduced are set to be the same direction.例文帳に追加

原料ガス導入方向とサセプタ回転導入方向とを同一方向としたときのパージガスや原料ガスの流量を一定に保つことができる自公転型の気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation image conversion panel having a phosphor layer formed by a vapor phase deposition method, which is free from color due to a free element in phosphor and has a high sensitivity, and to provide a method of manufacturing a radiation image conversion panel.例文帳に追加

気相堆積法によって形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルであって、蛍光体の遊離元素に起因する着色の無い、高感度な放射線像変換パネルおよび製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a gallium nitride single crystal (comprises thickly growing gallium nitride by a hydride vapor phase epitaxy(HVPE) growing method on a sapphire substrate having fine asperities of which the projecting part size is ≥30 nm and ≤200 nm, and peeling the same from the sapphire substrate.例文帳に追加

凸部の大きさが３０ナノメーター以上、２００ナノメーター以下の微細な凹凸を有するサファイア基板上に、ＨＶＰＥ成長法で窒化ガリウムを厚く成長させ、サファイア基板から剥離する窒化ガリウム単結晶製造方法。 - 特許庁

In a method for manufacturing a stimulable phosphor plate, the stimulable phosphor layer 3 is formed on a prescribed substrate 2 by a well-known vapor phase deposition method at first and then the layer 3 is irradiated with microwaves.例文帳に追加

本発明に係る輝尽性蛍光体プレートの製造方法では、始めに、周知の気相堆積法により所定の基板２上に輝尽性蛍光体層３を形成し、その後輝尽性蛍光体層３にマイクロ波を照射する。 - 特許庁

For example, although a zinc oxide crystal immediately after growth by the vapor phase transport method shows an orange color or the like, it changes into a colorless and transparent zinc oxide crystal having the stoichiometric composition when the crystal is heat treated in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

例えば、気相輸送法で育成された成長直後の酸化亜鉛結晶はオレンジ色等に着色しているが、これを酸素雰囲気下で熱処理すると化学量論的組成の無色透明の酸化亜鉛結晶となる。 - 特許庁

To provide an oblique vapor deposition film element which does not cause decrease in qualities such as decrease in transmittance for rays and changes in retardation when the element is used as a phase difference element and which can be extremely easily and efficiently manufactured.例文帳に追加

位相差素子として用いた場合に、光線透過率の低下、リターデイション値の変化など、品質の低下を引き起こすことがなく、しかも、極めて簡単にかつ効率良く製造することのできる斜め蒸着膜素子を提供する。 - 特許庁

The method for preparing organic thin films on the substrate 58 includes the steps of providing a plurality of organic precursors (14, 48) in the vapor phase, and reacting the plurality or organic precursors (14, 48) at a sub-atmospheric pressure.例文帳に追加

基体５８上に有機薄膜を形成する方法であって、その方法は、複数の有機前駆物質（１４、４８）を気相で与え、前記複数の有機前駆物質（１４、４８）を大気圧未満で反応させる工程を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical fiber preform free from unsintered parts or air bubbles, in which an inside chemical vapor-phase deposition (CVD) method using a plasma burner as a heat source is utilized, and by which a wide heating width can be obtained while keeping the maximum temperature of a starting pipe low.例文帳に追加

プラズマバーナを熱源とした内付けＣＶＤ法を用いて、出発パイプの最高温度を低く保ちつつ、広い加熱幅を得ることが可能で、未焼結や気泡のない光ファイバ母材の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To enable a uniform distribution of refrigerants in a vapor and liquid (two-phase) state to respective paths and to provide a narrow row pitch and step pitch which is difficult in a conventional U bend type, in a plural-path type heat exchanger for air-conditioning.例文帳に追加

復パス型空調用熱交換器において、気液二相状態の冷媒を均等に各パスに分流させることができると共に、従来のＵベンドタイプでは製造が困難であった狭い列ピッチ，段ピッチのものの提供。 - 特許庁

A vapor-liquid phase actuator 10 that is the fluid pressure drive unit comprises, a bellows 12, a liquefiable and vaporizable working fluid 16 packed in the bellows 12, and a heater 18 generating heat for vaporizing the working fluid 16.例文帳に追加

流体圧駆動装置である気液相アクチュエ−タ１０は、ベロ−ズ１２と、ベロ−ズ１２に充填された液化気化可能な作動流体１６と、作動流体１６を気化させる熱を発生するヒ−タ１８とから構成される。 - 特許庁

This scintillator panel is constituted by laminating a plurality of panels 1, 2, 3, 4 where the scintillators 1b, 2b, 3b, 4b are deposited by vapor phase growth on crystal growth substrates 1a, 2a, 3a, 4a comprising a translucent material.例文帳に追加

本発明は、透光性材料からなる結晶成長用基板１ａ，２ａ，３ａ，４ａに気相成長によりシンチレータ１ｂ，２ｂ，３ｂ，４ｂを堆積したパネル１，２，３，４を、複数積層したことを特徴とするシンチレータパネルを提供する。 - 特許庁

The auto-dope detecting method assumes that an As wafer Wa and a P wafer Wp are arranged in a susceptor 4 to grow an epitaxial film in vapor phase, and measures a distribution in resistivity of the P wafer Wp in the direction of its sectional depth.例文帳に追加

オートドープの検出方法として、サセプタ４にＡｓウェハＷａとＰウェハＷｐとを配置してエピ膜を気相成長させ、ＰウェハＷｐの断面深さ方向の抵抗分布を測定する方法を適用している。 - 特許庁

A uniform low-temperature grown layer is obtained by the vapor phase growth at a low temperature before temperature rise, and then a high-temperature grown layer is formed to form a uniform and highly reproducible crystal layer which reflects the uniformity of the low-temperature grown layer.例文帳に追加

昇温前の低い温度では気相成長によって均一な低温成長層が得られ、続いて高温の成長層を形成した際にはその均一さを反映して均一で再現性の高い結晶層が形成される。 - 特許庁

The saturation temperature of the condensed water c is detected on the inlet side of the drain tank, the pressure of a drain tank vapor-phase part 44a is detected and a difference between the saturation temperature corresponding to the detected pressure value and the saturation temperature of the condensed water c is obtained.例文帳に追加

ドレンタンク入口側で凝縮水ｃの飽和温度を検出すると共に、ドレンタンク気相部４４ａの圧力を検出し、該圧力検出値に対応した飽和温度と凝縮水ｃの飽和温度との差分を求める。 - 特許庁

The catalytic vapor-phase oxidation method includes replacing at least one portion of a catalyst disposed in a gas outlet portion in a reaction gas flow direction with an un-used catalyst and/or additionally charging the un-used catalyst in the gas outlet portion to extend the length of the layer.例文帳に追加

反応ガス流れ方向に対してガス出口部に配置された触媒の少なくとも一部を未使用の触媒に交換および／またはガス出口部に未使用の触媒を追加充填して層長を延長する。 - 特許庁

To prevent a reduction in a production yield due to deposition of a flake of a reaction product to a substrate or to a compound semiconductor layer on the substrate in manufacturing of a compound semiconductor using a metal organic vapor phase epitaxy.例文帳に追加

有機金属気相成長法を用いた化合物半導体の製造において、剥がれた反応生成物が基板または基板上の化合物半導体層上に付着することに起因する歩留まりの低下を抑制する。 - 特許庁

The vapor phase delivery device for the solid precursor compound includes an outlet chamber and an inlet chamber including the solid precursor compound and a precursor composition including a packing material arranged on the solid precursor compound.例文帳に追加

当該装置は、出口室と、固体前駆体化合物および固体前駆体化合物上に配置された充填材料の層を含む前駆体組成物を含む入口室とを含む、固体前駆体化合物用の気相供給装置である。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth apparatus and method without the filling of the gas ejecting hole of a shower plate by a reaction of a gas on the shower plate by flowing a coolant over the whole region of the shower plate.例文帳に追加

冷媒をシャワープレートの全域に流れるようにすることにより、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new method for manufacturing single crystal substrates, by which the manufacturing cost can be reduced and substrates having the same off angle can be easily manufactured in large amount when off substrates capable of being used for vapor phase synthesis of single crystals are manufactured.例文帳に追加

単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する基板を簡単かつ大量に製造することが可能な新規な方法を提供する。 - 特許庁

In a process for forming a p-type AlGaInP III-V compound semiconductor layer comprising zinc by using dimethylzinc, etc., by a metal organic vapor phase epitaxy, a growth velocity is made at least 0.3 nm/s.例文帳に追加

有機金属気相成長法によりジメチル亜鉛などを用いて亜鉛を含有するｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程において、成長速度を０．３ｎｍ／秒以上とする。 - 特許庁

To provide a method by which a high-quality silicon oxide film can be formed by intentionally controlling the quantity of specific species, such as the excitation oxygen molecules, excitation oxygen atoms, etc., in the course of remote plasma CVD film formation using a vapor phase chemical reaction.例文帳に追加

気相化学反応を用いるリモートプラズマＣＶＤ成膜において、励起酸素分子や励起酸素原子といった特定種の量を意図的に制御して、高品質の酸化シリコン膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor layer is grown on a substrate W by supplying the decomposed material to a reaction chamber 57 of an organometallic vapor-phase growth furnace 51, after at least partially decomposing the organic nitrogen material G4.例文帳に追加

有機窒素原料Ｇ４の少なくとも一部分を分解させた後に、分解された原料を有機金属気相成長炉５１の反応室５７に供給してIII−Ｖ化合物半導体層を基板Ｗ上に成長する。 - 特許庁

In this rotary cutting multi-edged tool, the tool excellent in working accuracy and working efficiency and reducing tool cost can be provided by making a cutting edge as a composite edge which is mainly made of monocrystal diamond tips and vapor phase synthetic diamond tips.例文帳に追加

回転切削多刃工具に於いて、切刃を主に単結晶ダイヤモンドチップと気相合成ダイヤモンドチップの複合刃とすることで、加工精度、加工能率とも勝れ、且つ、工具費を低減させた工具を提供することができる。 - 特許庁

To provide a method and a device for searching a deodorant in which a single or composite odor components are mixed in vapor phase optionally and quantitatively, and is capable of easily searching a deodorant effective to these odor components.例文帳に追加

単一もしくは複合臭気成分を気相状態で任意に、かつ定量的に混合し、これらの臭気成分に対し実効のある消臭剤を容易に検索しうる消臭剤の検索方法及び検索装置の提供。 - 特許庁

The compound semiconductor device comprises a crystal substrate 21, and first semiconductor layers 25 and 26 of p-type or n-type nitride based compound containing magnesium formed by vapor phase epitaxial growth such that it is held on the substrate 21.例文帳に追加

化合物半導体装置は、結晶基板２１と、基板２１に支持されるように気相成長により形成され、且つマグネシウムを含有する、ｐ型若しくはｉ型の窒化物系化合物からなる第１半導体層２５、２６を具備する。 - 特許庁

In the manufacture of the molybdenum-bismuth-iron-containing composite oxide catalyst used for vapor phase ammonium oxidation reaction, a stage where slurry containing the raw material of specified componential elements is subjected to heating treatment in the temperature range of 50 to 120°C is included.例文帳に追加

気相アンモ酸化反応に用いるモリブデン−ビスマス−鉄含有複合酸化物触媒を製造するに際し、特定の成分元素の原料を含むスラリーを５０〜１２０℃の温度範囲で加熱処理する工程を含む。 - 特許庁