「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a catalyst process in which catalytic activity is free from deterioration with time by suppressing polymerization of highly polymerizable DMB on an acid point, in manufacturing DMB from PCN by a vapor-phase method using a solid acid catalyst.例文帳に追加

固体酸触媒を用いた気相法によるＰＣＮからのＤＭＢの製造において、重合成の高いＤＭＢの酸点上での重合を抑制することで触媒活性の経時劣化のない触媒プロセスを提供する。 - 特許庁

To solve problems of a conventional method for manufacturing multilayer carbon nanotubes in which multilayer carbon nanotubes obtained by a vapor phase growth method are subjected to a high temperature heating process over the generation temperature of carbon nanotubes, so as to obtain multilayer carbon nanotubes in a high crystallization degree.例文帳に追加

高結晶化度の多層カーボンナノチューブを得るべく、気相成長法で得た多層カーボンナノチューブに、その生成温度を超える高温加熱処理を施す従来の多層カーボンナノチューブの製造方法の課題を解消する。 - 特許庁

The raw material for a chemical vapor phase growth method composed of an alkoxide raw material containing tantalum Ta and alkaline- earth metals in a unimolecule in the atomic ratio of 2:1 and a bismuth layered compound formed by the alkoxide raw material are composed.例文帳に追加

単分子中にタンタルＴａとアルカリ土類金属とを、２：１の原子比率で含有するアルコキシド原料よりなる化学的気相成長法用原料、及びこのアルコキシド原料より形成したビスマス層状化合物を構成する。 - 特許庁

To manufacture a multiple oxide catalyst used in the process of producing acrylic acid by vapor phase catalytic oxidation of acrolein so as to stably produce acrylic acid with high yield for a long period.例文帳に追加

アクロレインの気相接触酸化反応によりアクリル酸を製造する工程などで使用する複合酸化触媒を、アクリル酸を可及的に高収率で、しかも長期間に亘って安定的に製造できるものにすることである。 - 特許庁

Methacrylic acid is manufactured by vapor-phase catalytic oxidizing methacrolein by molecular state oxygen by using the solid catalyst synthesizing methacrylic acid of which at least a part of surface is coated with a water-soluble or an organic-soluble cellulose.例文帳に追加

表面の少なくとも一部が水溶性または有機溶媒溶性セルロースでコーティングされたメタクリル酸合成用固体触媒を用いて、メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を製造する。 - 特許庁

To provide a medium having large positive dielectric anisotropy, broad nematic phase, relatively low double refraction factor, very high resistivi ty, good UV and thermal stability and low vapor pressure as a matrix liquid crystal display.例文帳に追加

マトリックス液晶ディスプレイとしては、大きい正の誘電異方性、広いネマティック相、比較的低い複屈折率、非常に高い比抵抗および良好なUV、および熱的安定性および低い蒸気圧を有する媒体を提供する。 - 特許庁

Upon the above fuming, a carbonaceous reducing agent and limestone are added to the inside of a furnace, and further, the air in an amount sufficient for burning the surplus reducing agent is fed into a vapor phase part within the furnace, so as to prevent the reduction of slag temperature.例文帳に追加

前記フューミングに際し、炉内に炭素質還元剤と石灰石を添加するとともに、炉内の気相部に過剰の炭素質還元剤を燃焼するに十分な量の空気を送入してスラグ温度の低下を防止する。 - 特許庁

(B) The vapor-deposited film 5 reflecting near infrared ray is formed on one surface of the transparent base body 4 and a resin member 7, on which a phase grating 6 having an optical low-pass function is formed, is laminated on another surface side of the transparent base body 4.例文帳に追加

（Ｂ）透明基体４の一面に、近赤外光を反射する蒸着膜５が形成され、前記透明基体４の他面側に、光学的ローパス機能を有する位相格子６が形成された樹脂部材７が積層されている。 - 特許庁

A substrate-holding member 12 for holding a substrate 11, a heat transfer member 9 in contact with a lower side of the substrate-holding member 12, and a substrate heater 15 for heating the substrate 11 are provided in a chamber of a vapor phase epitaxial apparatus.例文帳に追加

気相成長装置のチャンバー内には、被処理基板１１を保持する基板保持部材１２と、基板保持部材１２の下面に接する熱伝達部材９と、被処理基板１１を加熱するための基板ヒータ１５が設けられている。 - 特許庁

Thereafter, when depositing a Pt film on the films 3, 4 as lower electrodes 5 by using a chemical vapor-phase epitaxy method under the condition of generating a foundation selectivity, the Pt film is not deposited on the non-selective film 4, but is formed only in the desired regions.例文帳に追加

その後、下地選択性が生じる条件下で化学的気相成長法を用いてPt膜を下部電極５として堆積すれば、非選択性膜４にはPt膜が堆積せず、所望の領域のみにPt膜が形成される。 - 特許庁

To provide a vapor-phase-epitaxy apparatus and method whereby its availability factor is so improved by a simple configuration without corroding the inner wall of its container as to be able to remove surely the depositions deposited on the inner wall of its container.例文帳に追加

容器の内壁を腐食させずに、簡単な構成で、装置の稼働率を向上して、容器の内壁に堆積する堆積物を確実に除去することができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The vapor phase growth device comprises an intermediate flow path constituting member 7 which has an opening 10 and is formed cylindrically, a substrate holding member 12 arranged in the opening 10, and a susceptor 13 connected to the substrate holding member 12.例文帳に追加

気相成長装置は、開口部１０を有し、筒状に形成された中間流路構成部材７と、開口部１０に配置された基板保持部材１２と、基板保持部材１２に接続されたサセプタ１３とを備える。 - 特許庁

The vapor-phase process device 1 includes a treatment chamber 4, gas-feeding openings 13-15 as two or more gas inlet units, and a gas-feeding unit (a gas-feeding member 38, a pipe 37, a flow rate control device 36, pipes 33-35, a buffer chambers 23-25).例文帳に追加

気相処理装置１は、処理室４と、複数のガス導入部としてのガス供給口１３〜１５と、ガス供給部（ガス供給部材３８、配管３７、流量制御装置３６、配管３３〜３５、バッファ室２３〜２５）とを備える。 - 特許庁

In the radiation image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support, at least one layer of the stimulable phosphor layer is formed with a gas phase method (also referred to vapor phase deposition method) and a contact layer having SiOx (x=1.3 to 1.7) is provided in between the stimulable phosphor layer and the support.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により形成され、該輝尽性蛍光体層と支持体との間にＳｉＯｘ（ｘ＝１．３〜１．７）を有する接着層を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

To provide a method for producing methionine stably for a long period, preventing effectively corrosion of a reaction vessel relative to both of a liquid phase part and a vapor phase part of hydrolysis solution even in the case of hydrolysis at a higher temperature, when producing methionine by hydrolyzing M-hydantoin in the presence of a basic potassium compound.例文帳に追加

Ｍ−ヒダントインを塩基性カリウム化合物の存在下に加水分解してメチオニンを製造するに際し、より高温での加水分解であっても、加水分解液の液相部と気相部の両方に対する反応容器の腐蝕が効果的に防止され、長期間、安定してメチオニンを製造できる方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first intermediate layer 4 is formed on a base substrate 3 in which a growing base layer 2 of AlN is formed on a sapphire base material 1, and an AlN single crystal layer 7 is further formed by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) process, so as to obtain a stacked body 10.例文帳に追加

サファイア基材１の上にＡｌＮの成長下地層２を形成した下地基板３の上に、第１中間層４を形成したうえで、さらにＡｌＮ単結晶層７をＨＶＰＥ法によって形成し、積層体１０を得る。 - 特許庁

The active layer is vapor phase grown on a substrate at a first growth temperature (T3) and all of the nitride semiconductor layers which are laminated upon another after the active layer is grown are grown at another growth temperature (T4) which is higher than the first temperature (T3) by ≤250°C.例文帳に追加

基体上に活性層を第１の成長温度（Ｔ３）で気相成長し、その気相成長後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度（Ｔ４）を第１の成長温度（Ｔ３）から２５０℃高い温度以下とする。 - 特許庁

To provide a method for simply manufacturing a large quantity of single-crystal substrates having the same off-angle with a reduced manufacturing cost, when manufacturing an off-substrate which can be utilized in a process of synthesizing a single crystal of diamond or the like with a vapor-phase synthesis technique.例文帳に追加

ダイヤモンド等の単結晶の気相合成において利用できるオフ基板の製造に際して、製造コストを削減でき、且つ同一のオフ角を有する単結晶基板を簡単かつ大量に製造することが可能な方法を提供する。 - 特許庁

The ceramic-coated quartz glass body is produced by forming a ceramic layer on the surface of the porous quartz glass body or the porous quartz glass layer by a chemical vapor-phase growth reaction, then taking out the porous quartz glass from a furnace and cleaning the ceramic layer with an acid.例文帳に追加

このセラミックス被覆石英ガラス体は、化学気相成長反応により該多孔質石英ガラス体、あるいは多孔質石英ガラス層の表面にセラミックス層を形成させ、次いで炉出しして酸洗浄することによって製造される。 - 特許庁

The method further comprises the steps of depositing an antireflection film 17 made of a silicon nitride film on an overall surface of the substrate 1 by a vapor phase growing method, and coating an upper surface of the gate of the transistor, on both side faces and a polycrystal silicon film 10 on a second active region 5.例文帳に追加

次に、シリコン窒化膜からなる反射防止膜１７を気相成長法によりＰ型シリコン基板１全面に堆積し、メモリトランジスタのゲートの上面および両側面と第２活性領域５上の多結晶シリコン膜１０上を覆う。 - 特許庁

A sample is heated in a first heater 1, to produce a first vapor phase component mixture as a raw material for reaction, the mixture is introduced into a detecting means 3 to be detected, and a composition of the mixture is analyzed.例文帳に追加

第１の加熱装置１内で試料を加熱して反応原料となる第１の気相成分混合物を生成せしめ、該気相成分混合物を検出手段３に導入して検出し、該気相成分混合物の組成を分析する。 - 特許庁

A dispersed solution in which the monodisperse particulates (P) are dispersed into a solution or a dispersed solution of the binder substance (B) or the precursor (BO) of the binder substance (B) is produced, and the dispersion solution is atomized into a vapor phase, thus the spherical photonic crystals (PC) can be obtained.例文帳に追加

バインダー物質（B）又はバインダー物質（B）の前駆体（B0）の溶液又は分散液中に単分散微粒子（P）を分散させた分散液を製造し、該分散液を気相中に噴霧することにより球状フォトニック結晶（PC）を得ることができる。 - 特許庁

This inkjet recording sheet is prepared by providing a coloring material accepting layer further including polyallylamine and copper acetate together with the vapor-phase method silica having a specific surface area measured by BET method of at least 200 m^2/g, a water-soluble resin and a crosslinker.例文帳に追加

支持体上に、ＢＥＴ法による比表面積が２００ｍ^２／ｇ以上の気相法シリカと水溶性樹脂と架橋剤と共にポリアリルアミンおよび酢酸銅を更に含む色材受容層を有するインクジェット記録用シートである。 - 特許庁

The film deposition apparatus is used for depositing a film on the substrate (25) by a vapor-phase film deposition method and characterized by being provided with a holding means (10) for holding the substrate (25) slidably in the surface direction of the substrate (25).例文帳に追加

本発明に係る成膜装置は、気相成膜法により基板（２５）上に膜を成膜する成膜装置であって、基板（２５）を基板（２５）の面方向に摺動可能に保持する保持手段（１０）を備えることを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a MOCVD apparatus and a MOCVD method, which can suppress the sticking of reaction products to a gas inlet portion, and at the same time, can improve the uniformity of vapor phase reaction of raw gas in the surface of a substrate.例文帳に追加

ガス導入部への反応生成物の付着を抑制することができるとともに、基板の表面における原料ガスの気相反応の均一性を向上することができるＭＯＣＶＤ装置およびＭＯＣＶＤ法を提供する。 - 特許庁

The forgery prevention sheet according to this invention is produced by directly form a ferromagnetic thin film (3) on at least one whole or partial face of the paper base material (1), by the vapor phase growth, for example, the vacuum deposition method.例文帳に追加

本発明による偽造防止シートは、紙基材（１）の少なくとも一方の面上の全てまたは一部の面上に蒸着などの気相成長で強磁性薄膜（３）が直接形成され固有の磁気特性を保持せしめたものである。 - 特許庁

In the vapor phase epitaxy equipment 20 which forms the thin film on the processed substrate 21 by using gas as material, a heating means 37 is arranged in a reaction tube 23 which means heats the gas introduced in the direction which meets in a depositing surface of the processed substrate 21.例文帳に追加

ガスを原料として被処理基板２１上に薄膜を形成する気相成長装置２０には、反応管２３内に被処理基板２１の成膜面に沿う方向に導入されるガスを加熱する加熱手段３７が備えられる。 - 特許庁

To provide a surface treatment device for nanoparticles where the surface of each nanoparticle synthesized in a vapor phase is reformed, so as to prevent its flocculation, or the surface of the particle can be coated with the other substance without applying a charge thereto, and to provide a method therefor.例文帳に追加

気相中で合成したナノ粒子の表面を改質して凝集を防止することができ、或いは、粒子表面に電荷を付加することなく他物質を被覆することができるナノ粒子の表面処理装置および方法を提供する。 - 特許庁

To enhance the uniformity of various characteristics, including carrier concentration, of an epi-film deposited on the surface of the same substrate and substrates in the same batch when the epi-film is formed on the substrate by a vapor phase thin film epitaxial growth method.例文帳に追加

気相薄膜成長法により基板上にエピ膜を形成する際、同一基板面上、および同一バッチ内の基板面上間において成膜されるエピ膜中のキャリア濃度を始めとする諸特性の均一性を向上させる。 - 特許庁

The SiC substrate is a substrate for vapor phase deposition and has a thin film having a composition comprising at least one selected from the group consisting of the carbide of Group V element, the carbide of Group VI element and the nitride of Group XIII element on a main face.例文帳に追加

本発明のＳｉＣ基板は、第５族元素の炭化物と、第６族元素の炭化物と、第１３族元素の窒化物とからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む組成の薄膜を主面に有する気相成長用基板である。 - 特許庁

A method for storing a resorcinol-formaldehyde-aliphatic ketone resin aqueous solution is provided, involving adjusting the oxygen concentration in the vapor phase of a storage container at 3(v/v)% or lower in storing the resorcinol-formaldehyde-aliphatic ketone resin in the form of an aqueous solution in the container.例文帳に追加

レゾルシン・ホルムアルデヒド・脂肪族ケトン樹脂を水溶液として容器に保存する際に、容器の気相部中の酸素濃度を３（Ｖ／Ｖ）％以下に調節することを特徴とするレゾルシン・ホルムアルデヒド・脂肪族ケトン樹脂水溶液の保存方法。 - 特許庁

Since the ultrafine air bubbles have an increased surface area, the contact probability of the air and contaminated water is enhanced and highly volatile components contained in the contaminated water migrate to the vapor phase and are removed.例文帳に追加

汚染水は、粒径が極めて小さい空気と接触することによって、小さい空気粒は表面積を飛躍的に増大させるので汚染水と接触する確立が高くなり、汚染水に含まれる揮発性の高い成分が気相に移行し浄化される。 - 特許庁

To provide a carbon fiber having an aspect ratio larger than that of a conventional carbon fiber by a vapor phase method, having excellent dispersibility and capable of imparting electrical conductivity and thermal conductivity with a smaller added amount when added to a resin or the like; and to provide a method for producing the carbon fiber.例文帳に追加

従来の気相法炭素繊維よりもアスペクト比が大きく、分散性に優れ、樹脂などに添加した場合、より少ない添加量で導電性、熱伝導性を付与できる炭素繊維及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a radiation image conversion panel which is good in contactness (adhesiveness) between a support body and a stimulable phosphor formed on the support body by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

支持体上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体と支持体との付着性（接着性）が良好で、輝度に優れた放射線画像変換パネルの製造方法及び該製造方法で得られる放射線画像変換パネルの提供。 - 特許庁

By constituting the part of the reaction-tube wall that faces to the substrate tilted downward from the upstream to the downstream of the material-gas channel, the gas is fed such that the flow of the gas is forced to be diagonally directed downward to proceed the vapor-phase growth.例文帳に追加

また、基板と対向する反応管壁の一部を、原料ガス流路の上流から下流に向かって下方向に傾斜した構成とすることにより、ガスの流れを斜め下方向に変更させて供給し気相成長させる。 - 特許庁

By having the plurality of gallium nitride substrates 27a-27c disposed on the susceptor 25 of the organic metal vapor phase growing furnace 21 on the basis of the orientation, the influence due to the flow of the material gas is utilized and the influence of the distribution of off angles is reduced.例文帳に追加

この向きづけで複数の窒化ガリウム基板２７ａ〜２７ｃを有機金属気相成長炉２１のサセプタ２５上に配置することによって、上記の原料ガスの流れに起因する影響を利用してオフ角分布の影響を縮小できる。 - 特許庁

To provide a chemical vapor phase thin-film growth method for obtaining a thin film having the same quality as, or better quality than a conventional thin film by inhibiting the generation of slip dislocation of a silicon semiconductor substrate while reducing a film formation temperature.例文帳に追加

成膜温度の低温化が可能となり、シリコン半導体基板のスリップ転位の発生を抑止でき、従来の薄膜と同等あるいはそれ以上の品質を有する薄膜を得ることができる化学的気相薄膜成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining a large-sized diamond single crystal comparatively in a short time at a low cost in manufacturing a single crystal by an epitaxial growth method, especially a diamond single crystal by a vapor-phase synthesis method.例文帳に追加

エピタキシャル成長法による単結晶の製造方法、特に、気相合成法を利用したダイヤモンド単結晶の製造方法において、比較的短時間に低コストで大型のダイヤモンド単結晶を得ることが可能な新規な方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ink cartridge which is molded of a polypropylene made by vapor phase polymerization, is free from occurrence of foreign matter in ink even if it is laid under severe conditions over a long period of time, and can be assembled/produced by vibration welding, and its production method.例文帳に追加

気相法により重合されたポリプロピレンから成形され、過酷な環境下に長時間置いてもインク中に異物が発生せず、また、振動溶着による組み立て・製造が可能なインクカートリッジおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

A gaseous phase flow passage 12 promotes a flow of the working fluid of further increasing the volume by evaporation, and can prevent a backflow of vapor to the evaporation flow passage 11, since the flow passage resistance is smaller than the evaporation flow passage 11.例文帳に追加

気相流路１２では蒸発流路１１より流路抵抗が小さいので、蒸発してさらに体積が増加する作動流体の流動を促進させるとともに蒸気の蒸発流路１１への逆流を防止することができる。 - 特許庁

The carbon nanofiber containing the nitrogen atoms can be produced according to a vapor-phase pyrolysis method by heating a catalyst for synthesizing the carbon nanofiber coated with an electroconductive polymer containing the nitrogen atoms in a mixed gas of a hydrocarbon and hydrogen.例文帳に追加

窒素原子を含むカーボンナノファイバーは、窒素原子を含む導電性高分子で被覆されたカーボンナノファイバー合成用触媒を、炭化水素及び水素の混合ガス中で加熱することによる、気相熱分解法により製造することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide catalyst to be used in a vapor-phase catalytic oxidation or ammoxidation reaction of propane or isobutane, in which the oxide catalyst achieving an excellent reaction result can be manufactured reproducibly in large quantities.例文帳に追加

プロパンまたはイソブタンの気相接触酸化反応または気相接触アンモ酸化反応に用いる酸化物触媒の製造方法であって、反応成績が良く、大量に再現性よく製造するための触媒の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring impurities on the surface of a semiconductor wafer capable of more accurately analyzing the impurities in the measurement of the impurities on the surface of the wafer by an atomic absorption spectrometry using a vapor-phase decomposition method.例文帳に追加

気相分解法を用いた原子吸光分析による半導体ウエハ表面の不純物測定において、より正確な不純物分析を行うことができる半導体ウエハ表面の不純物測定方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The method for producing trans-1,3,3,3-tetrafluoropropene comprises, in a vapor phase, bringing cis-1,3,3,3-tetrafluoropropene into contact with a metal-bearing active carbon bearing a metal oxide or a metal compound or a catalyst obtained by fluorination treatment of such a metal-bearing active carbon.例文帳に追加

シス-１，３，３，３-テトラフルオロプロペンを気相において金属酸化物もしくは金属化合物を担持させた金属担持活性炭またはそれらをフッ素化処理して得られる触媒と接触させることからなるトランス-１，３，３，３-テトラフルオロプロペンの製造方法。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor production apparatus made of quartz which is almost prevented from being clouded even when repeatedly used and provides nitride semiconductors stable in the Si carrier concentration, in the production of the nitride semiconductor by a hydride vapor phase epitaxy method.例文帳に追加

ハイドライド気相成長法による窒化物半導体の製造において、繰り返して使用しても白濁しにくくて、得られる窒化物半導体のＳｉキャリア濃度も安定している石英製の窒化物半導体製造装置を提供する。 - 特許庁