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VAPOR- PHASEの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2272件
To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a variance of sheet resistance in an impurity diffused layer can be suppressed when the impurity diffused layer is formed in a semiconductor substrate through the vapor-phase diffusion of impurities in a diffusion furnace.例文帳に追加
拡散炉において不純物を気相拡散させることにより半導体基板に不純物拡散層を形成した半導体装置の製造方法において、不純物拡散層のシート抵抗のばらつきを抑制可能とした製造方法を提供する。 - 特許庁
In the preparation method of methylamines, the methylamines are prepared by subjecting a mixture of methanol, ammonia and methylamine to a vapor-phase catalytic reaction under the condition wherein the reflux ratio in a first distillation column satisfies relation (1): c=-0.13×(a+b)+A例文帳に追加
メタノール、アンモニアおよびメチルアミン混合物を気相接触反応に付してメチルアミンを製造する方法において、第一蒸留塔の還流比を式(1)においてAが8〜12の範囲内で成立する条件とすることを特徴とするメチルアミン類の製造方法。 - 特許庁
To provide a method for producing an α,β-unsaturated carboxylic acid, enabling oxygen concentration in its production to be set at high levels without using any much inert gas and enabling safe operation through eliminating hazards including an explosion in the vapor phase in the reactor and a fire.例文帳に追加
大量の不活性ガスを使用することなく、製造時の酸素濃度を高く設定でき、反応器の気相部における爆発、火災といった危険性を排除し安全に運転できるα,β−不飽和カルボン酸の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The method comprises melt-kneading (A) a polyacetal resin and (B) a steric hindered phenol-based compound to thereby manufacture a stabilized pellet, maintaining the product for 6 hours or more in a vapor phase at a temperature of 80°C or higher and lower than the melting point, thereafter melt-kneading the product with (C) a formaldehyde scavenger.例文帳に追加
(A)ポリアセタール樹脂と(B)立体障害性フェノール系化合物とを溶融混練して安定化ペレットを製造し、これを気相中で80℃以上かつ融点未満の温度で6時間以上保持した後、これと(C)ホルムアルデヒド捕捉剤とを溶融混練する。 - 特許庁
The layer preferably contains a thickner of 0.05 to 0.5 by a weight ratio to the binder, and the fine particles are made of an alumina or an alumina hydrate having a mean particle size of primary particles of 10 to 50 nm or a vapor phase process silica having a mean particle size of primary particles of 3 to 30 nm.例文帳に追加
好ましくは粘度付与剤を親水性バインダーに対する重量比0.05〜0.5で含有し、無機微粒子が一次粒子の平均粒径10〜50nmのアルミナまたはアルミナ水和物か、一次粒子の平均粒径3〜30nmの気相法シリカである。 - 特許庁
To provide a method by which a solid organometallic compound can be packed in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period.例文帳に追加
固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にMOCVD装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。 - 特許庁
The transparent and highly thermally conductive resin composition is an electroconductive composition obtained by compounding the carbon fiber which is a vapor phase-method carbon fiber having ≤0.1 μm outer diameter of the fiber, 10-15,000 aspect ratio and ≤0.02 Ω-cm compression specific resistance, with the resin, and having the transparency.例文帳に追加
本発明の透明高熱伝導性樹脂組成物は、樹脂に炭素繊維を配合してなる導電性組成物であり、繊維外径0.1μm以下、アスペクト比10〜15000及び圧密比抵抗0.02Ωcm以下の気相法炭素繊維を含有し、透明性を有する。 - 特許庁
A first gas-liquid separating tank 17 is installed in a manhole 11; a second gas-liquid separating tank 18 is installed in a manhole 12; and a vacuum sewage pipe line 16 and a pressure-equalizing pipe line 19 (a vapor-phase pipe line) are connected to the tanks 17 and 18.例文帳に追加
マンホール11に第1気液分離槽17が据え付けられ、マンホール12に第2気液分離槽18が据え付けられ、第1気液分離槽17と第2気液分離槽18に真空下水管路16と均圧管路19(気相管路)が接続されている。 - 特許庁
To provide a method for producing methacrylic acid in high yield wile sufficiently suppressing temperature of a hot spot part in the method for producing methacrylic acid by carrying out vapor phase catalytic oxidation of methacrolein with molecular oxygen in the presence of a solid oxidation catalyst in a fixed bed tubular type reactor.例文帳に追加
固定床管型反応器にてメタクロレインを固体酸化触媒の存在下に分子状酸素で気相接触酸化してメタクリル酸を製造する方法において、ホットスポット部の温度を十分抑制し、メタクリル酸を高収率で製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of producing a catalyst capable of producing corresponding unsaturated aldehydes or corresponding unsaturated carboxylic acids at a high yield by the vapor phase catalytic oxidation of propylene, isobutylene, tertiary-butyl alcohol, or methyl tertiary-butyl ether with molecular oxygen.例文帳に追加
プロピレン、イソブチレン、第三級ブチルアルコール又はメチル第三級ブチルエーテルを分子状酸素を用いて気相接触酸化することにより、それぞれに対応する不飽和アルデヒド及び不飽和カルボン酸を高収率で製造可能な触媒の製造方法を提供する。 - 特許庁
When the activated species formed in the plasma generating chamber are carried into the reaction chamber and a second gas is introduced into the reaction chamber, a vapor phase reaction with the activated species or a surface reaction on the substrate proceeds and forms a film on the substrate.例文帳に追加
上記プラズマ形成室で形成された活性種が反応室に輸送されると共に反応室へ第2のガスを導入することにより、上記活性種との気相反応あるいは上記基板上での表面反応がすすみ基板上に膜が形成される。 - 特許庁
At a contact part of the contactor 10 with the electrode 21, polycrystal of conductive diamond is grown while it is doped with impurities such as boron by vapor-phase growth, preferably, a CVD method, for instance, a thermal filament CVD method, to form a coating.例文帳に追加
この接触子10の前記電極21との接触部分に,気相成長法,好ましくはCVD法,例えば熱フィラメントCVD法により,ホウ素等の不純物をドーピングしながら導電性ダイヤモンドの多結晶体を成長させて被膜を形成する。 - 特許庁
A ZnO film 2 of a prescribed thickness is deposited on the surface of the primary seed crystal 21 by a vapor phase growth process (VPE) for the purpose of preventing the influence of the crystal defect regions, by which the arrival of the crystal defect regions at the surface of the ZnO film 2 is prevented.例文帳に追加
この結晶欠陥領域の影響を防止するために気相成長法(VPE)によって、1次種結晶21の表面に所定厚さのZnO膜2を成膜し、結晶欠陥領域がZnO膜2の表面まで到達しないようにする。 - 特許庁
The vapor-phase growth apparatus has a reacting tube having an introducing region for forming a plurality of flow passages to introduce raw-material gases by the respective flow passages without mixing the gases with each other, and having a reactively mixing region for mixing reactively the raw-material gases with each other to subject a processed substrate to a film forming processing.例文帳に追加
複数の流路が形成され各流路により原料ガスを混合せずに導入する導入領域と、原料ガスを混合および反応させて被処理基板に成膜処理を行なう混合反応領域とを有する反応管を備えている。 - 特許庁
To provide a metallic vapor phase combustion method and its fuel composition for a jet, turbine, diesel, fuel oil, and gasoline combustion systems which contain a fuel comprised of an enhanced combustion structure capable of increasing combustion burning velocity and reducing combustion temperature.例文帳に追加
ジェット、タービン、ディーゼル、燃料オイル、およびガソリン燃焼システムに関して、燃焼速度を増加し、燃焼温度を減少できる強化された燃焼構造で構成される燃料を含有する金属蒸気相燃焼法方法、およびその燃料組成物を提供する。 - 特許庁
To manufacture an oxide catalyst used in the vapor phase catalytic oxidation or ammoxydation of propane or isobutane and reduced in the non- uniformization of a component composition due to gelation and the lowering of a catalytic capacity with good reproducibility.例文帳に追加
プロパンまたはイソブタンの気相接触酸化または気相接触アンモ酸化に用いる酸化物触媒の製造方法において、ゲル化による成分組成の不均一化を抑制し、触媒性能の低下の少ない触媒を大量に再現性よく製造すること。 - 特許庁
To provide a method for producing methacrolein with essentially improved catalytic activity in high yield, in a methacrolein producing method comprising the vapor-phase catalytic oxidation of tertiary butanol and/or isobutylene with molecular oxygen in the presence of a catalyst.例文帳に追加
本発明は、触媒の存在下に第三級ブタノール及び/又はイソブチレンを分子状酸素により気相接触酸化するメタクロレインの製造方法において、触媒活性を実質的に向上させた、高収率なメタクロレインの製造方法を提供する。 - 特許庁
In the composite material 10 constituted by laminating a plurality of prepreg sheets 12 each of which is obtained by arranging long fiber bundles in a resin material, carbon fibers 14 by a vapor phase growing method are added to the gap between the prepreg sheets.例文帳に追加
本発明に係る複合材料10は、樹脂材料中に長繊維束が配列されたプリプレグシート12が複数枚積層された複合材料において、プリプレグシート12間に気相成長法による炭素繊維14が添加されてなることを特徴としている。 - 特許庁
To provide a vapor phase growth device uniforming a gas flow supplied to a growth chamber from a gas discharge hole when at least two reaction gases are supplied into the growth chamber by using a shower plate; and a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加
シャワープレートを用いて少なくとも2種類の反応ガスを成長室内に供給する場合に、ガス吐出孔から成長室へ供給されるガスフローを均一化することができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a separation method of a material by a supercritical fluid chromatography using a moving phase including a supercritical fluid and a solvent, capable of reusing gas forming the supercritical fluid, and a vapor-liquid separation device used therefor.例文帳に追加
超臨界流体と溶媒とを含有する移動相を用いる超臨界流体クロマトグラフィーによる物質の分離方法であって、超臨界流体を形成するガスを再利用することが可能な方法、及びこれに用いられる気液分離装置を提供する。 - 特許庁
The electrostatic chuck member is characterized in having a vapor-phase deposition evaporated film of amorphous carbon and hydrogen solids containing superparticles of metal oxides and also containing hydrogen by 15 to 40 at% on an external surface of an electrostatic chuck member composed of an electrode layer and an electric insulating layer.例文帳に追加
電極層と電気絶縁層とからなる静電チャック部材の外表面に、金属酸化物の超微粒子を含み、水素含有量が15〜40at%であるアモルファ状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜を有する静電チャック部材。 - 特許庁
A spacer tape and a leader tape comprise a sheet-like base having a layer containing at least one of polypyrrole and polythiophene, which has been deposited by a vapor phase polymerization method on at least one surface of a plastic sheet having a glass transition temperature of 180°C or more.例文帳に追加
ガラス転移温度が180℃以上のプラスチックシートの少なくとも片面に、気相重合法により製膜されたポリピロール及びポリチオフェンの少なくともいずれかを含む層を有するシート状基材からなることを特徴とするスペーサーテープ及びリーダーテープである。 - 特許庁
To provide a method for producing an olefin polymer consisting essentially of ethylene, having a regulated melt index in a fluidized bed vapor-phase polymerization process using a metallocene-based catalyst by a simple method without greatly changing polymerization reaction conditions.例文帳に追加
メタロセン系触媒を用いた流動床気相重合プロセスにおいて、重合反応条件を大幅に変更することなく、簡便な方法でメルトインデックスの調節されたエチレンを主成分とするオレフィン重合体を得ることが出来る重合方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method for efficiently manufacturing carboxylic acid or carboxylic acid anhydride by performing vapor phase-partial oxidization on an organic compound with gas containing oxygen in the presence of a catalyst having a particularly excellent performance in a partial oxidization reaction and the catalyst.例文帳に追加
部分酸化反応において特に優れた性能を有する触媒、及び当該触媒の存在下、有機化合物を酸素含有ガスによって気相部分酸化してカルボン酸又はカルボン酸無水物を効率よく製造する製造方法を提供する。 - 特許庁
This catalyst is an indium-tin-iron catalyst for manufacturing the carbon nanocoil 1 of at most 1,000 nm diameter by chemical vapor-phase growth.例文帳に追加
本発明に係るカーボンナノコイル製造用触媒は、直径が1000nm以下のカーボンナノコイル1を化学的気相成長法により製造するインジウム・スズ・鉄系触媒であり、このインジウム・スズ・鉄系触媒が触媒微粒子24から構成されることを特徴としている。 - 特許庁
The use of such substance combinations as vapor phase corrosion inhibitors in packaging or in storage in closed spaces for protection of conventional metals for use such as iron, chromium, nickel, tin, zinc, aluminum, copper and their alloys against atmospheric corrosion is provided.例文帳に追加
また、パッケージ中、または貯蔵中、上記した大気腐蝕に対して鉄、クロム、ニッケル、スズ、亜鉛、アルミニウム、銅、及びそれらの合金のような使用通常の金属の保護のために密閉空間中で、気相腐蝕抑制剤としての、上記物質混合物の用途。 - 特許庁
The 3-5C hydrocarbons are efficiently removed as a vapor phase fraction by introducing a low-boiling point gas such as nitrogen to the propylene oxide having the regulated water concentration and containing the 3-5C hydrocarbon as the impurities.例文帳に追加
水分濃度を調整した不純物として炭素数3〜5の炭化水素を含むプロピレンオキサイドに窒素のような軽沸ガスを導入することによって、プロピレンオキサイド中の炭素数3〜5の炭化水素を気相留分として効率良く除去することができる。 - 特許庁
A gate insulating film 13 is formed on a silicon substrate 11 on which a silicon film 14 of small-particle-size polycrystal silicon, a germanium/ silicon film 15 and an amorphous silicon film 16 (or a large-particle-size polycrystalline silicon film) are deposited by a chemical vapor-phase growth method (b).例文帳に追加
シリコン基板11上に、ゲート絶縁膜13を形成し、その上に小粒径多結晶シリコンであるシリコン膜14、ゲルマニウム・シリコン膜15、非晶質シリコン膜16(または大粒径多結晶シリコン膜)を化学的気相成長法により堆積する(b)。 - 特許庁
A metal is floated and evaporated in a non-crucible state by a floating evaporation method to prevent the intrusion of impurities forma crucible, and the same is rapidly condensed from a vapor phase to obtain the fine powder of a metal or an alloy high in purity, fine in the grain size and high in surface activity.例文帳に追加
金属を浮遊蒸発法により無るつぼ状態で浮遊蒸発させてるつぼからの不純物の混入を防ぎ、気相から急冷凝縮させることにより、純度が高く、粒径が微細で表面活性の高い金属又は合金の微粉末を得る。 - 特許庁
A phosphor layer 1 constructed of phosphor accumulated by an air phase deposition method is arranged on a support 3, and a protective layer is arranged on the phosphor layer 1 by vapor deposition of an inorganic material having a gas barrier ability without any light absorption in a wavelength ranging from 300 nm to 1000 nm.例文帳に追加
支持体3上に気相堆積法により蛍光体を堆積されてなる蛍光体層1を設け、この蛍光体層1上に、波長300nmから1000nm において光吸収がなくかつガスバリア性を有する無機物質を蒸着して保護層を設ける。 - 特許庁
The manufacturing method for the radiation image conversion panel is characterized by that the stimulable phosphor layer is formed by the vapor phase deposition method in which the support body temperature during evaporation is controlled in 50 to 150 °C.例文帳に追加
輝尽性蛍光体層が気相堆積法(気相法)により形成される放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸着時の支持体温度を50〜150℃に制御して蒸着することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 - 特許庁
In other words, an amount of vapor phase refrigerant not floating up to the liquid tank 3 from the branch part 23, and washed away to piping 8 of a subcooling condenser (a double tube 10) in a downstream side as it can be reduced, and there is an advantage of being able to stably supercool the refrigerant in the subcooling condenser 10.例文帳に追加
つまり、分岐部23からリキッドタンク3に浮上せずにそのまま下流のサブクールコンデンサ(二重管10)の配管8に押し流される気相冷媒量を少なくでき、サブクールコンデンサ10において安定的に冷媒を過冷却できる利点がある。 - 特許庁
The ink jet recording sheet at least has a layers, which includes a silica synthesized by a vapor phase method and having the average primary particle diameter of 30 nm or less, a cationic colloid particle-containing layer in the order named from the side nearer to a support on the support.例文帳に追加
支持体上に、該支持体に近い側から、一次粒子の平均粒子径が30nm以下の気相法による合成シリカを含有する層とカチオン性コロイド粒子を含有する層とを少なくとも有することを特徴とするインクジェット記録用シートである。 - 特許庁
The generated GaCl_3 gas is supplied to the second reaction unit 30 through a group III halide supply pipe 50 connected to the first reaction unit 20 and reacts with the NH_3 gas to vapor-phase grow the GaN film on the substrate 35 provided in the second reaction unit 30.例文帳に追加
生成したGaCl_3ガスは、第1の反応部20に接続されたIII族ハロゲン化物供給管50を通じて、第2の反応部30に供給され、NH_3ガスと反応することにより、第2の反応部30に設けられた基板35の上にGaN膜が気相成長する。 - 特許庁
The powder can be produced by charging the chloride 21 of nickel and the chloride 22 of silver into a reaction vessel 11, feeding a carrier gas 13 and a reducing gas 12 therein while being held in a high temperature atmosphere and causing chemical vapor phase reaction in an alloy powder production region 15.例文帳に追加
この粉末はニッケルの塩化物21及び銀の塩化物22を反応容器11内に装入し、高温雰囲気に保持しつつキャリアガス13及び還元ガス12を送入して合金粉生成域15で化学気相反応させ、生成することができる。 - 特許庁
To improve the performance of a stimulable phosphor layer by easily filling a filler into interstices between column crystals of stimulable phosphors in a radiation image conversion panel which has the stimulable phosphor layer shaped like a column crystal made by a vapor phase deposition method.例文帳に追加
気相堆積法で形成された柱状結晶状の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体の柱状結晶の間隙に容易に充填材を充填して輝尽性蛍光体層の性能を向上させる。 - 特許庁
A semiconductor device is manufactured, in such a way that after a trench groove is formed into silicon 3 and the internal surface of the groove is covered with a gate oxide film 1, the groove is filled up with a vapor- phase deposited polysilicon 2, and the polysilicon 2 is back-etched until the gate oxide film 1 formed on the flat section of the silicon 3 is exposed (a).例文帳に追加
シリコン3にトレンチ溝を形成し、このトレンチ溝にゲート酸化膜1を被覆し、その後、ポリシリコン2を気相堆積させて、トレンチ溝を埋め、シリコン3の平坦部に形成されたゲート酸化膜1が露出するまで、ポリシリコン2をバックエッチする(a)。 - 特許庁
A method and a fuel system reduce the formation of a deposit of the intake manifold including, for example, the intake valve, and a deposit of an exhaust valve, in the combustion engine, by supplying an organic molybdenum source in a combustion chamber from engine lubricating oil of a vapor phase.例文帳に追加
気相のエンジン潤滑油から燃焼室内に有機モリブデン源を供給することにより燃焼機関内で、例えば吸気弁を含む吸気マニフォールドの堆積物及び排気弁の堆積物の形成を低減するための方法及び燃焼系。 - 特許庁
By heating a solid sample or a liquid sample, an object to be measured contained in a solid sample or a liquid sample is gasified, and a neutral vapor molecule is obtained, and by adhering metal ions emitted from the emitter having an oxidized surface to the neutral gas phase molecule, the neutral gas phase molecule is ionized, and mass spectroscopy is carried out.例文帳に追加
本発明の一実施形態は、固体試料あるいは液体試料を加熱して、固体試料又は液体試料に含まれている測定対象物をガス化して中性気相分子とし、酸化表面を持つエミッタから放出された金属イオンを、前記中性気相分子に付着させることにより、前記中性気相分子をイオン化して、質量分析する。 - 特許庁
The method for producing the vapor grown carbon fiber by which the carbon fiber is produced in the vapor phase by introducing a raw material at least containing a carbon source and a catalyst and/or a catalyst precursor compound to a heating zone 1 is characterized by the raw material further containing an oxygen-containing carbon source compound selected from the group consisting of ketones and ethers.例文帳に追加
炭素源と触媒および/または触媒前駆体化合物とを少なくとも含む原料を加熱帯域1に導入することによって、気相で炭素繊維を製造する、気相法炭素繊維の製造方法であって、原料がさらに、ケトン類およびエーテル類からなる群より選択される酸素含有炭素源化合物を含むことを特徴とする、気相法炭素繊維の製造方法とする。 - 特許庁
In this radiographic image conversion panel with a stimulable phosphor layer having CsBr:Eu stimulable phosphor formed on a support by a vapor deposition method (vapor phase method), layers of low luminous intensity and layers of high luminous intensity are not layered alternately when a cross section of the stimulable phosphor layer is excited from a support body side toward a phosphor layer surface side by an excitation light source.例文帳に追加
支持体上にCsBr:Eu輝尽性蛍光体を有する輝尽性蛍光体層が気相堆積法(気相法)のにより形成される放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の断面を励起光源にて支持体側から蛍光体層表面側に向かって励起した際に、発光強度の低い層と発光強度の高い層を交互に積層しないことを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
A vapor deposited thin film 3 of an inorganic oxide is formed on one of the faces of a base material film 2 by a physical gas-phase growth process, and also a coating-cured film 4 consisting of a resin composition containing a vehicle composed mainly of an ethylene-vinyl alcohol copolymer and at least a crosslinking agent, is formed on the vapor deposited thin film 3 of the inorganic oxide.例文帳に追加
基材フィルムの一方の面に、物理気相成長法による無機酸化物の蒸着薄膜を設け、また、該無機酸化物の蒸着薄膜の上に、エチレン−ビニルアルコ−ル共重合体をビヒクルの主成分とし、これと、少なくとも、架橋剤を含む樹脂組成物によるコ−ティング硬化膜を設けたことを特徴とするバリア性フィルムおよびそれを使用した積層材に関するものである。 - 特許庁
To provide a method for refining a metallic ultrafine powder, which can provide the water slurry of the metallic ultrafine powder superior in dispersibility, by efficiently removing an unreacted halide in the metallic ultrafine powder obtained through vapor-phase-reducing the vapor of a metal halide into ultimate low concentration in a short portion of time, and thereby preventing metallic ultrafine powders from agglomerating when the metallic ultrafine powder is dispersed in water.例文帳に追加
金属ハロゲン化物の蒸気を気相還元して得た金属超微粉中の未反応ハロゲン化物を極限濃度まで短時間に効率よく除去すると共に、前記金属超微粉を水中に分散した場合においても金属超微粉粒子の凝集発生を防止して分散性に優れた金属超微粉水スラリーを得ることが可能な金属超微粉の精製方法を提供する。 - 特許庁
In this radiographic image conversion panel with a stimulable phosphor layer having CsBr:Eu stimulable phosphor formed on a support by a vapor deposition method (vapor phase method), layers of low luminous intensity and layers of high luminous intensity are layered alternately when a cross section of the stimulable phosphor layer is excited from a support side toward a phosphor layer surface side by an excitation light source.例文帳に追加
支持体上にCsBr:Eu輝尽性蛍光体を有する輝尽性蛍光体層が気相堆積法(気相法)により形成される放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の断面を励起光源にて支持体側から蛍光体層表面側に向かって励起した際に、発光強度の低い層と発光強度の高い層が交互に積層されていることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
Etching rate in gas-phase etching by the vapor of hydrofluoric acid water solution is very high in temperature dependence and, therefore the oxide of the polymer on the wafer W can be removed neatly and selectively, without damaging the copper wiring film and the insulating film by optimally controlling the temperature of the wafer W.例文帳に追加
ふっ酸水溶液の蒸気による気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハWの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハW上のポリマーの酸化物を良好に選択除去できる。 - 特許庁
This method for manufacturing the low dielectric constant insulating film composed of the porous silica film includes: the step of coating porous silica film forming raw material on a substrate; and the gas phase processing step of exposing the substrate coated with the porous silica film forming raw material into an organic amine vapor atmosphere to which water is not added.例文帳に追加
基板上に多孔質シリカ膜形成用原料を塗布する工程と、多孔質シリカ膜形成用原料が塗布された基板を水を添加しない有機アミン蒸気雰囲気中に暴露する気相処理工程と、を含む多孔質シリカ膜からなる低誘電率絶縁膜の作製方法。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a light-emitting element capable of drastically improving the reaction efficiency of a material gas in forming a semiconductor layer serving as a light-emitting layer section by vapor phase epitaxy, resulting in easy realization of a semiconductor layer having few crystal defects and excellent quality.例文帳に追加
気相成長法により発光層部をなす半導体層を形成する際に、原料ガスの反応効率を飛躍的に高めることができ、ひいては、結晶欠陥の少ない高品質の半導体層を容易に実現できる発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A method for producing the diamond single crystal includes a step for providing a diamond single crystal substrate 101 as a plate-like seed crystal having a thickness of ≤100 μm and a step for forming the diamond single crystal 102 on the diamond single crystal substrate 101 by a vapor phase synthetic method.例文帳に追加
ダイヤモンド単結晶の製造方法は、厚みが100μm以下の板状種結晶としてのダイヤモンド単結晶基板101を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板101上にダイヤモンド単結晶102を気相合成法により形成する工程とを備える。 - 特許庁
In the method of forming the crystalline zinc oxide thin film on a substrate at a temperature below 400°C, a crystalline buffer layer whose front surface is primarily a (111)-plane is formed on the substrate, and thereafter the zinc oxide thin film is deposited by a vapor phase method on the buffer layer.例文帳に追加
基板上に400℃未満の温度で結晶性酸化亜鉛薄膜を形成させる方法であって、該基板上に表面が主に(111)格子面となる結晶性緩衝層を設けた後、該緩衝層の上に酸化亜鉛薄膜を気相法により堆積させることを特徴とする方法。 - 特許庁
A method of manufacturing a diamond single crystal comprises a process of preparing a diamond single crystal substrate 101 as a platy seed crystal having a thickness of not greater than 100 μm, and a process of forming a diamond single crystal 102 on the diamond single crystal substrate 101 by a vapor phase synthesis method.例文帳に追加
ダイヤモンド単結晶の製造方法は、厚みが100μm以下の板状種結晶としてのダイヤモンド単結晶基板101を準備する工程と、ダイヤモンド単結晶基板101上にダイヤモンド単結晶102を気相合成法により形成する工程とを備える。 - 特許庁
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