「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for manufacturing the titanium dioxide by reacting a gas containing titanium tetrachloride with an oxidative gas with a vapor phase process, the gas containing the titanium tetrachloride and the oxidative gas are each introduced into a reaction tube in such a manner that the reaction is carried out at a temperature inside the reaction tube of 1,050°C or higher and lower than 1,300°C.例文帳に追加

気相法で四塩化チタンを含むガスと酸化性ガスとを反応させることにより二酸化チタンを製造する方法において、四塩化チタンを含むガス及び酸化性ガスをそれぞれ反応管に導入し反応させたとき、該反応管内の温度が１，０５０℃以上１，３００℃未満である。 - 特許庁

Thickness of the coating layer formed by the μm-level deposition in the form of the vapor phase or the ion such as sputter or evaporation is several μm, so that adhesion and denseness shut off impurities floating from the inside of the alumina base material, and the deformation of the alumina container by thermal expansion difference thereof can be avoided.例文帳に追加

スパッター又は蒸着などの気相、イオンの形態でμｍレベルの堆積により形成されるコーティング層は数μｍの厚さであって、密着性と緻密性によりアルミナ基材内から浮上する不純物を遮断すると共にその熱膨張差などによるアルミナ容器の変形を回避できる。 - 特許庁

This method for producing a Diels-Alder reactional product is characterized by carrying out the reaction by continuously feeding a cyclopentadiene derivative, an α-olefin, norbornene, etc., to a reactional zone and heating the cyclopentadiene derivative, etc., while taking out the reactional fluid from the reactoinal zone upward under conditions of a substantially absent vapor phase.例文帳に追加

実質的に気相の存在しない条件下に、反応流体を反応域から上方に向けて抜き出しつつ、シクロペンタジエン誘導体、α−オレフィン、ノルボルネンなどを連続的に反応域に供給して加熱することにより反応を行うことを特徴とするディールス−アルダー反応生成物の製造方法。 - 特許庁

A carbon monoxide-containing gas is brought into contact with a metal substrate 1 containing iron and ≥1 mass % of silicon as components at a high temperature, carbon produced from carbon monoxide is treated with iron fine particles 14a as a catalyst to form vapor-phase growth carbon fibers on the metal substrate 10.例文帳に追加

鉄及び１質量％以上の珪素を成分として含有する金属基板１０と、一酸化炭素を含有するガスとを高温下で接触させ、一酸化炭素より生じた炭素に触媒としての鉄の微粒子１４ａを作用させ、金属基板１０の上に気相成長炭素繊維を生成させる。 - 特許庁

The nickel alloy powder production method is characterized in that a gaseous mixture of gaseous nickel chloride and at least one kind of gaseous metal chloride selected from among tungsten, molybdenum, niobium and tantalum is subjected to vapor phase hydrogen reduction at 980 to 1,150°C to obtain nickel alloy powder having an average grain size of 10 to 100 nm.例文帳に追加

塩化ニッケルガスと、タングステン、モリブデン、ニオブ、タンタルから選ばれる少なくとも一種類の金属塩化物ガスとの混合ガスを、９８０℃以上１１５０℃以下で気相水素還元することにより、平均粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満のニッケル合金粉末を得ることを特徴とするニッケル合金粉末の製造方法。 - 特許庁

It also includes a process of performing either one of a treatment by a chemical containing fluorine ions, a plasma treatment using a gas containing fluorine and a washing process, and a treatment by a vapor phase HF diluted by an inactive gas and a washing process, on the semiconductor substrate 100 after the dry etching process.例文帳に追加

これと共に、ドライエッチングを行なう工程よりも後に、半導体基板１００に対し、フッ素イオンを含む薬液による処理と、フッ素を含むガスを用いたプラズマ処理及び洗浄処理と、不活性ガスによって希釈された気相ＨＦによる処理及び洗浄処理とのうち、いずれか一つを行なう工程を含む。 - 特許庁

The use of a metal electrode catalyst which comprises an element mixture comprising platinum and at least one element selected from ruthenium and molybdenum as an effective component and has been prepared by the vapor phase synthesis under vacuum, as an anode, markedly improves the rate of the electrode oxidation reaction of an alcohol, such as methanol, ethanol, and isopropyl alcohol.例文帳に追加

白金と、ルテニウム、モリブデンから選ばれる少なくとも一つ以上の元素からなる元素混合体を有効成分としてなり、真空下で気相合成法により作製した金属電極触媒をアノードに使用することにより、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールなどアルコールの電極酸化反応の速度を大きく向上させる。 - 特許庁

The epitaxial layer 17 is filled within the trench 16 by supplying a silane gas as a raw gas within the trench 16 of the semiconductor wafer 10 having the trench structure, and by stepwise lowering a temperature of from 400 to 1,150°C by the vapor-phase growth to grow the epitaxial layer 17.例文帳に追加

トレンチ構造を有する半導体ウェーハ１０のトレンチ１６内部に、原料ガスとしてシランガスを供給しながら、気相成長法により４００〜１１５０℃の温度範囲で段階的に温度を下げて、エピタキシャル層１７を成長させることにより、トレンチ１６内部にエピタキシャル層１７を充填する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing with good productivity, a catalyst including at least phosphorus and molybdenum and used in production of methacrylic acid by catalytic oxidation of methacrolein in a vapor phase with molecular oxygen, and to provide a method for producing methacrylic acid using the catalyst manufactured by the above method.例文帳に追加

メタクロレインを分子状酸素により気相接触酸化してメタクリル酸を製造する際に用いられる少なくともリン、モリブデンを含む触媒を生産性良く製造することの出来る製造方法及びその製造方法を用いて製造したメタクリル酸製造用触媒を用いたメタクリル酸の製造方法の提供。 - 特許庁

The method for producing an olefin polymer uses a vapor-phase polymerization reactor and includes polymerizing an olefin in the presence of an olefin polymerization catalyst and carbon monoxide in the reactor, wherein the concentration of carbon monoxide present in the reactor is 0.5-6 mol ppm.例文帳に追加

気相重合反応器を用いて、該反応器内で、オレフィン重合用触媒および一酸化炭素の存在下に、オレフィンを重合させて、オレフィン重合体を製造する方法であって、該反応器内に存在する一酸化炭素の濃度が０．５〜６ｍｏｌｐｐｍである条件で、オレフィンを重合させて、オレフィン重合体を製造する方法。 - 特許庁

The carbon material for the negative electrode of the nonaqueous secondary battery is manufactured by treating at least one carbon raw material selected from natural graphite, artificial graphite, mesophase carbon microbeads, mesophase pitch base graphite fibers, vapor phase growth carbon fibers, and graphite whiskers with microwave induced plasma 15 produced by exciting gas containing carbon dioxide.例文帳に追加

天然黒鉛、人造黒鉛、メソフェーズカーボンマイクロビーズ、メソフェーズピッチ系黒鉛繊維、気相成長炭素繊維、黒鉛ウィスカーから選択された少なくとも１種からなる炭素質原料を二酸化炭素を含むガスを励起したマイクロ波プラズマによって処理された非水系二次電池の負極用炭素材料。 - 特許庁

In the method for producing the tertiary carboxylic acid by reacting at least one kind of compound selected from a group of the olefin and the alcohol with carbon monoxide, the reaction is carried out in a vapor phase by using a continuous flow reactor in the presence of a solid acid catalyst.例文帳に追加

オレフィン及びアルコールからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物に一酸化炭素を反応させる第三級カルボン酸の製造法であって、反応を固体酸触媒の存在下、連続流通式反応装置を用いて、気相で行うことを特徴とする第三級カルボン酸の製造法。 - 特許庁

Evaporative cooling, which requires a larger amount of vapor in a reactor than is present in direct contact cooling techniques, can thus be advantageously employed in organic chemical oxidation reactions using pure or nearly pure oxygen in which portions of the oxidation products or byproducts are in the solid phase.例文帳に追加

蒸発冷却は、直接接触冷却技術において存在するより多量の蒸気を反応装置内に必要とし、これより酸化生成物或は副生物の一部が固相である純或は純に近い酸素を用いた有機化学物質酸化反応において有利に採用することができる。 - 特許庁

In the process of manufacturing multilayer carbon nanotubes by a catalytic vapor phase growth method in which a carbon source gas is made to flow in a heated atmosphere held at a predetermined temperature in the presence of a catalyst and multilayer carbon nanotubes are grown from the surface of the catalyst, an iron-containing garnet powder is used for the catalyst.例文帳に追加

触媒が存在し且つ所定温度に保持された加熱雰囲気内に炭素源気体を流通し、前記触媒の表面から多層カーボンナノチューブを成長させる触媒気相成長法によって多層カーボンナノチューブを製造する際に、前記触媒として、鉄含有のガーネット粉末を用いることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for producing the polymer or the copolymer of the olefin by the continuous slurry polymerization method or continuous vapor phase polymerization method using the metallocene catalyst system, a solid catalyst component is previously brought into contact with a specific organomagnesium compound and then, the solid catalyst component is introduced into the polymerization reactor.例文帳に追加

メタロセン触媒系を用いた連続式スラリー重合法または連続式気相重合法によるオレフィンの重合体又は共重合体の製造法において、固体触媒成分を予め特定の有機マグネシウム化合物と接触させた後、該固体触媒成分を重合反応器へ導入する。 - 特許庁

To provide a catalyst which is suitable for manufacturing unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid corresponding to isobutylene, t-butanol or propylene by subjecting isobutylene, t-butanol or propylene to catalytic vapor phase oxidation and has excellent mechanical strengths and by which the objective product is obtained at high yield and the deterioration of whose aged catalytic performance is made small.例文帳に追加

イソブチレン、ｔ−ブタノールまたはプロピレンを接触気相酸化して、それぞれ対応する不飽和アルデヒドおよび不飽和カルボン酸を製造するに好適な、機械的強度に優れ、しかも目的生成物収率が高く、経時的な触媒性能の低下が少ない、などの特徴を有する触媒を提供する。 - 特許庁

To provide a filling method for a catalyst capable of making a filling bulk density of the catalyst in the respective reaction pipe uniform even when the new catalyst is re-filled after the catalyst used is removed out from the fixed bed multi-pipe type reactor used for a vapor phase catalytic reaction and capable of smoothly performing a catalyst filling work.例文帳に追加

気相接触反応に用いられる固定床多管式反応器から使用済み触媒を抜き出した後、新たな触媒を再充填する際にも、各反応管における触媒の充填嵩密度を均一とし、かつ、円滑に触媒充填作業を行なうことができる、触媒の充填方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a novel catalyst for preparing a corresponding aromatic aldehyde in a high yield by conducting a vapor-phase oxidation of methylbenzenes in the presence of molecular oxygen, and provide a method for preparation of an aromatic aldehyde by using the catalyst, and further a method for preparation of cyclohexane dimethanol by hydrogenation of phthalaldehydes obtained by the above method.例文帳に追加

メチルベンゼン類を分子状酸素の存在下に気相酸化して、対応する芳香族アルデヒドを高収率で製造できる新規な触媒、及び、この触媒を用いて芳香族アルデヒドを製造する方法、更にはこれにより得られるフタルアルデヒド類を水素添加してシクロヘキサンジメタノールを製造する方法を提供する。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

Holes 10', having diameters of several nm, are made through an insulating film 10 of alumina, etc., formed on a substrate and carbon nanotubes 100 are formed by at least one method selected from a chemical vapor phase film forming method, an electrophoresis method, and a mechanical method and arranged vertically in the holes 10' as channels.例文帳に追加

基板上のアルミナ等の絶縁膜１０に直径数ｎｍの孔を数ｎｍ間隔で形成し、炭素ナノチュ−ブ１００を化学気相成膜法、電気泳動法及び機械的方法の中から選ばれた少なくとも１つで成膜してナノサイズの孔１０’の内部に垂直に配列させてチャネルとする。 - 特許庁

In the method for producing a hydroxyalkyl (meth)acrylate by reacting an alkylene oxide with (meth)acrylic acid in the presence of a catalyst, the reaction solution of the alkylene oxide and (meth)acrylic acid is circulated by a pump 7 and is sprayed on the vapor-phase part inside the reactor 1 under a pressurized condition.例文帳に追加

本発明に係るヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートの製造方法によれば、触媒の存在下、アルキレンオキシドと（メタ）アクリル酸とを反応させて、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを製造する方法において、上記アルキレンオキシドと（メタ）アクリル酸との反応液をポンプ７によって循環させ、加圧条件下、反応器１内部の気相部分に噴霧する。 - 特許庁

In the presence of an antimony catalyst deposited on a carrier for a lower alcohol oxidation reaction and comprising an antimony oxide highly finely dispersed in and bonded with the surface of the silica surface, a lower alcohol such as methanol or the like is oxidized by contact oxidation with a molecular oxygen-containing gas in vapor phase to produce a partially oxidized lower alcohol such as dimethoxymethane.例文帳に追加

高度に微分散したアンチモン酸化物がシリカ表面に結合した低級アルコール酸化反応用担体担持アンチモン触媒の存在下、メタノール等の低級アルコールを分子状酸素含有ガスにより気相接触酸化させ、ジメトキシメタン等の低級アルコール部分酸化物を製造する。 - 特許庁

In this radiation image transformation panel having stimulable phosphor layers on a support body, at least one of the phosphor layers is formed to have 50 to 10μm of film thickness by a vapor phase method, and phosphor films of the phosphor layers have single melting point.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも１層の該輝尽性蛍光体層が気相法により５０μｍ〜１０ｍｍの膜厚を有するように形成され、該蛍光体層の蛍光体膜の融点が単一であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

The manufacturing method of the titanium oxide fine particle is performed by reacting with each other in the ratio of titanium tetrachloride gas of 11, oxygen of 1-301 and hydrogen of 0.1-101 on the assumption of being in the normal state in the vapor phase reaction of titanium tetrachloride and controlling to be ≤20 vol.% in the concentration of titanium tetrachloride gas in a reaction part.例文帳に追加

本発明に係る酸化チタン微粒子の製造方法は、四塩化チタンの気相反応において、標準状態であると仮定したとき、四塩化チタンガス１l に対し、酸素１〜３０l 及び水素０．１〜１０l の割合で反応させ、且つ、反応部における四塩化チタンガス濃度が２０容量％以下である。 - 特許庁

The recording medium comprises a flattened layer 10 which has a shape anisotropy of aspect ratio ≥1, essentially consists of boehmite having BET relative surface area 100 to 180 m^2/g or γ-alumina produced according to a vapor phase method and is formed on a paper base material 9 and a thermoplastic resin layer 11 having excellent light resistance formed on the flattened layer.例文帳に追加

紙基材９上に、アスペクト比が１より大きい形状異方性を持ち、且つＢＥＴ比表面積１００〜１８０ｍ^2／ｇのベーマイトまたは気相法で生成したγ−アルミナを主成分とした平坦化層１０とその上に耐光性に優れた熱可塑性樹脂層１１を設けた記録媒体である。 - 特許庁

To form a boron phosphide-based semiconductor layer having an excellently flat and continuous surface on the surface of a single-crystal silicon substrate, by suppressing discharge of a material that inhibits formation of the boron phosphide-based semiconductor layer on the surface of the single- crystal silicon substrate from a decomposition product adhering to the internal wall of a vapor phase growth furnace.例文帳に追加

珪素単結晶基板表面上へのリン化硼素系半導体層の形成を阻害する、気相成長炉の内壁に被着した分解生成物からの物質の放出を抑制し、珪素単結晶基板表面上に表面の平坦性及び連続性に優れるリン化硼素系半導体層を形成する。 - 特許庁

In this cleaning method for a particulate filter 4 provided in the middle of an exhaust pipe and collecting particulates in exhaust gas, water or vapor of >80°C is sprayed onto the particulate filter 4 at an injection pressure of 0.5-2 MPa and to attain a liquid phase condition at the time of the attainment of washing away combustion residues 12.例文帳に追加

排気管途中に装備されて排気ガス中のパティキュレートを捕集するパティキュレートフィルタ４の洗浄方法に関し、８０℃より高い温度の水又は水蒸気を０．５〜２ＭＰａの噴射圧で且つその到達時に液相状態を成すようにパティキュレートフィルタ４に吹き付けて燃焼残留物１２を流し落とす。 - 特許庁

The method of manufacturing a nitride-based semiconductor layer includes a step of applying nitride processing to one main surface of the sapphire substrate at a temperature of 800-1,200°C before forming the nitride-based semiconductor layer, and a step of forming the nitride semiconductor layer by an organic metal vapor phase growing method on the surface of the nitride-processed sapphire substrate.例文帳に追加

窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を８００℃から１２００℃の範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。 - 特許庁

A catalyst for producing the vapor-phase growth carbon fiber is obtained by firing a raw material mixture containing salt of a cobalt compound and salt of a magnesium compound and characterized in that the average particle diameter D_50 at 50% of a normal distribution is ≤3 μm when a particle size distribution of the catalyst of a dried state is measured by a laser diffraction method.例文帳に追加

コバルト化合物塩とマグネシウム化合物塩とを含む原料混合物を焼成してなり、レーザー回折法による乾式状態での粒度分布測定において、正規分布５０％における平均粒子径Ｄ_５０が３μｍ以下である気相成長炭素繊維製造用触媒。 - 特許庁

To provide a method for producing an olefin polymer, enabling stable long-term continuous production by suppressing attachment of a polymer (copolymer) to a mixing blade, generation of abnormal reaction products, and formation of coarse particles as for the method for producing the olefin polymer by a continuous vapor-phase polymerization using a polymerization tank equipped with the mixing blade.例文帳に追加

攪拌翼を備えた重合槽を用いた連続気相重合によるオレフィン重合体の製造方法において、攪拌翼への重合体（共重合体）の付着、異常反応物の生成、粗大粒子の生成を抑制し、安定的に長期連続製造を可能とするオレフィン重合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The method is provided with an arranging process for arranging a plurality of seed substrates 10 by shifting the seed substrates 10 to the side part side 11, and a growing process for growing a crystal Al_xIn_yGa_(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) by hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

複数の種基板１０を、種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶を成長させる成長工程とを備えている。 - 特許庁

The inorganic alignment layer forming apparatus used for manufacturing the inorganic alignment layer by a vapor phase film deposition method using a target for film deposition in a chamber is characterized in that at least a part of an inner wall surface of the chamber is constituted of the same material as the constitution material of the target.例文帳に追加

本発明の無機配向膜形成装置は、チャンバ内において、成膜用のターゲットを用いて、気相成膜法により無機配向膜を製造するのに用いられるものであって、チャンバの内壁面の少なくとも一部が、ターゲットの構成材料と同一の材料で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises a process of preparing an underlayer structure having a silicon carbide layer covering copper wiring, and a process of growing silicon oxycarbide through vapor phase growth by using tetramethylcyclotetrasiloxane, carbon dioxide, and oxygen at a flow rate of 3% or less to the flow rate of the carbon dioxide as source gases.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、銅配線を覆うシリコンカーバイド層を有する下地構造を準備する工程と、前記下地構造上に、ソースガスとして、テトラメチルシクロテトラシロキサン、炭酸ガス、炭酸ガスの流量に対して３％以下の流量の酸素を用い、気相成長でシリコンオキシカーバイドを成長する工程と、を含む。 - 特許庁

The radiation image conversion panel 1 comprises the substrate 2 formed to have circular angle parts with a curvature radius R, the stimulable phosphor layer 3 formed on the surface of the substrate 2 by vapor phase deposition method, and protective films 4 and 5 covering and sealing the whole surface of the substrate 2 having the phosphor layer 3 formed thereon.例文帳に追加

放射線画像変換パネル１に、角部が曲率半径Ｒの円弧状となるように形成された基板２と、基板２の表面に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体層３と、輝尽性蛍光体層３が形成された基板２の全表面を覆って封止する保護フィルム４，５と、を設ける。 - 特許庁

The method for producing the 2-alkenyloxazoline comprises subjecting a cyclopentadiene adduct of N-hydroxyethyl-(meth)acrylamide represented by general formula 1 (wherein, R is a hydrogen atom or a methyl group) to a retro Diels-Alder reaction and subjecting the product to a vapor phase dehydration reaction in the presence of a solid catalyst, preferably of silica, alumina, a silica-alumina or a zeolite at 200-400°C.例文帳に追加

一般式１（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を表す。）で表されるＮ−ヒドロキシエチル−（メタ）アクリルアミドのシクロペンタジエン付加体を、レトロ−ディールスアルダー反応し、次いで、固体触媒、好ましくはシリカ、アルミナ、シリカアルミナ、ゼオライト、存在下、２００〜４００℃で気相脱水反応を実施する。 - 特許庁

The manufacturing method of the composition for forming the water-based ink accepting layer, which is used herein, includes the dispersing process wherein the aluminum oxide particles (a) obtained by the vapor-phase method are added to a water solution containing the polyvinyl alcohol (b), the hydroxy-carboxylic acid (c) and the water (d) and dispersed by a three-axis planet type mixer.例文帳に追加

また、ポリビニルアルコール（ｂ）、ヒドロキシカルボン酸（ｃ）及び水（ｄ）を含有してなる水溶液に、気相法によって得られた酸化アルミニウム粒子（ａ）を加え、３軸遊星型ミキサーによって分散する分散工程を含むことを特徴とする水性インク受容層形成用組成物の製造方法を用いる。 - 特許庁

The method for producing the carbon nano-material comprises a step for reacting a vaporized gas of carbon generated by irradiating a carbon target C with a laser L_1 and a vaporized gas of a metal generated by irradiating a metal target M with a laser L_2 of a wavelength different from that of the laser L_1 in a vapor phase to produce the carbon nano-material carrying the metal.例文帳に追加

本発明のカーボンナノ材料の製造方法は、カーボンターゲットＣにレーザＬ_1 を照射して発生させたカーボンの蒸発ガスと、金属ターゲットＭにレーザＬ_1 とは異なる波長をもつレーザＬ_2 を照射して発生させた金属の蒸発ガスと、を気相中で反応させて金属を担持したカーボンナノ材料を生成する。 - 特許庁

The wafer W is put in a chamber 1, and Cu(hfac)(TMVS) being a monovalent Cuβ diketone complex and a reducing agent, such as ammonia, a reducing Si compound, and carboxylic acid, reducing the Cu(hfac)(TMVS) are introduced into the chamber 1 in a vapor-phase state to form the Cu film on the wafer W by a CVD method.例文帳に追加

チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内に１価Ｃｕβジケトン錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳと、これを還元するアンモニア、還元性Ｓｉ化合物、カルボン酸などの還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

A vapor phase treatment apparatus includes a heating lamp 56 as a heater for light emission heating, and a cooling member (a cooling mechanism section comprising a cooling base 51, a coating layer 55, a ground coating layer, piping 61, a temperature sensor 62, a heat exchanger 63, a pump 64, a control unit 65, and a cooling medium 66) which cools the heating lamp 56.例文帳に追加

気相処理装置は、光放射加熱用ヒータとしての加熱ランプ５６と、加熱ランプ５６を冷却する冷却部材（冷却ベース５１、被覆層５５、下地被覆層、配管６１、温度センサ６２、熱交換器６３、ポンプ６４、制御部６５、冷却媒体６６からなる冷却機構部）とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure comprises the steps of adding both an n-type impurity and a p-type impurity in the case of vapor phase growing the boron phosphide semiconductor layer, and adding the p-type impurity so as to generate holes exceeding an electron concentration in the layer due to adding of the n-type impurity, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層の気相成長の際に、ｎ形不純物とｐ形不純物の双方を添加し、かつｎ形不純物の添加に依る層内の電子濃度を上回る正孔を生成する様にｐ形不純物を添加して、ｐ形のリン化硼素系半導体層を得る。 - 特許庁

In the method for forming a reflection preventing film by laminating thin films composed of materials with respective refractive indices different individually on a substrate 2 for an optical device by vapor phase film formation, the thin film 4 corresponding to the first layer on the substrate 2 for the optical device side is formed under a film forming temperature lower than the temperature for forming the thin film 10 corresponding to the outermost layer.例文帳に追加

光学素子用基材２に気相成膜法により屈折率の異なる材料の薄膜を積層させた反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法は、光学素子用基材２側の第１層目の薄膜４を最外層の薄膜１０より低い成膜温度で形成する。 - 特許庁

The vapor phase growth device includes: a reaction chamber configured to place the substrate therein; a first gas supply section which is connected to the reaction chamber and supplies either one of the group III and V material gases to the substrate; and a second gas supply section which is connected to the reaction chamber and supplies the other of the group III and V material gases to the substrate.例文帳に追加

気相成長装置は、基板が配置される反応室と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか一方を基板に向けて供給する第１ガス供給部と、反応室に連通し、III族及びＶ族原料ガスのいずれか他方を基板に向けて供給する第２ガス供給部と、を備える。 - 特許庁

The rotating ring is manufactured by an atmosphere control pressurizing sintering method after mixing 0-100% of the SiC particles having a purity of 99.9% or more manufactured by a vapor phase synthesizing method (CVD method) into SiC-based raw material particles manufactured by an oxide reduction method and granulating and molding.例文帳に追加

この回転リングは、酸化物還元法で作製したＳｉＣ系原料粉末中に、気相合成法（ＣＶＤ法）により作製した純度が９９．９％以上のＳｉＣ粉末を０〜１００％の割合で混合し、造粒・成形した後で、雰囲気制御加圧焼結法によって製造する。 - 特許庁

The method for producing the cationic silica dispersion comprises feeding vapor-phase-process silica into a dispersion medium in a vacuum and dispersing it in the medium in a way that a primary dispersion containing below half of the predetermined amount of the silica is first prepared, and a cationic resin and the remaining portion of the silica are then successively fed into the primary dispersion.例文帳に追加

気相法シリカを分散媒に減圧下で導入し、分散するにあたり、予定投入量の半分未満のシリカを投入した一次分散体を作成し、次いでこの一次分散体中にカチオン樹脂とシリカの残量を順次投入することを特徴とするカチオン性シリカ分散体の製造方法。 - 特許庁

It is desirable that the negative electrode active material layer 22B contains Si, Sn or an alloy of these, and are formed by vapor growth method, liquid phase method or sintering method, and it is desirable that the negative electrode active material layer is alloyed with the negative electrode current collector 22A at least at a part of interface between the negative electrode current collector 22A and itself.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであることが好ましく、また、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁