「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

A gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a non-C-plane as a surface (top face) to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase while keeping the non-C-plane surface by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping and allowing oxygen to infiltrate through the surface.例文帳に追加

Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

To provide a vacuum film deposition apparatus for depositing a thin film on a surface of a web-like base film by a chemical vapor phase deposition method (CVD method) or the like in which the stability in the film deposition can be improved without increasing the size of an electrode as a film deposition means, and to provide a film deposition method using the apparatus.例文帳に追加

化学気相成長法（ＣＶＤ法）等によりウェブ状基材フィルム表面に薄膜を形成する真空成膜装置において、成膜手段としての電極を大型化しないで、成膜の安定性向上が図れる真空成膜装置とそれを用いた成膜方法を提供することにある。 - 特許庁

Reaction of a mixture of acetic acid and hydrogen over either cobalt and palladium supported on graphite, cobalt and platinum supported on silica, or cobalt and chromium supported on graphite, selectively produces ethanol in a vapor phase at a temperature of about 250°C.例文帳に追加

黒鉛上に担持されているコバルト及びパラジウム、シリカ上に担持されているコバルト及び白金、又は黒鉛上に担持されているコバルト及びクロムのいずれかの担持触媒上において、酢酸と水素の混合物を気相中、約２５０℃の温度において反応させることによってエタノールが選択的に製造される。 - 特許庁

After the molybdenum - vanadium-type compounded oxide catalyst which is to be used for producing the unsaturated carboxylic acid from the unsaturated aldehyde by vapor phase contact oxidation reaction, is used for plant operation, the deteriorated catalyst is regenerated by adding a molybdenum-containing solution to the deteriorated catalyst and firing the catalyst.例文帳に追加

不飽和アルデヒドの接触気相酸化反応により不飽和カルボン酸を製造する工程に用いられるモリブデン、バナジウムを主成分とする複合酸化物触媒をプラント運転で使用した後の劣化触媒にモリブデン含有溶液を添加し、次いで焼成することにより、劣化触媒を再生する。 - 特許庁

To suppress outflow of elements constituting a catalyst during the reaction and to control reduction in catalytic performance in a method for producing a pyridine base by subjecting an aliphatic aldehyde, an aliphatic ketone or their mixture and ammonia to a vapor-phase catalytic reaction.例文帳に追加

ホウ素とケイ素を構成元素とするゼオライトを触媒として、反応中の前記触媒を構成する元素の流失を抑え、触媒性能の低下を抑制し、脂肪族アルデヒド、脂肪族ケトンまたはそれらの混合物とアンモニアとを気相接触反応させてピリジン塩基類を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a catalyst for producing unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid in high yield by catalytically oxidizing propylene, isobutylene, tertiary butyl alcohol or methyl-tertiary butyl ether in a vapor phase by using molecular oxygen, a method for manufacturing the catalyst and a method for producing unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid.例文帳に追加

プロピレン、イソブチレン、第三級ブチルアルコールまたはメチル第三級ブチルエーテルを分子状酸素で気相接触酸化して不飽和アルデヒドおよび不飽和カルボン酸を高収率で製造できる触媒、その触媒の製造方法、並びに不飽和アルデヒドおよび不飽和カルボン酸の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Otherwise, a nanowire having periodically arranged nanodisks or nanodots made of a mixture crystal of Si and Ge is produced by preparing a superlattice nanowire made of an Si crystal and a mixture crystal of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase growth method and controlling the size in a nanometer (nm) scale by using an oxidation concentration method.例文帳に追加

また、気相- 液相- 固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 - 特許庁

In this ink jet recording medium, in which at least one ink accepting layer including inorganic particles and a binder is provided on a base material, its ink accepting layer coating liquid includes the dispersion of a vapor phase method silica, which is kneaded and dispersed at pH of 5 to 8 in the presence of a boric acid compound.例文帳に追加

基材上に少なくとも一層の無機微粒子及びバインダーを含有するインク受容層を設けたインクジェット記録メディアのインク受容層塗布液が、ホウ酸化合物の存在下でｐＨ５〜８で混練・分散された気相法シリカの分散液を含有することを特徴とするインクジェット記録メディア分散液とその製造方法。 - 特許庁

In the vapor chamber transporting heat by phase change between vaporization and condensation of the working liquid sealed in a container, a wick provided in an inner wall of the container is comprised of a porous sintered body having a frame formed by sintering metal powder around a pore, and silicon oxide is applied to the surface of the frame.例文帳に追加

コンテナ内に封入された作動液体の蒸発および凝縮の相変化により熱を輸送するベーパチャンバにおいて、コンテナの内壁に設けられたウィックは、空孔の周囲に金属粉末が焼結した骨格を有する多孔質焼結体でなりかつ、該骨格の表面にはシリコン酸化物が付与されているベーパチャンバである。 - 特許庁

Alternatively, oxygen is doped into the gallium nitride crystal through a facet-plane by preparing a C-plane gallium nitride seed crystal, generating the facet-plane of a reverse hexagonal or dodecagonal pyramid while supplying the material gases including gallium, nitrogen and oxygen to be doped, and performing the vapor-phase growth of the gallium nitride crystal while maintaining the facet-plane.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら逆六角錐、十二角錐ファセット面を発生させファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させファセット面を通して酸素をドーピングする。 - 特許庁

In a method of cleaning the reaction vessel of an epitaxial growth device, vapor-phase etching by gas including hydrogen chloride is performed for cleaning within the reaction vessel of an epitaxial growth device; and then the temperature of a susceptor within the reaction vessel is set between 400°C and 800°C, to circulate a gas including silane within the reaction vessel.例文帳に追加

エピタキシャル成長装置の反応容器内を、塩化水素を含むガスで気相エッチングしてクリーニングした後に、さらに前記反応容器内のサセプタの温度を４００℃以上８００℃以下にしてシランを含むガスを前記反応容器内に流通することを特徴とするエピタキシャル成長装置の反応容器のクリーニング方法。 - 特許庁

The distillation method for the easily polymerizable compound is performed by distilling a solution containing the easily polymerizable compound in a distillation column 2 while a non-condensible gas is supplied to pressure detection means connection pipes 4a and 4b connecting vapor phase pressure detection means 3a and 3b to the interior of the distillation column 2.例文帳に追加

易重合性化合物含有液の蒸留方法は、蒸留塔２内部と気相圧力検出手段３ａ，３ｂとを接続する圧力検出手段接続管４ａ，４ｂに非凝縮性ガスを供給しながら、易重合性化合物含有液を蒸留することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor epitaxial wafer 1 which is grown with a crystalline layer 3 having a lattice constant and coefficient of thermal expansion on the front surface of a substrate 2 by a vapor phase growth method of an organic metal is provided with a stress offsetting layer 4 for imparting a tensile stress to the substrate 2 on the rear surface side of the substrate 2.例文帳に追加

有機金属気相成長法によって基板２の表面にこれと格子定数及び熱膨張係数を有する結晶層３を成長させた半導体エピタキシャルウェハ１において、上記基板２の裏面側に、その基板２に引張り応力を付与すべく応力相殺層４を備える。 - 特許庁

In the gas phase synthesis of diamond by a heat filament CVD (chemical vapor deposition) process, a plurality of gas introduction ports 46, 47 are provided, hydrogen and oxygen 48 are introduced from the other gas introduction port 47 far from a sample 3 and a filament 2, and a carbon-containing gas 45 such as methane is introduced from the first gas introduction ports 46 near the sample or the like.例文帳に追加

熱フィラメントＣＶＤ法でのダイヤモンドの気相合成において、複数のガス導入口４６，４７を設け、試料３及びフィラメント２から遠い他のガス導入口４７より水素及び酸素を導入４８し、試料等に近い第一のガス導入口４６よりメタン等炭素を含むガス４５を導入する。 - 特許庁

In an epitaxial growth system 101, a halide vapor-phase epitaxy is performed with a face 10a of a template 10 as a first crystal growth surface, and on a parallel with it and simultaneously, in an etching system 102 a nitrogen (N_2) gas is continuously sprayed on a face 10b (rear face of a silicon substrate A) of the template 10 at a rate of 2slm.例文帳に追加

エピタキシャル成長系統１０１においては、テンプレート１０の面１０ａを最初の結晶成長面とするハライド気相成長を行い、それと並行して同時にエッチング系統１０２においては、テンプレート１０の面１０ｂ（シリコン基板Ａの裏面）に窒素（Ｎ_2 ）ガスを２ｓｌｍの割合で継続的に吹き付けた。 - 特許庁

After the molybdenum - bismuth - iron-type compounded oxide catalyst which is to be used for producing acrolein from propylene or methacrolein from isobutene or tert-butanol by vapor phase contact oxidation reaction, is used for plant operation, the deteriorated catalyst is regenerated by adding a molybdenum-containing solution to the deteriorated catalyst and then firing the catalyst at 400°C-600°C.例文帳に追加

プロピレンからアクロレインを、イソブテンまたはターシャリーブタノールからメタクロレインを製造する気相接触反応に使用されるモリブデン−ビスマス−鉄系複合酸化物触媒をプラント運転で使用した後、その劣化触媒にモリブデン含有溶液を添加し、次いで４００℃〜６００℃で焼成することにより、劣化触媒を再生する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the radiation image conversion panel having at least one photostimulable phosphor layer formed on a support by a vapor phase deposition method, at least one photostimulable phosphor layer is formed through a process for heating one face of the support while cooling the other face of the support, in applying the vapor flow including the photostimulable phosphor material to the support.例文帳に追加

支持体上に、気相堆積法により形成された、少なくとも１層の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルの作製方法において、輝尽性蛍光体原料を含む蒸気流を該支持体に入射する時に、前記支持体の一方の面を加熱しながら、且つ、前記支持体のもう一方の面を冷却する工程を経て、該輝尽性蛍光体層の少なくとも１層が形成されることを特徴とする放射線画像変換パネルの作製方法。 - 特許庁

To prevent formation of an anomalously grown layer at the interface between a first layer and a second layer, and to prevent serious degradation of optical output power of a quantum-well semiconductor laser, in forming a III-V compound semiconductor crystal layer comprising two or more kinds of group V elements by a metal-organic vapor phase growth method.例文帳に追加

２種以上のＶ族元素で構成されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層を有機金属気相成長方法で形成することに関するもので、第１の層と第２の層との界面に変成層が形成されることを防止し、量子井戸構造半導体レーザの光出力が著しく低下することを防止する。 - 特許庁

A reaction product containing a 1-aza-2-alkoxy-1-cycloheptene and produced by the vapor-phase Beckmann rearrangement reaction of cyclohexanone oxime using a solid catalyst in the presence of an alcohol is treated with water to hydrolyze the 1-aza-2-alkoxy-1-cycloheptene in the reaction product until the content of the substance reaches 100 ppm or below.例文帳に追加

アルコールの存在下に固体触媒を用いるシクロヘキサノンオキシムの気相ベックマン転位反応により得られた１−アザ−２−アルコキシ−１−シクロヘプテンを含有する反応生成物を、水により処理して該反応生成物中に含有される１−アザ−２−アルコキシ−１−シクロヘプテンの含有量が１００ｐｐｍ以下になるまで加水分解する。 - 特許庁

This cutting method of a radiographic image conversion plate is a cutting method for cutting by laser light, the radiographic image conversion plate produced by forming a phosphor layer on a metal thin film layer by a vapor-phase sedimentation method, relative to a support formed of a polymer material and having the metal thin film layer on the surface.例文帳に追加

この放射線画像変換プレートの断裁方法は、高分子材料により形成され、その表面に金属薄膜層を有する支持体に対して、気相堆積法により前記金属薄膜層上に蛍光体層を形成することで作成された放射線画像変換プレートをレーザー光により断裁する断裁方法である。 - 特許庁

The pressure of a vapor phase in the inside of the reaction vessel is pressurized to a specific pressure range and a dehydration reaction is carried out in a dehydration process for obtaining a slurry-like composition containing a solid anhydrous alkali metal sulfide in the presence of an aromatic polyhalogen compound, a hydrated alkali metal sulfide and a compound having an alicyclic structure to be ring-opened by hydrolysis.例文帳に追加

芳香族ポリハロゲン化合物、含水アルカリ金属硫化物、加水分解によって開環し得る脂肪族環状構造を有する化合物の存在下で、固形の無水アルカリ金属硫化物を含むスラリー状の組成物を得る脱水工程中に、反応容器内部の気相の圧力を特定の範囲の圧力に加圧して脱水反応を行うこと - 特許庁

The method for growing a gallium nitride crystal is a method for growing a gallium nitride crystal on the main surface of an aluminum nitride crystal by a hydride vapor phase growth process, wherein the main surface is the (0001) Al surface of aluminum nitride crystal and the growth temperature of gallium nitride crystal is higher than 1,100°C and lower than 1,400°C.例文帳に追加

本窒化ガリウム結晶の成長方法は、窒化アルミニウム結晶の主面上に、ハイドライド気相成長法により窒化ガリウム結晶を成長させる方法であって、その主面は窒化アルミニウム結晶の（０００１）Ａｌ表面であり、窒化ガリウム結晶の成長温度が１１００℃より高く１４００℃より低いことを特徴とする。 - 特許庁

This carbon nano-material is characterized in that the carbon nanofiber prepared by the vapor-phase growth method composed of stacked carbon net layers formed in a bottomless cup shape has an intermediate layer with good adhesiveness to the carbon nanofiber on the surface thereof, and the grafted polymer layer is formed on the intermediate layer via a polymerization initiating group.例文帳に追加

本発明に係るカーボンナノ材料は、底の無いカップ形状をなす炭素網層が積層した気相成長法によるカーボンナノファイバーの表面に、該カーボンナノファイバーに対する密着性の良い中間層が形成され、該中間層上に、重合開始基を介してグラフト重合によりグラフトポリマー層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

Of radiological image conversion panels having a photostimulable phosphor layer containing alkali metal halide based phosphors prepared by the vapor-phase deposition method on a supporting medium, the radiological image conversion panel is characterized by indicating 1.0 to 1.5 of alkali/halaide ratio in surface elementary composition of the alkali metal halide based phosphors concerned.例文帳に追加

支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の表面元素組成におけるアルカリ／ハライド比率が１．０〜１．５であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁

These through-holes are formed concurrently when an epitaxial layer is grown with an area not growing normally at the top, by either applying a non-GaN material (for example, carbon particle) to any location on a seed crystal surface or making uneveness on that surface, through nitride semiconductor vapor phase epitaxy.例文帳に追加

上記貫通孔の形成は、窒化物半導体の気相成長において、元となる種結晶表面の任意の位置に、ＧａＮ以外の材料（例えばカーボン片）を付け、または凹凸をつけることで、その上部に正常に成長しない領域を形成した状態でエピタキシャル層を成長させることにより、成長と同時に貫通孔が形成される。 - 特許庁

The silicon carbide crystal ingot is fabricated by performing acid cleaning of raw material powder containing metal atoms each having a larger atomic radius than silicon in the crystal of silicon carbide powder as at least either of interstitial atoms and substituent atoms, and then by allowing the silicon carbide crystal ingot 5 to vapor-phase grow by using the raw material powder 6.例文帳に追加

前記炭化珪素結晶インゴットは、炭化珪素粉末の結晶中に珪素よりも原子半径の大きな金属原子を格子間原子および置換原子の少なくとも一方として含む原料粉末を酸洗浄した後、前記原料粉末６を用いて炭化珪素結晶インゴット５を気相成長させることにより製造する。 - 特許庁

The method for producing the functional material to introduce the functional low-molecular material to the inside of a crystal phase by inducing crystallization of a crystalline polymer in the glassy state, in which the method comprises bringing a plasticizer-containing solution having a functional low molecule or vapor into contact with the polymer, introducing the functional low molecule into the polymer, and removing the plasticizer.例文帳に追加

ガラス状態の結晶性高分子の結晶化を誘起することにより、その結晶相内に、機能性の低分子を導入する機能性高分子材料の製造方法であり、該高分子に、機能性の低分子を含む可塑剤含有溶液もしくは蒸気を接触させ、機能性低分子を該高分子に導入し、可塑剤を除去するものである。 - 特許庁

To provide a reacting method excellent in safety by performing vapor phase catalytic oxidation between propane and a nitrogen source while avoiding a range of composition having explosibility when propane, the nitrogen source and oxygen all being newly introduced and unreacted propane-containing recycled gas having been recovered are fed into a reactor, in a method for producing acrylonitrile from propane as a raw material.例文帳に追加

プロパンを原料としたアクリロニトリルの製造法において、新規に導入するプロパン、窒素源、酸素、および回収された未反応プロパンを含むリサイクルガスが反応器に供給されるとき、爆発性を有する組成の範囲を回避してプロパンと窒素源とを気相接触酸化させ、安全性に優れた反応方法を提供する。 - 特許庁

The NH3-containing waste water A and carrier gas (vapor C and combustion gas F) are brought into contact with each other in a stripping column 7 to migrate NH3 into the gaseous phase and after the gas containing the generated NH3 is heated in a preheater 19, the gas is brought into contact with a catalyst bed 13 in the catalyst column 12, by which the gas is cracked to nitrogen and moisture.例文帳に追加

ＮＨ_３含有排水Ａとキャリアガス（蒸気Ｃと燃焼ガスＦ）をストリッピング塔７内で接触させてＮＨ_３含有排水からＮＨ_３を気相中に移行させ、発生ＮＨ_３を含むガスを予熱器１９で加熱した後、触媒塔１２内の触媒層１３に接触させて前記ＮＨ_３を窒素と水に分解する。 - 特許庁

The method for producing the spherical silicon single crystal includes a process for heating and melting a silicon material kept in a vessel, a process for partially solidifying the molten silicon material by holding it at a temperature close to the melting point of the silicon material for a prescribed time, and a process for allowing the molten silicon material containing a solidified portion to fall into a vapor phase from the vessel.例文帳に追加

容器内に保持したシリコン材料を加熱して、溶融する工程、溶融したシリコン材料を融点付近の温度に所定の時間だけ保持して、部分的に凝固させる工程、及び、凝固部分を含む溶融シリコン材料を、前記容器から気相中へ落下させる工程を含む、球状シリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

To provide an easy method for producing a catalyst which is used for producing methacrylic acid in high yield and with high selectivity by subjecting methacrolein, isobutyl aldehyde or isobutyric acid to vapor-phase catalytic oxidation and can keep stable yield of methacrylic acid over a long period of time and to provide a method for easily controlling the catalytic activity so that the catalyst copes with various reaction conditions.例文帳に追加

本発明は、メタクロレイン、イソブチルアルデヒドまたはイソ酪酸を気相接触酸化してメタクリル酸を高収率、高選択的に長期間に亘り安定的なメタクリル酸収率を維持することができる触媒の簡便な製造方法及び、多様な反応条件に対応すべく触媒活性を簡便に制御する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method for producing the epitaxial wafer at least includes a step of epitaxially growing a p-type layer by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a substrate of a compound semiconductor, wherein nitrogen gas is passed in an HVPE furnace when the temperature of the substrate is raised before starting the epitaxial growth of the p-type layer.例文帳に追加

少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

In a method of manufacturing an AIN semiconductor for an electronic device, NH_3 gas and aluminum chloride gas, which is a result from sublimation or evaporation with absolute aluminum chloride, of which the total of impurity components other than group III elements is 0.001 wt.% or less, that has been heated are caused to react each other by a hydride vapor-phase deposition, to allow crystal growth of AIN on a substrate.例文帳に追加

III族元素以外の不純物成分の合計が０．００１重量％以下である無水塩化アルミニウムを加熱して昇華又は気化させた塩化アルミニウムガスとＮＨ_3ガスとをハイドライド気相成長法により反応させ、基板上にＡｌＮを結晶成長させる電子デバイス用のＡｌＮ半導体の製造方法である。 - 特許庁

It is suitable for the method to employ a method in which a gas such as a nitrogen gas is locally sprayed on a partial region in the plating bath face around the steel wire to be pulled up from the side of the vapor phase space to form a hollow 4 in the bath face, and thereby a state is formed in which the heights of the bath faces in both horizontal-direction sides are different from each other.例文帳に追加

上記において、引き上げられる鋼線周囲のめっき浴面の一部領域に気相空間側から局所的に窒素ガスなどの気体を吹き付けて浴面に窪み４を形成させることにより、前記の水平方向両側における浴面高さに差が生じる状態を作る手法を採用することが好適である。 - 特許庁

The production method is directed at forming the zinc oxide film on the article to be film-formed by using a zinc complex and alcohol with a chemical vapor-phase deposition method, and employs a zinc complex containing β-diketonate having an alkoxyalkyl methyl group as a ligand.例文帳に追加

本発明の課題は、亜鉛錯体とアルコールとを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に酸化亜鉛薄膜を製造する方法において、亜鉛錯体として、アルコキシアルキルメチル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする亜鉛錯体を使用することを特徴とする、酸化亜鉛薄膜の製造方法によって解決される。 - 特許庁

In a process for growing a compound semiconductor crystal on the compound semiconductor wafer by using metal organic vapor phase epitaxy, in-plane temperature distribution is controlled so that the surface temperature of the periphery of the compound semiconductor wafer may be within a range of +15°C to +30°C with respect to the surface temperature of the center of the compound semiconductor wafer.例文帳に追加

化合物半導体ウェハの表面に、有機金属気相成長法を用いて化合物半導体結晶を成長させる方法において、上記化合物半導体ウェハの外周部の表面温度が、上記化合物半導体ウェハの中心部の表面温度の＋１５℃〜＋３０℃の範囲内となるように面内温度分布を制御する。 - 特許庁

A nucleation acceleration layer, such as a monomolecular layer or a quasi-monomolecular layer, that contains metal, metal silicide, or metal silicate has a thickness of ≤10Å, and increases density of a nucleation section on the substrate or intentional interface layer to accelerate uniform chemical vapor phase growth of a high dielectric constant dielectric material.例文帳に追加

金属、金属ケイ化物、又は金属ケイ酸塩を含む、単分子層又は準単分子層などの核形成促進層は、１０Å以下の厚さを有し、基板上又は意図的な界面層上の核形成部位の密度を増加させることによって、高誘電率誘電体材料の均一な化学気相成長が促進される。 - 特許庁

This production method of a semiconductor base material comprises: forming crystal nucleus of SiGe or Ge on a base material, such as an amorphous, a polycrystal and a metal using a heat CVD method which is performed at a temperature of 550°C or lower using a germanium halide and silanes as raw materials; and forming a Si polycrystal film on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

５５０℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法を用いて、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核を形成し、該結晶核上に気相堆積法でＳｉ多結晶膜を形成する半導体基材の製造方法により、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a long-term stabilized and economical process for producing the corresponding nitrile compound in high yield, as the unreacting ammonia is recovered from the reaction gas mixture and is allowed to turn back into the reaction system, when a cyclic carbon compound or a heterocyclic compound is ammoxidized through the vapor-phase fluidized catalytic reaction to the corresponding nitrile compound.例文帳に追加

炭素環化合物または複素環化合物を気相接触流動反応によりアンモ酸化し、対応するニトリル化合物を製造するに際し、反応ガスから未反応アンモニアを回収し反応系に戻しながら、目的生成物が高収率で、長期間に渡り安定して得られる経済的に有利な方法を提供する。 - 特許庁

The method for forming a light-receiving member includes forming a light-receiving layer made of an amorphous material essentially comprising silicon atoms as a mother material on the surface of a cylindrical substrate by a vapor phase growth method, wherein the arithmetic average height Ra of the outer surface of an assist substrate is 0.1 μm or more and less than 1.0 μm.例文帳に追加

気相成長法により、円筒状の基体の表面にケイ素原子を母材とする非晶質材料からなる光受容層を形成する光受容部材の形成方法において、補助基体の外面の算術平均高さＲａが、０．１μm以上、１．０μm未満であることを特徴とする光受容部材の形成方法。 - 特許庁

In this ink jet recording method, recording is made using an ink containing a pigment to an ink jet recording sheet containing a vapor-phase silica which has a specific surface area of 40 to 100 m^2/g as measured by the BET method and shows a coefficient of variation of not more than 0.4 in a primary particle diameter distribution and a hydrophilic binder.例文帳に追加

ＢＥＴ法により測定される比表面積が４０ｍ^2／ｇ以上１００ｍ^2／ｇ未満、且つ一次粒径分布における変動係数が０．４以下の気相法シリカと親水性バインダーを含有するインクジェット記録用紙に、顔料を含有するインクを用いて記録を行うことを特徴とするインクジェット記録方法。 - 特許庁

In the method of producing a hydrogen storage body provided with hydrogen storage powder performing the occlusion and discharge of hydrogen, and a covering layer covering the surface of the hydrogen storage powder, a stage (a) where hydrogen storage powder is obtained, and a stage (b) where a covering layer is formed by a vapor phase method while exercising the hydrogen storage powder obtained by the stage (a).例文帳に追加

水素の吸蔵および放出を担う水素吸蔵粉体と、当該水素吸蔵粉体の表面を覆う被覆層とを備えた水素吸蔵体の製造方法において、水素吸蔵粉体を得る工程ａと、工程ａで得られた水素吸蔵粉体を運動させつつ、被覆層を気相法により形成する工程ｂとを備えるようにした。 - 特許庁

A laminate 13 is formed by overlapping a first semiconductor substrate 11 serving as an active layer onto a second semiconductor substrate 12 serving as a support substrate via an oxide film 11a or without it; an active layer 11b is formed by forming a thin film from the first semiconductor substrate 11; and the surface of the active layer 11b is flattened by vapor-phase etching.例文帳に追加

活性層となる第１半導体基板１１を酸化膜１１ａを介して、又は介することなく支持基板となる第２半導体基板１２に重ね合せて積層体１３を形成、この第１半導体基板１１を薄膜化して活性層１１ｂを形成し、更に活性層１１ｂ表面を気相エッチングにより平坦化する。 - 特許庁

The method for manufacturing the radiological image conversion panel includes a process of forming the phosphor layer on a substrate by vapor-phase deposition method and then heat-treating the phosphor layer formed, and the phosphor layer is protected by a cover that does not seal the phosphor layer, after the completion of deposition and until the completion of the heat treatment.例文帳に追加

気相堆積法により基板上に蛍光体層を形成した後に、形成された蛍光体層を熱処理する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法であって、堆積が終了してから熱処理を終了するまで前記蛍光体層を密閉しないカバーで保護することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 - 特許庁

To dispose a layer of Si3N4 on a member for planographic printing having the same quality and precision as the conventional one and to obtain an original plate which does not require development after imagewise exposure by forming a thin film layer of an Si-containing inorganic compound produced by reacting an Si-containing compound in the vapor phase on the surface of a substrate.例文帳に追加

従来と同じ材質及び精度の平版印刷用部材版上にＳｉ_3Ｎ_4の層を設けることが可能であり、像様露光された後の現像を必要とせず、異なった波長のレーザー照射により親疎水性を示す素材の層を有する平版印刷用部材、特には平版印刷用原版の製造方法を提供する。 - 特許庁