「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

In a method of manufacturing the boron phosphide based semiconductor layer wherein a boron phosphide based semiconductor layer containing boron (B) and phosphorus (P) as constituent elements is formed by vapor growth on the surface of the crystalline substrate, particles containing either boron or phosphorous are formed in advance on the surface the crystalline substrate, and then the boron phosphide based semiconductor layer is formed by vapor phase growth.例文帳に追加

結晶基板の表面上に、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含むリン化硼素系半導体層を気相成長させるリン化硼素系半導体層の製造方法に於いて、結晶基板の表面に、硼素またはリンの何れかを含む粒子を予め形成し、その後結晶基板の表面上に、リン化硼素系半導体層を気相成長させる。 - 特許庁

The electrode material is composed of an agglomerate in which a dendrite vapor-phase growth carbon fiber is entangled and the agglomerate and electrode active substance powder are mixed to make a complex in which a part of the active substance powder is taken into fine cavities of the agglomerate.例文帳に追加

樹枝状気相成長炭素繊維が絡み合って形成された凝集体を用い、この凝集体と電極活物質粉末とを混合し、活物質粉末の一部を凝集体の微細な空洞に取り込んだ状態の複合体を電極材とする。 - 特許庁

Besides, in a method for manufacturing a multilayer substrate at least including a process for vapor-phase synthesizing a diamond film on a single crystal substrate, the method for manufacturing the multilayer substrate is characterized by using Ir single crystal or Rh single crystal as the single crystal substrate.例文帳に追加

また、少なくとも、単結晶基板上にダイヤモンド膜を気相合成させる工程を有する積層基板の製造方法において、前記単結晶基板に、Ｉｒ単結晶またはＲｈ単結晶を用いることを特徴とする積層基板の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of packing a solid organometallic compound in a packing container for solid organometallic compound that can stably supply the compound to a vapor-phase epitaxial growth system, such as the MOCVD system etc., at a fixed concentration for a long period.例文帳に追加

固体有機金属化合物を、長期間一定の濃度で安定的にＭＯＣＶＤ装置等の気相エピタキシャル成長用装置へ供給可能とする固体有機金属化合物用充填容器への固体有機金属化合物の充填方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method to precisely and easily manufacture such a glass composite body in a melting process that is useful for the manufacture of an optical waveguide circuit and that can easily join glass optical parts which can not be synthesized by vapor phase reaction with other optical parts, and to provide a device for the manufacture.例文帳に追加

光導波回路の製造にも有用で、気相反応で合成することができないガラスの光部品と他の光部品とを容易に接合できるガラス複合体を、熔融プロセスで、精密かつ容易に製造できる方法と、その製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a porous preform for an optical fiber, which method can produce a large size porous preform for the optical fiber by an OVD (Outer Vapor-phase Deposition) method at a high speed and eliminates ruggedness of fine pitches and deep recessed parts produced on a deposition surface.例文帳に追加

外付け法（ＯＶＤ法）により大型の光ファイバ用多孔質母材を高速で生産することができ、堆積表面に発生するピッチが細かくて凹部の深い凹凸を解消した、光ファイバ用多孔質母材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the image forming method, a silver halide photographic sensitive material having an A value of 5-17.5 (g/m2) is developed with a processing solution supplied by way of a vapor phase or by application to the emulsion face of the sensitive material.例文帳に追加

Ａ値が５（ｇ／ｍ^2）以上１７．５（ｇ／ｍ^2）以下であるハロゲン化銀写真感光材料を、気相を介し又はハロゲン化銀写真感光材料の乳剤面に塗布することで供給される処理液により現像処理することを特徴とする画像形成方法。 - 特許庁

The method for depositing a multi-layered film on a surface (44) of a nickel-base superalloy substrate (30) includes a step of depositing a diffusion aluminide coating (42) onto the substrate (30) by the vapor phase aluminiding method, and a step of roughening a surface of the diffusion aluminide coating (42).例文帳に追加

ニッケル基超合金基体（３０）の表面（４４）上に多層皮膜を堆積させる方法は、気相アルミナイド法によって基体（３０）上に拡散アルミナイド皮膜（４２）を堆積させるステップと、拡散アルミナイド皮膜（４２）の表面を粗面加工するステップとを含む。 - 特許庁

When forming the power generating layer by a plasma vapor phase method using silane gases (SiH_4) as raw material gases in order to contain carbon of the quantity, methane gases (CH4) are introduced within the flow rate range of ≥0.004 and ≤0.17 with respect to that of silane gases.例文帳に追加

この量の炭素を含有させるために、発電層を原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ_４）を用いてプラズマ気相法により形成する際に、メタンガス（ＣＨ_４）をシランガスに対するメタンガスの流量を０．００４以上０．１７以内の範囲で導入する。 - 特許庁

Then, an n-type germanium-based crystal layer 20A of conductivity type opposite to that of the silicon layer 10B, and a p-type germanium-based crystal layer 20B of conductivity type opposite to that of the germanium-based crystal layer 20A are successively subjected to vapor phase epitaxy to provide a germanium-based crystal 20.例文帳に追加

続いて、シリコン層１０Ｂと反対の導電型のｎ型のゲルマニウム系結晶層２０Ａ、および、ゲルマニウム系結晶層２０Ａと反対の導電型のｐ型のゲルマニウム系結晶層２０Ｂを順次気相成長してゲルマニウム系結晶２０を設ける。 - 特許庁

By varying the hydrogen partial pressure in the film-forming atmosphere during formation of the hard carbon film by the vapor phase process, the hard carbon film is made a multi-layered structure composed at least of a soft-layer 1 on the outermost surface and a hard layer 2 under the soft layer 1.例文帳に追加

例えば、気相法による硬質炭素皮膜の成膜中に成膜雰囲気の水素分圧を変化させることによって、硬質炭素皮膜を少なくとも最表面の軟質層１と該軟質層２の下層側に位置する硬質層２から成る多層構造とする。 - 特許庁

By a vapor-phase epitomical method, at least a collector contact layer 5, a collector layer 4, a base layer 3 and an emitter layer 2 are to the collector layer 4 and the collector contact layer 5.例文帳に追加

気相エピタキシャル法により、基板上６に、少なくともコレクタコンタクト層５と、コレクタ層４と、ベース層３と、エミッタ層２とが順次積層されるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、上記コレクタ層４及びコレクタコンタクト層５にドーパントとしてＳｅを添加する。 - 特許庁

To provide vapor phase epitaxial growth device and method in which thermal environment in the reaction chamber can be stabilized regardless of the state of contamination of silica glass forming the reaction chamber and the reproducibility and quality of a resulting thin film can be enhanced.例文帳に追加

反応室を形成する石英ガラスの汚れの状態に関係なく反応室内の熱環境を安定させることができ、得られる薄膜の再現性や品質を向上させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

In the conditions of the chemical vapor phase synthesis, the base material 1 is arranged at the inside of a gaseous mixture of hydrogen and methane in which the concentration of methane is 5 to 50 vol.%, and pressure is, e.g. 6.7 kPa, and the base material 1 is heated to a temperature of 870 to 1,000°C.例文帳に追加

この化学気相合成の条件は、メタンの濃度が５乃至５０体積％であり圧力が例えば６．７ｋＰａの水素及びメタンの混合ガス中に基材１を配置し、基材１を８７０乃至１０００℃の温度に加熱するものである。 - 特許庁

To provide a method for producing a monohalogenoheptafluorocyclopentane and 1H-heptafluorocyclopentene from 1H, 1H, 2H-heptafluorocyclopentane by-produced when producing the 1H-heptafluorocyclopentene by vapor-phase hydrogenation reaction or the like of chloroheptafluorocyclopentene on a noble metal catalyst.例文帳に追加

クロロヘプタフルオロシクロペンテンの貴金属触媒下での気相水素化反応などによる、１Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテンを製造する際に副生する１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンタンからモノハロゲノヘプタフルオロシクロペンタン、及び１Ｈ−ヘプタフルオロシクロペンテンの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a start-up method where a start-up may be performed in a short time by minimizing the temperature distribution of a heating medium in a reactor to suppress the generation of hot spot when a vapor phase catalytic oxidation reaction is conducted and a method for manufacturing (meta)acrylic acid using the same.例文帳に追加

気相接触酸化反応を行う場合に、反応器内の熱媒体の温度分布を最小限に抑制し、ホットスポットの発生を抑え、短時間でスタートアップを行うことができるスタートアップ方法、およびこれを用いた（メタ）アクリル酸の製造方法の提供。 - 特許庁

The production method of the catalyst layer includes, at the least, the steps of forming a first layer including a catalyst precursor on a substrate by a vapor phase process; forming cracks in the first layer; and reducing the first layer having the cracks formed therein.例文帳に追加

基材に、触媒前駆体からなる第１の層を気相法により形成する工程と、前記第１の層にクラックを形成する工程と、前記クラックが形成された第１の層を還元する工程と、を少なくとも有する触媒層の製造方法。 - 特許庁

To provide a material for insulating films suitable as an interlaminar insulating material for semiconductor devices, composed of an organic silane compound and formed by a chemical vapor phase growth method, an insulating film formed of the material and a semiconductor device using the insulating film.例文帳に追加

半導体デバイス用の層間絶縁材料に好適な、有機シラン化合物からなる化学気相成長法により形成させる絶縁膜用材料、この材料から形成される絶縁膜および絶縁膜を用いた半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

Accordingly, a lot of dopants can be taken in the epitaxially grown film of the P wafer Wp by intentionally evaporating a lot of dopants from the As wafer Wa, when the epitaxial film is grown in vapor phase in the P wafer Wp together with the As wafer Wa.例文帳に追加

このため、ＡｓウェハＷａとともにＰウェハＷｐにエピ膜を気相成長させるときに、ＡｓウェハＷａから多量のドーパントを意図的に蒸発させることで、ＰウェハＷｐのエピ成長膜に多量のドーパントを取り込ませることができる。 - 特許庁

The method of producing (meth)acrylic acid comprises: packing the solid catalyst into the reaction tube according to the above-mentioned packing method; removing the organic matter contained in the solid catalyst in the reaction tube; and subjecting (meth)acrolein to vapor phase contact oxidation by using molecular oxygen in the reaction tube.例文帳に追加

固体触媒を上記方法で反応管に充填し、当該反応管中で固体触媒に含まれる有機物を除去した後、当該反応管を使用して（メタ）アクロレインを分子状酸素により気相接触酸化して、（メタ）アクリル酸を製造する方法。 - 特許庁

The method for producing the (meth)acrylic ester by reaction of (meth)acrylic acid and an alcohol, carries out the reaction by dissolving a polymerization inhibitor in a reaction liquid and bringing the reaction liquid containing the dissolved polymerization inhibitor into contact with the material existing on the vapor phase part of the reactor.例文帳に追加

反応器に（メタ）アクリル酸とアルコールとを供給して（メタ）アクリル酸エステルを製造するに際し、反応液に重合防止剤を溶解させ、重合防止剤が溶解した反応液を反応器気相部に存在する部材に接触させつつ反応を行なう。 - 特許庁

To provide a magnetic toner produced in an aqueous medium using a processed magnetic material processed in a vapor phase, the magnetic toner giving high image density in a high temperature and high humidity environment and causing little fog in a low temperature and low humidity environment.例文帳に追加

本発明の課題は、気相中で処理された処理磁性体を用いて水系媒体中で製造された磁性トナーにおいて、高温高湿環境における画像濃度が高く、且つ、低温低湿環境におけるカブリが少ない磁性トナーを得ることにある。 - 特許庁

An Si surface containing metal impurities beneath the surface is hydrogenized by the vapor-or liquid-phase method to deposit the metal impurities on the Si surface, and the metal impurities are removed to make a high- cleanness Si surface and planarize it at the atomic level.例文帳に追加

金属不純物を表面下に含有するＳｉ表面を、気相法または液相法により水素化し金属不純物をＳｉ表面上へ析出させ、この金属不純物を除去することによりＳｉ表面を高純度化し、原子レベルで平坦化する。 - 特許庁

A photostimulable phosphor layer 12 is formed on a surface of a base 11 having the relationship of Ra>WCA of the surface roughness Ra (cutoff value 0.08 mm) and the surface waviness WCA (high-pass cutoff value 0.08 mm), by a vapor phase accumulation method.例文帳に追加

表面粗さＲａ（カットオフ値０．０８ｍｍ）と表面うねりＷ__ＣＡ（高域カットオフ値０．０８ｍｍ、低域カットオフ値８ｍｍ）との関係が、Ｒａ＞Ｗ_ＣＡである基板１１の表面に、輝尽性蛍光体層１２を気相堆積法により形成する。 - 特許庁

The medium is composed of an ink receiving layer containing two or more layers of a vapor phase method silica, wherein a specific surface area of the upper layer silica is smaller than that of the lower layer silica and the foremost layer has a coating amount of 3 to 10 g/m^2.例文帳に追加

又、２層以上の気相法シリカを含むインク受容層から成り、上層のシリカの比表面積が下層のシリカの比表面積よりも小さいことを特徴とし、更にその最表層の塗工量が３〜１０ｇ／ｍ^2であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and manufacturing apparatus which suppress the concentration of carbon monoxide in a gaseous phase generated by the vapor-liquid equilibrium of the obtained liquefied carbon dioxide to a lower level even when gaseous carbon dioxide containing the gaseous hydrogen and gaseous carbon monoxide as impurities is used as a gaseous raw material.例文帳に追加

原料ガスとして、水素ガスや一酸化炭素ガスを不純物として含有する二酸化炭素ガスを用いた場合でも、得られる液化二酸化炭素の気液平衡によって生じる気相中の一酸化炭素濃度を低く抑制することを目的とする。 - 特許庁

This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。 - 特許庁

As shown in Fig. A, a hub 2 is disposed on both sides of a CVD ring 1 formed of a chemical vapor phase synthetic diamond, as shown in Fig. B, these members are integrally connected to each other, and as shown in Fig. C, a number of cutouts 3 are formed in the periphery of the CVD ring 1.例文帳に追加

（Ａ）図のように化学気相合成ダイヤモンドで構成されたＣＶＤ輪１の両側にハブ２を配置し、（Ｂ）図のようにこれらの部材を相互に一体的に結合し、（Ｃ）図のように、ＣＶＤ輪１の周囲に多数の切欠３を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride-based semiconductor substrate includes a process for growing the fourth GaN layer 27 containing Cl in a concentration of ≤3×10^15/cm^-3 on a sapphire substrate 21 by a hydride VPE (vapor phase epitaxy) method and a process for removing the sapphire substrate 21 from the fourth GaN layer 27.例文帳に追加

サファイア基板２１上にハイドライドＶＰＥ法によりＣｌの濃度が３×１０^15ｃｍ^-3以下である第４ＧａＮ層２７を成長させる工程と、第４ＧａＮ層２７からサファイア基板２１を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a device and a method for producing a group III-V nitride film containing at least Al, by which the effect of corrosion caused by gaseous AlCl on the film can be eliminated or reduced and by which the group III-V nitride film having good properties is produced by a chloride vapor phase epitaxial method (HVPE method).例文帳に追加

ＡｌＣｌガスによる腐食の影響を除去または軽減して、塩化物気相エピタキシャル法（ＨＶＰＥ法）によって特性が良好な、少なくともＡｌを含むIII−Ｖ族窒化物膜の製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

In a region where a pressure difference between the vane chambers 75, which neighbor between an end of the exhaust port 91 and a beginning of the inlet port 90, becomes large, the leakage of the vapor-phase working medium is prevented by a labyrinth seal 43 g formed on a peripheral surface of the rotor 41.例文帳に追加

排気ポート９１の末端および吸気ポート９０の始端に挟まれて隣接するベーン室７５間の圧力差が大きくなる領域において、ロータ４１の外周面に形成したラビリンス４３ｇで気相作動媒体のリークを阻止する。 - 特許庁

The vapor-phase growth carbon fiber has such an agglomerate-like structure that minute fibers are entangled with one another and agglomerated and is characterized in that the void to be measured as pores each having 20 nm to 4 μm pore diameter is ≥2.4 ml/g when the pore volume is measured by a mercury penetration method.例文帳に追加

微細な繊維が絡み合って集合した凝集体構造を有し、水銀加入法による細孔容量測定において、孔径２０ｎｍ〜４μｍの範囲の細孔として測定される空隙を２．４ｍｌ／ｇ以上有する気相成長炭素繊維。 - 特許庁

A crystal growing method comprises a process for moving impurities in an amorphous silicon film 24 or a polysilicon film 24a formed by vapor-phase growing the film 24 into an impurity capturing layer 23 formed on or under the film 24 by heating to capture the impurities in the layer 23.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜２４の上又は下に形成した不純物捕獲層２３に、アモルファスシリコン膜２４中、又はアモルファスシリコン膜２４を固相成長させて形成したポリシリコン膜２４ａ中の不純物を加熱により移動させて捕獲する工程を含む。 - 特許庁

At manufacturing the silicon epitaxyial wafer through vapor phase growth of the silicon epitaxyial layer on the cleaned silicon wafer, the epitaxyial is grown after when the silicon wafer is transferred 3 times after carrier-less cleaning and until the transfer to the reaction furnace at the epitaxyial growth equipment.例文帳に追加

洗浄したシリコンウエーハ上にシリコンエピタキシャル層を気相成長させてシリコンエピタキシャルウエーハを製造する方法において、シリコンウエーハをキャリアレス洗浄後、エピタキシャル成長装置の反応炉内に移送するまでに３回移送した後、エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a method for treating a reactor in which the reactor itself can suppress affection upon reactions and express high rate of selectivity in a method that prepares ethylene oxide by performing contact vapor phase oxidation on ethylene with gases containing oxygen in the presence of silver catalyst.例文帳に追加

本発明は、エチレンを銀触媒の存在下、酸素含有ガスにより接触気相酸化してエチレンオキシドを製造する方法において、反応器自体が反応に及ぼす影響を抑制し高い選択率を発現させうる反応器の処理方法を提供する。 - 特許庁

An unsaturated fluorinated carbon compound having extremely reduced inorganic impurities such as nitrogen, oxygen, etc., is obtained by packing an unsaturated fluorinated carbon compound into a pressure vessel such as a cylinder, etc., and extracting gas from a vapor-phase part in a state compressed to specific pressure or above.例文帳に追加

不飽和フッ素化炭素化合物中をボンベ等の耐圧容器に充填し、特定圧力以上に加圧された状態で気相部からガスを抜くことにより、窒素、酸素等の無機不純物が極度に低減された不飽和フッ素化炭素化合物が得られる。 - 特許庁

To provide a catalyst which is used for catalytically oxidizing a reactive raw material of a vapor phase by molecular oxygen to produce an objective substance in high yield and has high mechanical strength and to provide a method for manufacturing the catalyst and a method for producing unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid.例文帳に追加

反応原料を分子状酸素で気相接触酸化して目的物を高収率で製造でき、また機械的強度の高い触媒、その触媒の製造方法、並びに不飽和アルデヒドおよび不飽和カルボン酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

Gas of vaporized organic metallic material containing Al (aluminum) element is mixed with gas containing oxygen or oxygen atoms, and the gas mixture is subjected to vapor-phase reaction in a vicinity of a surface of a member 2 to deposit a metal oxide film on the surface of the member 2.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）元素を含む有機金属材料が気化したガスと酸素又は酸素原子を含むガスとを混合し、混合したそれらのガスを部材２の表面上付近で気相反応させて、部材２の表面上に金属酸化皮膜を形成する。 - 特許庁

The lower alcohol is catalytically oxidized in the vapor phase in the presence of the catalyst for the oxidizing reaction of the lower alcohol comprising a rhenium-antimony compound oxide such as SbRe2O6 with a molecular oxygen-containing gas to produce the partially oxidized substance of the lower alcohol such as the dimethoxymethane.例文帳に追加

ＳｂＲｅ_2Ｏ_6等のレニウム・アンチモン複合酸化物を活性成分とする低級アルコール酸化反応用触媒の存在下、低級アルコールを分子状酸素含有ガスにより気相接触酸化し、ジメトキシメタン等の低級アルコール部分酸化物を製造する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system of a copper thin film by which a copper thin film having good film quality, desired film thickness and few remaining impurities can be deposited at a high film deposition rate with inexpensive chlorine or hydrogen chloride as a gaseous starting material.例文帳に追加

安価な塩素または塩化水素を原料ガスとして用いて成膜速度が速く、かつ不純物が残留し難い膜質が良好でかつ目的とする膜厚を有する銅薄膜を形成することが可能な銅薄膜の気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst which can stably keep a high conversion rate of acrolein over a long period of time by lowering the temperature of a hot spot and preventing the reaction efficiency from being deteriorated owing to the thermal degradation of the catalyst and to provide a catalytic vapor-phase oxidation method using this catalyst.例文帳に追加

ホットスポット温度を低減すると共に、触媒の熱劣化に伴う反応効率の低下を抑制し、長期間にわたって、安定的に高いアクロレイン転化率を維持できる触媒、及び該触媒を用いた接触気相酸化方法を提供すること。 - 特許庁

Four-layer carbon nanotubes with high linearity can be obtained at a high yield by using a catalytic chemical vapor phase growing method by bringing a carbon-containing compound into contact with a metal catalyst having ≤10 nm average diameter under specified conditions of 600 to 1,000°C.例文帳に追加

触媒化学気相成長法を用いて平均直径が１０ｎｍ以下の金属触媒と炭素含有化合物を特定の条件の下で６００〜１０００℃で接触させることにより、直線性の高い４層カーボンナノチューブを高収率で得ることが出来る。 - 特許庁

In this colored carbon shaft for the golf club mainly composed of a carbon material, the colored layer of more than one sort of substances among dyes and pigments is provided on a surface part by plasma vapor phase deposition.例文帳に追加

炭素質素材を主として構成されたゴルフクラブ用のカーボンシャフトにおいて、表面部には、染料および色素のうちの１種以上の物質のプラズマ気相蒸着による着色層が設けられていることを特徴とするゴルフクラブ用の着色カーボンシャフトとする。 - 特許庁

Under a hydrogen carrier gas atmosphere, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene is continuously manufactured by rearrangement/dehydration reaction of 3,3-dimethyl-2-butanone by a vapor-phase process using a catalyst with a solid oxide carrier carrying cobalt oxide (II), cobalt (III), or copper oxide (II).例文帳に追加

水素キャリアガス雰囲気下で、固体酸化物担体に酸化コバルト（ＩＩ）コバルト（ＩＩＩ）又は酸化銅（ＩＩ）が担持された触媒を用いた気相プロセスによる３，３−ジメチル−２−ブタノンの転位・脱水反応によって、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエンを連続的に製造する。 - 特許庁

At the time of using the gaseous organometallic compound containing a carbonyl group as a source gas in this way, carbon atoms in the gas are made into gaseous carbon monoxide, are absorbed into a vapor phase and are discharged to the outside of the vacuum tank without being deposited on the surface of the silicon substrate 12.例文帳に追加

このように、カルボニル基を含む有機金属化合物ガスをソースガスとして用いると、ガス中の炭素原子は一酸化炭素ガスとなって気相に吸収され、シリコン基板１２の表面に付着することなく真空槽外へと排出される。 - 特許庁