「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(40ページ目) - Weblio英語例文検索

When carbon nanotubes are manufactured by a catalytic vapor-phase growth method comprising circulating a carbon source gas in a heating atmosphere and growing multi-walled carbon nanotubes from the surface of a catalyst being brought into contact with the carbon source gas, a mineral powder containing iron is used as the catalyst.例文帳に追加

加熱雰囲気内に炭素源ガスを流通し、前記炭素源ガスと接触する触媒の表面から多層のカーボンナノチューブを成長させる触媒気相成長法によってカーボンナノチューブを製造する際に、前記触媒として、鉄含有の鉱物粉末を用いることを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing the pyridine base comprises subjecting an aliphatic aldehyde, an aliphatic ketone or their mixture and ammonia to a vapor-phase catalytic reaction in the presence of a zeolite catalyst obtained by molding zeolite composed of boron and silicon as constituent elements using titania as a binder.例文帳に追加

ホウ素およびケイ素を構成元素とするゼオライトを、チタニアをバインダーとして成型せしめたゼオライト触媒の存在下、脂肪族アルデヒド、脂肪族ケトンまたはそれらの混合物とアンモニアとを気相接触反応せしめることを特徴とするピリジン塩基類の製造法。 - 特許庁

This manufacturing method of a carbonaceous nanostructure includes: a process of preparing a nanohole structure 4b having a plurality of nanoholes 5; and a process of supplying raw material gas to at least one of the plurality of nanoholes 5 to deposit carbon on the inner surface of at least one nanohole 5 by chemical vapor phase epitaxy.例文帳に追加

複数のナノホール５を有するナノホール構造体４ｂを用意する工程と、複数のナノホール５の少なくとも一つの内部に原料ガスを供給して、化学気相成長法により、少なくとも一つのナノホール５の内表面に炭素を堆積させる工程とを包含する。 - 特許庁

To provide a high speed chemical vapor phase depositing method of thin copper film which enables mass production of CVD thin copper film for IC device use, and to provide the CVD thin copper film which exhibits excellent adhesiveness and low resistance when formed on a metal substrate and/or a metal nitride substrate.例文帳に追加

ＩＣデバイス用途のＣＶＤ銅金属薄膜の大量生産が可能であり、金属基板および／または金属窒化物基板に付与した場合、優れた接着性を示すＣＶＤ銅薄膜を提供することが可能であり、低い抵抗率を示すＣＶＤ銅薄膜を提供すること。 - 特許庁

This cubic system boron nitride is obtained from a vapor phase without using a superhigh pressure and clearly shows either characteristic scattering by a phonon of an optical longitudinal wave mode in the vicinity of 1,305-1 in a Raman spectrum or a characteristic scattering by a phonon of an optical transverse wave mode in the vicinity of 1,056-1 or both the characteristic scatterings.例文帳に追加

超高圧を用いずに気相より得られ、ラマンスペクトルにおいて1305cm^-1近傍に光学的縦波モードのフォノンによる特性散乱または1056cm^-1近傍に光学的横波モードのフォノンによる特性散乱のいずれか、あるいは両方の特性散乱を明瞭に示す立方晶窒化ホウ素。 - 特許庁

To provide a method which enables the production of a cationized silica dispersion made proof and stabilized against foaming and agglomeration in a silica dispersion step and to provide a recording medium using the same in regard to a vapor-phase-process silica dispersion utilizable as a material for a high-gross high-density inkjet recording medium.例文帳に追加

高光沢、高濃度のインクジェット記録体の材料として利用できる気相法シリカの分散体に関し、シリカの分散工程において発泡や凝集を防いで安定したカチオン化シリカ分散体の生産を可能とする方法、およびそれを用いた記録体を提供する。 - 特許庁

In this film deposition method, gaseous organometallic compound containing a carbonyl group and a gaseous silicon starting material are mixed in an introduction tube 20, this mixture is thereafter charged into a vacuum tank 2, and a metallic silicide thin film is vapor-phase-grown on the surface of a preheated silicon substrate 12.例文帳に追加

本発明の成膜方法では、カルボニル基を含む有機金属化合物ガスと、シリコン原料ガスとを導入管２０内で混合させた後、真空槽２内に注入し、予め加熱したシリコン基板１２の表面に金属シリサイド薄膜を気相成長させている。 - 特許庁

The positive electrode active material is a thin membrane, formed of an oxide containing at least iron, as a main component, in vapor- or liquid-phase deposition on a substrate using a spattering, reactive deposition, vacuum deposition, chemical deposition, flame spraying or plating method.例文帳に追加

正極活物質が、スパッタリング法、反応性蒸着法、真空蒸着法、化学蒸着法、溶射法、またはめっき法などにより、気相または液相から基板上に堆積して形成した少なくとも鉄を含む酸化物を主成分とする薄膜であることを特徴としている。 - 特許庁

A method for producing the carbon fiber by vapor phase growing comprises contacting a carbon source and/or a catalyst source with a sulfur source in a heating zone, wherein the curled carbon fiber is produced by setting a ratio of a mol number of sulfur atoms in the sulfur source to a mol number of metal atoms of the catalyst to be 2.0 or more.例文帳に追加

炭素源及び/または触媒源と硫黄源を加熱帯域において接触させる気相成長炭素繊維の製造方法において、硫黄源中の硫黄原子のモル数を触媒金属原子のモル数との比で２．０以上にする縮れ状炭素繊維の製造方法。 - 特許庁

To improve the performance of vapor compression refrigerating device using carbon dioxide causing no phase change as a refrigerant at high pressure side by lowering the temperature of the refrigerant on the outlet side of a gas cooler by improving the performance of heat transfer of a heat exchanger in the gas cooler.例文帳に追加

高圧側で相変化を伴わない二酸化炭素を冷媒とする蒸気圧縮式冷凍装置で、ガスクーラ１２内の熱交換器の伝熱性能を向上することにより、ガスクーラ１２の出側１２ｂの冷媒の温度を下げて、蒸気圧縮式冷凍装置の性能を向上する。 - 特許庁

A method for forming a thin film comprises steps of forming an amorphous silicon film by using a chemical vapor phase epitaxy method (CVD), crystallizing the amorphous silicon film by a laser annealing method (ELA) in a predetermined atmosphere thereby forming a polycrystal silicon film and also forming an insulating film having a very thin film thickness.例文帳に追加

化学的気相成長（ＣＶＤ）法を用いて非晶質シリコン膜を形成し、所定の雰囲気中でレーザアニール（ＥＬＡ）法により非結晶シリコン膜を結晶化することによって、多結晶シリコン膜を形成すると同時に、非常に膜厚が小さい絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide such a process for the synthesis of a conductive polymer by a vapor-phase polymerization as is capable of shortening the manufacturing steps less than those of the conventional processes and reducing the manufacturing cost and, on the other hand, of giving the polymer an excellent thin film characteristics and freely controlling the electroconductivity thereof.例文帳に追加

従来の方法より製造過程を短縮すると共に、製造原価を節減することができる一方、薄膜特性が優秀であり、電気伝導度を自由に調節することができる気相重合法による伝導性分子の合成方法を提供する。 - 特許庁

To prepare an aqueous dispersion which has such properties that, when water is added thereto, the solid component disperses finely and homogeneously in the water phase and which can form a film excellent in water resistance and water vapor barrier properties by compounding a cycloolefin resin, a water-insoluble thermoplastic resin having carboxyl groups, and water.例文帳に追加

耐水性、水蒸気バリア性に優れた被膜を形成することができ、しかも組成物全体中の含水量が少なく、加水した時に水相中に固形分が微細に均一に分散する様な性質をもつ水性分散体及びその製造方法の提供。 - 特許庁

The manufacturing method for the inkjet recording medium includes; a step in which a first liquid containing vapor phase process silica, a water-soluble resin and a crosslinking agent is applied on a supporting body; and a step in which a second liquid containing an amphoteric surfactant having an alkyl group originated from coconut oil is imparted on the supporting body.例文帳に追加

気相法シリカと水溶性樹脂と架橋剤とを含む第１液を支持体上に塗布する工程と、ヤシ油に由来するアルキル基を有する両性界面活性剤を含む第２液を支持体上に付与する工程と、を有するインクジェット記録媒体の製造方法。 - 特許庁

The polycrystalline silicon reaction furnace comprises a nozzle 1 for introducing into the furnace a source gas G for producing polycrystalline silicon by vapor phase growth, wherein an outer face 1a of the nozzle 1 is covered with a coating layer 3 containing at least Si.例文帳に追加

気相成長法による多結晶シリコンの製造のための原料ガスＧを、炉内へ導入するノズル１を備えた多結晶シリコン反応炉であって、前記ノズル１の外装面１ａは、少なくともＳｉを含んだコーティング層３によって被覆されていることを特徴とする。 - 特許庁

A β-iron silicide crystal heterostructure is manufactured on a substrate by conducting a chemical vapor phase transportation method by setting up and sealing a polycrystalline iron silicide material, a transporting medium, a dopant material, and a substrate material composed of calcium fluoride, silicon, or iron at the crystal growing position of the substrate.例文帳に追加

多結晶鉄シリサイド原料物質、輸送媒体、ドーパント材料、および、基板材料としてフッ化カルシウム、シリコン、あるいは鉄を結晶成長位置に設置・封入して化学的気相輸送法を施すことによって、上記基板上にベータ鉄シリサイド結晶ヘテロ構造を作製する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating an epitaxial wafer that quantitatively and easily evaluates misfit dislocation occurring between a single-crystal substrate such as a silicon wafer and a single-crystal thin film formed by vapor-phase growth thereupon, and to provide a method for manufacturing the epitaxial wafer using the same.例文帳に追加

シリコンウェーハ等の単結晶基板とその上に気相成長させた単結晶薄膜との間に発生するミスフィット転位を、定量的で高感度、且つ簡便に評価するためのエピタキシャルウェーハの評価方法と、それを利用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a portable can for soft gem inhalation by which excellent medical virtues of the soft gem can be obtained by pressure packing a soft gem substance of vapor phase collected from a mine of soft gem in a specified can along with oxygen for enabling to inhale it when necessary.例文帳に追加

軟玉の採掘鉱から採取した気相の軟玉物質を酸素と共に所定のカン容器に加圧充填して必要な時に吸入できるようにしたことにより、軟玉の卓越した医学的効能を得ることができるようにした携帯可能な軟玉吸入用カンを提供する。 - 特許庁

At least either a stage where a semiconductor material is heated and melted and a stage where a semiconductor melt is dropped into a vapor phase is performed while, inside a crucible or inside a jacket stored with the crucible, rare gas is fed from one side and is exhausted from the other side in succession.例文帳に追加

半導体材料を加熱し溶融させる工程および半導体融液を気相中に滴下する工程の少なくとも一方を、坩堝内または坩堝が収容された外套容器内に一方から希ガスを供給し、他方から希ガスを順次排出しながら行う。 - 特許庁

In a bio fuel cell having one or more battery parts 1 in which oxidoreductase is present on a surface of an anode 2 and/or a cathode 3 and the cathode 3 is brought into contact with a liquid phase and a vapor phase, a selective permeation membrane 6 for suppressing permeation of at least a fuel component is disposed between an anode solution part 4 provided around the anode 2 and a cathode solution part 5 provided around the cathode 3.例文帳に追加

アノード２及び又はカソード３の表面に酸化還元酵素が存在し、かつカソード３が液相及び気相の両方に接触する構成の１又は複数の電池部１を有するバイオ燃料電池において、アノード２の周囲に設けられたアノード溶液部４と、カソード３の周囲に設けられたカソード溶液部５との間に、少なくとも燃料成分の透過を抑制する選択透過膜６を配置する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the radiation image conversion panel including a stimulable phosphor layer containing stimulable phosphors on a support, the method is characterized in that a protective layer containing coloring matter and polyurea absorbing excitation laser beam is formed through evaporation on the stimulable phosphor layer after forming it by a gas phase method (or a vapor phase deposition).例文帳に追加

支持体上に、輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルの製造方法において、該輝尽性蛍光体層を気相法（気相堆積法ともいう）により形成した後、輝尽性蛍光体層上に、励起レーザー光を吸収する色素とポリ尿素を含有する保護層を蒸着により形成することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 - 特許庁

There are provided a formed adsorbent material with an adsorbent solid phase and a vapor phase which ensures instantaneous transport of a gaseous component to the adsorbent solid phase.例文帳に追加

本発明は、吸着剤固相と、吸着剤相への気体成分の即座の輸送を保証する気相とを備えた形成吸着剤材料であって、前記材料は、気相および固相中における吸着可能成分の輸送動力学の定数が、１ｂａｒおよび２０℃の空気に対して測定された０．２ｍ／ｓのガス放出速度において規定して、０．１〜１０の比、または３０ｂａｒおよび４０℃の水素に対して測定された０．０１ｍ／ｓのガス放出速度において規定して、０．１〜１０の比となるようなものであることを特徴とする吸着剤材料に関する。 - 特許庁

A precursor (CuxCly) 30 film-deposited by plasma is subjected to reduction with hydrogen while controlling its temperature, a substrate 12 formed with Cu hyperfine particles 29 with a desired and uniform grain size is produced, and chemical vapor phase deposition treatment is applied to produce the Cu hyperfine particles 29 on the substrate 12 having an optional shape.例文帳に追加

プラズマで成膜した前駆体（CuxCly）３０を、温度制御しながら水素還元することで、所望の粒径で、しかも、粒径のそろったCu超超微粒子２９が形成された基板１２を作製し、化学気相堆積処理を適用してCu超超微粒子２９を任意の形状の基板１２に作製する。 - 特許庁

One reactor is packed with at least two kinds of catalysts, to be more precise, at least one kind of a first-stage catalyst (a catalyst for forming mainly acrolein from propylene) and at least one kind of a second-stage catalyst (a catalyst for forming acrylic acid from acrolein) and propylene is brought into contact with the catalysts to carry out a vapor-phase oxidation.例文帳に追加

１つの反応器に少なくとも２種類の酸化触媒、詳しくは少なくとも１種の前段触媒（プロピレンから主としてアクロレインを生成する触媒）および少なくとも１種の後段触媒（アクロレインからアクリル酸を生成する触媒）を充填し、これにプロピレンを接触させて気相酸化を行う。 - 特許庁

In the reaction pipe 100 having a susceptor 102 for mounting the substrate 101 and a heater 103 for heating the susceptor 102, vapor phase epitaxy is carried out at the temperature of T1+T2 by heating the susceptor at the temperature of T1 and by heating the surface of the substrate 101 by a temperature T2 further through a heating means 115.例文帳に追加

基板１０１を載せるためのサセプター１０２と、該サセプター１０２を加熱するためのヒーター１０３を有する反応管１００において、上記サセプター１０２の温度をＴ１とし、基板１０１表面を加熱手段１１５により更にＴ２加熱することによりＴ１＋Ｔ２の温度にて気相成長させる。 - 特許庁

The method for producing the animal fibers comprises previously and primarily oxidizing the surface layer part thereof with an oxidizing agent, blowing an aqueous treating liquid containing ozone as ultrafine bubbles of ≤5 μm in the aqueous treating liquid, making the treating liquid collide with the fibers, carrying out vapor-phase reaction with the ozone gas and then treating the fibers with a reducing agent.例文帳に追加

獣毛繊維を、前もって酸化剤でその表層部分を一次酸化し、水性処理液中で、オゾンを５ミクロン以下の超微細気泡として含んだ該水性処理液を吹き付けて該繊維に衝突させてオゾンガスによる気相反応させた後、還元剤で処理する上記獣毛繊維の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor base material comprises: a base material of an amorphous, a polycrystal, a metal or the like; the crystal nucleus of SiGe or Ge formed on the base material by a heat CVD method using a germanium halide and silanes as raw materials; and a Si polycrystal film formed on the crystal nuclei by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

また、本発明の半導体基材は、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材と、該基材上にハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法で形成されたＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核と、該結晶核上に気相堆積法で形成されたＳｉ多結晶膜とを有する。 - 特許庁

This method for producing the titanium oxide fine particle comprises reacting one mol of titanium tetrachloride gas with 1-30 mol of oxygen and 0.005-0.5 mol of one or more organic compounds and regulating the titanium tetrachloride gas concentration in a reactonal part to 1-20 mol% in a vapor-phase reaction of the titanium tetrachloride.例文帳に追加

本発明に係る酸化チタン微粒子の製造方法は、四塩化チタンの気相反応において、四塩化チタンガス１モルに対し、酸素を１〜３０モル及び有機化合物の１種又は２種以上を０．００５〜０．５モルの割合で反応させ、且つ、反応部における四塩化チタンガス濃度を１〜２０モル％とするものである。 - 特許庁

After forming a thin film from the first semiconductor substrate 11 and before flattening the surface of the active layer 11b by the vapor-phase etching, an organic substance 14 adhering to the surface of the active layer 11b is removed and a native oxide film 15 generated on the surface of the active layer 11b is removed after removing the organic substance 14.例文帳に追加

第１半導体基板１１を薄膜化した後、気相エッチングにより活性層１１ｂ表面を平坦化する前に、活性層１１ｂ表面に付着する有機物１４を除去し、有機物１４を除去した後にこの活性層１１ｂ表面に生成された自然酸化膜１５を除去する。 - 特許庁

To provide a diamond component and a production method thereof which enables a shortcoming in the case of forming a three-dimensional structure from a planar diamond film in the conventional technique to be dissolved by directly forming the three-dimensional structure when a diamond film is formed by a vapor phase synthesis, and to provide an optical device using the diamond component and the production method thereof.例文帳に追加

気相合成によりダイヤモンド膜を形成する際に、立体構造を直接形成することにより、従来のように、平板状のダイヤモンド膜から立体構造を形成する場合の欠点を一気に解消することができるダイヤモンド部品、その製造方法及びそれを使用した光学装置を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for the radiological image transformation panel, a stimulable phosphor layer with a film thickness of 50 μm or more is formed on a support by a vapor phase deposition method and treated by heating.例文帳に追加

支持体上に、膜厚５０μｍ以上の輝尽性蛍光体層を気相堆積法により形成し、加熱処理する放射線画像変換パネルの製造方法において、加熱処理前後の輝尽性蛍光体の輝尽発光波長における透過率が０．５≦Ｔ／Ｔ_0≦１０であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 - 特許庁

To provide a film forming device for a plastic vessel capable of stably and continuously forming a uniform and dense thin film without causing the plastic deformation of a plastic vessel caused by radiation heat, in a film forming device for a plastic vessel in which a thin film is formed by a plasma chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明は、プラズマ化学気相析出法により薄膜を形成するプラスチック容器の成膜装置において、ふく射熱によるプラスチック容器の塑性変形を生ずることなく、均一で緻密な薄膜を、安定して連続成膜が可能なプラスチック容器成膜装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the production of the laminate, an oxidation inhibitor is applied on the surface of the substrate or the laminate, and the monomer is contacted with the oxidation inhibitor and polymerized in a vapor phase, so that the electro-conductive layer of the conductive polymer is formed on the surface of the substrate or the laminate.例文帳に追加

また、本発明に係る上記積層体の製造方法は、基材または積層体の表面に酸化防止剤を塗布し、単量体を該酸化剤と接触させて気相重合により、基材または積層体の表面に導電性ポリマーからなる導電層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the filling method for the catalyst, when the catalyst is re-filled in the fixed bed multi-pipe reactor used at the catalytic vapor phase reaction in the presence of the catalyst and the reaction is restarted, an inner surface of the reaction pipe is washed and dried after removal of the catalyst used and the new catalyst is re-filled.例文帳に追加

触媒の存在下での接触気相反応の際に用いられる固定床多管反応器に触媒を再充填して反応を再開するにあたり、使用済み触媒抜き出し後に反応管内面を洗浄後乾燥し、新たな触媒を再充填することを特徴とする、触媒の充填方法。 - 特許庁

The antimicrobial agent-impregnated material for a vapor phase is prepared by impregnating a carrier selected from the group consisting of silica gel, zeolite, filter paper, activated carbon, and talc with an isothiocyanate represented by general formula (I), wherein R^1 denotes a hydrogen atom or a methyl group, and R^2 denotes a 1-5C alkyl group.例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）、（Ｒ^１は水素原子またはメチル基を表し、Ｒ^２は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す）で表されるイソチオシアン酸エステルを、シリカゲル、ゼオライト、濾紙、活性炭、タルクからなる群から選ばれる担体に含浸させてなることを特徴とする気相用防菌剤含浸物である。 - 特許庁

To provide a susceptor for supporting a semiconductor substrate in vapor phase epitaxy, improving the planarity of an epitaxial wafer, by controlling the layer thickness of an epitaxial layer on a peripheral part on the main front-surface side of the epitaxial wafer, and to provide a device and a method of manufacturing the epitaxial wafer which uses the susceptor.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハ主表面側の周辺部のエピタキシャル層の層厚を制御することによってエピタキシャルウェーハの平坦性を向上させることができる気相成長の際に半導体基板を支持するためのサセプタと、このサセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polymerization reaction apparatus for propylene excellent in a balance of rigidity/impact-resistance strength and suppressing generation of a gel and glossiness in addition to it in a manufacturing method for a propylene based block copolymer by a multi-stage continuous vapor-phase polymerization method using an olefin polymerization catalyst, and a manufacturing method for the propylene based block copolymer.例文帳に追加

オレフィン重合用触媒を用いた多段連続気相重合法によるプロピレン系ブロック共重合体の製造方法であって、剛性／耐衝撃強度のバランスに優れ、加えてゲルの発生および光沢が抑制されたプロピレン重合反応装置及びプロピレン系ブロック共重合体の製造方法の提供。 - 特許庁

An alkene such as isobutylene or an oxygen containing compound such as methacrolein corresponding to a lower alkane is produced by subjecting the lower alkane such as isobutane to vapor phase catalytic oxidation at 400 to 600°C in the presence of gaseous molecular oxygen of 30 to 60 kPa by using a Sb-Re complex oxide catalyst such as SbRe2O6 or Sb4Re2O13.例文帳に追加

ＳｂＲｅ_2Ｏ_6、Ｓｂ_4Ｒｅ_2Ｏ_13等のＳｂ−Ｒｅ複合酸化物触媒を用い、３０〜６０ｋＰａの分子状酸素含有ガスの存在下、イソブタン等の低級アルカンを４００〜６００℃で気相接触酸化し、低級アルカンに対応するイソブチレン等のアルケンやメタクロレイン等の含酸素化合物を製造する。 - 特許庁

This method comprises the step of preparing a sapphire substrate 10, the step of forming an intermediate layer 11 containing aluminum and nitrogen on the sapphire substrate 10 by a vapor phase growth method at a growth temperature of 1,100-1,300°C, and the step of growing a group III nitride layer 12 on the intermediate layer 11.例文帳に追加

サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。 - 特許庁

As an example of a method for allowing the positive electrode layer to contain carbon dioxide, the positive electrode layer is formed by a vapor phase method under a plasma atmosphere containing carbon dioxide, and thereby carbon dioxide is incorporated in the positive electrode layer, so that the positive electrode layer containing a predetermined amount of carbon dioxide can be obtained.例文帳に追加

正極層に二酸化炭素を含有させる方法の一例としては、二酸化炭素を含むプラズマ雰囲気で正極層を気相法により形成することが挙げられ、これにより正極層中に二酸化炭素が取り込まれ、二酸化炭素を所定量含有する正極層を得ることができる。 - 特許庁

In the vapor phase epitaxy device 1, the storage part 21 formed on a surface side of the wafer holder 7 for holding the wafer 5 is a recess dented in a thickness direction of the wafer holder 7, comprises a bottom 25 and a side face 27 extending in a thickness direction from an outer periphery of the bottom 25, and has a protrusion 23 provided on the side face 27.例文帳に追加

本発明に係る気相成長装置１において、ウエハホルダ７の表面側に形成されてウエハ５を保持する収容部２１は、ウエハホルダ７の厚さ方向に凹んだ凹部であり、底面２５と該底面２５の外周縁から厚さ方向に延びる側面２７とからなり、前記側面２７に突起２３を設けている。 - 特許庁

This method of manufacturing a transparent or translucent gas-barrier laminated body includes processes of: forming a base layer 12 on at least one-side surface of a plastic film base material 11 by using either a physical film formation method or a chemical vapor-phase epitaxial method, or both of them; and forming a gas barrier layer 13 on a surface of the base layer 12 by using an atomic layer deposition method.例文帳に追加

プラスチックフィルム基材１１の少なくとも一方の面に、物理成膜法もしくは化学気相成長法のいずれか、またはその両方を用いて下地層１２を形成する工程と、下地層１２の表面に、原子層堆積法を用いてガスバリア層１３を形成する工程とを具備する。 - 特許庁

In this method for producing an unsaturated carboxylic acid by subjecting an olefin to a vapor-phase catalytic oxidation reaction in the presence of a compound oxide catalyst, the method for producing an unsaturated carboxylic acid is characterized by using the compound oxide catalyst comprising at least molybdenum(Mo), vanadium(V) and antimony(Sb) as essential components.例文帳に追加

オレフィンを複合酸化物触媒の存在下に気相接触酸化反応させて不飽和カルボン酸を製造する方法において、少なくともモリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）及びアンチモン（Ｓｂ）を必須成分とする複合酸化物触媒を使用することを特徴とする不飽和カルボン酸の製造方法。 - 特許庁

The vapor phase epitaxial growth system comprises a thermocouple 9 disposed in a carbon susceptor 6 for mounting a semiconductor substrate 7 and measuring the inner temperature of the susceptor 6 wherein the thermocouple 9 comprises a strand 11 inserted into a metal protective tube 13 covered with a coating protective material 10 not reacting on carbon.例文帳に追加

半導体基板７を搭載するカーボン製サセプタ６の内部に配置され、サセプタ６の内部温度を測定する熱電対９を有する気相成長装置において、熱電対９は金属保護管１３に素線１１が挿通され、その保護管１３外側がカーボンと反応しない被覆保護材料１０で覆われている。 - 特許庁

In the method for separating a phenolic hydroxy group-containing compound from a gas flow containing an amine compound formed in the process of the vapor-phase hydrogenation of a nitro aromatic compound being at least one of an aromatic amine with hydrogen, the phenolic hydroxy group-containing compound is adsorbed on a basic solid.例文帳に追加

フェノール性ヒドロキシ基を含む化合物を、少なくとも１種の芳香族アミンであってニトロ芳香族化合物の水素での気相水素化の過程において生成した芳香族アミンを含有するガス流から分離するための方法において、フェノール性ヒドロキシ基を含む化合物を塩基性固体上に吸着させる。 - 特許庁