「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a propylene polymerization reaction apparatus capable of efficiently manufacturing a propylene based block polymer with high flowability excellent in a balance of rigidity/low temperature impact-resistance and suppressing generation of a gel in addition to it in a multi-stage continuous vapor-phase polymerization method for a propylene based block copolymer using an olefin polymerization catalyst, and a manufacturing method for the propylene based block copolymer using this.例文帳に追加

オレフィン重合用触媒を用いたプロピレン系ブロック共重合体の多段連続気相重合法において、剛性／耐低温衝撃性のバランスに優れ、加えてゲルの発生が抑制された、流動性が高いプロピレン系ブロック重合体を、効率良く製造できるプロピレン重合反応装置及びこれを用いたプロピレン系ブロック共重合体の製造方法の提供。 - 特許庁

The purification method of Si, by forming a compound (solid phase) of an alkali metal and Si, and crystallizing Si out of a melt of the compound, at least includes a step of removing impurity through unidirectional solidification of the compound, and includes steps of Si crystallization and alkali metal reutilization by making use of vapor pressure difference of Na depending on the temperature of the alkali metal/Si melt.例文帳に追加

アルカリ金属とＳｉとの化合物（固相）の生成後にこの化合物の融液から晶出させることによるＳｉの精製方法であって、少なくとも、前記化合物の一方向凝固による不純物除去を含むことと、アルカリ金属Ｓｉ融液の温度によるＮａ蒸気圧差を利用したＳｉの晶出およびアルカリ金属の再利用の工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for producing methacrolein by the vapor-phase catalytic oxidation of tertiary butanol and/or isobutylene with molecular oxygen in the presence of a catalyst is characterized by the use of a raw material gas containing a sulfur compound in an amount of 0.1-5,000 mass ppm in terms of sulfur atom based on the sum of tertiary butanol and isobutylene in the raw material gas.例文帳に追加

触媒の存在下、第三級ブタノール及び／又はイソブチレンを分子状酸素により気相接触酸化するメタクロレインの製造方法において、原料ガス中の第三級ブタノールとイソブチレンとの合計質量に対し、硫黄原子として０．１〜５０００質量ｐｐｍとなるように、硫黄化合物を含む原料ガスを使用することを特徴とする、メタクロレインの製造方法。 - 特許庁

In the method for producing phthalic anhydride, the catalytic vapor phase oxidation of xylene and/or naphthalene is performed by using a gas including molecular oxygen at an uplifted temperature in a fixed bed and by using a specific shell catalyst which is formed by applying a layer comprising a catalytic active metal oxide onto a catalyst core comprising a carrier material and which is arranged by stacking three layers.例文帳に追加

高めた温度で、固定床中で、分子状酸素を含有するガスを用いておよび坦体材料からなる触媒のコアに触媒活性金属酸化物からなる層が塗布されている、３個の層に重ね合わせて配置された特定のシェル触媒を使用してキシレンおよび／またはナフタレンの接触気相酸化による無水フタル酸の製造方法により解決される。 - 特許庁

In the production method for a nitride semiconductor 1 for producing a nitride compound semiconductor layer 3 by using organometallic chemical vapor phase growth, a group III source gas containing the organometals of a group III source is intermittently supplied onto a substrate 2, and a gas containing nitrogen is supplied to the substrate 2.例文帳に追加

本発明に係る窒化物系半導体の製造方法は、窒化物系化合物半導体層３を有機金属化学気相成長法を用いて製造する窒化物系半導体１の製造方法において、ＩＩＩ族源の有機金属を含むＩＩＩ族原料ガスを間欠的に基板２上に供給すると共に、窒素を含むガスを基板２上に供給することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method capable of continuing reaction over a long period while keeping high yield without depending on a site where hot spot occurs and even if a raw material gas concentration or a space velocity is high when producing acrylic acid by a catalytic vapor phase oxidation reaction using a fixed bed multi-tube type reactor in which a molybdenum-vanadium-based catalyst is packed.例文帳に追加

モリブデン−バナジウム系の触媒を充填した固定床多管式反応器を用いた接触気相酸化反応によってアクリル酸を製造する場合に、ホットスポット部がどこに発生するかによらず、また、原料ガス濃度や空間速度が高い場合であっても、高い収率を維持しながら長期にわたって反応を継続することができる方法を提供する。 - 特許庁

This invention relates to the process of preparing the lower aliphatic esters by reacting a lower olefin with a saturated lower aliphatic mono-carboxylic acid in a vapor phase in the presence of a heteropolyacid catalyst characterized in that an amount of water in the range of from 1-10 mole% based on the total of the olefin, aliphatic mono-carboxylic acid and water is added to the reaction mixture during the reaction.例文帳に追加

低級オレフィンを気相中、ヘテロポリ酸触媒の存在下で飽和低級脂肪族モノカルボン酸と反応させる低級脂肪族エステルの製造方法において、オレフィン、脂肪族モノカルボン酸および水の全体に対して１〜１０モル％の範囲の分量の水を反応中反応混合物に添加することを特徴とする低級脂肪族エステルの製造方法。 - 特許庁

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the compound semiconductor epitaxial wafer which comprises the steps of heating a compound semiconductor substrate 1 arranged in a reaction tube while allowing raw materials of groups III to V to flow through the reaction tube and growing epitaxial layers 2 and 3 having an objective element structure on the substrate 1 in a vapor phase, the substrate 1 is cleaned with CH_3Cl immediately before growing the epitaxial layer 2.例文帳に追加

反応管内に設置した化合物半導体基板１を加熱し、その反応管内にIII族−Ｖ族の原料を流してその基板１上に目的とする素子構造のエピタキシャル層２，３を気相成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、上記エピタキシャル層２の成長を行う直前に、その基板１をＣＨ_3Ｃｌでクリーニングする。 - 特許庁

In the objective electrophotographic photoreceptor with at least a undercoat layer and a photosensitive layer on the electrically conductive substrate, the undercoat layer contains particles A: inorganic particles having <100 nm average primary particle diameter synthesized by a vapor phase method, particles B: particles having 100 nm to 2 μm average primary particle diameter and ≤3 g/cm3 density and a resin binder.例文帳に追加

導電性基体上に、少なくとも下引き層及び感光層を有する電子写真感光体において、該下引き層が、粒子Ａ：平均１次粒子径１００ｎｍ未満で且つ気相法で合成した無機粒子と、粒子Ｂ：平均１次粒子径が１００ｎｍ以上２μｍ以下で且つ密度が３ｇ／ｃｍ^3以下の粒子と、バインダー樹脂とを含むことを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The method of producing the metal powder to be used for producing the ultraviolet-curing inkjet composition to be jetted through an inkjet method includes: a film-forming step of forming a film made of a metal material on a base material through a vapor-phase deposition method; and a pulverizing step of pulverizing the film in a liquid containing a surface treating agent.例文帳に追加

本発明の製造方法は、インクジェット方式により吐出される紫外線硬化型インクジェット組成物の製造に用いられる金属粉末を製造する方法であって、基材上に気相成膜法により金属材料で構成された膜を形成する成膜工程と、表面処理剤を含む液体中で前記膜を粉砕する粉砕工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In this radiological image conversion panel 100 having a stimulable phosphor layer 10 comprising a columnar crystal 10a formed by a vapor-phase sedimentation method, a fluctuation coefficient of the crystal size of the columnar crystal is preferably ≤50%, more preferably ≤40%, furthermore preferably ≤30%, especially preferably ≤20%, and the most preferably ≤10%.例文帳に追加

気相堆積法により形成された柱状結晶１０ａからなる輝尽性蛍光体層１０を有する放射線像変換パネル１００において、該柱状結晶の結晶径の変動係数は５０％以下とすることが好ましく、より好ましくは４０％以下であり、さらに好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１０％以下とした。 - 特許庁

The vapor-phase growth method includes the steps, to form a film on a semiconductor substrate 6 set on a box 5, of sending a first gas to the box 5 as the original of the film, and sending a second gas to a support member 9 that prevents the first gas 1 from getting in contact with the support member 9 supporting the box 5.例文帳に追加

気相成長方法は、箱体５に載置された半導体基板６に膜を形成すべく、前記膜の元となる第１の気体を当該箱体５に送出する第１の送出工程と、前記箱体５を支持する支持部材９に前記第１の気体が接触することを抑止するための第２の気体を前記支持部材９に送出する第２の送出工程とを含む。 - 特許庁

The plasma CVD apparatus which supplies microwave electric power from an antenna 20 provided in an internal circumference of the annular waveguide 5, into a reaction chamber 2 arranged inside the waveguide 5, and generates plasma inside the above reaction chamber 2 to form a film by vapor- phase epitaxial synthesis method, is characterized by arranging a cooling device 27 between the above annular waveguide 5 and the reaction chamber 2.例文帳に追加

環状の導波管５の内側に配置された反応室２内に、該導波管５の内周部に設けられたアンテナ２０からマイクロ波電力を供給し、前記反応室２内部にプラズマを生じせしめ、気相成長合成法で成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記環状導波管５と反応室２との間に冷却装置２７が配置されている。 - 特許庁

When manufacturing aluminum-based group III nitride crystal by vapor phase-growing it on a substrate by reacting a group III halide gas containing an aluminum halide such as aluminum trichloride with a nitrogen source gas such as ammonia on the substrate, there is employed a two step growing method where the both gases are reacted preliminarily at 300-550°C and then at 1,100-1,600°C.例文帳に追加

三塩化アルミニウム等のハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスとアンモニア等の窒素源ガスとを基板上で反応させることにより基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する際に、予め３００〜５５０℃で前記両ガスを反応させ、次いで１１００℃〜１６００℃で同両ガスを反応させる二段成長法を採用する。 - 特許庁

In the decomposition method for global warming gas, the global warming gas in a gas phase is decomposed in the presence of water vapor or/and molecular oxygen by using a catalyst which contains sulfates consisting of oxides of sulfur and at least one kind of element selected from aluminum, boron, alkaline earth metals, titanium, zirconium lanthanum, cerium, yttrium, rare earth metals, vanadium, niobium, chromium, manganese, iron, cobalt and nickel.例文帳に追加

気相にて地球温暖化ガスを水蒸気または水蒸気と分子状酸素の存在下、分解する反応において、硫酸塩がアルミニウム、ホウ素、アルカリ土類金属、チタン、ジルコニウム、ランタン、セリウム、イットリウム、希土類金属、バナジウム、ニオブ、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケルからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素と硫黄との酸化物とからなる触媒を用いる地球温暖化ガスの分解法。 - 特許庁

To efficiently perform start-up and to achieve an oxidation reaction while maintaining high production ability by sufficiently suppressing the temperature of a hot spot part in a method for producing (meth)acrylic acid by vapor phase catalytic oxidation of (meth)acrolein with molecular oxygen in the presence of a solid oxidation catalyst by a fixed bed tubular type reactor.例文帳に追加

固定床管型反応器にて（メタ）アクロレインを固体酸化触媒の存在下に分子状酸素で気相接触酸化して（メタ）アクリル酸を製造する方法において、ホットスポット部の温度を十分に抑制することによって、スタートアップを効率的に行い、且つ高い生産能力を維持したまま酸化反応を実施可能な（メタ）アクリル酸製造方法を提供する。 - 特許庁

The catalyst for producing methacrolein and methacrylic acid is used, when isobutylene or tertiary butyl alcohol is subjected to vapor phase catalytic oxidation using molecular oxygen to produce methacrolein and methacrylic acid, includes at least molybdenum and bismuth as catalytic components and contains a fibrous material having ≥150 W/(m K) thermal conductivity.例文帳に追加

イソブチレン又は第三級ブチルアルコールを分子状酸素により気相接触酸化してメタクロレイン及びメタクリル酸を製造する際に用いられる、少なくともモリブデン及びビスマスを触媒成分として含むメタクロレイン及びメタクリル酸製造用触媒において、熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の繊維状物を含有することを特徴とする、メタクロレイン及びメタクリル酸製造用触媒。 - 特許庁

The catalyst which is used when unsaturated aldehyde is subjected to vapor phase catalytic oxidation by using molecular oxygen to synthesize unsaturated carboxylic acid, and is a molded catalyst containing at least molybdenum and vanadium, wherein glucan where maltotriose is bonded to its α-1,6 positions, is added to a particle containing a catalyst component and molding is performed.例文帳に追加

不飽和アルデヒドを分子状酸素により気相接触酸化して不飽和カルボン酸を合成する際に用いられる、少なくともモリブデン及びバナジウムを含む成形触媒の製造方法であって、触媒成分を含む粒子に、マルトトリオースがα−１，６−結合したグルカンを加えて成形することを特徴とする不飽和カルボン酸合成用触媒の製造方法。 - 特許庁

The method of preparing a molded catalyst comprising at least molybdenum and vanadium for use in preparing unsaturated carboxylic acids by the vapor phase catalytic oxidation of unsaturated aldehydes with molecular oxygen, is characterized by adding a polymer comprising a glucose unit and a mannose unit into particles comprising the catalyst components upon molding the particles into a molded body.例文帳に追加

不飽和アルデヒドを分子状酸素により気相接触酸化して不飽和カルボン酸を製造する際に用いられる、少なくともモリブデン及びバナジウムを含む成形触媒の製造方法であって、触媒成分を含む粒子に、グルコース単位及びマンノース単位を含む重合体を加えて成形することを特徴とする不飽和カルボン酸製造用触媒の製造方法。 - 特許庁

The method for forming an alignment layer to align liquid crystal molecules includes: a plasma polymerization film forming step of forming a plasma polymerization film 86a on a substrate by using a plasma chemical vapor phase method; and a UV ray irradiation step of irradiating the plasma polymerization film 86a with UV rays to form a rugged pattern and rendering the plasma polymerization film as an alignment layer.例文帳に追加

液晶分子を配向する配向膜の形成方法であって、プラズマ化学気相法を用いて基板上にプラズマ重合膜８６ａを形成するプラズマ重合膜形成工程と、紫外光を照射することによって上記プラズマ重合膜８６ａに凹凸を形成し、これによって上記プラズマ重合膜を上記配向膜とする紫外光照射工程とを有する。 - 特許庁

In this method, an aliphatic aldehyde, aliphatic ketone or a mixture thereof react with ammonia in the presence of a catalyst in the vapor phase to produce pyridine bases, wherein the catalyst contains titanium and/or cobalt and silicon as the zeolite constituting elements, atomic ratio of silicon to titanium and/or cobalt is around 5 to 1,000, and the zeolite has a control index of around 0.8 to 12.例文帳に追加

触媒の存在下、脂肪族アルデヒド、脂肪族ケトン又はそれらの混合物を、アンモニアと気相接触反応せしめてピリジン塩基類を製造するにあたり、触媒としてチタン及び／又はコバルト並びにケイ素をゼオライトの構成元素として含有し、チタン及び／又はコバルトに対するケイ素の原子比が約５〜約１０００、かつ制御指数が約０．８〜約１２のゼオライトを使用する。 - 特許庁

To provide a highly productive method and an apparatus for cutting a radiograph conversion plate which does not cause any crack on the radiograph conversion plate produced by a vapor phase deposition method, can prevent the edge of the cut portion from being fused by laser-beam for cutting and can ensure high quality of the radiograph conversion plate including its edge and stability of the product dimensions.例文帳に追加

本発明は、気相堆積法を用いて生成した放射線画像変換プレートに対しても、亀裂が生じることがなく、またレーザー光により切断する場合に切断部の端部の溶融を防止でき、端部まで高品質で製品寸法の安定性を確保することのできる生産性のよい放射線画像変換プレートの断裁方法及び断裁装置を提供する。 - 特許庁

The vapor phase growth apparatus 100 for forming the thin film is provided with a chamber 1060, a raw material supply pipe 120 supplying a raw material of the thin film into the chamber 1060 in a gaseous state, a vaporizer 202 vaporizing the raw material in a raw material vessel 112 and supplying it to the raw material supply pipe 120 and a temperature control part.例文帳に追加

薄膜を形成するための気相成長装置１００であって、チャンバー１０６０と、チャンバー１０６０内に、薄膜の原料を気体の状態で供給する原料供給管１２０と、原料容器１１２内の原料を気化して、原料供給管１２０に供給する気化器２０２と、温度制御部と、を備える気相成長装置１００を提供する。 - 特許庁

An ink recording material is provided with at least one ink acceptive layer containing a vapor phase method silica on a polyolefin resin coated paper on a resin coated paper substrate, and the surface of the side whereon the ink acceptive layer of the substrate is rough surface processed so that the 75° mirror face glossiness based on the JIS-P8142 is 30-70%.例文帳に追加

ポリオレフィン樹脂被覆紙支持体上に気相法シリカを含有する少なくとも１層のインク受容層を有するインクジェット記録材料において、前記支持体のインク受容層が設けられる側の表面がＪＩＳ−Ｐ８１４２による７５度鏡面光沢度が３０％以上で７０％未満になるように微粗面加工されたことを特徴とするインクジェット記録材料。 - 特許庁

This method for separating/recovering an unreacted hydrocarbon comprises the following steps: the remaining gas flow after recovering the objective product is contacted with an organic solvent to absorb an unreacted alkane-based vapor phase component thereinto, and the resulting organic solvent is stripped by the use of a nitrogen-based gas ≤10 vol.% in oxygen content and the resultant effluent gas is cooled and partially condensed.例文帳に追加

目的生成物を回収した残りのガス流を有機溶剤に接触させることにより未反応のアルカンを主体とする気相成分を吸収した後に、該未反応アルカンを主体とする気相成分を吸収した有機溶媒を、酸素含有量が１０％以下の窒素を主体とするガスを用いてストリッピングし、流出するガスを冷却し分縮する。 - 特許庁

This photocatalytic hydrophilic member is characterized in that a layer containing tin oxide particle prepared by a vapor phase method is formed on the organic resin surface of a substrate having the surface and the surface of the layer exhibits hydrophilicity corresponding to ≤20° of contact angle to water accompanied with photoexcitation of the photocatalyst by irradiation of the sunshine or ≤10 mW/cm^2 of ultraviolet ray.例文帳に追加

有機樹脂表面を有する基材の該表面に、気相法で作製された酸化スズ粒子を含む層が形成されており、太陽光又は１０ｍＷ／ｃｍ^２以下の紫外線の照射による前記光触媒の光励起に応じて前記層表面は水との接触角に換算して２０°以下の親水性を呈することを特徴とする光触媒性親水部材。 - 特許庁

This method comprises sintering the glass particulate deposit synthesized by a vapor phase synthesis process in an He-containing atmosphere to form transparent glass and heat treating the resultant sintered compact in the atmosphere removed of He, in which the atmosphere to perform the heat treatment is added with chlorine so as to attain ≥1% in the partial pressure ratio of the chlorine.例文帳に追加

気相合成法により合成したガラス微粒子堆積体を、Ｈｅ含有雰囲気中で焼結して透明ガラス化し、得られた焼結体をＨｅを除いた雰囲気中で加熱処理する方法において、前記加熱処理を行う雰囲気を塩素分圧比で１％以上となるように塩素を添加した雰囲気とすることを特徴とするガラス母材の製造方法。 - 特許庁

The diamond film 2 is produced on the substrate 1 by a chemical vapor phase synthetic method after a process for preparing diamond powder containing cubic diamond and hexagonal diamond, a process for stirring the diamond powder in a liquid solvent and a process for seeding treatment of diamond on the surface of the substrate 1 in the diamond dispersed liquid in which diamond powder is stirred.例文帳に追加

ダイヤモンド膜２は、立方晶ダイヤモンドと六方晶ダイヤモンドとを含むダイヤモンド粉末を用意する工程と、ダイヤモンド粉末を液体溶媒中で撹拌する工程と、ダイヤモンド粉末を撹拌したダイヤモンド分散液中で基材１表面にダイヤモンドを種付け処理する工程とを備え、しかる後に基材１上に化学的気相合成法により製造される。 - 特許庁

To provide a manufacturing apparatus and method in which a product stuck on a structure in a reaction furnace is easily taken out by treating the inside wall or the like of the furnace with a release material prepared by treating high purity silicon carbide powder, high purity silicon nitride powder, high purity silica or the like with a binder, in the apparatus for manufacturing high purity silicon by a vapor phase zinc reducing method.例文帳に追加

高純度シリコンの気相法亜鉛還元法による製造装置において、炉内壁などを高純度シリコンカーバイド粉末、高純度窒化シリコン粉末並びに高純度シリカ等をバインダーで処理した離型材で処理することにより、反応炉内の構造物に付着した製品取り出しが容易なようにした製造装置及び製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the insulation film is immersed into an organic solvent with added coated molecules having a functional group for reacting on a hydrophilic group at an end, or exposed to a vapor phase of the volatile organic solvent, the coated molecule and a molecule of the insulation film are chemically reacted by a siloxane bond, and the acquired insulation film improves a thermal resistance and a lubricating property regardless of thin coating.例文帳に追加

親水性基と反応する官能基を末端に有する皮膜分子を添加した有機溶媒に、絶縁フィルムを浸漬、あるいは揮発させた有機溶媒の気相中に絶縁フィルムを曝すことによって、前記皮膜分子と前記絶縁フィルム分子とをシロキサン結合により化学結合させて、薄膜皮膜でありながら耐熱性や潤滑性を向上できる絶縁フィルムが得られる。 - 特許庁

This growth method of carbon nanotube contains a step in which a gas containing carbon is introduced to the reaction unit and carbon nanotube is grown by chemical vapor-phase deposition method, a step in which the inner pressure of the reaction vessel of the reaction unit is continuously decreased at a specified speed, and a step in which carbon nanotubes with different tips are grown in the reaction vessel.例文帳に追加

また、本発明に係るカーボンナノチューブの成長方法は、前記反応装置にカーボンを含むガスを導入させて、化学気相堆積法でカーボンナノチューブを成長させる段階と、所定のスピードにより前記反応装置の反応容器の内部圧力を連続的に低減させる段階と、前記反応容器に先端が異なるカーボンナノチューブを成長させる段階と、を含む。 - 特許庁

The vapor phase epitaxial growth device further comprises a straightening plate provided between the plurality of gas introduction sections and the gas reaction section of the reaction tube, a plurality of gas introduction tubes connected, respectively, to the plurality of gas introduction sections of the reaction tube, and a switching device which switches the gas to be fed, respectively, to the plurality of gas introduction tubes at the outside of the reaction tube.例文帳に追加

また、前記反応管の、前記複数のガス導入部及び前記ガス反応部間に設けられた整流板と、前記反応管の、前記複数のガス導入部それぞれに接続されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置と、を具える。 - 特許庁

The method for producing maleic anhydride comprises steps for feeding a maleic anhydride-containing gas obtained by catalytic vapor phase oxidation reaction of a hydrocarbon from the lower part of a vertical multitubular collector having a plurality of catching pipes into these catching pipes, making the gas flow from the lower parts of these catching pipes to the upper parts, condensing maleic anhydride in the gas in the catching pipes and catching the maleic anhydride.例文帳に追加

炭化水素の接触気相酸化反応によって得た無水マレイン酸含有ガスを、捕集管を複数有する竪型多管式捕集器の下部から該捕集管内に供給し、該捕集管の下部から上部へ該ガスを流通させ、該ガス中の無水マレイン酸を該捕集管内で凝縮させて捕集する工程を含む、無水マレイン酸の製造方法。 - 特許庁

To provide a fluorine added glass article having a core material having small curvature and small eccentricity even when one having a fine diameter, one formed from a silica material having a low softening temperature or one formed by depositing a large quantity of low bulk density glass soot is used as the core material in the manufacture of the fluorine added glass article such as a fluorine added optical fiber preform by the outside vapor phase deposition method.例文帳に追加

外付け法によりフッ素添加光ファイバ母材などのフッ素添加ガラス物品を製造する際、コア材として細径のものを使用した場合、軟化温度が低いシリカなどからなるものを使用した場合、あるいは多量の嵩密度の低いガラススートを堆積した場合でも、コア材の湾曲が少なく、偏心が小さいフッ素添加ガラス物品を得る。 - 特許庁

Thus, since the structure of the porous silicon layer to become the base is hardly changed even under the vapor phase growth environment of the diamond membrane of high temperature and low pressure, the diamond membrane can be formed while maintaining the high density nucleus formation state of the porous silicon layer 2, so that the semiconductor device provided with the diamond membrane with the smooth surface and satisfactory quality can be produced at high speed.例文帳に追加

これにより、高温低圧のダイヤモンド薄膜の気相成長環境下においても下地となる多孔質シリコン層の構造が変化しにくくなるので、多孔質シリコン層２の高密度な核生成状態を維持したままでダイヤモンド薄膜を形成できるので、表面が平滑で品質が良好なダイヤモンド薄膜含む半導体装置を高速作製することが可能となる。 - 特許庁

The method of producing the corresponding unsaturated aldehyde and unsaturated carboxylic acid comprises: packing the solid catalyst into the reaction tube according to the above-mentioned packing method: removing the organic matter contained in the solid catalyst in the reaction tube; and subjecting propylene, isobutylene, tertiary butanol or methyl tertiary-buthyl ether to vapor phase contact oxidation by using molecular oxygen in the reaction tube.例文帳に追加

固体触媒を上記方法で反応管に充填し、当該反応管中で固体触媒に含まれる有機物を除去した後、当該反応管を使用してプロピレン、イソブチレン、第三級ブタノール又はメチル第三級ブチルエーテルを分子状酸素により気相接触酸化して、それぞれに対応する不飽和アルデヒド及び不飽和カルボン酸を製造する方法。 - 特許庁

In the method of manufacturing the gallium nitride system semiconductor, after a gallium nitride system compound semiconductor layer, where the p-type impurity is doped is grown by the vapor phase epitaxy method, the gallium nitride system compound semiconductor where the p-type impurity is doped is converted into the p-type gallium nitride system compound semiconductor by annealing the gallium nitride system compound semiconductor layer where the p-type impurity is doped.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法は、気相成長法により、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させた後、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をアニーリングを行うことにより、前記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体をｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体とする。 - 特許庁

This method of manufacturing 6-methylnicotinic acid by oxidizing 5-ethyl-2-methylpyridine by nitric acid in the presence of sulfuric acid in a reactor vessel is characterized in that water in the system is distilled away by starting rectification at a point when the concentration of the nitric acid in the vapor phase of the reactor vessel lowers to 30-68 wt.% after reaching over 70 wt.%.例文帳に追加

反応容器内で５−エチル−２−メチルピリジンを硫酸の存在下で硝酸で酸化させて６−メチルニコチン酸を製造する際に、反応容器内の気相中の硝酸濃度が７０重量％以上に到達した後、３０〜６８重量％に低下した時点で精留を開始して系内の水を留去することを特徴とする６−メチルニコチン酸の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the transparent conductive film includes: a polycrystalline film-forming step of forming a polycrystalline film, which contains zinc oxide, on a substrate by a vapor-phase deposition method; and a transparent conductive film-forming step of forming the transparent conductive film, in which the polycrystalline film is crystal-grown with Joule heating caused by energizing the polycrystalline film.例文帳に追加

本発明の透明導電膜の製造方法は、気相蒸着法により基板上に酸化亜鉛を含む多結晶膜を形成する多結晶膜形成工程と、前記多結晶膜に通電してジュール加熱を行うことにより前記多結晶膜を結晶成長させた透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The aqueous solution is obtained by the following processes: (i) a potassium sorbate aqueous solution is deaerated to adjust the dissolved oxygen concentration thereof to ≤3.0 mg/l, or (ii) sorbic acid is reacted with potassium hydroxide in the presence of water; wherein the reaction is performed in the low oxygen concentration of the vapor phase and the raw materials.例文帳に追加

このようなソルビン酸カリウム水溶液は、（ｉ）ソルビン酸カリウム水溶液に対し脱気操作を行って溶存酸素濃度を３．０ｍｇ／ｌ以下に調整したり、（ii）ソルビン酸と水酸化カリウムとを水の存在下で反応させてソルビン酸カリウム水溶液を製造するに際し、気相部及び反応に供する原料中の酸素濃度を減じた系で反応を行うことにより得ることができる。 - 特許庁

The polymerization method comprises spraying the first and the second liquids at least either of which contains the polymerizable monomer and the polymerization initiator into the vapor phase, mixing them, and polymerizing them in the form of liquid drops, wherein the particle diameter of the polymer to be produced is controlled by adding a substance having a thickening effect to at least either of the first and the second liquids.例文帳に追加

少なくとも一方に重合性モノマーと重合開始剤を含む第１液および第２液を気相中に噴霧、混合し、液滴状で重合させる重合方法であって、前記第１液または第２液の少なくとも一方に増粘作用を持つ物質を添加することにより、製造される重合体の粒子径を制御することを特徴とする重合方法。 - 特許庁

In the process for producing a crystal of Al based III nitride such as aluminium nitride by causing reaction of the gas of Al based III halide such as aluminium trichloride and ammonia gas on a substrate held in a reaction region thereby causing vapor phase epitaxy on the substrate, the Al based III halide gas is touched to metal aluminium 15 before being fed out to a growth reaction tube 16 to cause reaction.例文帳に追加

三塩化アルミニウム等のAl系III族ハロゲン化物ガスとアンモニアガス等とを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させて窒化アルミニウム等のAl系III族窒化物結晶を製造する方法において、該Al系III族ハロゲン化物ガスを金属アルミニウム１５と接触させた後に成長反応器１６に流出せしめて反応させる。 - 特許庁

The method for producing the aniline compound comprises carrying out a reaction between a phenolic compound and an aminating agent in the presence of a catalyst preferably under vapor-phase reaction conditions, wherein the catalyst to be used is e.g. a compound oxide of phosphorus oxide and zirconia, or a phosphorus compound-containing zirconia such as a zirconia containing phosphate group(PO_4) or phosphorus oxide.例文帳に追加

好ましくは気相反応条件下であって、触媒の存在下に、フェノール類とアミノ化剤を反応させてアニリン類を製造するにあたり、触媒として、例えばリン酸化物とジルコニアの複酸化物、或いはＰＯ_４で示されるリン酸根又はリン酸化物を含有するジルコニア等の、リン化合物を有するジルコニアを用いることを特徴とするアニリン類の製造方法。 - 特許庁

A method for forming a WSi film includes a step (1) of forming a deposit film 6, containing Si and W as main components and having a hexagonal crystal phase chemical vapor growth using a gaseous start material containing WF6 and Si2H2Cl2 and a step (2) forming a WSi film annealing a substrate 2, on which the deposit film 6 is formed in an ammonia atmosphere.例文帳に追加

ＷＳｉ膜を形成する方法は、(1)ＷＦ_6およびＳｉ_2Ｈ_2Ｃｌ_2を含む原料ガスを用いる化学的気相成長法によってＳｉおよびＷを主要構成元素としヘキサゴナル結晶相を有する堆積膜6を形成し、(2)堆積膜6が形成された基板2をアンモニア雰囲気中においてアニールを行いＷＳｉ膜を形成する、各ステップを備える。 - 特許庁