「VAPOR- PHASE」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of producing a nitride single crystal on a seed crystal 1 by a vapor phase growth to produce the single crystal to a bulk shape, the seed crystal 1 has a truncated pyramid-shaped part 1a, and the nitride single crystal is grown on the truncated pyramid-shaped part 1a.例文帳に追加

気相成長法によって窒化物単結晶体を種結晶１に成長させて単結晶体をバルク状に作製する窒化物単結晶体の製造方法であって、種結晶１が角錐台形状部１ａを有し、角錐台形状部１ａに窒化物単結晶体を成長させる。 - 特許庁

A first insulating diamond layer 2 of high orientation is formed by a vapor phase synthesis method on a low resistance silicon substrate 1 whose surface is (001) plane, and a conductive diamond layer 3 is formed so as to cover the first insulating diamond layer 2 and to be in contact with the substrate 1.例文帳に追加

表面が（００１）面である低抵抗シリコン基板１上に、気相合成法により高配向性の第１の絶縁性ダイヤモンド層２を形成し、この第１の絶縁性ダイヤモンド層２を覆い、基板１と接触するように導電性ダイヤモンド層３を形成する。 - 特許庁

When a p-gate HFET is prepared by conducting a vapor-phase Zn diffusion to an epitaxial wafer, the diffusion depth of Zn is controlled at a change in a temperature of the diffusion coefficient of Zn to a compound semiconductor wafer such as GaAs, AlGaAs or the like.例文帳に追加

エピタキシャルウェーハに気相Ｚｎ拡散を行ってｐ−ｇａｔｅＨＦＥＴを作成する場合、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ等の化合物半導体ウェーハに対するＺｎの拡散係数が温度によって変化することに着目し、Ｚｎの拡散深さを制御する。 - 特許庁

A take-in vessel for introducing a mixed gas exhausted from a vertical CVD apparatus is provided, and collecting discs 40A and 40B where the vapor-phase component of the mixed gas is allowed to stick to the surface under cooling action with the mixed gas are provided in the capturing vessel.例文帳に追加

縦型ＣＶＤ装置から排出された混合ガスを導入させる取込容器を有し、この取込容器に混合ガスへの冷却作用にてその表面に混合ガスの気相成分の付着をなす捕集用円盤４０Ａ、４０Ｂを設置した気相成分除去装置である。 - 特許庁

Carbon nanotubes 106 are grown on a catalytic metal particles 103 by forming a zeolite layer 102 on a substrate 101 made of an electroconductive material, forming the catalytic metal particles 103 on the bottoms of a plurality of through-holes in the zeolite layer 102, and effecting chemical vapor phase epitaxy.例文帳に追加

導電性を有する材料から構成された基板１０１の上にゼオライト層１０２を形成し、ゼオライト層１０２の複数の貫通孔底部に、触媒金属粒１０３を形成し、化学的気相成長により、触媒金属粒１０３上に、カーボンナノチューブ１０６を成長させる。 - 特許庁

To provide a temperature sensing element capable of maintaining the condition where a temperature sensing joined part contacts all the time with an inner face of a tip part of a protecting tube, even when a thermocouple is expanded by elevation of a temperature or contracted by going-down of the temperature, and capable of measuring accurately the temperature, and a vapor phase deposition device using the temperature sensing element.例文帳に追加

熱電対が昇温により膨張しても、降温により収縮しても、常にその測温接合部が保護管の先端部内面に接触した状態を維持でき、正確な測温ができる測温体ならびにこの測温体を用いた気相成長装置を得る。 - 特許庁

The vapor phase epitaxial growth device comprises a reaction tube including a plurality of gas introduction sections and a plurality of gas reaction sections located below the plurality of gas introduction sections, and a susceptor which has a surface exposed to the interior of the gas reaction section of the reaction tube and mounting and fixing a substrate on the surface.例文帳に追加

実施形態の気相成長装置は、複数のガス導入部、及びこれら複数のガス導入部の下方に位置するガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。 - 特許庁

The conductive polymer is prepared by a melt blending process of the polymer with sharing rate of 100 s^-1 at 600 Pa s or less in viscosity and the carbon fiber prepared by the vapor phase process at 1-15 mass% under mixing energy of 1,000 mJ/m^3 or less.例文帳に追加

溶融粘度がせん断速度１００ｓ^−１で６００Ｐａ・ｓ以下の状態にあるポリマーに、気相法炭素繊維１〜１５質量％を１０００ｍＪ／ｍ^３以下の混合エネルギーで溶融混合する工程を含む導電性ポリマーの製造方法及びその方法で得られた導電性ポリマー。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

The production process of the titanium dioxide comprises a step of reacting a titanium tetrachloride-containing gas with an oxidative gas by a vapor phase method, wherein when the titanium tetrachloride-containing gas and the oxidative gas are introduced into a reaction tube and reacted with each other, the temperature in the reaction tube is ≥1,050°C and <1,300°C.例文帳に追加

気相法で四塩化チタンを含むガスと酸化性ガスとを反応させることにより二酸化チタンを製造する方法において、四塩化チタンを含むガス及び酸化性ガスをそれぞれ反応管に導入し反応させたとき、該反応管内の温度が１，０５０℃以上１，３００℃未満である。 - 特許庁

To provide a method for efficiently obtaining a mixed gas of a lower olefin with a lower aliphatic carboxylic acid by vaporizing the lower aliphatic carboxylic acid at a relatively low temperature in the method for producing ethyl acetate by catalytically reacting the lower olefin with the lower aliphatic carboxylic acid in the vapor phase.例文帳に追加

低級オレフィンと低級脂肪族カルボン酸とを気相で接触反応させて酢酸エチルを製造する方法において、低級脂肪族カルボン酸を比較的低温で気化することにより、効率的に低級オレフィンと低級脂肪族カルボン酸との混合ガスを得る方法の提供。 - 特許庁

To provide a technique in which the concentration of a reaction accelerator used for a reaction is controlled, and which can thereby raise the selectivity to ethylene oxide in a method in which under the presence of a silver catalyst, the contact vapor phase oxidation of ethylene by oxygen-containing gas is carried out to produce ethylene oxide.例文帳に追加

本発明は、エチレンを銀触媒の存在下、酸素含有ガスにより接触気相酸化してエチレンオキシドを製造する方法において、反応に用いる反応促進剤の濃度を制御することにより、エチレンオキシドへの選択性を向上させることができる技術に関するものである。 - 特許庁

The method for growing a nitride semiconductor crystal includes a step (S10) of preparing a substrate made of a nitride semiconductor having a surface including a region to be used and a step (S20) of growing a nitride semiconductor crystal on the substrate surface by a hydride vapor phase growth method.例文帳に追加

窒化物半導体結晶の成長方法は、使用される領域を含む表面を有し、窒化物半導体からなる基板を準備する工程（Ｓ１０）と、ハイドライド気相成長法により、基板の表面上に窒化物半導体結晶を成長させる工程（Ｓ２０）とを備えている。 - 特許庁

To provide a new method for producing methacrylic acid comprising catalytic vapor phase oxidation reaction of isobutylene or the like and enabling a forming and also viscous product formation to be suppressed in the steps of condensation, recovery, releasing and scrubbing included in the method.例文帳に追加

イソブチレン等の接触気相酸化反応によりメタクリル酸を製造する方法において、当該製造方法に含まれる「凝縮工程」、「回収工程」、「放散工程」、「洗浄工程」において発泡を抑制でき、且つ、粘性物の形成をも抑制できる、新規なメタクリル酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process for heating a porous glass synthesized by the vapor phase deposition in the presence of a fluorine compound, the fluorine compound and a substance which reacts with the fluorine compound and liberates fluorine gas are simultaneously added to liberate fluorine gas into the atmosphere where the porous glass is present.例文帳に追加

気相法により合成した多孔質ガラスをフッ素化合物の存在下で加熱する工程にて、フッ素化合物および該フッ素化合物と反応してフッ素ガスを遊離する物質を同時に添加し、前記多孔質ガラスの存在する雰囲気中にフッ素ガスを遊離する。 - 特許庁

In the optical element 1 with a resin substrate 2 and an antireflection film 4 formed on the surface of the resin substrate 2, an adhesive strength enhancing layer 3 formed by a vapor phase film forming method is interposed between the resin substrate 2 and the antireflection film 4.例文帳に追加

樹脂製基材２と、樹脂基材２の表面に形成された反射防止膜４とを有する反射防止膜付き光学素子１において、樹脂製基材２と反射防止膜４との間に気相成膜法により形成された密着力強化層３を介在させることを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming the refractory metal nitride film, in which the refractory metal nitride film is formed according to a chemical vapor phase deposition method by using a source gas and a reduction gas containing a refractory metallic alkyl amino compound, comprises a step of activating the reduction gas.例文帳に追加

高融点金属のアルキルアミノ化合物を含むソースガスと還元性ガスとを使用して半導体基板上に化学気相成長法により高融点金属窒化膜を形成する高融点金属窒化膜の形成方法であって、還元性ガスを活性化する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a temperature-controlling means being simple, without operation load for operators and enabling stable control of a reaction temperature, by following the change of a temperature distribution of a vapor phase oxidation reaction system in which hydrocarbons react with oxygen-containing gas in the presence of a catalyst.例文帳に追加

触媒の存在下、炭化水素と酸素含有ガスとを反応させる気相酸化反応システムの反応装置内の温度分布の変動に追従して、反応温度の安定制御を可能にする簡単で、オペレータの操作負担の少ない温度制御手段を提供する。 - 特許庁

The radiographic image conversion panel is composed by forming the stimulable phosphor layer 12 on the side of a heat-resistant resin layer 11b of a support 11, consisting of a substrate 11a and the layer 11b coating at least one surface of the substrate 11a by vapor phase deposition method.例文帳に追加

基板１１ａと該基板１１ａの少なくとも一方の面に塗設された耐熱性樹脂層１１ｂとからなる支持体１１の前記耐熱性樹脂層１１ｂ側に輝尽性蛍光体層１２が気相堆積法により形成されてなる放射線画像変換パネルである。 - 特許庁

The method for storing the (meth)acrylic acid or the ester thereof involves regulating the concentration of a floating particulate material in a vapor phase part of the storage tank so as to be ≤0.01 mg/m^3 when storing the (meth)acrylic acid or the ester thereof in the storage tank for receiving/delivering the (meth)acrylic acid or the ester thereof.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸またはそのエステルを受入れ／払出しする貯蔵タンクで貯蔵するに際し、貯蔵タンクの気相部中の浮遊粒子状物質の濃度を０．０１ｍｇ／ｍ^３以下に制御することを特徴とする（メタ）アクリル酸またはそのエステルの貯蔵方法。 - 特許庁

The optical fiber preform which is a preform for a porous structure optical fiber including a photonic crystal optical fiber comprises a core passed with a light, a clad of a porous structure for surrounding the core, and the outermost clad which is surrounded by the outside of the clad of a porous structure and is formed by the method of vapor-phase axial deposition.例文帳に追加

光子結晶光ファイバーを含む多孔構造光ファイバー用母材であって、光が通過するコアと、コアを取り囲む多孔構造のクラッドと、多孔構造のクラッドの外側を取り囲み、気相軸蒸着法で形成された最外側のクラッドと、を備える光ファイバー母材である。 - 特許庁

The problems are solved by providing the oxide superconductor tape filament in which the oxide superconductor is formed on the Ag substrate for the oxide superconductor by means of a chemical vapor phase deposition method in which silver minute particles are laminated and heat-melting treated on the surface of crystal-oriented silver or silver alloy.例文帳に追加

結晶配向された銀或いは銀合金表面に銀微粒子が積層され、加熱溶融処理された酸化物超電導体用銀基材上に、化学的気相法によって酸化物超電導体が成膜された酸化物超電導体テープ線材とすることによって、解決される。 - 特許庁

In the ink for a medical ink jet recording material which contains the finely divided silica of a vapor phase process in the ink receiving layer on a support and is used for the ink jet recording material for medical purpose, the pH value of the ink is 2.0 to 6.0.例文帳に追加

支持体上のインク受容層に気相法シリカ微粒子を含有する医療用インクジェット記録材料に用いられる医療用インクジェット記録材料用インクにおいて、該インクのｐＨが２．０〜６．０であることを特徴とする医療用インクジェット記録材料用インク。 - 特許庁

To provide a catalyst particle for manufacturing a carbon nanocoil, which is used for growing the carbon nanocoil in high yield for a short time to manufacture the carbon nanocoil more easily even when a vapor-phase synthesis method is used, and to provide a method for manufacturing the catalyst particle for manufacturing the carbon nanocoil and a method for manufacturing the carbon nanocoil.例文帳に追加

気相合成法を用いる場合もカーボンナノコイルの生成率が高く、短時間でカーボンナノコイルが成長し、より簡単に製造することができるカーボンナノコイル製造用触媒粒子およびその製造方法ならびにカーボンナノコイルの製造方法を実現する。 - 特許庁

The biodegradable plastic container 1 is composed of a plastic container main body 10 made of a biodegradable material, of which the inner or the outer surface or both the surfaces are coated with a ceramic thin film 20 made of a metallic oxide such as a silicon oxide by a chemical vapor-phase process (CVD process).例文帳に追加

生分解性を有する材料よりなるプラスチック容器本体１０の内、外面あるいは両面に、酸化珪素等の金属酸化物でなるセラミック薄膜２０が化学気相法（ＣＶＤ法）でコーティングされている生分解性プラスチック容器１とするものである。 - 特許庁

This method for producing the olefinic polymer features that a metallocene-based catalyst is previously cooled down to a temperature of ≤20°C and then the catalyst is introduced into a polymerization reactor in a continuous slurry polymerization method or a continuous vapor-phase polymerization method in which one or more kinds of olefins are polymerized in the presence of the metallocene-based catalyst.例文帳に追加

メタロセン系触媒を用いて１種以上のオレフィンを重合する連続式スラリー重合法または連続式気相重合法において、該触媒を予め２０℃以下に冷却後、該触媒を重合反応器へ導入することを特徴とするオレフィン重合体の製造方法。 - 特許庁

A conventional problem that the refrigerant undergoes phase change from liquid refrigerant to vapor refrigerant through heating of a semiconductor element in the cooling plate and since the speed and pressure loss increase in the pipe due to increase in the specific volume, cooling performance deteriorates when the bore of piping is identical at the inlet and outlet of the cooling plate is thereby solved.例文帳に追加

冷却板１の出口からコンデンサー２の入口間の冷媒配管径６太さを前記コンデンサー２の出口から前記冷却板１の入口間の冷媒配管径５よりも太くし、冷却板内で発生した蒸気の流動時の圧力損失を低減する。 - 特許庁

A vapor-phase growth apparatus comprises a susceptor for mounting a substrate thereon, a heater for heating the substrate, a raw material gas introduction portion for supplying a raw material gas to the substrate and a reaction gas exhaust portion, wherein a light transmitting ceramics plate held or reinforced by means of a supporting member is equipped between the heater and a mounting position of the substrate.例文帳に追加

基板を載置するサセプタ、基板を加熱するヒータ、基板に原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有し、ヒータと基板の載置位置の間に、支持部材により保持または補強された光透過性セラミックス板を備えてなる気相成長装置とする。 - 特許庁

In this vapor phase deposition device, a space is provided between the contact surfaces of a shower head and a shower plate, and thereby, a gas passed through the gas discharge holes passes the space, and is discharged from plate holes provided at positions shifted from the gas discharge holes.例文帳に追加

本発明の気相成長装置は、上記課題を解決するために、シャワーヘッドとシャワープレートとの接面の間に空間を設けることにより、ガス吐出孔を通過したガスが空間を通り、ガス吐出孔とずれた位置に設けられたプレート孔から吐出することを特徴としている。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

A strip line body consisting of an alumina board 1, a rear electrode 2, a front side ground electrode 3, a through-hole 4, a signal line 5, ground lines 6, 7, and a resistor 8 made of tantalum nitride or the like, a material 9 having thermal conductivity larger than that of the aluminum board, such as a vapor phase diamond covers especially the resistor 8.例文帳に追加

アルミナ基板１、裏面電極２、表面グランド電極３、スルーホール４、シグナルライン５、グランドライン６、７、窒化タンタル等の抵抗体８、からなるストリップライン本体を、そのうち特に抵抗体８の上を、気相ダイヤ等のアルミナ基板１よりも熱伝導率の大きな材料９で覆う。 - 特許庁

The polymer is continuously produced wherein at least one of the polymerization reaction mixtures including at least one of monomers are continuously fed to the reactor including no vapor phase and the monomers are allowed to polymerize in the reactor and the polymer is continuously discharged from the reactor.例文帳に追加

ポリマーの連続的製造方法であって、少なくとも１つのモノマーを含む少なくとも１つの反応混合物を気相を含まない反応器に連続的に供給し；モノマーを反応器中で重合させること；およびポリマーを反応器から連続的に取り去ることを含む方法。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal is grown by an HVPE (hydride vapor phase epitaxy) method comprising growing a compound semiconductor crystal by simultaneously supplying hydrogen chloride gas blown onto heated metallic silicon (Si pool 7) and a hydrocarbon gas on a heated silicon carbide substrate 5 to subject the reactants to a thermal decomposition reaction.例文帳に追加

加熱された金属シリコン（Ｓｉ溜７）に吹き付けた塩化水素ガスを、炭化水素ガスと同時に加熱した炭化珪素基板５上に供給し、熱分解反応させて化合物半導体結晶を成長させるＨＶＰＥ法にて炭化珪素単結晶を成長する。 - 特許庁

The method includes: a dispersion liquid preparation step of preparing a silica dispersion liquid by mixing and dispersing vapor-phase process silica and at least one of oxy zirconium chloride and basic zirconium chloride; and a heating step of heating the silica dispersion liquid prepared in the dispersion liquid preparation step.例文帳に追加

気相法シリカとオキシ塩化ジルコニル及び塩基性塩化ジルコニルの少なくとも一方とを混合し、分散させてシリカ分散液を調製する分散液調製工程と、分散液調製工程で調製されたシリカ分散液に加熱処理を行なう加熱処理工程とを有している。 - 特許庁

The hydrogen storage body 10 is constituted of: a hydrogen absorbing powder 1 composed of Mg or Mg alloy and performing the absorption and desorption of hydrogen; and a coating layer 2 having a composition different from that of the powder 1 and formed on the surface of the powder 1 by the vapor-phase process.例文帳に追加

ＭｇまたはＭｇ合金から構成され、水素の吸蔵および放出を担う水素吸蔵粉体１と、水素吸蔵粉体１とは異なる組成を有し、水素吸蔵粉体１の表面に気相法により形成された被覆層２とで、水素吸蔵体１０を構成するようにした。 - 特許庁

The semiconductor crystal growth apparatus 1 for enabling vapor phase growth of a nitride semiconductor by supplying ammonium and organic nitrogen raw material x to a reaction furnace 2 includes a heat treatment unit 3, for previously conducting heat treatment to the organic nitrogen raw material x to be exhausted by bypassing the reaction furnace 2.例文帳に追加

アンモニアと有機窒素原料ｘを反応炉２に供給して窒化物半導体の気相成長を行う半導体結晶成長装置１において、上記反応炉２をバイパスさせて排気処理される有機窒素原料ｘをあらかじめ熱処理する熱処理部３を備えた。 - 特許庁

In a heat treating method of P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal, a heat cycle heat treatment for repeating sudden heating treatment and sudden cooling treatment is performed on the P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal formed by growing it by an metal organic vapor phase deposition method.例文帳に追加

有機金属気相成長法により成長して成るｐ型不純物ドープ窒化ガリウム系化合物半導体結晶を急熱処理、急冷処理を繰り返すヒートサイクル熱処理することを特徴とするＰ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法にある。 - 特許庁

By using the obtained 4H type single crystal silicon carbide as a growth substrate and growing a single crystal silicon carbide thin film by a vapor phase epitaxial growth method on the substrate, a high voltage-resistant and environment-resistant electronic device having excellent electric characteristics can be fabricated.例文帳に追加

このような４Ｈ型単結晶炭化珪素を成長用基板として用い、気相エピタキシャル成長法により、この基板上に単結晶炭化珪素薄膜を成長させれば、電気的特性の優れた高耐圧・耐環境性電子デバイスを製作することができる。 - 特許庁

To provide a copper thin-film vapor phase deposition method, which can form a copper thin-film containing no residual impurity such as carbon and having high film quality, with high reproducibility, by using an inexpensive high-purity copper plate and inexpensive chlorine, hydrogen chloride, or chlorine and hydrogen as source gases.例文帳に追加

安価な高純度銅板と安価な塩素、塩化水素または塩素および水素とを原料ガスとして用いて炭素のような不純物を残留せず、かつ膜質が良好な銅薄膜を再現性よく形成することが可能な銅薄膜の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for realizing long-term continuous operation of a cooling pipe important for uniform temperature distribution in a fluidized bed reactor for industrially producing a nitrile by ammoxidation using the vapor-phase catalytic fluidized bed reactor.例文帳に追加

気相接触流動層反応器を用いアンモ酸化によりニトリル化合物を工業的に製造するに際して、流動層内の温度分布を均一にし、最良の形で反応を進行させる上で大変重要な冷却管の長期連続運転を実現する方法を提供する。 - 特許庁

There is provided the method for producing the binary-alloy single crystal nanostructure by utilizing a vapor phase synthesis method using the oxides of metal elements composing a binary alloy, metal substances, metal halides or binary alloy substances as a precursor, and the nanostructure produced by the method is also disclosed.例文帳に追加

二元合金を構成する金属元素らの金属酸化物、金属物質またはハロゲン化金属、または二元合金物質を前駆物質とし、気相合成法を利用した二元合金単結晶ナノ構造体の製造方法及び二元合金単結晶ナノ構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser in which shallowing of the depth of a diffraction grating due to the growth of a denatured layer by the activation of mass transport in crystal-growing a semiconductor layer on the diffraction grating by a metal-organic vapor-phase growth method is eliminated.例文帳に追加

本発明の目的は、回折格子上に半導体層を有機金属気相成長法で結晶成長させる際に、マストランスポートの活性化により変成層が生じ、回折格子深さが浅くなることのない半導体レーザの製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of catalyst for manufacturing methacrylic acid capable of adequately suppressing the temperature of a hot spot part, in a method of manufacturing methacrylic acid by catalytically oxidizing methacrolein in a vapor phase with molecular oxygen in the presence of solid oxidation catalyst by means of a fixed bed tubular type reactor.例文帳に追加

固定床管型反応器にてメタクロレインを固体酸化触媒の存在下に分子状酸素で気相接触酸化してメタクリル酸を製造する方法において、ホットスポット部の温度を十分に抑制するメタクリル酸製造用触媒の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing highly pure ethylene glycol from the by-produced ethylene glycol obtained from the purification process of ethylene oxide produced by the catalytic vapor-phase oxidation of ethylene or from crude ethylene glycol produced by the hydration reaction of crude ethylene oxide obtained from the intermediate process of the above purification process.例文帳に追加

エチレンの接触気相酸化により得られるエチレンオキシドの精製工程から得られる副生エチレングリコールまたはその中間工程から得られる粗エチレンオキシドの水和反応により得られるエチレングリコールから高純度のエチレングリコールを製造方法を提供する。 - 特許庁

In the forming method of p-type telluride zinc by reacting zinc material gas, telluride material gas and doping gas through an organic metal vapor phase growth method, dimethyl zinc is supplied as the zinc material gas, diethyl tellurium is supplied as the tellurium gas and triethyl arsenide is supplied as the doping gas to grow.例文帳に追加

有機金属気相成長法によって亜鉛原料ガス、テルル原料ガスおよびドーピングガスを反応させてｐ型のテルル化亜鉛を形成する方法において、亜鉛原料ガスとしてジメチル亜鉛、テルル原料ガスとしてジエチルテルル、およびドーピングガスとしてトリエチル砒素を供給して成長させる。 - 特許庁