「Varactor」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The offset to the varactor array is adjusted on the basis of the result of monitoring the characteristic of the VCO under variable conditions to prevent the phase-locked loop from malfunctioning.例文帳に追加

ばらつき条件下のＶＣＯの特性をモニターした結果からバラクタアレイのオフセット量を調整することで、位相同期回路の動作不良を防ぐ。 - 特許庁

This is also applicable to output impedance matching for the crystal filter 5 by a resonance circuit employing a transformer 7, a capacitor 6, and a varactor diode 14.例文帳に追加

トランス７、コンデンサ６、可変容量ダイオード１４を用いた共振回路による水晶濾波器５の出力インピーダンス整合においても同様である。 - 特許庁

To provide a programmable varactor apparatus which maintains a relatively constant control gain of a voltage controlled oscillator for an oscillation frequency and reduces phase noise.例文帳に追加

電圧制御発振器の制御利得を発振周波数に対して比較的一定に維持し、位相ノイズを低減したプログラマブルバラクタ装置を提供する。 - 特許庁

Concurrently with the start of operation of the receiver 110, the control voltage stored in the memory 9 is applied to the varactor diode VC1 via a resistor R1.例文帳に追加

受信装置１１０の動作開始と同時に、前記メモリ９に記憶された制御電圧を、抵抗Ｒ１を介して前記バラクタダイオードＶＣ１に印加する。 - 特許庁

The line pattern of the inner layer of the three layer substrate can be utilized as a line for applying a bias voltage and a varactor diode can be employed as the active element.例文帳に追加

３層基板の内層の線路パターンを、バイアス電圧印加用の線路として利用することができ、アクティブ素子としてバラクタダイオードを用いることができる。 - 特許庁

To materialize making compact, lightweight, thinning, etc., of a receiver, by enabling tuning frequency to follow the objective received frequency, without using a variable condenser or a varactor diode.例文帳に追加

バリコンやバラクタダイオードを用いることなく目的とする受信周波数に追従できるようにし、受信機の小型・軽量・薄型化などを実現する。 - 特許庁

Consequently, the variation area of the varactor capacity value CV can be widened from a variation area CA1 to a variation area CA1a as shown in lower Fig. 5B in Fig. 5.例文帳に追加

すると図５（Ｂ）に示すように、バラクタ容量値ＣＶの可変領域を、可変領域ＣＡ１から可変領域ＣＡ１ａへ広げることができる。 - 特許庁

This oscillator has a resonance circuit 201, a negative resistance circuit 202, and varactor elements 2031 to 2034 and a control voltage is shifted by a specific value at each time through a level shift circuit 206 and applied to the varactor elements to expand the linear range of the oscillation frequency to the control voltage.例文帳に追加

共振回路２０１と負性抵抗回路２０２と複数の可変容量素子２０３１〜２０３４をもち、その複数の可変容量素子にレベルシフト回路２０６により制御電圧を所定値ずつシフトして印加することにより、制御電圧に対する発振周波数の線形領域を拡大する。 - 特許庁

In this frequency synthesizer by a phase locked loop provided with a phase frequency comparator 16, a voltage-controlled oscillator 12 and a frequency divider 14, the voltage-controlled oscillator 12 is provided with varactor lines 82 capable of selecting an oscillation frequency band and a voltage source 90 for selecting varactors of the varactor lines 82.例文帳に追加

位相周波数比較器１６、電圧制御発振器１２および分周器１４を備えた位相ロックトループによる周波数シンセサイザにおいて、電圧制御発振器１２に発振周波数帯域が選択可能なバラクタライン８２と、バラクタライン８２のバラクタを選択させるための電圧源９０を備える。 - 特許庁

Compared with the Q value before the voltage application, the Q value after the voltage application is prevented from being increased greatly in the frequency range of a varactor so that the varactor employing a dielectric thin film of high permittivity can obtain the high Q value in a wide range of a frequency regardless of the voltage application.例文帳に追加

可変容量素子の使用周波数範囲で電圧印加後のＱ値が電圧印加前と比べて大きく減少することがなくなり、高誘電率の誘電体薄膜を用いた可変容量素子において、印加電圧にかかわらず高いＱ値を広い周波数にわたって得ることができる。 - 特許庁

A first parallel resonance circuit is configured by connecting a first inductor L4 in parallel to a circuit wherein a varactor diode 41 and a capacitor 42 are connected in series, and a second parallel resonance circuit is configured by connecting a second inductor 44 in parallel to the varactor diode 41 via a DC cut capacitor 43.例文帳に追加

バラクタダイオード４１とコンデンサ４２とを直列接続した回路に第一のインダクタＬ４を並列接続して第一の並列共振回路を構成し、前記バラクタダイオード４１に第二のインダクタＬ４４を直流カットコンデンサ４３を介して並列接続して第二の並列共振回路を構成する。 - 特許庁

A varactor element 7 is connected between a gate bias application terminal 6 of a tip short-circuit stub 2 provided for input impedance matching and ground, the capacitance of the varactor element 7 is changed by adjusting a gate bias voltage so as to equivalently change the electric length of the tip short-circuit stub 2.例文帳に追加

入力インピーダンス整合用に設けた先端短絡スタブ２のゲートバイアス印加端子側６と接地との間に可変容量素子７を接続し、この可変容量素子７の容量値をゲートバイアス電圧値を調整することによって変化させ、先端短絡スタブ２の電気長を等価的に変化させる。 - 特許庁

To prevent receiving characteristics from being deteriorated by liquid crystal driving noise in a radio communication apparatus with a liquid crystal display device where a receiving frequency is set by a varactor.例文帳に追加

受信周波数の設定を可変容量素子で行う液晶表示装置付き無線通信機において、液晶駆動ノイズによる受信特性劣化を防止する。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device, an n-channel transistor 1, a p-channel transistor 2, and an MOS type varactor element 3 are provided on the surface of a p-type substrate PSub.例文帳に追加

半導体集積回路装置において、Ｐ型基板ＰＳｕｂの表面にＮチャネルトランジスタ１、Ｐチャネルトランジスタ２及びＭＯＳ型バラクタ素子３を設ける。 - 特許庁

To provide a thin-film resistor element wherein the reduction in Q value of a varactor is suppressedby reducing a parasitic capacitance between a resistor and a substrate, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

抵抗体と基板との寄生容量を低減し、バラクタのＱ値の低下を抑制した薄膜抵抗素子、及び薄膜抵抗素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The reference ends of the varactors can be supplied with a temperature-dependent voltage source 370, 380 that has a temperature dependence that substantially compensates for the varactor temperature dependence.例文帳に追加

バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース３７０、３８０により供給されることができる。 - 特許庁

Also, in the varactor element 14, the surface of the p-type substrate 1 is formed with an N well 2, and the gate insulating film 6 and the p-type polysilicon layer 5 are formed on the N well 2.例文帳に追加

また、バラクタ素子１４においては、Ｐ型基板１の表面にＮウエル２を形成し、その上にゲート絶縁膜６及びＰ型ポリシリコン層５を設ける。 - 特許庁

Thus, it is possible to adjust the resonance frequency of a parallel resonance circuit comprising the transformer 3, the varactor diode 12, and a capacitor 4 with respect to an input signal frequency.例文帳に追加

これにより、トランス３、可変容量ダイオード１２、コンデンサ４による並列共振回路の共振周波数を入力信号周波数に調整することが可能となる。 - 特許庁

Voltage applying means control voltages applied to pairs of varactor diodes to control propagaion of radio waves to waveguides provided with respective switches 20.例文帳に追加

電圧印加手段が上記一対のバラクタダイオードに対して印加する電圧の値を制御することによって、各スイッチ２０が設けられた導波路への電波の伝搬を制御する。 - 特許庁

When the varactor diode 41 has a maximum capacitance, a resonant frequency of the second parallel resonance circuit is set about a lowest frequency in a variable frequency range.例文帳に追加

バラクタダイオード４１が最大容量時における前記第二の並列共振回路の共振周波数を、可変周波数範囲の最低周波数付近に設定することとする。 - 特許庁

A tuning voltage VT is applied to the connection section J1 to control the capacitance of the varactor diodes D2, D3 corresponding to the image frequency to be eliminated.例文帳に追加

接続部Ｊ１には同調電圧ＶＴが印加され、可変容量ダイオードＤ２、Ｄ３の容量を除去すべきイメージ周波数に対応して制御可能となっている。 - 特許庁

The voltage-controlled oscillator includes an inductor 20, a varactor 22, a negative Gm 21, a trimming capacitor array 23 and bias circuits R10 to R15, and R20 to R25.例文帳に追加

電圧制御発振器は、インダクタセクション２０、バラクタセクション２２、ネガティブＧｍセクション２１、トリミングキャパシタアレイ２３及びバイアス回路Ｒ１０〜Ｒ１５，Ｒ２０〜Ｒ２５を備えている。 - 特許庁

Besides, on the downside of the finite reflector 1, a variable reactance element 12 such as varactor diode, for example, constituting a passive circuit is mounted at the lower part of the parasitic element 3.例文帳に追加

また、有限反射板１の下側において、無給電素子３の下部に受動回路を構成する例えばバラクタダイオード等の可変リアクタンス素子１２を装荷する。 - 特許庁

To provide a high-frequency oscillator which can be inexpensively manufactured without using an expensive dielectric resonator or a varactor diode, has a small circuit area and can be miniaturized.例文帳に追加

高価な誘電体共振器やバラクタダイオードを使用することなく、廉価に制作することができ、また回路面積が小さく小型化が可能となるようにする。 - 特許庁

The RF test signal TS is input to the frequency divider PS through the varactor diodes VD1 and VD2 without being influenced by the buffer B10 with high impedance.例文帳に追加

ＲＦテスト信号ＴＳは、出力インピーダンスの高いバッファＢ１０の影響を受けることなく、バラクタダイオードＶＤ１、ＶＤ２を介して分周器ＰＳに入力される。 - 特許庁

The tuning varactor diode C_5 connected to a tuning inductor L is connected to the correction purpose variable capacitance circuit 8 via a negative impedance converter NIC.例文帳に追加

同調用インダクタＬに接続される同調用可変容量ダイオードＣ_５が負性インピーダンス変換器ＮＩＣを介して補正用可変容量回路８に接続されている。 - 特許庁

A control voltage CTRL for controlling the oscillation frequency (f) of the voltage-controlled oscillator CTRL is supplied to the connection point O1 between varactor diodes D1 and D2.例文帳に追加

可変容量ダイオードＤ１とＤ２の接続点Ｏ１に電圧制御発振器の発振周波数ｆを制御するための制御電圧ＣＴＲＬが供給される。 - 特許庁

To increase radiation efficiency by making the length of a radiation conductor relatively long by decreasing the capacity value of a varactor diode for varying the resonance frequency of an antenna assembly.例文帳に追加

アンテナ装置の共振周波数を変えるためのバラクタダイオードの容量値を小さくすることで放射導体の長さを相対的に大きくして放射効率を高める。 - 特許庁

The gunn diode oscillator, which is obtained by mounting the gunn diode and a varactor diode on a conductor circuit arranged on a dielectric substrate, includes a bias circuit for outputting a bias voltage, set in response to the change of an operation current in the gunn diode with respect to the change of the ambient temperature, as the bias voltage of the varactor diode when the ambient temperature of the gunn diode is changed.例文帳に追加

ガンダイオードとバラクタダイオードとを誘電体基板に設けた導体回路上に搭載したガンダイオード発振器において、ガンダイオードの周囲温度が変化した場合に、周囲温度の変化に対するガンダイオードの動作電流の変化に応じて設定したバイアス電圧をバラクタダイオードのバイアス電圧として出力するバイアス回路を備えている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of tuning macro and micro frequencies, and to provide an antenna and a frequency tuning circuit including the semiconductor element, the semiconductor element in which a PIN diode and a varactor diode are configured by a single element, thereby solving insertion loss, complexity of DC power supply circuit, increase in circuit volume, deterioration of varactor diode linearity, and the like.例文帳に追加

本発明は、ＰＩＮダイオードとバラクタダイオードとを一つの素子で構成することにより、挿入損失、ＤＣ電源供給回路の複雑性、回路体積の増大、バラクタダイオードの線形性低下などを解消できるマクロ及びマイクロ周波数チューニングが可能な半導体素子及びそれを備えるアンテナと周波数チューニング回路を提供する。 - 特許庁

Moreover, the oscillator creates a resonant signal using a large region of a capacity change region in a voltage-capacitance change curve of the varactor diode 21 at a time of VHF high band selection, and creates the resonant signal using a small region of the capacity change region in the voltage-capacity change curve of the varactor diode 21 at a time of VHF low band selection.例文帳に追加

また、ＶＨＦハイバンド選択時はバラクタダイオード２１の電圧−容量変化カーブのうち容量変化範囲の大きい領域を使用して共振信号を生成し、ＶＨＦローバンド選択時はバラクタダイオード２１の電圧−容量変化カーブのうち容量変化範囲の小さい領域を使用して共振信号を生成する。 - 特許庁

To provide a varactor having a structure which allows an impurity distribution in a depletion layer region to be controlled accurately and is easy to reduce a leak current.例文帳に追加

空乏層領域の不純物分布を精度よく制御できる構造を持ち、しかも容易にリーク電流を削減できる構造を持ったバラクタを提供することを目的とする。 - 特許庁

In the varactor element 13, the surface of the p-type substrate 1 is formed with an N well 2, and a gate insulating film 6 is formed on the N well 2, and an n-type polysilicon layer 4 is formed on the gate insulating film 6.例文帳に追加

バラクタ素子１３においては、Ｐ型基板１の表面にＮウエル２を形成し、その上にゲート絶縁膜６を設け、その上にＮ型ポリシリコン層４を設ける。 - 特許庁

The oscillator is provided with a varactor diode 21 an end of which tuning voltage Vt is impressed, a capacity coupling capacitor 11, a VHF oscillating circuit 10, and a 1/2 frequency divider 30.例文帳に追加

この発振装置は、一端に同調電圧Ｖｔが印加されるバラクタダイオード２１、容量結合コンデンサ１１、ＶＨＦ発振回路１０と、１／２分周器３０とを備える。 - 特許庁

To provide a reflection type phase shifter capable of suppressing variations in insertion losses in phase shift by suppressing a change in an equivalent resistance of a varactor diode due to a change in an inter-terminal capacitance and to provide a control method thereof.例文帳に追加

端子間容量変化に伴うバラクタダイオードの等価抵抗の変化を抑制し、移相変化時の通過損失を変動を抑え得る反射型移相器を得る。 - 特許庁

To provide a frequency variable oscillator without the need for mount of a lumped constant element such as a varactor element wherein deterioration in the oscillation characteristic due to a parasitic reactive component or the like is less.例文帳に追加

可変容量素子などの集中定数素子の実装をともなわず、寄生リアクタンス成分などによる発振特性の劣化が少ない周波数可変発振器を提供することである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing a spiral inductor included in a VCO, a parasitic inductor added to wiring for connecting a MOS varactor and/or parasitic capacitance.例文帳に追加

ＶＣＯに含まれるスパイラルインダクタとＭＯＳバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および／または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

Antenna elements 1 and 2 are non-feeding elements, arranged in almost in parallel mutually on a main surface 10A of the substrate 10 along z axis direction, and varactor diode which is a variable capacitance element is charged.例文帳に追加

アンテナ素子１，２は、無給電素子であり、ｚ軸方向に沿って基板１０の一主面１０Ａに相互に略平行に配置され、可変容量素子であるバラクタダイオードが装荷される。 - 特許庁

A voltage control signal of the oscillation circuit unit 1 is applied to varactor diodes 32 and 34 of the trap circuits 3 and 4 to interlock a trap frequency of the trap circuits 3 and 4 with an oscillation frequency.例文帳に追加

発振回路部１の電圧制御信号をトラップ回路３、４のバラクタダイオード３２，３４に印加してトラップ回路３、４のトラップ周波数を発振周波数に連動させる。 - 特許庁

A resonance circuit 2 comprises: a choke coil L4; a varactor diode D1; coupling capacitors C9, C10; a resonance capacitor C11; a resonator SL2; and a bypass capacitor C12.例文帳に追加

共振回路２は、チョークコイルＬ１と、可変容量ダイオードＤ１と、結合コンデンサＣ９，Ｃ１０と、共振用コンデンサＣ１１と、共振器ＳＬ２と、バイパスコンデンサＣ１２とで構成されている。 - 特許庁

Since the potentials of input terminals IN1 and IN2 have the potential of the test control voltage signal TC, the varactor diodes VD1 and VD2 are in a forward bias state and the capacitance becomes larger.例文帳に追加

入力端子ＩＮ１、ＩＮ２の電位は、テスト制御電圧信号ＴＣの電位にあるので、バラクタダイオードＶＤ１、ＶＤ２は、順バイアス状態となって、容量値がより大きくなる。 - 特許庁

The differential variable capacitance circuit 150 has a configuration wherein at least a set of varactor diodes 115a, 115b are connected in an anti-parallel manner and are separated in a DC manner by means of capacitors 113a, 113b, 114a, 114b.例文帳に追加

差動可変容量回路１５０は、少なくとも１組のバラクタダイオード１１５ａ，１１５ｂを逆並列に接続し、コンデンサ１１３ａ，１１３ｂ，１１４ａ，１１４ｂで直流的に分離した構成とする。 - 特許庁

A directivity switching means 20 changes control voltage setting supplied to varactor diodes 11-16 of an array antenna 10 to switch directivity of the array antenna 10 sequentially in n of directions.例文帳に追加

指向性切換手段２０は、アレーアンテナ１０のバラクタダイオード１１〜１６に供給する制御電圧セットを変えてアレーアンテナ１０の指向性をｎ個の方向に順次切換える。 - 特許庁

Further, a number of varactor diodes for direct modulation to be connected in a resonance circuit inside a VCO circuit can be varied with the control output voltage or frequency dividing ratio as well.例文帳に追加

さらに、前記制御出力電圧又は分周比を以て、ＶＣＯ回路内の共振回路に含まれる直接変調用バラクタダイオードの接続数を可変するようにしても良い。 - 特許庁