「Varactor」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a FSK detection circuit capable of minimizing a change in an FSK detection output level by applying an AFC signal to an LC parallel resonance circuit 14 and connecting a level compensation varactor element 15(3) with the AFC signal applied thereto to a 90-degree phase shift circuit 15.例文帳に追加

ＬＣ並列共振回路１４にＡＦＣ信号を印加し、９０°移相回路１５にＡＦＣ信号を印加したレベル補償用電圧可変容量素子１５（３）を接続し、ＦＳＫ検波出力レベル変化を最小限に抑えるＦＳＫ検波回路を提供する。 - 特許庁

The Gunn diode voltage controlled oscillator is provided with a transmission line connected to a signal electrode to be connected to a Gunn diode, the end of the transmission line is used for a connection electrode for one electrode of a varactor diode, and one open stub or more is provided to the end of the transmission line or to the midway of the transmission line.例文帳に追加

ガンダイオードを接続する信号電極に接続した伝送線路を設け、該伝送線路の端部をバラクタダイオードの一方の電極の接続用電極とするとともに、前記伝送線路の端部又は途中の部分に一個又は複数個のオープンスタブを設けた。 - 特許庁

To provide a voltage controlled oscillator circuit which can easily be adjusted while using a varactor with a variable frequency range of 2-GHz self-resonance frequency and stable oscillation output characteristics can be obtained, even when the circuit is oscillated at a high frequency of, for example, over 2 GHz.例文帳に追加

本発明は、例えば２ＧＨｚ以上の高周波発振させても、可変周波数度合を自己共振周波数的２ＧＨｚの可変容量ダイオードを用いたまま、容易に調整でき、安定な発振出力特性が得られる電圧制御発振回路を提供する。 - 特許庁

To provide a temperature compensation piezoelectric oscillator by avoiding a temperature compensation voltage from being a voltage at a minimum capacitance (Cmin) so as to suppress variations in a load capacitance at a high temperature in order to avoid an unstable region caused around the minimum capacitance in C-V characteristics of a MOS varactor.例文帳に追加

ＭＯＳ型バラクタのＣ−Ｖ特性における容量最小値（Ｃｍｉｎ）付近の不安定領域を回避するために、温度補償電圧が容量最小値のときの電位差にならないようにして、高温時の負荷容量変動を抑制した温度補償型圧電発振器を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a crystal vibrator 2 is connected to the input terminal of the amplifier 1, an inductive reactance circuit 3 in place of an extension coil L is inserted between the crystal vibrator 2 and ground and a varactor diode CD is connected to a terminal A via a bias resistor RD whose resistance is comparatively higher.例文帳に追加

さらに前記増幅器１の入力端に水晶振動子２を接続し、水晶振動子２とアース間に伸長コイルＬの替わりに誘導性リアクタンス回路３を挿入し、比較的大きなバイアス抵抗ＲＤを介し可変容量ダイオードＣＤを接続した構成をとる。 - 特許庁

When the switch A10 connects contacts a1, b1, on the other hand, and a transmission signal with a voltage V_AC is received, a rectification action of the varactor diode 13 causes V_DC, I_D, and acts as a self-adjustment variable reactance section where its own reactance value is changed to reach a resonance state.例文帳に追加

一方、ａ１とｂ１を接続した場合では、Ｖ_ＡＣの電圧を持つ送信信号が入力されると可変容量ダイオード１３の整流作用によりＶ_ＤＣ、Ｉ_Ｄが生じ、自身のリアクタンス値が変化して共振状態に近づく自己調整可変リアクタンス部になる。 - 特許庁

When the semiconductor integrated circuit is provided with a control circuit for controlling the potential difference obtained by subtracting the potential of the well area from the potential of the electrode to zero and less during the operation stand-by period of a MOS varactor element having a P well, transition time from the operation stand-by state to an optional capacity stable state can be shortened.例文帳に追加

また、Ｐウェルを有するＭＯＳバラクタ素子の動作待機時に電極の電位からウェル領域の電位を引いた電位差を０以下にする制御回路を備えることにより、動作待機時から任意の容量安定状態への過渡時間を短くすることが可能となる。 - 特許庁

The antenna element 3 is roughly configured by patterning in total 4 layers of radiation conductors 5 to 8 to both ceiling and bottom faces and an intermediate layer of the dielectric base 4 adopting a multilayer structure, connecting the radiation conductors 5 to 8 in parallel and incorporating a varactor element 9 and a capacitor 10.例文帳に追加

このアンテナ素子３は、多層構造の誘電体基体４の天地両面と中間層に計４層の放射導体５〜８をパターニングして、各放射導体５〜８を並列に接続すると共に、可変容量素子９やキャパシタ１０を組み込んで概略構成されている。 - 特許庁

When a semiconductor integrated circuit is provided a with control circuit for controlling a potential difference obtained by subtracting the potential of a well region from the potential of an electrode to zero and more during the operation stand-by period of a MOS varactor element having an N-well, the transition time from an operation stand-by state to an optional capacity stable state can be shortened.例文帳に追加

Ｎウェルを有するＭＯＳバラクタ素子の動作待機時に電極の電位からウェル領域の電位を引いた電位差を０以上にする制御回路を備えることにより、動作待機時から任意の容量安定状態への過渡時間を短くすることが可能となる。 - 特許庁

Each fixed electrode 10 of the varactor 1 is disposed in a region facing a circle C inscribed with a square of the movable electrode 8 on an upper surface 2A of a substrate 2, and the fixed electrode 10 is not disposed in a region facing each vertex 8A of the movable electrode 8.例文帳に追加

可変容量素子１の各固定電極１０を、基板２の上面２Ａにおいて、可動電極８の正方形に内接する円Ｃと対向する領域内に配置し、可動電極８の各頂点部分８Ａに対向する領域に固定電極１０が配置されない構成とする。 - 特許庁

The delay quantity adjusting circuit 100 is constituted by arranging a transmission line 10, a floating conductor 20, and a ground conductor 30 opposite each other across a dielectric substrate 40 and connecting varactor diodes 52 and 54 between the floating conductor 20 and ground conductor 30.例文帳に追加

遅延量調整回路１００は、誘電体基板４０を介して伝送線路１０とフローティング導体２０および接地導体３０とを対向配置するとともに、フローティング導体２０と接地導体３０との間に可変容量ダイオード５２、５４を接続することにより形成されている。 - 特許庁

A self-adjustment/external control switching variable reactance section 1 includes: a capacitor A16 for receiving a transmission signal input; a buffer 18 for receiving a control signal input; an inductor 14; a varactor diode 13; resistors B21, B15; a capacitor B15; a fixed voltage power supply 12; a circuit ground 19; a filter 11; and an amplifier 17.例文帳に追加

送信信号入力を受ける容量Ａ１６と、制御信号入力を受けるバッファ１８と、インダクタ１４と、可変容量ダイオード１３と、抵抗Ａ２０と、抵抗Ｂ２１と、容量Ｂ１５と、固定電圧電源１２と、回路グランド１９と、フィルタ１１と、増幅器１７とを備える。 - 特許庁

To detect the capacitance values of varactors by detection systems smaller in number than that of the varactors, in an inertia sensor which has a plurality of movable bodies to be displaced by an inertial force, detects the capacitance value of the varactor formed by each movable body, and detect the inertial force.例文帳に追加

慣性力によって変位する可動体を複数有し、各可動体によって形成される可変容量素子の容量値を検出して、慣性力を検出する慣性センサにおいて、可変容量素子の容量値の検出を可変容量素子の数よりも少ない検出系で行うこと。 - 特許庁

To provide a modulation circuit that has less adjustment positions in comparison with that of a conventional circuit or the like employing a varactor element, reduces the cost and can generate a modulated signal including a frequency modulation component and a pulse width modulation component and to provide a transmitter and a receiver provided with the circuit.例文帳に追加

従来の可変容量素子を用いた回路等に比して調整箇所が少なく、低コスト化を図ることができる、周波数変調成分及びパルス幅変調成分を含む被変調信号を発生し得る変調回路並びに該回路を備えた送信機及び送受信機を提供する。 - 特許庁

The oscillation circuit is provided with an inverting circuit 13, a resistive element 12 that is connected between an input and an output of the inverting circuit and a series circuit that consists of at least an oscillator 10 and a varactor element 1 connected in series and is connected between the input and the output of the inverting circuit.例文帳に追加

反転回路１３と、反転回路の入出力間に接続された抵抗素子１２と、少なくとも発振子１０及び可変容量素子１１が直列に接続された直列回路であって、反転回路の入出力間に接続された直列回路とを具備する。 - 特許庁

A DC-cut capacitor 103 (104) is provided between a connecting point of a varactor element 107 (108) and a piezoelectric vibrator 102 and one terminal of an inverting amplifier 101 and a control voltage for oscillating frequency adjustment is applied to the connecting points.例文帳に追加

電圧可変容量素子１０７および１０８と圧電振動子１０２を接続した接続点と反転増幅器１０１の一方の端子との間に直流カット容量１０３および１０４を設けるとともに、前記接続点に発振周波数調整用の前記制御電圧を印可する。 - 特許庁

Based on the length L of the earphone cable 2, a controller 10 controls a reverse bias voltage applied to varactor diode 63 so that the impedance Zp of the earphone cable 2 which is viewed from an output terminal T4 of the variable impedance matching circuit 14 is matched to an input impedance Zin of the tuner 15.例文帳に追加

コントローラ１０は、イヤホンケーブル２の長さＬに基づいて、可変インピーダンス整合回路１４の出力端子Ｔ４から見たイヤホンケーブル２のインピーダンスＺｐをチューナ１５の入力インピーダンスＺｉｎに整合させるように、バラクタダイオード６３に印加する逆バイアス電圧を制御する。 - 特許庁

To assure that a varactor does not fail as the result of stress that possibly separates a dielectric material from a conductive element, this MEMS variable capacitor contains a CMOS manufacturing step combined with an elastomeric material selectively used in a region where stress is maximum.例文帳に追加

導電要素から誘電材料を分離させる可能性がある応力の結果としてバラクタが故障しないことを保証するために、このＭＥＭＳ可変コンデンサは、応力が最も大きい領域で選択的に使用されるエラストマー材料と組み合わせたＣＭＯＳ製造ステップを含む。 - 特許庁

The antenna element 12 is e.g., an inverted-F type dielectric antenna, and the antenna resonance frequency is changed in response to the reception frequency by applying a DC bias voltage to the tuner section 13 to properly change the capacitance of the varactor diode 16.例文帳に追加

このアンテナ素子１２は例えば逆Ｆ型の誘電体アンテナであって、チューナ部１３側から直流バイアス電圧を印加してバラクタダイオード１６の容量値を適宜変化させることにより、アンテナ共振周波数を受信周波数に応じて変化させることができる。 - 特許庁

An capacitance control circuit 12 controls the capacitance of varactor diodes D1, D2 by bringing the zero point of the gain (amplification factor) into a frequency band of the frequency characteristic so as to extend the flat area of the frequency characteristic when increasingly controlling the gain of the gain control circuit 11.例文帳に追加

容量制御回路１２は、利得制御回路１１が利得を大きく制御する場合には、利得（増幅度）の持つ零点を周波数特性の帯域内に持ってきて、周波数特性の平坦域を拡大するように、可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２の容量値を制御する。 - 特許庁

The circuit 1 preferably includes a varactor diode D, selects many pieces of digital data S6 stored preliminarily in a storage circuit 4 and is controlled with a small step, for instance 0.1 dB as a control voltage S4 of a prescribed range by a control circuit 2 through a D/A converter 3.例文帳に追加

可変減衰回路１は好ましくはパラクタダイオードＤを含み、記憶回路４に予め記憶された多くのデジタルデータＳ６を選択してＤ／Ａ変換器３を介して制御回路２により所定範囲の制御電圧Ｓ４として微小ステップ、例えば０．１ｄＢで制御される。 - 特許庁

The voltage-controlled filter whose pass center frequency is controlled is configured by connecting varactor diodes X1, X2 to a coupling circuit comprising microstrip lines MSL1, MSL2 and the MSL1, MSL2 are connected to input output terminals J1, J2 via coupling capacitors C9, C10.例文帳に追加

バラクタダイオードＸ１，Ｘ２はマイクロストリップラインＭＳＬ１，ＭＳＬ２で構成される結合回路に接続され、ＭＳＬ１，ＭＳＬ２はカップリングコンデンサＣ９，Ｃ１０を介して入出力端子Ｊ１，Ｊ２と接続され、通過中心周波数が制御される電圧制御フィルタが構成されている。 - 特許庁

On the other hand, the capacitance control circuit 12 controls the capacitance of the varactor diodes D1, D2 by bringing the zero point of the gain to the out-band of the frequency characteristic so as to prevent the gain increase within the frequency band when decreasingly controlling the gain of the gain control circuit 11.例文帳に追加

一方、容量制御回路１２は、利得制御回路１１が利得を小さく制御する場合には、その零点を周波数特性の帯域外に飛ばして、周波数帯域内の利得が持ち上がりを生じないように、可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２の容量値を制御する。 - 特許庁

The varactor comprising, on a base substrate, a 1st capacity electrode, a 2nd capacity electrode, and a thin-film dielectric layer with dielectric constant varied depending on a voltage, is characterised in that a bias voltage and a control voltage are superposed one over the other to be applied to the 1st capacity electrode.例文帳に追加

本発明は、支持基板上に、第１の容量電極と、第２の容量電極と、電圧により誘電率が変化する薄膜誘電体層から成る可変容量素子において、前記第１の容量電極にバイアス電圧と、制御電圧とが重畳して印加させたことを特徴とする容量調整方法である。 - 特許庁

An input tuning circuit 30 includes: inductors L1 and L2; a varactor diode VD1 constituting a tuning circuit with the inductors L1 and L2; an inductor L5 where a synthesized inductance value is set to be smaller than an inductance value of the inductors L1 and L2 in a state where it is connected to the inductors L1 and L2; and a transistor TR1.例文帳に追加

入力同調回路３０は、インダクタＬ１、Ｌ２と、インダクタＬ１、Ｌ２と共に同調回路を構成するバラクタダイオードＶＤ１と、インダクタＬ１，Ｌ２に接続された状態では合成インダクタンス値がインダクタＬ１，Ｌ２のインダクタンス値より小さくするように設定されたインダクタＬ５と、トランジスタＴＲ１とを備える。 - 特許庁

In the antenna device 1 for receiving the television broadcast to the antenna element 30 comprising a base 2 and a radiation conductor 3 to which a power supply signal is supplied via a matching circuit, the matching circuit has variable capacity elements (varactor diodes) 4, 5 and inductance elements 6, 7 and serially connected to a power supply part P of the radiation conductor 3.例文帳に追加

基体２と放射導体３からなるアンテナ素子３０に整合回路を介して給電信号が供給されるテレビジョン放送受信用のアンテナ装置１であって、この整合回路が可変容量素子（バラクタダイオード）４，５とインダクタンス素子６，７とを有して放射導体３の給電部Ｐに直列に接続されている。 - 特許庁

The resonance circuit consisting of a varactor diode VD and a microstrip line L1 and the amplifier circuit 110 are coupled via a coupling line CL being the capacitive element, and a distal end open stub ST1 acting like a resonance frequency adjustment circuit is provided between the coupling line CL and the amplifier circuit 110.例文帳に追加

可変容量ダイオードＶＤとマイクロストリップ線路Ｌ１とからなる共振回路と増幅回路１１０との間を容量素子としての結合線路ＣＬを介して結合させ、この結合線路ＣＬと増幅回路１１０との間に共振周波数調整回路としての先端開放スタブＳＴ１を設ける。 - 特許庁

The resonance circuit 11 selects either of the two different frequencies and provides an output of a signal resonated at the selected frequency, and is provided with a varactor diode VD11, a diode D11, resistors R11-R13, 1st and 2nd strip lines L11, L12, and capacitors C11-C13.例文帳に追加

共振回路１１は、異なる２つの周波数のいずれかを選択し、その選択された周波数で共振された信号を出力する回路であり、可変容量ダイオードＶＤ１１、ダイオードＤ１１、抵抗Ｒ１１〜Ｒ１３、第１及び第２のストリップラインＬ１１，Ｌ１２、並びに、コンデンサＣ１１〜Ｃ１３を備える。 - 特許庁

A digital tuner part 2 which receives a digital signal of a receiving channel having predetermined bandwidth is connected to the rear stage of the antenna device 1 with built-in radiation conductors 22a-22f and varactor diodes 23a-23f and a digital receiving signal output from the digital tuner part 2 is input in a demodulation circuit 3 to be demodulated.例文帳に追加

放射導体２２ａ〜２２ｆとバラクタダイオード２３ａ〜２３ｆとを内蔵するアンテナ装置１の後段に、所定の帯域幅を持つ受信チャンネルのデジタル信号を受信するデジタルチューナ部２を接続し、デジタルチューナ部２から出力されるデジタル受信信号を復調回路３に入力して復調する。 - 特許庁

The epitaxial growth of the n-type Si layer at temperatures ranging from approximate 1,000 to 1,200°C causes an impurity in an embedded type impurity layer to rise at the n-type Si layer side, however, the impurity diffusion from the embedded impurity layer in the varactor-forming region with the carbon introduced on its surface is suppressed to suppress the rise of the phosphorous.例文帳に追加

Ｎ型Ｓｉ層は約１０００〜１２００℃でエピタキシャル成長させるため、埋め込み型不純物層中の不純物がＮ型Ｓｉ層側にせり上がってくるが、表面にカーボンが導入されているバラクタ形成領域は埋め込み不純物層からの不純物拡散が抑制され、リンのせり上がりを抑制できる。 - 特許庁

This varactor diode does not have a junction formed of the p^+ diffusion layer which is hard to vary in capacity and has high resistance and the n type epitaxial layer 20, so the capacity variation rate of the p-n junction is improved and the diode is driven with the low voltage, so that the capacity variation of the p-n junction can follow up a high-frequency voltage.例文帳に追加

本発明の可変容量ダイオードでは、容量が変化しにくく高抵抗であるｐ^+拡散層４０とｎ型エピタキシャル層２０との接合が形成されないので、ｐｎ接合の容量変化率が向上して低電圧で駆動されるようになり、ｐｎ接合の容量変化が高周波の電圧に追従できるようになる。 - 特許庁

A process of introducing impurities of a 1st conductivity into only a 2nd region where the varactor diode is formed to the processes of forming other elements and diffusion is carried out in an existing heat-treating process to form a 1st conductivity diffusion layer 106 which contacts the reverse surface of a 2nd conductivity diffusion layer 107.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板に他の素子を形成するプロセスに対して、可変容量ダイオードを形成する第２領域のみに第１導電型の不純物を導入する工程を追加し、既存の熱処理工程で拡散を行うことによって、第２導電型拡散層１０７の下面に接する第１導電型拡散層１０６を形成する。 - 特許庁

The impedance variation circuit can be configured with: a parallel resonance circuit connected to the output of the voltage-controlled oscillator and comprising a varactor diode D and a coil L; a DC voltage bias circuit connected to the output of the parallel resonance circuit and comprising a plurality of resistors R7, R8; and a coupling capacitor C connected to input and output sides of the DC voltage bias circuit.例文帳に追加

インピーダンス変動回路は、電圧制御発振器の出力側に接続され、バラクタダイオードＤ及びコイルＬからなる並列共振回路と、並列共振回路の出力側に接続され、複数の抵抗Ｒ７、Ｒ８からなる直流電圧バイアス回路と、この回路の入出力側に接続された結合コンデンサＣとで構成することができる。 - 特許庁

When the output modulates an output of the voltage-controlled oscillator, since an inductance change in the resonance circuit of the voltage-controlled oscillator and a capacitance change in the varactor diode 31 connected to the amplifier circuit are acted in a canceling direction with each other, the resonance frequency of the voltage-controlled oscillator is not almost fluctuated but is stably oscillated.例文帳に追加

その出力によって電圧制御発振器に変調をかけると、電圧制御発振器の共振回路のインダクタンス変化、および増幅回路に接続された可変容量ダイオード３１の容量変化が互いに打ち消しあう方向に働くことにより、電圧制御発振器の共振周波数はほとんど変動せずに安定して発振することが出来る。 - 特許庁

Then the correction address is given to a frequency correction data storage section 193b, from which frequency correction data corresponding to the correctly corrected temperature are read, a D/A converter 194A converts the frequency correction data into an analog control voltage, which is fed to a varactor element of a reference oscillator 17 to correct a temperature of the reference oscillated frequency.例文帳に追加

そして、この補正アドレスを周波数補正データ記憶部１９３ｂに与えて、上記補正した正しい温度値に対応する周波数補正データを読み出し、この周波数補正データをＤ／Ａ変換器１９４Ａでアナログ制御電圧に変換して基準発振器１７の可変容量素子１７２に供給し、これにより基準発振周波数を温度補正するようにしたものである。 - 特許庁

In this case, since a series circuit comprising a strip line and a varactor diode provided between a ground line and a base input line of a received signal amplifying transistor in the reception amplifier section 4 forms a 1/4 wavelength open stub, the excess input for a desired frequency band can be prevented by setting the series resonance frequency of the open stub equal to the desired frequency band.例文帳に追加

このとき、受信増幅部４では、受信信号増幅用トランジスタのベース入力ラインと接地ラインとの間に設けられたストリップラインと可変容量ダイオードとによる直列回路によって、１／４波長のオープンスタブが形成されているので、このオープンスタブの直列共振周波数が所望の周波数帯域となるとように設定しておくことにより、この所望周波数帯域の過大入力が防止される。 - 特許庁