「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate for immobilization for reducing nonspecific adsorption and binding and easily immobilizing physiologically active substances to a surface and to provide a method of use thereof.例文帳に追加

本発明は、非特異的な吸着・結合を抑制し、かつ生理活性物質を簡便に表面に固定化する為の固定化用基材、およびその使用方法 - 特許庁

A semiconductor chip 1, that constitutes a surface-emitting optical pumping semiconductor laser provided with an external resonator includes a substrate 2, a reflector 3 and an active layer 5.例文帳に追加

外部共振器を備えた面発光型の光ポンピング半導体レーザを構成する半導体チップ１は基板２、反射器３および活性層５を有している。 - 特許庁

There is provided the method for manufacturing a surface emitting laser having a laminate equipped with a lower multilayer film reflection mirror, an active layer and an upper multilayer film reflection mirror on a substrate.例文帳に追加

基板の上に下部多層膜反射鏡と活性層と上部多層膜反射鏡とを備えた積層体を有する面発光レーザの製造方法である。 - 特許庁

A lower semiconductor DBR 103, a resonator structure including an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107 and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁

To provide a substrate having high mechanical strength and low heat shrinkage for application of a display, other active electronic elements and a package of an optical element or the like.例文帳に追加

高い機械的強度および低い熱収縮を有する、ディスプレイ、他の能動的電子素子、および光学素子のパッケージなどの用途のための基板を提供する。 - 特許庁

To provide a gettering method, capable of suppressing the rediffusion of impurity metal gettered in a semiconductor substrate, and improving degree of cleaning a device active region.例文帳に追加

半導体基板においてゲッタリングされた不純物金属の再拡散を抑止でき、デバイス活性領域の洗浄度を向上させたゲッタリング方法を提供することにある。 - 特許庁

This quantum cascade laser is formed by including a semiconductor substrate, and an active layer where unit laminated bodies 16 each composed of a luminescent layer 17 and an injection layer 18 are laminated in multiple tiers.例文帳に追加

半導体基板と、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層された活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

An underlayer protection film 212 is formed on a quartz substrate 211, a lower conductive film 213, a lower insulation film 216, and an active semiconductor film 217 are formed.例文帳に追加

石英基板２１１上に、下地保護膜２１２を形成し、下側導電膜２１３を形成し、下側絶縁膜２１６を形成し、活性半導体膜２１７を形成する。 - 特許庁

The optical switch 1 has a low reflectance mirror 12, an active film 14 including a nonlinear optical material, and a high reflectance mirror 16 on a substrate 10 in this order.例文帳に追加

光スイッチ１は、基板１０上に、低反射率ミラー１２と、非線形光学材料を含有する活性膜１４と、高反射率ミラー１６と、を、この順で有する。 - 特許庁

A tunnel oxide layer 102 and a first conductive layer 103 are formed in an active region on a semiconductor substrate 101, an element isolation structure 104 is formed in a field region.例文帳に追加

半導体基板１０１上のアクティブ領域にトンネル酸化層１０２と第１導電層１０３を形成し、フィールド領域には素子分離構造１０４を形成する。 - 特許庁

To improve burden voltage of an insulating layer by accumulating electron holes while depleting semiconductor active layers in a lateral diode that uses an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を利用する横型ダイオードにおいて、半導体活性層の空乏化を実現しながら、正孔の蓄積による絶縁層の負担電圧の向上も実現すること。 - 特許庁

Surface portions of a semiconductor substrate (an active region) 101 in regions located at lower portions of side surfaces of a gate electrode 104A are removed and dug-down portions 121 are formed.例文帳に追加

ゲート電極１０４Ａの側面の側方下に位置する領域の半導体基板（活性領域）１０１の表面部が除去されて掘り下げ部１２１が形成されている。 - 特許庁

The equipment is provided with a first conductive cladding layer, an active layer, and a second conductive cladding layer formed on a substrate; and has stripe structure for injecting a carrier.例文帳に追加

基板上に形成された、第１の導電型クラッド層と、活性層と、第２の導電型クラッド層とを備え、キャリアを注入するためのストライプ構造を有する。 - 特許庁

Further, a thin film transistor for pixel switching is also fabricated on the element substrate 10, and a fine crystalline silicon film is also used for the active layer of the thin film transistor.例文帳に追加

また、素子基板１０上には画素スイッチング用の薄膜トランジスタも形成されているが、かかる薄膜トランジスタの能動層にも微結晶シリコン膜を用いる。 - 特許庁

An n-type drain layer 6 is formed in a depth which reaches insulator 2 from the surface of a p-type active layer 3 of low impurity concentration formed on an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板上に形成された低不純物濃度のｐ型活性層３の表面から絶縁層２に到達する深さでｎ型ドレイン層６が形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a flash memory device comprises defining a plurality of parallel active regions, by forming element isolation films in a semiconductor substrate in an embodiment.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子の製造方法は、一実施形態で、半導体基板内に素子分離膜を形成して複数の平行な活性領域を限定することを具備する。 - 特許庁

In the nonvolatile memory constituted by using a semiconductor thin film on a substrate 101 having an insulation film, the side end 110 of the active layer is formed into a taper shape.例文帳に追加

絶縁表面を有する基板１０１上の半導体薄膜を用いて構成された不揮発性メモリにおいて、活性層側端部１１０をテーパ形状に形成する。 - 特許庁

At this point, a single crystal silicon is epitaxially grown on the active region 5 in which the silicon substrate 1 is exposed, but an amorphous silicon is grown on the element isolating region 2.例文帳に追加

このとき、シリコン基板１が露出しているアクティブ領域５にはエピタキシャルに単結晶シリコンが成長するが、素子分離領域２にはアモルファスシリコンが成長する。 - 特許庁

The separation layer 102 and a thin-film transistor layer 103 with a semiconductor film as an active region are successively formed on an insulation substrate 100, and a plurality of IDF chips 104 are formed.例文帳に追加

絶縁基板１００上に剥離層１０２、半導体膜を能動領域とする薄膜トランジスタ層１０３を順次形成し、ＩＤＦチップ１０４を複数形成する。 - 特許庁

A first clad layer 2, an active layer 3, a second clad layer 4, an etching-stop layer 5, an intermediate layer 6, and a third clad layer 7, are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の上に、第１のクラッド層２、活性層３、第２のクラッド層４、エッチング停止層５、中間層６および第３のクラッド層７を形成する。 - 特許庁

The 1st external electrode 13_1 is extended from the flank 7b of the piezoelectric substrate 7 which is close to the active part to a position adjacent to a main top surface 7a and the flank 7c.例文帳に追加

第１外部電極１３_1は、圧電基板７の活性部近傍側の側面７ｂから主表面７ａと側面７ｃに隣接する位置まで延設される。 - 特許庁

And an area to be formed as an active region is exposed, under which condition a paste containing platinum is applied to the rear surface of the substrate 21 to thermally diffuse platinum.例文帳に追加

そして、活性領域を形成する部分を露出させ、その状態で半導体基板２１の裏面に白金を含有したペーストを塗布して白金を熱拡散させる。 - 特許庁

METHOD OF FORMING FUNCTIONAL MEMBRANE, LAMINATE STRUCTURE, MULTILAYER WIRING BOARD, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, IMAGE DISPLAY UNIT, DRAWING PREPARING APPARATUS, INKJET DEVICE, AND LAMINATE STRUCTURE MANUFACTURING APPARATUS例文帳に追加

機能性膜の形成方法、積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置、並びに図面製造装置、インクジェット装置、積層構造体製造装置 - 特許庁

A lower semiconductor DBR 103, a lower spacer layer 104, an active layer 105, an upper spacer layer 106, and an upper semiconductor DBR 107 are stacked on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７を積層する。 - 特許庁

Each tunnel magnetic resistance element TMR is coupled electrically to one electrode of the electrodes of each access transistor ATR formed in each active layer provided in a substrate of an underlay.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、基板の下地に設けられた活性層に形成されたアクセストランジスタＡＴＲの一方電極と電気的に結合される。 - 特許庁

In addition, since the active layer 15 is formed on the m-plane hexagonal-wurtzite single-crystal substrate 12, piezoelectric field can be suppressed, resulting in increase in the luminous efficiency.例文帳に追加

また、ｍ面六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板１２上に活性層１５が形成されているので、ピエゾ電界を抑制でき、発光効率が増大する。 - 特許庁

A lower semiconductor layer 42 for preventing damage of an active layer when a glass substrate 41 is chemically etched is made of amorphous silicon having a large etching selectivity to hydrofluoric acid.例文帳に追加

ガラス基板41を化学エッチングするときの活性層へのダメージを防止する下部半導体層42を、フッ酸に対するエッチング選択比が大きなアモルファスシリコンで構成する。 - 特許庁

A non-silicon based solar cell that consists of an active material layer 101 made of a compound semiconductor, an organic semiconductor, or the like is formed on a GaAs substrate 102.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０２上に化合物半導体あるいは有機半導体等のアクティブ材料層１０１からなる非シリコンベースの太陽電池を形成する。 - 特許庁

In the GaN-based semiconductor element 1, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4 and a p-type semiconductor layer 5 are successively laminated on an n-type GaN substrate 2.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体発光素子１は、ｎ型のＧａＮ基板２上に、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５が順次積層されている。 - 特許庁

After forming a gate electrode 32 and a gate insulating film on a substrate 12, an active layer 34 made of a polycrystalline semiconductor film is formed by a reactive thermal CVD method.例文帳に追加

基板１２上にゲート電極３２、ゲート絶縁膜を形成した後、反応性熱ＣＶＤ法によって多結晶性半導体膜からなる活性層３４を形成する。 - 特許庁

To enhance an insulation breakdown strength between polymerization parts of a data signal line and an auxiliary capacity electrode in a thin film transistor substrate of an active matrix type liquid crystal display panel.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板において、データ信号ラインと補助容量電極との重合部間の絶縁耐圧を向上する。 - 特許庁

To optimize wiring structure and assembly structure for all of an anode, grid and cathode, in an active matrix type fluorescent display device using a multi-layer ceramic substrate.例文帳に追加

多層セラミック基板を用いたアクティブマトリクス型蛍光表示装置において，アノードとグリッドとカソードのすべてについて，その配線構造や組立構造を最適化する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layr 15, and a p-type semiconductor layer are laminated on a substrate 11; and a p-side main electrode 21 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１５およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側主電極２１が設けられている。 - 特許庁

The connection wire 183 is formed by deposition of a metal membrane 140 and a transparent conductive membrane 141 as the TFT source/drain line of the active matrix substrate.例文帳に追加

接続配線１８３はアクティブマトリクス基板上のＴＦＴのソース／ドレイン配線と同じ工程で作製され、金属膜１４０と透明導電膜１４１の積層膜でなる。 - 特許庁

A two-dimensional diffraction grating 24 is provided so as to determine the wavelength of light to be generated in the active layer 16 and extends along the direction in which the main surface of the substrate 10 extends.例文帳に追加

２次元回折格子(24)は、活性層(16)において発生されるべき光の波長を規定するように設けられ、基板(10)の主面が延びる方向に沿って延びている。 - 特許庁

On an opening 30A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10, a lower clad layer 22, an active layer 23, an upper clad layer 34, and a contact layer 28 are formed in order.例文帳に追加

基板１０表面の絶縁層２０の開口３０Ａ上に、下部クラッド層２２と、活性層２３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層２８とが順に形成されている。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate in which correction of a defect is easy and yield decrease caused by a conductive piece prepared for defect correction is suppressed.例文帳に追加

画素欠陥の修正が容易で、かつ、欠陥修正用に設けられた導電片に起因した歩留まりの低下が抑制されたアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

In this active matrix substrate, a source line 9 is connected to a video signal line 12 via an analog switch 10 and a switch for readout 4 which are turned ON/OFF by a source line driving circuit 8.例文帳に追加

ソースライン９は、ソースライン駆動回路８によりＯＮ／ＯＦＦされるアナログスイッチ１０および読出用スイッチ４を介して、映像信号線１２に接続されている。 - 特許庁

The quantum cascade laser is composed of: a semiconductor substrate; and an active layer configured by laminating multiple stages of unit laminates 16 each of which includes a light-emitting layer 17 and an injection layer 18.例文帳に追加

半導体基板と、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層された活性層とによって量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

A layer having a binding site and an electricity conducting site is formed on a counter electrode substrate, and a catalytic active layer comprising a conductive polymer layer is formed on the layer.例文帳に追加

対極基体上に結着部位と電気導通部位とを有する層を形成し、該層上に導電性高分子層からなる触媒活性層を形成する。 - 特許庁

To obtain a method for producing a multiplayer substrate in which a thin film semiconductor active layer having a uniform thickness can be formed while enhancing the work efficiency.例文帳に追加

作業効率を向上させ、また、膜厚が均一で薄膜化された半導体活性層を形成することが可能である多層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a laminated wafer in which a region differing in crystal plane is easily formed on a surface of a wafer for an active layer of a laminated substrate.例文帳に追加

貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成可能な貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display having superior response speed, without rubbing a substrate on which an active matrix structure is formed.例文帳に追加

液晶表示装置に関し、アクティブマトリクス構造が設けられた基板をラビングすることなく、応答速度の優れた液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The transmission line 103 connected to an active element and a pad 102 connected to the tip of the transmission line 103 are arranged on the surface of a GaAs substrate 109.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０９の表面に、能動素子に接続する伝送線路１０３と、この伝送線路１０３の先端に接続されたパッド部１０２とを備える。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a first conductivity type clad layer, an active layer, and a second conductivity type clad layer formed on a substrate, and also has a stripe structure for injecting a carrier.例文帳に追加

基板上に形成された、第１の導電型クラッド層と、活性層と、第２の導電型クラッド層とを備え、キャリアを注入するためのストライプ構造を有する。 - 特許庁