「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, a backside exposure process is performed on the active device array substrate, by using the opaque metal layer as a mask to form a black matrix defining a plurality of pixel regions.例文帳に追加

次に、複数の画素領域を定義するブラックマトリックスが不透明金属パターンをマスクとして使用する背面露光プロセスにより能動デバイスアレイ基板上に形成される。 - 特許庁

Each laser stripe has a p-side common electrode 48 on a mesa 46 formed on a sapphire substrate 44, and has each of active regions 50A to D.例文帳に追加

レーザストライプは、それぞれ、サファイア基板４４に形成されたメサ４６上にｐ側共通電極４８を有して設けられ、それぞれ、活性領域５０Ａ〜Ｄを備えている。 - 特許庁

To decrease short circuits between adjacent pixel electrodes and to improve the yield in an electrode substrate for a display device used for an active matrix type liquid crystal display.例文帳に追加

アクティブマトリクス型の液晶表示装置に用いられる表示装置用電極基板において、隣接する画素電極同士によるショートを減らして歩留まりを向上させる。 - 特許庁

A first gate insulation film 5 and a polycrystalline silicon film 6 are successively formed on an active region 3 formed on a silicon substrate 1, and a floating gate electrode is provided.例文帳に追加

シリコン基板１に形成した活性領域３上に第１のゲート絶縁膜５、多結晶シリコン膜６が順次形成され、フローティングゲート電極が設けられている。 - 特許庁

PRODUCTION OF IMMOBILIZED LIPASE, ENZYME CATALYTIC OR ENANTIO-SELECTIVE CONVERSION OF SUCH LIPASE AND SUBSTRATE, PRODUCTION OF OPTICALLY ACTIVE COMPOUND AND USE OF IMMOBILIZED LIPASE例文帳に追加

固定化リパーゼの製造方法、かかるリパーゼ、基質の酵素触媒的またはエナンチオ選択的な変換方法、光学活性化合物の製造方法、ならびに固定化リパーゼの使用 - 特許庁

The chip 10 is constituted by stacking an n-type clad layer 22, an active layer 24, a p-type clad layer 26, and a p-type contact layer 28 in this order on an n-type GaN substrate 20.例文帳に追加

チップ１０は、ｎ型クラッド層２２、活性層２４、ｐ型クラッド層２６、ｐ型コンタクト層２８がこの順にｎ型ＧａＮ基板２０に積層して構成される。 - 特許庁

To provide a display device that can be manufactured at low cost and increase in size is easy, and to provide an active element array substrate, used suitably for the display device, and to provide an amplifying element.例文帳に追加

低コストで製造でき、大型化が容易な表示装置およびそのような表示装置に好適に用いられる能動素子アレイ基板ならびに増幅素子を提供する。 - 特許庁

After the paste-like active material is filled in a substrate formed of a lead alloy, barometric pressure of the atmosphere in the furnace is controlled in at least one of preliminary drying, aging and drying processes.例文帳に追加

鉛合金からなる基板にペースト状活物質を充填後、予備乾燥、熟成、乾燥のうち少なくとも１つの工程おいて、炉内の雰囲気の気圧を制御する。 - 特許庁

An isolating oxide film 32 is provided, which is formed so that the interface with an active region 34 extends at an angle of 45°±10° to a cleavage plane of a Si substrate 30.例文帳に追加

活性領域３４との境界面が、シリコン基板３０の劈開面方向に対して４５°±１０°の方向に延在するように形成された分離酸化膜３２を備える。 - 特許庁

Opposing electrodes 2 to pinch an electrolyte film having a proton conductivity are composed of an electrode substrate 21 consisting of a conductive material and provided with gas permeability, of a catalyst active material 22 directly dispersed and carried on the electrode substrate 21, and of an electrolyte thin film 23 which is covered on the surfaces of the electrode substrate 21 and the catalyst active material 22, and which has the proton conductivity.例文帳に追加

プロトン伝導性を有する電解質膜を挟んで対向する電極２が、導電性材料よりなりガス透過性を備えた電極基材２１と、電極基材２１上に直接、分散担持された触媒活性物質２２と、電極基材２１及び触媒活性物質２２の表面に被覆されたプロトン伝導性を有する電解質薄膜２３とからなることを特徴とする。 - 特許庁

A light emitting diode 10, having a semiconductor substrate 11 and a single hetero-structure formed thereon and having at least a p-type active layer 13 and an n-type clad layer 14, is formed by forming an absorption layer 12 for absorbing light emitted by a light emitting layer, and having secondary light emitting intensity lower than the semiconductor substrate 11 between the active layer 13 and the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１と、その上に形成された少なくともｐ型の活性層１３及とｎ型のクラッド層１４とを備えたシングルヘテロ構造の発光ダイオード１０において、活性層１３と半導体基板１１との間に、発光層で発光した光を吸収すると共に、半導体基板１１より二次発光強度が低い吸収層１２を形成することにより、発光ダイオード１０を構成した。 - 特許庁

A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.例文帳に追加

基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

A vertical resonator is provided on a substrate 101, and the vertical resonator includes a first reflective layer 102 on the substrate 101, an active layer 104 provided on the first reflective layer 102, a current confinement structure provided over the active layer 104, and a second reflective layer 109 provided over the current confinement structure.例文帳に追加

基板１０１上に垂直共振器が設けられ、垂直共振器は基板１０１上の第１反射層１０２と、第１反射層１０２上に設けられた活性層１０４と、この活性層１０４の上部に設けられた電流狭窄構造と、この電流狭窄構造の上部に設けられた第２反射層１０９とを含む。 - 特許庁

An active layer 1, a light confinement layer and a reflection structure for initiating laser oscillation are formed on a substrate 5, the upper light confinement layer is made a ridge structure, a part of a compound semiconductor on the substrate 5 is made as a semi-insulating layer through impurity diffusion, and the region of the active layer 1 is set to be positioned directly under the ridge structure.例文帳に追加

基板上に活性層と光閉じ込め層とレーザ発振を起こさせるための反射構造とを形成し、上部の光閉じ込め層をリッジ構造にし、基板上に有する化合物半導体の一部を不純物拡散によって半絶縁層化した層により、活性層の領域をリッジ構造の直下に設定する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: a semiconductor substrate; an active region formed in a tap region 40 of the semiconductor substrate; a transistor region 36; and a silicide wiring region 38; a gate electrode 21 formed on the silicide wiring region 38 down to the transistor region 36; and a metal silicide layer 44a provided on the active region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板のタップ領域４０、トランジスタ領域３６、及びシリサイド配線領域３８に形成された活性領域と、シリサイド配線領域３８上からトランジスタ領域３６上に亘って形成されたゲート電極２１と、活性領域上に設けられた金属シリサイド層４４ａとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor laser device 1A includes: a group-III nitride substrate 11 whose main surface 11a is the nonpolarity surface; an active layer 27 with the In that is provided on the group-III nitride substrate 11; and a diffraction grating layer 17 that is provided along the active layer 27 and includes a periodic structure where a refractive index periodically varies in one- or two-dimension.例文帳に追加

半導体レーザ素子１Ａは、非極性面を主面１１ａとするIII族窒化物基板１１と、III族窒化物基板１１上に設けられたＩｎを含む活性層２７と、活性層２７に沿って設けられ、一次元又は二次元において屈折率が周期的に変化する周期構造を含む回折格子層１７とを備える。 - 特許庁

In an active matrix type liquid crystal display device including the active matrix substrate 1 wherein a thin film transistor 14 and a pixel part 13 are formed on a transparent insulative substrate 10, a gate electrode 15 and the scanning line 11 connected to it of the thin film transistor 14 have a TiN/Ti/Al structure, a TiN/Al/Ti structure, or a TiN/Ti/Al/Ti structure.例文帳に追加

透明絶縁性基板１０上に薄膜トランジスタ１４及び画素部１３が形成されたアクティブマトリクス基板１を含むアクティブマトリクス型液晶表示装置において、薄膜トランジスタ１４のゲート電極１５及びこれに接続される走査線１１をＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ構造、あるいは、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ構造、さらには、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造とする。 - 特許庁

The organic photoelectric conversion element comprises: a substrate 2; a pair of electrodes formed on the substrate 2, at least one of which is transparent; an active layer 9 formed including an electron acceptor 6 and an electron donor 5; and a benzoporphyrin compound layer formed containing a benzoporphyrin compound represented by formula (I) or (II), between one of the electrodes and the active layer 9.例文帳に追加

基板２と、基板２上に形成された、少なくとも一方が透明な一対の電極と、電子受容体６及び電子供与体５を含んで形成された活性層９と、一方の該電極と活性層９との間に、下記式（Ｉ）または（II）で表わされるベンゾポルフィリン化合物を含んで形成されたベンゾポルフィリン化合物層とを備える。 - 特許庁

This electromagnetic wave detector is equipped with an active matrix substrate 11, which has the signal input terminal 41 and signal output terminal 42 at the peripheral part, a semiconductor film 12, which is provided on the active matrix substrate 11 and has electromagnetic wave conductivity, and the bias electrode 13 which has a connection part 13a for a bias supply power source and applies bias voltage to a semiconductor film.例文帳に追加

信号入力端子４１および信号出力端子４２を周辺部に有するアクティブマトリクス基板１１と、このアクティブマトリクス基板１１上に設けられた電磁波導電性を有する半導体膜１２と、バイアス供給電源との接続部１３ａを有し、半導体膜にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極１３とを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of providing an electrode pad 12 in the active side of a substrate 10 through an insulation layer 22, and forming a through electrode 30 by embedding a conductive material into a hole portion H3 reaching from the rear side opposite to the active side to the insulation layer 22 formed in the substrate 10 right above the electrode pad 12.例文帳に追加

基板１０の能動面側に絶縁層２２を介して電極パッド１２が設けられ、電極パッド１２直上の基板１０に形成された、能動面と反対の裏面側から絶縁膜２２まで到達する孔部Ｈ３に、導電材料を埋め込んで貫通電極３０を形成する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The display device is provided with a substrate having a main surface and the rear surface opposite to the main surface, a wiring group and an active element provided on the main surface of the substrate, a first interlayer insulating film which is formed by resin materials and covers the wiring group and the active element and the light emitting element provided on the first interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明による表示装置は、主面と主面に対向する裏面とを有する基板と、基板の主面上に設けられた配線群およびアクティブ素子と、樹脂材料から形成され、配線群およびアクティブ素子を覆う第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜上に設けられた発光素子とを備えている。 - 特許庁

In this liquid crystal display device in which a liquid crystal is encapsuled between plural active matrix substrates 1a, 1b respectively having plural thin film transistors an plural pixel electrodes on a substrates and a transparent counter substrate 2 having counter electrodes opposed to the pixel electrodes, plural active matrix substrates are stuck on the transparent counter substrate 2.例文帳に追加

基板上に複数の薄膜トランジスタと複数の画素電極とを有するアクティブマトリックス基板と、前記画素電極に対向する対向電極を有する透明対向基板との間に液晶を封入した液晶表示装置において、透明対向基板上に複数のアクティブマトリックス基板が貼り合わせられていることを特徴とする。 - 特許庁

First and second semiconductor lasers 10 and 20 comprising buffer layers 11 and 21, clad layers 12 and 22, quantum well active layers 13 and 23 and clad layers 14 and 24 laminated on a substrate 1 while having a stripe structure are integrated on the same substrate, and the quantum well active layer near a resonator end face is disordered by impurity diffusion.例文帳に追加

基板１上に積層されたバッファ層１１、２１、クラッド層１２、２２、量子井戸活性層１３、２３、およびクラッド層１４、２４を備え、ストライプ構造を有する第一および第二半導体レーザ１０、２０が同一基板上に集積化され、共振器端面近傍における量子井戸活性層は不純物拡散により無秩序化されている。 - 特許庁

A surface emission laser having a lower distributed reflection layer between a semiconductor substrate and an active layer, provided with an upper distributed reflection layer on the upper side of the active layer through an air gap and emitting laser light in the direction perpendicular to the semiconductor substrate from an optical resonator formed of the upper distributed reflection layer and the lower distributed reflection layer is improved.例文帳に追加

本発明は、半導体基板と活性層との間に下部分布反射層をもち、上部分布反射層を活性層の上側にエアギャップを介して設け、上部分布反射層と下部分布反射層とで光共振器を形成し半導体基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザに改良を加えたものである。 - 特許庁

A groove 14 is formed to share an active area 31 in a substrate 10, an embedded insulation film 20 is formed to fill the groove 14 therewith, a gate insulation film 21 is formed on the active area 31 of the substrate 10, and a gate electrode 22 is formed over the embedded insulation film 10 on the gate insulation film 21.例文帳に追加

基板１０に活性領域３１を区分するように溝１４を形成し、形成された溝１４を埋め込むように埋め込み絶縁膜２０を形成し、基板１０の活性領域３１上にゲート絶縁膜２１を形成し、ゲート絶縁膜２１上に埋め込み絶縁膜１０上にまで延伸してゲート電極２２を形成する。 - 特許庁

This is an improved surface emitting laser that has a lower distributed reflection layer between a semiconductor substrate and an active layer and an upper distributed reflection layer stuck to it by a joining layer at the upper side of the active layer, and uses the upper and lower distributed reflection layers to form an optical resonator, thereby emitting a laser beam in a direction perpendicular to the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は、半導体基板と活性層との間に下部分布反射層をもち、接合層で貼り合わせて上部分布反射層を活性層の上側に設け、上部分布反射層と下部分布反射層とで光共振器を形成し半導体基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザに改良を加えたものである。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes: a conductive substrate 1; a first clad layer 2 of a first conductivity type, comprising a nitride semiconductor and formed on the conductive substrate 1; an active layer 4 formed on the first clad layer 2; and a second clad layer 6 of a second conductivity type formed on the active layer 4, wherein an optical waveguide 7 is formed in the second clad layer 6.例文帳に追加

導電性基板１と、導電性基板１上に形成された窒化物半導体からなる第１導電型の第１クラッド層２と、第１クラッド層２上に形成された活性層４と、活性層４上に形成された第２導電型の第２クラッド層６とを備え、第２クラッド層６に光導波路７が形成される。 - 特許庁

The SOI wafer 1 consists of a support substrate 11 of a CZ (Czochralski zone) wafer, a separated oxide film 12 having an opening 4 narrower than a blade width within a dicing line 2 on this support substrate 11, a silicon active layer 13 arranged on the separated oxide film 12, and a connection part 14 formed of silicon which buries the opening 4 to connect with the active layer 13.例文帳に追加

ＳＯＩウェハ１は、ＣＺウェハの支持基板１１と、この支持基板１１上にダイシングライン２内でブレード幅より狭い開口部４を有する分離酸化膜１２と、分離酸化膜１２上に配置されるシリコンの活性層１３と、開口部４を埋め、活性層１３と接続するシリコンで形成された接続部１４とで構成される。 - 特許庁

Since an active surface 4f of the substrate 4a can be protected against flaws or contamination only by forming a protective layer 4c on the active surface 4f of the substrate 4a having a wiring pattern 4b or the like formed, a troublesome process of packaging substrates one by one and then packing or the like is not necessary, and automatic packing can be done in a conveyer-line method.例文帳に追加

配線パターン４ｂ等が形成された基板４ａの能動面４ｆに保護層４ｃを形成するだけで当該基板４ａの能動面４ｆを傷や汚染から保護することができるので、基板を一つ一つパッケージしてから梱包する等の煩雑な工程は必要なく、流れ作業で自動的に梱包を行うことができる。 - 特許庁

An integrated circuit chip includes: a plastic substrate 101; a polymer dielectric 103 placed on the substrate 101; at least one active device 104 containing an organic semiconductor material 112 and a passive layer 114 formed between electrodes; a conductive polymer 106 and/or 108 contiguous to the at least one active device 104.例文帳に追加

集積回路チップは、プラスチックの基板１０１と、基板１０１上に配されたポリマー誘電体１０３と、電極同士の間に形成された有機半導体材料１１２および受動層１１４の少なくとも１つのを含むアクティブデバイス１０４と、少なくとも１つのアクティブデバイス１０４に隣接する導電性ポリマー１０６および／または１０８とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor light emitting diode includes a substrate and an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a p-type electrode having a first metal layer formed on the p-type semiconductor layer and a second metal layer formed on the first metal layer and reflecting light generated by the active layer, which are formed on the substrate in this order.例文帳に追加

基板、この基板上に順次に設けられたｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、ｐ型半導体層上に形成される第１金属層とこの第１金属層上に形成されて活性層から発生した光を反射させる第２金属層とを備えるｐ型電極と、を含む半導体発光ダイオードである。 - 特許庁

The negative electrode 23 is composed of a conductive substrate, a first layer formed on the conductive substrate, and a second layer formed on the first layer, and the first layer contains at least a graphite material as a negative active material, and the second layer contains at least a graphitization retarding carbon material as the negative active material.例文帳に追加

負極２３は、導伝性基材と、導電性基材の上に設けられた第１の層と、第１の層のさらに上に設けられた第２の層とからなり、第１の層は負極活物質として少なくとも黒鉛材料を含み、第２の層は負極活物質として少なくとも難黒鉛化性炭素材料を含むものである。 - 特許庁

A lower distribution reflection layer is provided between a semiconductor substrate and an active layer, an upper distribution reflection layer is provided at the upper side of the active layer via an air gap, an optical resonator is formed by the upper distribution reflecting layer and the lower distribution reflecting layer, and the surface-emitting laser for emitting laser beams in perpendicular direction to the semiconductor substrate is improved.例文帳に追加

本発明は、半導体基板と活性層との間に下部分布反射層をもち、上部分布反射層を活性層の上側にエアギャップを介して設け、上部分布反射層と下部分布反射層とで光共振器を形成し半導体基板と垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザに改良を加えたものである。 - 特許庁

A method for measuring the film thickness of an active layer 6a for an SOI substrate 6 constituted by interposing an oxide film 6c between the active layer 6a and a support substrate 6b comprises the step of first setting an analyzing wavelength range so as to remove a wavelength to become the 'node' in which the interference is weakened by reflected lights on both surfaces of the film 6b.例文帳に追加

活性層６ａと支持基板６ｂとによって酸化膜６ｃを挟み込んで構成されたＳＯＩ基板６に対し、活性層６ａの膜厚を測定する膜厚測定方法において、まず、酸化膜６ｂの両面での反射光により、干渉が弱められた「節」となる波長を除くように解析波長領域を設定する。 - 特許庁

This semiconductor device is featured by the provision of a plurality of active elements formed on a semiconductor substrate, the first insulating film 32 formed on these active elements as well as wiring layers 27 having aperture parts on at least a part of perpendicular bisector between adjacent elements out of the plurality of active elements.例文帳に追加

半導体基板上に形成された複数の能動素子と、この能動素子の上に形成された第１の絶縁膜３２と、この第１の絶縁膜３２の上に形成され、前記複数の能動素子のうち隣接する素子間の垂直二等分線の少なくとも一部の上に開口部を有する配線層２７とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor laser element of this invention has an active layer including a light emitting part on a substrate, a striped waveguide 204 formed on the active layer, an electrode for supplying a current to the active layer, a first upper electrode 206 electrically connected with the electrode, and a pair of resonance surfaces facing each other in the waveguide 204.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、基板の上に、発光部を含む活性層と、該活性層に形成されたストライプ状の導波路２０４と、活性層に電流を供給する電極と、電極と電気的に接続された第１の上部電極２０６と、導波路２０４における互いに対向する一対の共振面とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 has, on an N^--type silicon substrate 2 (the drain region), a field clamp diode structure formed by forming an active region 4 as a functional element formation region provided in an inner region and a P^+-type low-resistance region 5 formed at the outermost peripheral portion of the active region 4 that continuously surrounds the active region 4.例文帳に追加

この半導体装置１は、Ｎ^-型のシリコン基板２（ドレイン領域）の上に、内方の領域に設けられた機能素子形成領域であるアクティブ領域４と、アクティブ領域４の最外周部に、アクティブ領域４を取り囲むように連続して形成されたＰ^+型の低抵抗領域５とが形成されてなるフィールドクランプダイオード構造を有している。 - 特許庁

The avalanche quantum intersubband transition semiconductor laser includes a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer formed on a semiconductor substrate, wherein the active layer includes at least one unit-cell structure which consists of combination of a carrier-multiplication structure layer for multiplying carriers, a carrier guide structure layer and a QW active region to which carriers are injected and in which optical radiative transitions occur.例文帳に追加

半導体基板上に形成される第１のクラッド層、活性層及び第２のクラッド層を含み、 前記活性層は、キャリアを増倍させるキャリア増倍構造層と、キャリアガイド構造層と、前記キャリアが注入され、光放射遷移(optical radiative transition)が生じるＱＷ活性領域との組み合わせからなる少なくとも一つの単位セル構造物を含む。 - 特許庁

This semiconductor device is constituted of a semiconductor substrate 101, an active area and an element separation area 102, a gate insulating film 105 formed on the active area, a gate electrode 106 formed on the gate insulating film 105 and a conductor formed in the source/drain area at the upper part of a face with which the active area and the gate insulating film 105 are brought into contact.例文帳に追加

半導体基板１０１と、活性領域と素子分離領域１０２と、上記活性領域上に形成されたゲート絶縁膜１０５と、上記ゲート絶縁膜１０５上に形成されたゲート電極１０６と、ソース／ドレイン領域に活性領域とゲート絶縁膜１０５が接する面より上部に導電体とを備える。 - 特許庁

The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; an active layer insulated from the gate electrode by a gate insulating film and composed of a compound semiconductor containing oxygen; a protection layer formed on the active layer; and a source electrode and a drain electrode which are brought into contact with the active layer: wherein the protection layer is composed of an oxide containing inorganics having bonding strength with oxygen.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜によりゲート電極から絶縁され、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、活性層上に形成された保護層と、活性層と接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、保護層が、酸素との結合力を有する無機物を含む酸化物からなる。 - 特許庁

An active element 100, a first transmission line and a second transmission line are formed on the same semiconductor substrate 109, an input terminal and an output terminal of the active element 100 are connected to ends of second conductors 106 of the first transmission line respectively, a common terminal of the active element 100 is connected to a first conductor 105 of the first transmission line.例文帳に追加

能動素子１００と、第１伝送線路と、第２伝送線路とを同一の半導体基板１０９に形成し、能動素子１００の入力端子と出力端子とを第１伝送線路の第２導体１０６，１０６の一端に夫々接続し、能動素子１００の共通端子を第１伝送線路の第１導体１０５に接続する。 - 特許庁

A diffraction grating pattern that generates reflected waves is provided to the one surface of a clad layer 8 adjacent to the active layer 7 in an active region, and a diffraction grating pattern 8a that projects laser rays in a direction vertical to the sapphire substrate 1 is provided to the other surface of the clad layer 8 in the active region.例文帳に追加

前記活性層７に隣接するクラッド層８であって活性領域の一方の側には反射波を生成するための回折格子パターン８ｂ（図示せず）が形成され、活性領域の他方の側には反射波を生成するとともに前記サファイア基板１に垂直な方向にレーザー光を出射させるための回折格子パターン８ａが形成されている。 - 特許庁

A first oxide layer 2 based on an oxide high in the reactivity with the active component is formed on the surface of the carrier substrate 1 and a second oxide layer 3 based on an oxide low in the reactivity with the active component is formed on the surface thereof and a catalyst layer 4 supporting at least a noble metal and the active component is formed on the surface thereof.例文帳に追加

活性成分との反応性の高い酸化物を主とする第１酸化物層２を担体基材１の表面に形成し、その表面に活性成分との反応性の低い酸化物を主とする第２酸化物層３を形成し、その表面に少なくとも貴金属と活性成分とを担持した触媒層４を形成した。 - 特許庁

To provide a platen roller which can suppress a drop in adhesive force of a thermally active gelatinization layer that is seen when recording and thermal activation are performed to a thermally active gelatinization sheet with the thermally active gelatinization layer at a rear face side of a recording face of a sheet-like substrate, and to provide its manufacturing method, a recorder equipped with the platen roller, and a label printer for sticking.例文帳に追加

シート状基材の記録面の裏面側に熱活性糊化層を有する熱活性糊化シートに対して記録及び熱活性化を施す際に見られる、熱活性糊化層の粘着力の低下を抑制可能なプラテンローラ及びその製造方法、並びにそのプラテンローラを具備する記録装置、及び貼着用ラベルプリンタを提供すること。 - 特許庁

A light emitting diode comprises: a light emitting active structure formed from a group III nitride material system; a bonding structure that supports a group III nitride active structure; and a mount substrate that supports the bonding structure, and includes a material that reflects a substantial amount of light having a predetermined frequency radiated by the active structure.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物材料系から形成された発光活性構造と、ＩＩＩ族窒化物の活性構造を支持するボンディング構造と、ボンディング構造を支持するマウント基板であって、マウント基板は、活性構造によって放出された所定の周波数を有する光の実質的な量を反射する材料を含む、マウント基板とを備えている、発光ダイオード。 - 特許庁