「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

A control gate electrode 14 is formed on an active region partitioned by an element isolation insulating film of a semiconductor substrate 11, made of a silicon via a gate insulating film 13.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１１の素子分離絶縁膜により区画されてなる活性領域上には、ゲート絶縁膜１３を介してコントロールゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁

An absorption part 15 is provided to the other surface of the substrate 11 so as to absorb light longer in wavelength than the emitted light of the active layer 26.例文帳に追加

基板１１の他面には金属などよりなる吸収部１５を設け、活性層２６における発光波長以下の波長を有する光を吸収することができるようにする。 - 特許庁

The catalytic chemical vapor phase epitaxial growth device includes a raw material gas supply means, a heat catalyst body for decomposing a part of a raw material gas and generating active species and a stage for supporting a semiconductor substrate to be formed.例文帳に追加

原料ガス供給手段と、原料ガスの一部を分解して活性種を生成する熱触媒体と、成膜される半導体基板を支持するステージとを有する。 - 特許庁

On a surface of a substrate 1, a semiconductor layer 30 is formed which has an undoped GaN layer 2, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4, and a p-type semiconductor layer 5 laminated in this order.例文帳に追加

基板１表面には、アンドープＧａＮ層２、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５がこの順に積層した半導体層３０を形成してある。 - 特許庁

This method eliminates the necessity to form a semiconductor layer on the active matrix substrate 1, on which the TFT 5 has been already formed, thereby allowing use of CdTe, CdZnTe, or the like.例文帳に追加

これにより、上記ＴＦＴ５が既に形成されているアクティブマトリクス基板１上に半導体層を成膜せずに済むため、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等の使用が可能となる。 - 特許庁

Furthermore, at least either of metal cobalt or an oxy cobalt hydroxide having a γ type crystal structure is contained in the cavity of the positive electrode substrate in addition to the positive electrode active material.例文帳に追加

また、正極基板の空隙部内には、正極活物質に加えて、金属コバルト、及びγ型の結晶構造を有するオキシ水酸化コバルトの少なくともいずれかを含んでいる。 - 特許庁

The manufacturing method includes an oxide film formation step of supplying a neutral active type of oxygens or oxygen atoms onto a surface of a semiconductor substrate, and a carbide removal step of supplying ozones.例文帳に追加

半導体基板表面に酸素の中性活性種もしくは酸素原子を供給する酸化膜形成工程と、オゾンを供給する炭化物除去工程とを備えた製造方法。 - 特許庁

An active pixel circuit using a thin film transistor TFT is formed on a main surface of a glass substrate SUB and an interlayer insulating film IL is formed as a layer above the pixel circuit.例文帳に追加

ガラス基板ＳＵＢの主面に薄膜トランジスタＴＦＴを用いたアクティブな画素回路が作り込まれ、この画素回路の上層には層間絶縁膜ＩＬが成膜されている。 - 特許庁

To reduce a area of a transistor configuring an active circuit, occupied in a semiconductor substrate, in a semiconductor integrated circuit for realizing an oscillating circuit capable of switching driving ability.例文帳に追加

駆動能力を切り換えることができる発振回路を実現するための半導体集積回路において、能動回路を構成するトランジスタが半導体基板に占める面積を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light element on an InP (indium phosphide) substrate having an active layer constituted of an Al series material reduced in oxidization of an Al containing layer while improving heat dissipating property.例文帳に追加

放熱性を改善しつつＡｌ含有層の酸化が低減された、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体光素子を提供すること。 - 特許庁

The microbe is arranged on an SERS active substrate and fixed by a fixing solution to acquire the SERS spectrum of the microbe, and the SERS spectrum is analyzed to form a curve diagram.例文帳に追加

微生物をＳＥＲＳ活性基板上に配置し、固定液で微生物を固定して微生物のＳＥＲＳスペクトルを取得し、該ＳＥＲＳスペクトルを分析して曲線図を生成する。 - 特許庁

To provide a method for forming an atomic layer of metal oxide by making a substrate absorb chemically an organometallic complex having a ligand of β-diketone, and oxidizing it with free radicals of active oxygen.例文帳に追加

β−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を基板に化学吸着させ、これを活性酸素ラジカルで酸化させて金属酸化物原子層を形成させる方法を提供する。 - 特許庁

To perform sensing of high sensitivity by effectively capturing the substance to be measured in a sample cell on the surface of a plasmon active substrate or in the vicinity thereof in a sensing device.例文帳に追加

センシング装置において、試料セル中の被測定物質をプラズモン活性基体の表面又はその近傍に効果的に捕捉させて、高感度なセンシングを行うことを可能とする。 - 特許庁

To provide drying method, where nitrate based on acetate impregnated with a porous nickel sintering substrate, becomes a 6-water salt in an intermediate drying in a charging cycle of an active material.例文帳に追加

活物質の充填サイクルでの中間乾燥において多孔性ニッケル焼結基板に含浸された硝酸塩が６水塩主体となるような乾燥方法を提供する。 - 特許庁

To reliably turn output signals of shift registers in all stages into an active state upon turning off a power supply by a simple configuration without adding a new transistor to an electrode substrate having a driving circuit.例文帳に追加

駆動回路を有する電極基板上に新たなトランジスタを付加することなく簡単な構成で、電源オフ時に全段のシフトレジスタの出力信号を確実にアクティブ状態にする。 - 特許庁

A gate insulating film 6, a gate electrode 7, and an active region 5 functioning as a diode are provided on a silicon substrate and a first interlayer insulation layer 10 is formed by plasma process.例文帳に追加

シリコン基板上に、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７及びダイオードとして機能する活性領域５を設け、プラズマプロセスによって第１の層間絶縁層１０を形成する。 - 特許庁

The semiconductor laser device includes a semiconductor layer laminate 20 including an n-type cladding layer 13B, an active layer 14, and a p-type cladding layer 15B, which are stacked in order on a substrate 10.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。 - 特許庁

In the electrode 1, the metal porous substrate 2 does not contain the active substance 3 and is exposed at both ends 2a in a width direction (a direction perpendicular to a winding direction).例文帳に追加

この電極１は、その幅方向（捲回方向と直交する方向）の両端部２ａにおいて金属多孔体基板２が活物質３を含有することなく露出されている。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor memory device 10, an active region 12 having a first width W1 is separated by an element isolation layer 13 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置１０では、第１の幅Ｗ１を有する活性領域１２が、半導体基板１１の主面に形成された素子分離層１３で分離されている。 - 特許庁

The SOI element includes a substrate including a base layer, a buried oxidized film, and a semiconductor layer; and an element separating film formed in a trench limiting the active area of the semiconductor layer.例文帳に追加

基層、埋込み酸化膜及び半導体層を含む基板、並びに半導体層の活性領域を限定するトレンチに形成された素子分離膜を含むＳＯＩ素子である。 - 特許庁

To provide ultra shallow junction having a low resistance, which is an electrically active layer, without crystal defects by having a semiconductor substrate surface irradiated with a laser pulse obtained by optimizing the pulse waveform.例文帳に追加

パルス波形を最適化したレーザパルスを半導体基板表面に照射することにより、結晶欠陥のなく電気的に活性な層である低抵抗の極浅接合を得る。 - 特許庁

To prevent warping of a substrate or occurrence of a missing part in a semiconductor film by not performing sacrifice oxidation when the semiconductor film becoming an active layer is made thin.例文帳に追加

本発明は、能動層となる半導体膜を薄膜化する際に犠牲酸化を行なわないようにし、基板の反りや半導体膜への欠損部の発生を防止することを目的とする。 - 特許庁

To achieve broader bandwidth by improving a current channel in a semiconductor laser element having a structure in which a diffraction grating is disposed between a semiconductor substrate and an active layer.例文帳に追加

半導体基板と活性層との間に回折格子が配置された構成を備える半導体レーザ素子において、電流の流路を改善することにより広帯域化を可能とする。 - 特許庁

Although the solubility of ozone is unavoidably low, due to the high temperature of the water vapor blown to the substrate W, the oxidation reaction itself is active simply because the temperature is high.例文帳に追加

基板Ｗに吹き付けられる水蒸気の温度が高いため、オゾンの溶解度が低くなるのは避けられないものの、高温であるが故に酸化反応自体は活性なものとなる。 - 特許庁

The p^+-type semiconductor area 41 is separated from a body area 48 and semiconductor substrate 22 by the semiconductor active layer 24, and is electrically connected with a drain electrode D.例文帳に追加

ｐ^＋型半導体領域４１は、半導体活性層２４によってボディ領域４８及び半導体基板２２から隔てられており、ドレイン電極Ｄに電気的に接続している。 - 特許庁

In this biosensor comprising a substrate having polysaccharide on its surface capable of chemically fixing thereto the physiologically active substance, the polysaccharide is straight-chain polysaccharide.例文帳に追加

生理活性物質を化学的に固定化できる多糖類を表面に有する基板から成るバイオセンサーにおいて、前記多糖類が直鎖状多糖類であることを特徴とするバイオセンサー。 - 特許庁

On an n-type GaAs substrate 12, an n-type AlGaAs lower clad layer 14, an active layer 16, a p-type AlGaAs upper clad layer 18, and a p-type GaAs cap layer 20 are successively grown.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１２上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層１４、活性層１６、ｐ−ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＡｓキャップ層２０を成長させる。 - 特許庁

The substrate 1 is cut in a prescribed pitch in the length direction, and the active material noncoated part 13 is cut in a cutting line in the length direction to separate in each of electrode plates 17, 18.例文帳に追加

基材１を長手方向に対し所定のピッチで切断し、且つ活物質未塗工部１３を長手方向に沿った切断線で切断して、個々の極板１７，１８に分離する。 - 特許庁

Namely, a packaging form is adopted to locate the reserve transmitting-receiving module to become the switching destination on the other substrate without fail when a switching factor occurs in the active transmitting-receiving module.例文帳に追加

すなわち、現用系の送受信モジュールに切り替え要因が生じた場合に切り替え先となる予備系送受信モジュールが必ず他の基板上に有るような実装形態をとる。 - 特許庁

To obtain an active energy ray-curable unsaturated resin composition which is excellent in water resistance and adhesion to a substrate to be coated and is almost free from a fear of solvent toxicity by compounding a modified polymer with an organic solvent or with an organic solvent and a polymerizable monomer.例文帳に追加

被塗物に対する密着性及び耐水性に優れ、溶剤の毒性の心配が殆どない活性エネルギー線硬化型不飽和樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a lower cladding layer 32, an active layer 33, an upper cladding layer 34, and a contact layer 35 are formed on an opening 20A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０表面の絶縁層２０の開口２０Ａ上に、下部クラッド層３２と、活性層３３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層３５とが順に形成されている。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a glass substrate for a magnetic disk excellent in low roughness and flatness, which prevents a surface active agent from mixing into a polishing liquid, and also to provide the manufacturing method of the magnetic disk.例文帳に追加

界面活性剤が研磨液に混入するのを防ぎ、低粗さおよび平坦度に優れた、磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain excellent display quality by decreasing generation of display unevenness at the time of switching off a power source in an active matrix type liquid crystal display device with a built-in driving circuit on an array substrate.例文帳に追加

アレイ基板上に駆動回路を内蔵したアクティブマトリクス型の液晶表示装置において、電源切断時における表示ムラの発生を少なくし、良好な表示品位を得る。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate by which any of a high pixel aperture ratio, a further larger thin-film transistor (TFT) manufacturing process margin, a small peripheral circuit layout area, and a long service life is obtained.例文帳に追加

高い画素開口率と、更に広いＴＦＴ製造プロセスマージン、小さな周辺回路レイアウト面積、長い寿命、のいずれかを実現するアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

The CMP polishing method comprises preparing a liquid A containing cerium oxide particles, a surface active agent and a water, and a liquid B containing a surface active agent and a water in a container and rotating a stirring vale for stirring in the container to form a mixed liquid which is supplied to a polishing pad for polishing a substrate.例文帳に追加

酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Ａと、界面活性剤及び水を含有する液Ｂとを容器に仕込み、攪拌羽根を回転させて容器内で攪拌して得た混合液を研磨パッド上に供給して基板を研磨することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。 - 特許庁

In addition, the method for manufacturing a conductive circuit and an antenna circuit is characterized in that a conductive circuit is printed on a substrate using the active energy ray-curable type conductive ink and irradiated by active energy rays to form a conductive circuit and an antenna circuit.例文帳に追加

さらには、基材上に上記活性エネルギー線硬化型導電性インキを用いて導電回路を印刷し、活性エネルギー線を照射することによって、導電回路及びアンテナ回路を形成させることを特徴とする導電回路及びアンテナ回路の製造方法。 - 特許庁

A nitride light-emitting device according to the present invention includes an n-side contact layer formed on a substrate, a current diffusion layer formed on the n-side contact layer, an active layer formed on the current diffusion layer, and a p-type clad layer formed on the active layer.例文帳に追加

本発明による窒化物発光素子は、基板上に形成されたｎ側コンタクト層と、上記ｎ側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたｐ型クラッド層とを含む。 - 特許庁

To obtain an active energy beam-curable resin composition which is sufficiently curable in a short time and forms a cured product excellent in chemical resistance and adhesion to a substrate and dimensional stability and scarcely causing curing shrinkage by irradiation of active energy beam without receiving hindrance to polymerization due to oxygen.例文帳に追加

酸素による重合障害を受けず、活性エネルギー線の照射により、短時間で十分に硬化して、耐薬品性、基材との密着性及び寸法安定性に優れ、硬化収縮の少ない硬化物を形成する活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の提供。 - 特許庁

In the semiconductor device where an MOSFET is fabricated by injecting impurities, respectively, into the body part and the source-drain part of an SOI layer (Si active layer region) in an SOI substrate, a gate electrode is formed on the Si active layer region through a gate insulation film.例文帳に追加

ＳＯＩ基板におけるＳＯＩ層（Ｓｉ活性層領域）のボディ部，ソース・ドレイン部に各々の不純物を注入してＭＯＳＦＥＴを構成した半導体装置において、前記Ｓｉ活性層領域上に対しゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。 - 特許庁

The thin film transistor 26 is obtained by sequentially stacking on a substrate 28 a gate electrode 30, a gate insulating film 32, and an active semiconductor layer 34; and providing a source electrode 38 and a drain electrode 40 through contact layers 36, 36, respectively, for covering the opposite sides of the active semiconductor layer 34.例文帳に追加

薄膜トランジスタ２６は、基板２８上に、ゲート電極３０、ゲート絶縁膜３２、活性半導体層３４が順次設けられ、さらに活性半導体層３４の対向する両側を覆うコンタクト層３６、３６を介してソース電極３８およびドレイン電極４０が設けられる。 - 特許庁

The self-aligned field-effect transistor structure includes: an active region arranged on a substrate; an uneven gate insulating pattern arranged on the active region; and a gate electrode self aligned by the gate insulating pattern and arranged on the inner space of the gate insulating pattern.例文帳に追加

本発明の実施形態による自己整列電界効果トランジスタ構造体は、基板上に配置された活性領域と、活性領域上に配置された凹凸型のゲート絶縁パターンと、ゲート絶縁パターンによって自己整列されてゲート絶縁パターンの内部空間に配置されたゲート電極と、を含む。 - 特許庁

The thin film field-effect transistor includes at least a gate electrode, an insulating film, an active layer, etching stopper layer, a source electrode, and a drain electrode formed on a substrate, wherein the etching stopper layer is formed on the active layer, and the source electrode and the drain electrode are formed on the etching stopper layer.例文帳に追加

薄膜電界効果型トランジスタは、基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、エッチングストッパ層、ソース電極、およびドレイン電極が形成されており、活性層上にエッチングストッパ層が形成され、エッチングストッパ層上にソース電極およびドレイン電極が形成されている。 - 特許庁

To provide a base material for a semiconductor device, the base material providing a sufficiently wide effective emission wavelength range in an active layer to be layered on a substrate, and having reduced dislocation density of the active layer to provide a sufficiently high emission efficiency, and to provide a method of manufacturing the base material.例文帳に追加

積層される活性層について十分に広い有効発光波長範囲が得られながら、当該活性層について転位密度が低減されて十分に大きい発光効率を得ることができる半導体装置用基材およびその製造方法の提供。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes an n-type clad layer 102 formed on a substrate 101, the active layer 105 which is formed on the n-type clad layer 102 and has a well layer and a barrier layer and a p-type clad layer 109 formed on the active layer 105.例文帳に追加

半導体発光装置は、基板１０１の上に形成されたｎ型クラッド層１０２と、ｎ型クラッド層１０２の上に形成され、井戸層及び障壁層を有する活性層１０５と、活性層１０５の上に形成されたｐ型クラッド層１０９とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate 101 having an active region 103 isolated by an element isolation region 102; a gate insulating film 111 formed on an active region 103; and a gate electrode 121 formed on the gate insulating film 111.例文帳に追加

半導体装置は、素子分離領域１０２により分離された活性領域１０３を有する半導体基板１０１と、活性領域１０３の上に形成されたゲート絶縁膜１１１と、ゲート絶縁膜１１１の上に形成されたゲート電極１２１とを備えている。 - 特許庁