「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a main active area formed thereon; a first temperature-detecting element which detects temperature of the semiconductor element; and a second temperature-detecting element which detects temperature of the semiconductor substrate at a deeper position than the first temperature-detecting element does.例文帳に追加

半導体装置は、主活性領域が形成された半導体基板と、半導体基板の温度を検知する第１温度検知素子と、第１温度検知素子よりも半導体基板の深い位置の温度を検知する第２温度検知素子とを備える。 - 特許庁

In an etching process in which an active layer 1a of the semiconductor device is formed on by patterning a polysilicon layer after depositing the polysilicon layers on the insulating substrate 10, front surface of the substrate 10 exposed by removing the polysilicon layer is also slightly etched.例文帳に追加

絶縁性の基板１０にポリシリコン層を堆積した後、当該ポリシリコン層をパターニングして半導体装置の能動層１ａに形成するエッチング工程において、当該ポリシリコン層の除去により露出した基板１０の表面も若干エッチングする。 - 特許庁

Because the platinum group metal oxide forming the intermediate layer is entered into projecting and recessed parts produced on the surface of the titanium electrode substrate by the etching to increase the adhesiveness, the peeling of the anode active material from the electrode substrate is prevented to attain long electrode life.例文帳に追加

エッチングによりチタン電極基板の表面にできた凹凸に、中間層を形成する白金族金属酸化物が入り込んで密着性が高まるため、陽極活物質の電極基板からの剥離が防止されて長い電極寿命を享受できる。 - 特許庁

After forming an element isolation region 105 that uses a silicon nitride film 102 for forming a field, the silicon nitride film 102 and a semiconductor substrate 100 are patterned to form a gate trench, which reaches the semiconductor substrate 100 in an active region 106.例文帳に追加

フィールド形成用のシリコン窒化膜１０２を用いて素子分離領域１０５を形成した後、このシリコン窒化膜１０２及び半導体基板１００をパターニングすることにより、半導体基板１００に達するゲートトレンチを活性領域１０６に形成する。 - 特許庁

In an active-matrix substrate in which the signal conductor 18 and the scanning line 12 are disposed on a glass substrate 11 in a latticed, and switching elements 4 and picture-element electrodes 5 are formed at every unit lattice; an opening section 181 is formed to the signal conductor 18 (or the scanning line 12).例文帳に追加

ガラス基板１１上に、信号線１８、走査線１２が格子状に配設され、単位格子毎にスイッチング素子４と画素電極５が形成されたアクティブマトリクス基板において、上記信号線１８（又は走査線１２）に、開口部１８１を形成する。 - 特許庁

There is provided a lamination structure 20 of AlGaInP system constituted, including a lower clad layer 11, a lower guide layer 12, an active layer 13, an upper guide layer 14, an upper clad layer 15 and a contact layer 16 on a substrate 10 in this order from the substrate 10 side.例文帳に追加

基板１０上に、下部クラッド層１１、下部ガイド層１２、活性層１３、上部ガイド層１４、上部クラッド層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含んで構成されたＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造２０を備える。 - 特許庁

A driver IC 20 which is subjected to COG packaging in an active matrix substrate 10 has an input/output circuit, an inner circuit region having a plurality of inner circuits, a plurality of substrate connecting bumps 30 connected to the input/output circuit and at least one dummy bump 40.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１０にＣＯＧ実装されるドライバＩＣ２０は、入出力回路と、複数の内部回路を備えた内部回路領域と、入出力回路に接続される複数の基板接続用バンプ３０と、少なくとも一つのダミーバンプ４０とを有する。 - 特許庁

In the active matrix type liquid crystal display device using a thin film transistor, a part of driving circuits is incorporated in the peripheral part of a substrate and one or two drivers are connected to the part and mounted collectively on one side on the substrate by a chip on glass method.例文帳に追加

薄膜トランジスタの用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、駆動回路の一部を基板周辺部に内蔵し駆動ドライバを一個ないしは二個接続し、ドライバ実装はチップオングラス法により、基板上の一辺に集約して実装した。 - 特許庁

A self-aligning method is provided for forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells in a semiconductor substrate having a plurality of spaced apart insulating regions and active regions on the substrate substantially parallel to one another in the column direction, and an apparatus is formed thereby.例文帳に追加

縦方向に互いに概ね平行している基板上に離間した複数の絶縁領域及び活性領域を有する半導体基板にフローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整合方法、及びそれにより形成される装置。 - 特許庁

This semiconductor chip S has a structure wherein a heat radiating element 5 composed of numbers of radiating fins 4 is formed in the rear face 3 of a semiconductor substrate 1 which is the opposite side to the active face 2 of the semiconductor substrate 1 in which an integrated circuit is formed.例文帳に追加

本発明の半導体チップＳは、半導体基板１の集積回路が形成されているアクティブ面２とは反対側の裏面３の前記半導体基板１に多数の放熱フィン４からなる放熱素子５が形成されている構造のもである。 - 特許庁

A two-dimensional image detector is connected by the counter electrode of the opposite substrate, and the pixel electrode and bump electrode of the active matrix substrate.例文帳に追加

本発明にかかる二次元画像検出器は、対向基板の対向電極と、アクティブマトリクス基板の画素電極とバンプ電極で接続されており、対向電極の径が隣接するバンプ電極間の隙間よりも小さく、隣接する対向電極間の隙間がバンプ電極の径よりも小さい。 - 特許庁

To provide a structure of a wiring line applicable to a large screen, especially, the structure of a wiring line which is provided at the end of an active matrix substrate of a liquid crystal display device and at an input terminal portion for electrically connecting with the wiring line of a circuit provided to another substrate.例文帳に追加

大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の端部に設けられ、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。 - 特許庁

To propose a wiring structure applicable to a large screen, especially a wiring structure at an input terminal portion for electrical connection with the wiring of a pixel TFT on an active matrix substrate and a circuit provided on other substrate in a liquid crystal display.例文帳に追加

大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の画素ＴＦＴ、および、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。 - 特許庁

According to the washing method of the optical element, the organic matter contamination adhered to the fluorite substrate can be removed by the use of a DC ion source and the irradiation of the fluorine active species produced from plasma at a low energy and at a high density without giving any damage to the substrate.例文帳に追加

本発明による光学素子の洗浄法は、ＤＣイオン源を用い、低エネルギー、高密度でプラズマから生成するフッ素活性種を照射することにより、蛍石基板に付着する有機物汚染を基板にダメージを与えることなく除去できる。 - 特許庁

The self oscillation type or a high power semiconductor laser including an n-type clad layer (308, 302), an active layer (309, 303), and a p-type clad layer (310, 304) on an n-type GaN substrate (301), comprises AlGaInN based compound, wherein the carrier concentration of the GaN substrate is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

n型のGaN基板（３０１）上にn型クラッド層（３０８、３０２）と活性層（３０９、３０３）とp型クラッド層（３１０、３０４）を含む自励発振型又は高出力半導体レーザであって、GaN基板のキャリア濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

The semiconductor pressure sensor includes a silicon substrate 1, an active gauge resistance forming portion 101 having a first diaphragm 25 and a first gauge resistance 7 formed on the silicon substrate 1, and a dummy gauge resistance forming portion 102 for temperature compensation having a second diaphragm 26 and a second gauge resistance 7 formed on the substrate 1.例文帳に追加

本発明の半導体圧力センサは、シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された第１のダイヤフラム２５および第１のゲージ抵抗７を有するアクティブゲージ抵抗形成部１０１と、基板１上に形成された第２のダイヤフラム２６および第２のゲージ抵抗７を有する温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２とを備えている。 - 特許庁

The substrate 20 coated with the amorphous carbon film is produced by forming the amorphous carbon film 22 on the surface of the substrate 21 under a reduced pressure through a discharge plasma process, wherein an active layer 23 containing either or both of oxygen and nitrogen is formed in an interface between the substrate 21 and the amorphous carbon film 22.例文帳に追加

本発明にかかるアモルファスカーボン膜被覆基材２０は、基材２１の表面に減圧下で放電プラズマによりアモルファスカーボン膜２２を成膜してなるアモルファスカーボン膜被覆基材であって、前記基材２１とアモルファスカーボン膜２２との界面に、酸素、窒素のいずれか一方又は両方を有する活性処理層である活性処理層２３を含むものである。 - 特許庁

The method comprises following steps: (a) a step of inoculating the lipid substrate with lipolytic enzymes derived from fungi, (b) a step of incubating the inoculated substrate for a period of about 7-120 days at a temperature ranging about 4-35°C and a humidity ranging about 75-100%, and (c) a step of obtaining a biologically active fat or oil by processing the substrate mixture.例文帳に追加

以下の段階を含む方法：ａ）真菌由来の脂肪分解酵素を脂質基材に接種する段階、ｂ）接種後の基材を、約７〜１２０日の範囲の期間、約４〜３５℃の範囲の温度で、約７５〜１００％の範囲の湿度でインキュベートする段階、およびｃ）当該基材混合物を処理して生物活性脂肪または油を得る段階よりなる。 - 特許庁

The active matrix substrate comprises a substrate (10), a first electrode (12) disposed on one surface side of the substrate, an insulating film (14) disposed on the first electrode, a plurality of second electrodes (16) disposed opposite the first electrode across the insulating film, and a plurality of switching elements (18) disposed on the insulating film.例文帳に追加

本発明のアクティブマトリクス基板は、基板(10)と、上記基板の一方面側に配置される第１電極(12)と、上記第１電極上に配置される絶縁膜(14)と、上記絶縁膜を挟んで上記第１電極と対向配置される複数の第２電極(16)と、上記絶縁膜の上側に配置される複数のスイッチング素子(18)と、を含む。 - 特許庁

In the display device, the peripheral drive circuit and the active matrix circuit are formed on the first substrate, the spacer, for maintaining the interval between the first substrate and the second substrate and made of the resin material, is disposed at the upper part of the peripheral driving circuit and a resin layer is formed between the peripheral drive circuit and the spacer.例文帳に追加

また、周辺駆動回路及びアクティブマトリクス回路が第１の基板に形成され、前記第１の基板と第２の基板との基板の間隔を保持する、樹脂材料でなるスペーサーが前記周辺駆動回路の上方に配置され、樹脂層が前記周辺駆動回路と前記スペーサーとの間に形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal device includes a first substrate including an array element and a color filter formed in the active region, an electrostatic discharge (ESD) circuit formed in the outer region, a pattern spacer formed on the ESD, a second substrate facing the first substrate, and a sealant for attaching the first and the second substrates together.例文帳に追加

液晶表示装置は、前記アクティブ領域にアレイ素子とカラーフィルタが形成された第１基板と、前記外郭部に形成された静電気放電(ＥＳＤ)回路及び前記静電気放電回路上に形成されたパターンスペーサと、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と第２基板を合着するシーラントとを含む。 - 特許庁

The active matrix substrate comprises a substrate 1, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate 1, a plurality of interconnect lines 2 and 6, a plurality of switching elements 20 each connecting at least one of the plurality of pixel electrodes electrically with at least one of the plurality of interconnect lines 2 and 6, and a short circuit member 3 having the characteristics of a varistor.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板は、基板１と、基板１の上に形成された複数の画素電極と、複数の配線２および６と、それぞれが複数の画素電極の少なくとも一つと複数の配線２および６の少なくとも一つとを電気的に接続する複数のスイッチング素子２０と、バリスタの特性を有する短絡部材３とを有する。 - 特許庁

This method for controlling pests for a plant comprises a step of providing a naturally degradable substrate, a step of adding one or more kinds of active substances suppressing pests or making the pests disappear to the naturally degradable substrate and a step of laying the substrate on a seeding material of a cultivated plant.例文帳に追加

植物に対する有害生物の防除方法に関し、自然分解可能な基材を提供するステップと、一種以上の有害生物の抑制又は有害生物を消滅する活性物質を自然分解可能な基材に添加するステップと基材を栽培植物の播種材料上に敷設するステップとを備えてなる方法。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 10 on which an integrated circuit is formed, an electrode 34 formed inside a through hole H4 formed from an active surface 10a to a rear surface 10b in the semiconductor substrate 10 via a first insulating layer 22, and a second insulating layer 26 formed on the rear surface 10b of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

集積回路が形成された半導体基板１０と、この半導体基板１０における能動面１０ａから裏面１０ｂにかけて形成された貫通孔Ｈ４の内部に、第１の絶縁層２２を介して形成された電極３４と、半導体基板１０の裏面１０ｂに形成された第２の絶縁層２６とを有する構成とした。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable composition that is excellent in adhesion to a substrate surface to be used for improvement of abrasion resistance and weather resistance of the substrate surface by coating the surface of a plastic substrate, to provide a method for forming a coating film using the composition and to provide a plastic coated article excellent in abrasion resistance and weather resistance produced by coating with the composition.例文帳に追加

プラスチック基材表面に塗装することにより、基材表面の耐摩耗性、耐候性の向上を図るために用いる基材表面への密着性に優れた活性エネルギー線硬化型組成物、該組成物を用いた塗膜形成方法、及び、該組成物を塗装してなる耐摩耗性、耐候性に優れるプラスチック塗工物を提供する - 特許庁

To provide an active-light-curable resist ink for an electroconductive substrate which is excellent in resistances to heat, moisture, thermal impact, and coldness, has excellent insulation properties, and is excellent in adhesion to a clear electroconductive film or a clear electroconductive glass substrate or to a printed circuit formed from an electroconductive paste on the clear electroconductive film or on a clear electroconductive glass substrate.例文帳に追加

優れた耐熱性、耐湿性、耐熱衝撃性、耐寒性を示し、透明導電性フィルムや透明導電性ガラス基板上あるいは透明導電性フィルムや透明導電性ガラス基板上の導電性ペーストを印刷した回路に優れた密着性と絶縁性を示す導電性基材用活性光線硬化型レジストインキを提供する。 - 特許庁

A two-dimensional image detector is constituted into a structure, where the detector is provided with at least an active matrix substrate 1 having a plurality of pixel electrodes 10, etc., and a photoconductive layer 2 laminated on the electrodes 10, etc., and the layer 2 is transferred on the substrate 1, after being formed into a prescribed film thickness on a transfer substrate.例文帳に追加

二次元画像検出器は、複数の画素電極１０…を有するアクティブマトリクス基板１と、上記画素電極１０…に積層された光導電層２とを少なくとも備えており、上記光導電層２が、転写基板上で所定の膜厚に形成された後、上記アクティブマトリクス基板１上に転写されることにより構成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes the semiconductor substrate, an active element formed in the first region of the semiconductor substrate, an inductor element formed above the second region of the semiconductor substrate different from the first region, and a trench part having a plurality of trenches formed in the backside of the semiconductor substrate in the second region, wherein the plurality of trenches are formed radially from a position corresponding to the center of the inductor element.例文帳に追加

半導体基板と、前記半導体基板の第１領域に形成された能動素子と、前記第１領域とは異なる前記半導体基板の第２領域の上方に形成されたインダクタ素子と、前記第２領域における前記半導体基板の裏面に形成された複数の溝を有する溝部とを備え、前記複数の溝は、前記インダクタ素子の中心部に対応する位置から放射状に形成されている。 - 特許庁

The active matrix substrate comprises; a substrate 10; a scanning line 11 formed on the substrate 10; a signal line 12 which crosses the scanning line 11; a switching element 13 formed on the substrate 10, which operates in response to a signal applied to a corresponding scanning line 11; and a pixel electrode 14 which is electrically connected to the corresponding signal line 12 via the switching element 13.例文帳に追加

本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された走査配線１１と、走査配線１１に交差する信号配線１２と、基板１０上に形成され、対応する走査配線１１に印加される信号に応答して動作するスイッチング素子１３と、スイッチング素子１３を介して、対応する信号配線１２に電気的に接続され得る画素電極１４とを備えている。 - 特許庁

An active matrix substrate 10 comprises the base 11 made of a plastic material, and a plurality of TFTs 20 which are disposed on one side of the base 11 in a matrix state and connected to signal wirings.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１０は、プラスチック材料により構成された基板１１と、基板１１の片面側にマトリクス状に配置され、信号配線に接続された複数のＴＦＴ２０とを備えている。 - 特許庁

To provide a resin composition curable with active energy ray, having good curing property and excellent release property from a die (particularly, from a mold) and giving a cured product excellent in scratch resistance, rigidity and adhesiveness to a substrate.例文帳に追加

硬化性が良好で、型（とくに金型）からの離型性に優れ、耐傷性、剛性、基材との密着性に優れた硬化物を与える活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To prevent malfunctions of a circuit by suppressing the generation of a displacement current charging/discharging parasitic capacity formed of an insulation film between a support substrate and an active layer caused by a dv/dt surge.例文帳に追加

ｄｖ／ｄｔサージにより、支持基板と活性層との間の絶縁膜にて構成される寄生容量を充放電する変位電流が発生することを抑制し、回路の誤動作を防止する。 - 特許庁

P-type InGaAlN layer 2, InGaAlN active layer 3, and n-type InGaAlN layer 4 where compositions are expressed by (Al_xGa_1-x)_yIn_1-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1) are formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上に、組成が（Ａｌ_x Ｇａ_1-x ）_y Ｉｎ_1-y Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）で表されるｐ型ＩｎＧａＡｌＮ層２，ＩｎＧａＡｌＮ活性層３及びｎ型ＩｎＧａＡｌＮ層４を形成する。 - 特許庁

An active layer 4 constituted of a wetting layer 3 and a quantum dot 1 as a self-formation quantum dot is formed on a substrate, and a low band gap layer 2 is formed so as to be brought into contact with the periphery of the quantum dot 1.例文帳に追加

基板上にウェッティング層３と自己形成量子ドットである量子ドット１からなる活性層４を設けるとともに、量子ドット１の周囲に接するように低バンドギャップ層２を設ける。 - 特許庁

Fabrication process of a semiconductor laser element is simplified by forming a structure for preventing intrusion of a returning light into an active layer using a substrate for growing semiconductor having a laser light absorbing power.例文帳に追加

レーザ光に対する光吸収性を持つ半導体成長用基板を用い、戻り光の活性層への侵入を防止する構造とすることで、半導体レーザ素子の製造工程を簡単化する。 - 特許庁

To provide an active energy beam-curable composition for optical materials excellent in workability, and giving a cured product with high refractive index and excellent in adhesivity with a resin substrate, especially of a (meth)acrylic resin.例文帳に追加

作業性に優れ、得られる硬化物が高屈折率を有し、樹脂基板、特に（メタ）アクリル樹脂に対する密着性に優れる活性エネルギー線硬化型光学材料用組成物の提供。 - 特許庁

An i-type GaN layer 2 and an n-type GaN layer 3 are grown epitaxially on the surface of the n-type GaN substrate 1, and the field effect transistor where the n-type GaN layer 3 is set to be an active layer is formed.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１の表面に、ｉ型ＧａＮ層２及びｎ型ＧａＮ層３をエピタキシャル成長させて、ｎ型ＧａＮ層３を活性層とする電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

After an element isolated region 2, a sacrificial oxide film 3 and an oxide-resistance film 4 are formed on a surface of a semiconductor substrate 1, a resist 7 containing an opening is formed in a first element active region.例文帳に追加

半導体基板１の表面に素子分離領域２、犠牲酸化膜３及び耐酸化膜４を形成した後、第１の素子活性領域に開口部を備えたレジスト７を形成する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate suitable for suppressing the destruction of a gate driver due to electrostatic discharge, suppressing the degradation in display quality and achieving frame narrowing and high integration.例文帳に追加

静電気放電によるゲートドライバの破壊を抑制するとともに、表示品位の低下の抑制、狭額縁化および高集積化の実現に好適なアクティブマトリクス基板を提供することができる。 - 特許庁

The MOSFET is a lateral device and electric contact is established with respect to a source from the back of an element by a conductive plug which passes through the layer from the surface of the active layer and exists in the substrate.例文帳に追加

MOSFETは横型デバイスであり、活性層の表面から層を貫通して基板中に延在している導電性プラグによって、素子の裏側からソースに対して電気的接触が確立される。 - 特許庁

A positive electrode plate 10 has a nickel base 11 at the upper part of which a substrate exposed portion 11a, which is not filled with an active material, is formed with a portion protruding from the end side of the positive electrode plate.例文帳に追加

正極板１０において、ニッケル基体１１の上部には、活物質が充填されていない基体露出部１１ａが、正極板の端辺から一部突出する形で形成されている。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2, an active layer 3, and an n-type InP clad layer 4 formed on a p-type InP substrate 1 are processed through a first dry etching process for the formation of a ridge 6.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１の上に形成された、ｐ型ＩｎＰバッファ層２、活性層３およびｎ型ＩｎＰクラッド層４を第１のドライエッチングにより加工して、リッジ部６を形成する。 - 特許庁

Accordingly, since the detector can be produced without film-forming a semiconductor layer on the active matrix substrate 1 on which the TFT 5 has been already formed, CdTe or CdZnTe can be used as a material for the semiconductor layer.例文帳に追加

これにより、上記ＴＦＴ５が既に形成されているアクティブマトリクス基板１上に半導体層を成膜せずに済むため、ＣｄＴｅやＣｄＺｎＴｅ等の使用が可能となる。 - 特許庁

A p-side contact layer 21, a p-type clad layer 22, an active layer 30, n-type clad layer 41, and n-side contact layer 42 are stacked in this order on a side of one surface of a substrate 10 comprising p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体よりなる基板１０の一面側に、ｐ側コンタクト層２１、ｐ型クラッド層２２、活性層３０、ｎ型クラッド層４１およびｎ側コンタクト層４２が順に積層されている。 - 特許庁

A gate electrode and the lower electrode of capacity are formed on a substrate, an insulating film 116 is deposited, the active region of an NPN and a capacity region are opened for depositing an insulating film 117, and a base is formed.例文帳に追加

基板上にゲート電極と容量の下部電極を形成し、絶縁膜１１６を堆積し、ＮＰＮのアクティブ領域と容量領域を開口して絶縁膜１１７を堆積し、ベースを形成する。 - 特許庁