「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a lead-acid battery capable of improving lead-acid battery performance without aging after filling a substrate with positive electrode active material-like paste because an aging process and a formation process need significantly long time as compared with filling of the paste-like active material or a battery assembly process.例文帳に追加

熟成工程と化成工程はペースト状活物質の充填や電池組立工程に比べ著しく長い時間を必要とするため、正極活物質状ペーストを基板に充填後、熟成を行わず蓄電池性能を向上させる鉛蓄電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

This method includes a step to grow the active region using a combination of (i) plasma-assisted molecular beam epitaxy; and (ii) molecular beam epitaxy using a gas including nitrogen-containing molecules which dissociate on the surface of the substrate at a temperature at which the active region is grown.例文帳に追加

当該方法は、活性領域を、（ｉ）プラズマアシスト分子線エピタキシーと、（ｉｉ）上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。 - 特許庁

In the light emitting diode including an n-type nitride semiconductor layer, an active layer and a p-type nitride semiconductor layer over a substrate, the nitride semiconductor light emitting diode structure includes a nitride semiconductor layer containing In between the active layer and the p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に、ｎ型窒化物半導体層、活性層、ｐ型窒化物半導体層を有する発光ダイオードにおいて、活性層とｐ型窒化物半導体層の間にＩｎを含む窒化物半導体層を形成することを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード構造に関する。 - 特許庁

An element area 122 is formed in a part of the active layer 106 of an SOI substrate 100 wherein a p-type base layer 102, an embedded insulating layer 104, and an active layer 106 are stacked, and an element area isolation insulating wall 124 is formed around the element area.例文帳に追加

ｐ型基層１０２と埋め込み絶縁層１０４と活性層１０６が積層されているＳＯＩ基板１００の活性層１０６の一部に素子領域１２２が形成されており、素子領域を一巡する素子領域分離用絶縁壁１２４が形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing a vertical resonator surface light-emitting laser includes a process for allowing a lower Bragg reflector to adhere onto a substrate, a process for allowing an active layer to adhere, a process for allowing an upper Bragg reflector to adhere, and a process for forming an electric contact for applying voltage to the active layer.例文帳に追加

垂直共振器面発光レーザを製造する方法は、基板に下側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、活性層を付着させる工程、上側ブラッグ反射鏡を付着させる工程、及び活性層に電圧を加える電気的接点を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The pressure in the discharge tube 4 is adjusted to be almost as high as the in-furnace pressure of the reaction pipe 1 so that the active seed generated by the discharge tube 4 almost has a lifetime which is sufficiently long to reach the whole of the substrate W in the reaction pipe 1 in an active state.例文帳に追加

放電管４の管内圧力は、放電管４で生成した活性種が、活性な状態のまま反応管１の基板Ｗの全体に行き届く程度のライフタイムを有することとなるように、反応管１の炉内圧力と同程度に低圧に調整される。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element includes a substrate 2 and an active layer 12 which has a nonpolar or semi-polar surface as a growth principal surface 12a and is made of a group III nitride semiconductor, and has a light emission portion 3 which emits polarized light from the active layer 12, and side end surfaces 1a are mirror planes.例文帳に追加

基板２と、非極性面又は半極性面を成長主面１２ａとするIII族窒化物半導体からなる活性層１２を有し、活性層１２から偏向光を発生する発光部３とを備え、横端面１ａが鏡面である半導体発光素子。 - 特許庁

This surface-emitting laser has a resonator structure, constituted by stacking on a substrate 101, a 1st n-type semiconductor multilayered film mirror layer 103, a 1st active layer 105, a p-type spacer layer 109, a 2nd active layer 113, and a 2nd n-type semiconductor multilayered film mirror layer 115 respectively.例文帳に追加

面発光レーザ装置は、基板１０１上に、第１のｎ型半導体多層膜ミラー層１０３、第１の活性層１０５、ｐ型のスペーサ層１０９、第２の活性層１１３、第２のｎ型半導体多層膜ミラー層１１５、の各層を積層して成る共振器構造を有する。 - 特許庁

The manufacturing method comprises the steps of: applying a predetermined coating liquid for constituting the organic functional layer onto the substrate by using an application device 203b1 or the like; and irradiating a coating layer after application, with active energy rays by using an active energy ray irradiation device 310 or the like.例文帳に追加

当該製造方法は、塗布装置２０３ｂ１などを用いて前記基板上に前記有機機能層を構成する所定の塗布液を塗布する工程と、活性エネルギー線照射装置３１０などを用いて塗布後の塗布層に活性エネルギー線を照射する工程と、を備える。 - 特許庁

A first chip 6 and a second chip 7 each performing a predetermined signal processing are mounted by making their active surfaces opposed to one another so as to sandwich an antenna substrate 2, and the active surfaces of both chips are electrically connected by contacting a bump 22 with a bump 23 at the opposing surfaces.例文帳に追加

所定の信号処理を行う第１チップ６と第２チップ７がアンテナ基板２を挟んで互いの能動面を対向させるように搭載されており、この対向面においてバンプ２２とバンプ２３とが接触されることで両チップの能動面が電気的に接続されている。 - 特許庁

A single-crystalline semiconductor layer, provided with tensile strain, is used as an active layer in one transistor and a single-crystalline semiconductor layer, provided with compression strain making use of a part of thermal shrinkage generated in the heating process of a supporting substrate after jointing, is used as an active layer in the other transistor.例文帳に追加

一のトランジスタは、引っ張り歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用い、他のトランジスタは、接合後に支持基板の加熱処理によって生ずる熱収縮の一部を利用した圧縮歪が与えられた単結晶半導体層を活性層として用いる。 - 特許庁

The electrooptical device is equipped with a first pixel section which is disposed in an image display region on one substrate and includes active elements, a second pixel section which does not include the active elements, a first driving means which actively drives the first pixel section and a second driving section which passively drives the second pixel section.例文帳に追加

一基板上の画像表示領域に設けられた、アクティブ素子を含んでなる第１画素部及びアクティブ素子を含まない第２画素部と、第１画素部をアクティブ駆動する第１駆動手段と、第２画素部をパッシブ駆動する第２駆動手段とを備える。 - 特許庁

To provide an electrode substrate which is used for an active matrix type liquid crystal display device, with excellent electrical characteristics by suppressing a decrease in the mobility or dispersion of a threshold or the like, even if a gate electrode is formed on a grain boundary on a polycrystalline thin film functioning as an active layer of a TFT.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置に用いられる電極基板において、ＴＦＴの活性層となる多結晶薄膜の粒界上にゲート電極を形成した場合でも、移動度等の低下や閾値等のばらつきを抑えて良好な電気的特性を得る。 - 特許庁

To suppress the formation of an island shaped oxide in laminating interface in a method of manufacturing a laminated wafer formed by directly laminating a wafer for an active layer and a wafer for a supporting substrate without interposing an insulating film and thinning the wafer for an active layer.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを、絶縁膜を介さずに直接貼り合わせ、活性層用ウェーハを薄膜化することにより形成される貼り合わせウェーハの製造方法において、貼り合わせ界面における島状の酸化物の形成を抑制することにある。 - 特許庁

A SiC substrate 10 is provided with a first active area 12 comprising alternate lamination of a high concentration n-type doped layer 12a and an undoped layer 12b, and with a second active area 13 comprising alternate lamination of a high concentration p-type doped layer 13a and an undoped layer 13b in this order from below.例文帳に追加

ＳｉＣ基板１０には、高濃度のｎ型ドープ層１２ａと、アンドープ１２ｂとを交互に積層してなる第１の活性領域１２と、高濃度のｐ型ドープ層１３ａとアンドープ層１３ｂとを交互に積層してなる第２の活性領域１３とが下方から順に設けられている。 - 特許庁

Hydrogen atom active species is produced by casting light with more energy than hydrogen-to-hydrogen binding energy from a light source 3 which enables irradiation in an atmosphere containing hydrogen gas, and a hydrotreatment processing substrate 30 is subjected to hydrotreatment by the hydrogen atom active species.例文帳に追加

水素−水素間の結合エネルギー以上のエネルギーを有する光を照射可能な光源３から水素ガスを含む雰囲気中に前記光を照射することにより水素原子活性種を生じさせ、この水素原子活性種で水素化被処理基板３０を水素化処理する。 - 特許庁

In the electrostatic protection element where an active layer containing conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate and Schottky connected with first and second electrodes, a low resistance region is formed partially on the active layer between the first and second electrodes.例文帳に追加

半導体基板上に導電型不純物を含有する能動層を形成し、この能動層に第１電極と第２電極とをショットキー接続した静電保護素子であって、前記第１電極と前記第２電極との間の能動層に、部分的に低抵抗領域を形成する。 - 特許庁

A first semiconductor laminated structure having the embedded structure of ridges 8 and 9 is formed on an active layer 5 interposed between a pair of clad layers 4 and 6 on a substrate 1, and a second semiconductor laminated structure having an active layer 12 interposed between a pair of clad layers 11 and 13 is formed on this.例文帳に追加

基板１上に、一対のクラッド層４、６で挟まれた活性層５上にリッジ８、９埋め込み構造を有する第１の半導体積層構造が設けられ、その上に、一対のクラッド層１１、１３で挟まれた活性層１２を有する第２の半導体積層構造が設けられている。 - 特許庁

To obtain an active energy ray-curable composition comprising a graft copolymer and an acrylic oligomer excellently compatible with each other contained in the composition, quickly curable by irradiation with an active energy ray, forming a coating film having excellent adhesiveness to a substrate, hardness, water resistance, durability, etc.例文帳に追加

組成物中に含まれるグラフト共重合体とアクリルオリゴマーとが互いに良好に相容し、活性エネルギー線の照射により速やかに硬化して、基材との密着性、硬度、耐水性、耐久性等に優れる被膜等を形成する活性エネルギー線硬化性組成物の提供。 - 特許庁

In the positive electrode for a nonaqueous electrolyte secondary battery, an active material layer composed of an active material consisting of LiMPO_4(M is Fe or Mn or a mixture thereof), a conductive material and a binder and having a bulk density of 1.2 g/cm^3 or higher is laminated on a collector substrate.例文帳に追加

集電基材上にＬｉＭＰＯ_４（ＭはＦｅまたはＭｎまたはこの混合物）からなる活物質と導電材と結着材からなり嵩密度が１．２ｇ／ｃｍ^３以上である活物質層が積層している非水電解液二次電池用正極等を提供する。 - 特許庁

A pattern of a silicidation block layer is formed on a silicon substrate in which an active region and a field region are defined to cover the field region and a region that is partially extended out of the field region, thereby a first region that is a residual active-region is exposed.例文帳に追加

アクティブ領域及びフィールド領域が定義されたシリコン基板上にシリサイデーション阻止層パターンを形成して前記フィールド領域及び前記フィールド領域の外部へ一部拡張された領域をカバーし、残りのアクティブ領域である第１領域を露出させる。 - 特許庁

A display device includes the insulating substrate 1 having a plurality of pixels formed, pixel electrodes 2 and active elements 3 constituting the pixels, the counter substrate 5 disposed opposite the insulating substrate 1, a coloring material layer 6 formed on the surface of the counter substrate 5 opposed to the insulating substrate 1, and a black matrix 8 formed of a resin material between the coloring material layer 6 and an adjacent coloring material layer.例文帳に追加

複数の画素が形成された絶縁性基板１と、該画素を構成する画素電極２及び能動素子３と、前記絶縁性基板１と対向して配置される対向基板５と、前記対向基板５において前記絶縁性基板１と対向する面に形成される色材層６と、前記色材層６と隣接する色材層間において、樹脂材料によって形成されたブラックマトリックス８とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To exclude the effect of a minus signal, which is intermittently produced by desorbing the physiologically active substance being a ligand from the surface of a substrate, exerted on a measured value showing the bonding amount of a substance to be examined being an analyte, in a method for measuring the interaction of the physiologically active substance fixed on the surface of the substrate with the substance to be examined.例文帳に追加

基板の表面に固定された生理活性物質と被験物質との相互作用を測定する方法において、リガンドである生理活性物質が基板の表面から脱着することによって断続的に発生するマイナス信号が、アナライトである被験物質の結合量を示す測定値に及ぼす影響を排除した測定方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device 12 includes: a semiconductor substrate 13 forming active regions 4a, 4b and 4c and inactive regions 2a and 2b; a temperature sensing diode 10 formed to the upper parts of the inactive regions 2a and 2b in the upper part of the semiconductor substrate 13; and emitter electrodes 8a, 8b and 8c formed to the surfaces of the active regions 4a, 4b and 4c.例文帳に追加

半導体装置１２は、活性領域４ａ、４ｂ、４ｃと非活性領域２ａ、２ｂが形成されている半導体基板１３と、半導体基板１３の上方であって非活性領域２ａ、２ｂの上方に形成されている温度検知ダイオード１０と、活性領域４ａ、４ｂ、４ｃの表面に形成されているエミッタ電極８ａ、８ｂ、８ｃと、を備える。 - 特許庁

An isolation structure 117 is formed on a semiconductor substrate for limiting an active region, a gate structure insulated from the surface of the active region is formed, amorphous Si film is formed on the gate structure, the surface of the substrate and the isolation structure and the first and second parts of the amorphous Si film are respectively converted into an epitaxial film 145 and a polysilicon film 143.例文帳に追加

半導体基板に分離構造１１７を形成して活性領域を限定し、活性領域の表面から絶縁されたゲート構造を形成し、非晶質Ｓｉ膜をゲート構造や基板表面及び分離構造に形成し、非晶質Ｓｉ膜の第１部分をエピタキシャル膜１４５に、非晶質Ｓｉ膜の第２部分をポリＳｉ膜１４３に変換する。 - 特許庁

To provide a substrate for an active matrix type liquid crystal display device, and a liquid crystal display device provided therewith, capable of easily and exactly detecting a defective position and improving a yield of manufacture as the substrate for the active matrix type liquid crystal display device having a switching element for each pixel and the liquid crystal display device provided therewith.例文帳に追加

本発明は、画素毎にスイッチング素子を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置に関し、欠陥が生じている位置を容易かつ確実に検出でき、製造歩留まりを向上できるアクティブマトリクス型液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element in which a plurality of semiconductor layers having an active layer that emits light by electric current injection are stacked on a substrate, comprises a metal dot layer neighboring the active layer, and the dot metal layer is configured so that a plurality of metal dots having a dot diameter to provide localized plasmon resonance for a prescribed wavelength are arranged in parallel to the substrate.例文帳に追加

基板上に、電流注入により発光する活性層を含む複数の半導体層が積層された半導体発光素子であって、 前記活性層の近傍に、金属ドット層を備え、 前記金属ドット層は、所定の波長に対して局在プラズモン共鳴する大きさのドット径を有する複数の金属ドットが、前記基板と平行に配列されて構成されている。 - 特許庁

The transistor substrate for a liquid crystal display device is provided with an active layer 4 comprised of a polycrystalline silicone film formed on a substrate 2, a gate insulation film 6 formed on the active layer 4, a metal layer 8 composing the gate electrode formed on the gate insulation film 6, and an insulation film 10 formed on the metal layer 8 and preventing damage of the gate electrode.例文帳に追加

液晶表示装置用トランジスタ基板は、基板２上に形成されている多結晶シリコン膜でなるアクティブ層４と、アクティブ層４上に形成されるゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６上に形成されるゲート電極を構成する金属層８と、金属層８上に形成され、ゲート電極の損傷を防止する絶縁膜１０とを備えている。 - 特許庁

In a transparent conductive substrate for liquid crystal displays, an electric power of 1 W/cm^2 with a high frequency voltage above 100 kHz is supplied between facing electrodes to excite active gas into a plasma state; and a substrate is exposed in the active gas in plasma state to form a transparent conductive film on it.例文帳に追加

大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する電極間に、１００ｋＨｚを越える高周波電圧で、かつ、１Ｗ／ｃｍ^２以上の電力を供給し放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、前記プラズマ状態の反応性ガスに基材を晒すことによって透明導電膜を形成し、液晶表示装置用透明導電性基材とする。 - 特許庁

To provide an active energy ray curing type composition having high sensitivity even in a long wavelength region, good preservation stability of the composition and excellent adhesiveness of a cured product to a substrate, to provide an active energy ray curing type ink having high image quality and good preservation stability, excellent curability and high adhesiveness to the substrate hardly susceptible to environmental effects and to provide a method for curing the composition and the ink.例文帳に追加

長波長域においても高感度で、組成物の保存安定性が良好であり、硬化物の基材密着性に優れた活性光線硬化型組成物、及び高画質かつ保存安定性が良好であり、環境の影響を受け難い優れた硬化性と高い基材密着性を有する活性光線硬化型インク、及びその硬化方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes the GaAs substrate 1, the quantum dot active layer 3 formed over the GaAs substrate 1, a GaAs layer 4 formed above or below the quantum dot active layer 3, and the diffraction grating 7 formed from InGaP or InGaAsP and periodically provided along an propagating direction of light in the GaAs layer 4.例文帳に追加

半導体発光素子を、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に形成された量子ドット活性層３と、量子ドット活性層３の上側又は下側に形成されたＧａＡｓ層４と、ＧａＡｓ層４の内部に、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＡｓＰからなり、光の進行方向に沿って周期的に設けられた回折格子７とを備えるものとする。 - 特許庁

The transistor substrate for a liquid crystal display has an active layer 4, consisting of a polycrystalline silicon film formed on a substrate 2, a gate insulating film 6 formed on the active layer 4, a metal layer 8 constituting a gate electrode and formed on the gate insulating film 6, and an insulating film 10 formed on the metal layer 8 and preventing the gate electrode from being damaged.例文帳に追加

液晶表示装置用トランジスタ基板は、基板２上に形成されている多結晶シリコン膜でなるアクティブ層４と、アクティブ層４上に形成されるゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６上に形成されるゲート電極を構成する金属層８と、金属層８上に形成され、ゲート電極の損傷を防止する絶縁膜１０とを備えている。 - 特許庁

A nitride-based light-emitting element according to the present invention comprises a growth substrate, a powder type seed layer for nitride growth formed on the growth substrate, a p-type nitride layer formed on the seed layer for nitride growth, a light-emitting active layer formed on the p-type nitride layer, and an n-type ZnO layer formed on the light-emitting active layer.例文帳に追加

本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成されるパウダータイプの窒化物成長用シード層と、前記窒化物成長用シード層上に形成されるｐ—タイプの窒化物層と、前記ｐ—タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるｎ—タイプのＺｎＯ層とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A compound which has an average molecular weight of 350-5,000,000 and a residue capable of forming a hydrogen bond (hereinbelow referred to as a compound S) is added to a substrate to which the physiologically active substance has been immobilized through a hydrophilic high-molecular layer formed of a hydrophilic polymer to provide a substrate enhanced in the stability of the physiologically active substance.例文帳に追加

生理活性物質を、親水性高分子から形成される親水性高分子層を介して固定した基板に、平均分子量が３５０より大きく５００万より小さく、且つ、水素結合を形成しうる残基を有する化合物（以下、化合物Ｓとする）を上記基板に含有させることより生理活性物質の安定性を向上させた基板を提供できる。 - 特許庁

In the semiconductor laser element comprising an active layer, a plurality of conductive clad layers sandwiching the active layer, and a current block layer having an opening above a predetermined stripe region of the active layer formed on a conductive semiconductor substrate, the opening has a width of 10-30 μm and the transverse mode is multi-mode oscillation.例文帳に追加

導電型半導体基板の上に、少なくとも、活性層と、該活性層を挟む複数の導電型クラッド層と、前記活性層の所定のストライプ状領域の上方に開口部を有する電流阻止層とが積層されてなる半導体レーザ素子において、前記開口部の幅が１０［μｍ］〜３０［μｍ］であり、横モードがマルチモード発振であることを特徴とする。 - 特許庁

The CMOS image sensor comprises a first conductivity type semiconductor substrate provided with a plurality of transistors, an active region overlapping the gate electrode of the transistor, an isolation region contiguous to the active region, and a first conductivity type heavily doped impurity ion region formed between the active region and the isolation region.例文帳に追加

本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは複数のトランジスタを具備する第１導電型の半導体基板と、前記トランジスタのゲート電極とオーバーラップするアクティブ領域と、前記アクティブ領域と隣接する素子分離膜と、前記アクティブ領域と素子分離膜との間に形成される高濃度の第１導電型の不純物イオン領域とを含んでいることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention, which comprises a semiconductor substrate 1 having an active region and an isolation region, a gate electrode 9 formed on the active region via an oxide film 8, and a pair of impurity ranges formed on either side of the gate electrode 9, is characterized in that the surface of the active region has a round shape over the whole and slants downward as an isolation region approaches.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、活性領域と分離領域とを有する半導体基板１と、活性領域上に酸化膜８を介して形成されたゲート電極９と、ゲート電極９の両側に形成された１組の不純物領域とを備え、活性領域表面が、全体にわたってラウンド形状を有し、分離領域に近づくにつれて下方に傾斜する。 - 特許庁

Element separation films 103 are formed on a semiconductor substrate 101 so as to restrict an active area, the floating gate constituted of alternately laminating a plurality of 1st conductive film patterns 107b and a plurality of 2nd conductive patterns 109b is arranged on the upper part of the active area and a 1st insulating film 105a is arranged between the floating gate 110b and the active area.例文帳に追加

半導体基板１０１に形成されて活性領域を限定する素子分離膜１０３を具備し、活性領域の上部に複数個の第１導電膜パターン１０７ｂと複数個の第２導電膜パターン１０９ｂが交互に積層されたフローティングゲートが配置され、フローティングゲート１１０ｂと活性領域の間に第１絶縁膜１０５ａが配置される。 - 特許庁

By this constitution, a cross-sectional shape of the InAsP active layer 3 which shape is parallel with a direction of a laser resonator and perpendicular to a main surface of the substrate 1 is a triangle whose one edge is about 25 nm in length and the vertex protrudes to the N-type InP substrate 1 side.例文帳に追加

この様な構成にすることにより、ＩｎＡｓＰ活性層３の、レーザ共振器方向に平行で基板１の主面に垂直な断面形状は、一辺がおよそ２５ｎｍの三角であり、その頂点はｎ型ＩｎＰ基板１側に突き出ている。 - 特許庁

The solid state image pick-up device 28 comprises a pixel region 23 which is formed on the light incident side of a substrate and in which multiple pixels including a photoelectric conversion part PD are arranged, and a peripheral circuit 25 which is formed below the pixel region 23 in the depth direction of the substrate and includes active elements.例文帳に追加

固体撮像装置２８は、基板の光入射側に形成され、光電変換部ＰＤを含む画素が複数配列された画素領域２３と、画素領域２３の基板深さ方向の下部に形成され、能動素子を含む周辺回路部２５を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an active matrix substrate incorporating a high performance driver and an electrooptical device such as a thin film semiconductor device for a display using the substrate by uniformly film-forming a single crystal silicon thin film with high electron/hole mobility at a comparatively low temperature.例文帳に追加

高い電子／正孔移動度の単結晶シリコン薄膜を比較的低温でかつ均一に成膜して、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Parts out of a common electrode 220 disposed on a counter substrate 200, which, in a plane view, overlap with the peripheral driving circuits 130, 170 or wiring to supply signals to the peripheral driving circuits 130, 170 disposed on the active matrix substrate 100 are removed.例文帳に追加

対向基板２００に設けられた共通電極２２０の内、平面視でアクティブマトリクス基板１００上に設けられた周辺駆動回路１３０，１７０又はこの周辺駆動回路１３０，１７０に信号を供給する配線と重なる部分を除去する。 - 特許庁

To provide an active matrix liquid crystal display, which protects a color filter and a black matrix without reducing the transmittance, and easily and precisely prescribe the gap between a TFT substrate and a counter substrate, without providing a spacer and its manufacturing method.例文帳に追加

透過率を低減させることなくカラーフィルタやブラックマトリクスを保護し、スペーサを別途設けなくてもＴＦＴ基板と対向基板のギャップを高精度かつ簡便に規定することができるアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a cylindrical storage battery capable of strengthening the group of spiral electrodes so as to prevent a row of open holes in an electrode substrate from being crushed even if the battery drops and preventing bending of the electrode substrate and an coming off active substance to prevent the occurrence of internal shorting.例文帳に追加

電池落下が生じても電極基板の開孔列が潰れないように渦巻状電極群の強度を補強して、電極基板の折れ曲がりや活物質の脱落を防止して、内部短絡が生じにくい円筒型蓄電池を得られるようにする。 - 特許庁

To provide an active energy ray curable resin composition for coating, wherein hardness is obtained even when applied to a film substrate or the like, and there is low contraction and little warpage (curl) of the film during curing; and to provide a film substrate having a cured layer in which the composition is cured.例文帳に追加

フィルム基材等へ塗工した際にも硬度が得られ、且つ、硬化の際も低収縮でフィルムの反り（カール）が少ないコーティング用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、及び該組成物を硬化させた硬化層を有するフィルム基材に関するを提供する。 - 特許庁