「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

A trench etching region 1 forms a mesh pattern in which a first trench 8 formed in an active region crosses a second trench 9 in a gate region for extending gate polysilicon to a substrate surface.例文帳に追加

トレンチエッチング領域１は、活性領域に形成された第１のトレンチ８と、ゲートポリシリコンを基板表面に引き出すゲート領域に形成された第２のトレンチ９とが交差するメッシュパターンを成す。 - 特許庁

A scribe line 4s, comprising a protruding pattern 4 surrounding a chip region 1a on a substrate 1, is formed in the same process in which active regions 4a comprising the protruding patterns 4 are formed.例文帳に追加

基板１上のチップ領域１ａに凸パターン４からなるアクティブ領域４ａを形成すると同一工程で、チップ領域１ａを囲む凸パターン４からなるスクライブライン４ｓを形成する。 - 特許庁

The glass can be used for manufacture of a glass substrate for a thin film transistor (TFT) used for an active matrix liquid crystal display (AMLCD) device and other flat panel display devices.例文帳に追加

このガラスは、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ（ＡＭＬＣＤ）装置および他のフラットパネルディスプレイ装置に使用する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ディスプレイ用ガラス基板などのディスプレイ用ガラス基板の製造に使用できる。 - 特許庁

Therefore, when the protruding electrode 24 on the semiconductor chip 28 and the transparent electrode 34 are fixed on the glass substrate 33, the active region 51 is free from local stress.例文帳に追加

そうすると、半導体チップ２８上に形成された突起電極２４とガラス基板３３上の透明電極３４を固着する場合に、能動領域５１に局部的応力が加えられることがなくなる。 - 特許庁

In a photovoltaic device, there are formed a back electrode 10, a semiconductor optical active layer 11, a transparent surface electrode 7, and a current-collecting wiring layer 8 on an insulating film substrate 1.例文帳に追加

本発明の光起電力装置では、絶縁性フィルム基板１上に裏面電極１０、半導体光活性層１１、透明表面電極７及び集電配線層８が形成される。 - 特許庁

To provide a gate formation method of a flash memory device for preventing attacks from being generated in the active region of a semiconductor substrate by etching while adjusting a recipe when etching a dielectric film.例文帳に追加

誘電体膜エッチングに際して、レシピを調節してエッチングすることにより、半導体基板の活性領域に生じるアタックを防止するフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

A lower semiconductor DBR 103, a resonator structure including an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107 having a selectively oxidized layer 108, and the like are laminated on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、被選択酸化層１０８を有する上部半導体ＤＢＲ１０７などが積層されている。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, a GaInAsP active layer 3, a p-type InP clad layer 4, and a p-type GaInAsP cap layer 11 are grown on an n-type InP substrate 1 doped with sulfur in turn.例文帳に追加

イオウがドープされたｎ型ＩｎＰ基板１の上に、順次、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１１を成長させる。 - 特許庁

Further, the light emitting diode 3 comprises an n-type clad layer 7, an active layer 9, a p-type clad layer 11, a p-type contact layer 13, and an anode electrode 15 formed sequentially on a main face 5a of the substrate 5.例文帳に追加

また、発光ダイオード３は、基板５の主面５ａ上に順次形成されたｎ型クラッド層７、活性層９、ｐ型クラッド層１１、ｐ型コンタクト層１３、及びアノード電極１５を備える。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable resin composition exhibiting low curing shrinkage and high hardness, and capable of forming a hard coat film excellent in adhesivity to a substrate, transparency and flexibility.例文帳に追加

低硬化収縮性と表面硬度の高い、基体との密着性、透明性、屈曲性に優れたハードコート膜を形成することができる活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

In a method of manufacturing a ridge semiconductor laser, a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4, an etching stop layer 5, a second upper clad layer 6, a contact layer 7 and a striped mask layer 8 are formed in order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、下クラッド層２、活性層３、第１上クラッド層４、エッチングストップ層５、第２上クラッド層６、コンタクト層７、およびストライプ状のマスク層８を順次形成する。 - 特許庁

To provide an active matrix liquid crystal display device which makes a visual field angle wider by reducing the influence of a light leakage region on a data line even when a color filter is disposed on a TFT (Thin-Film Transistor) substrate side.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置において、カラーフィルタをＴＦＴ基板側に設ける場合であっても、データ線上の光漏れ領域の影響を軽減して視野角を広くする。 - 特許庁

A light-emitting diode (50) comprises a negatively doped layer (52), a positively doped layer (54), a light-emitting region (53) by an active p-n joint layer, and a transparent substrate (51) positioning in the upper side of the light-emitting region (53).例文帳に追加

発光ダイオード（５０）は、負にドープされた層（５２）、正にドープされた層（５４）、活性ｐ−ｎ接合層による発光領域（５３）、及び発光領域（５３）の上側に位置する透明基板（５１）を有する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit, substrate bias voltages Vbp, Vbn are applied to substrates (well) of the MOS transistors of a SRAM memory cell by any one of active mode from among information-holding operation, writing operation and reading operation of SRAM.例文帳に追加

ＳＲＡＭの情報保持動作と書き込み動作と読み出し動作のいずれかのアクティブモードで基板バイアス電圧Ｖｂｐ、ＶｂｎがＳＲＡＭメモリセルのＭＯＳトランジスタの基板（ウェル）に印加される。 - 特許庁

The insulating layer is interposed between the scanning line 2, the auxiliary capacitor wiring 3 and the signal wire 6, by which an active matrix substrate can be lessened in signal wire capacitance to give little effect on the auxiliary capacitance.例文帳に追加

走査線２および補助容量配線３と信号線６との間に絶縁体層が存在することにより、補助容量値への影響を少なく、信号線容量値を低減することができる。 - 特許庁

The reflecting layer 103 disposed more closely to a substrate than the active layer 105 comprises a laminated structure wherein low-refractive-index layers 1031, a high-refractive-index layer 1032, and a composition inclining layer 1033 are laminated.例文帳に追加

活性層１０５よりも基板側に配置された反射層１０３は、低屈折率層１０３１と、高屈折率層１０３２と、組成傾斜層１０３３とを積層した積層構造からなる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of an active matrix substrate which is equipped with structure capable of easily deciding presence/no presence of a short obstacle that becomes a problem at the time of actual driving while mounting a high resistance short circuit.例文帳に追加

高抵抗ショート回路を搭載しながらも、実際の駆動時に問題となるショート障害の有無を容易に判定し得る構造を備えたアクティブマトリクス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix type EL display device capable of confirming the operation of a TFT substrate before the film formation of an EL material, thereby improving the non-defectiveness of finished products and reducing its cost.例文帳に追加

アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、ＥＬ材料を成膜する前にＴＦＴ基板の動作確認をおこない、最終製品の良品率を向上させ、原価を低減することを課題とする。 - 特許庁

A surface emitting laser 200 has a layered structure where a lower mirror 212, an active layer 214 and an upper mirror 216 are stacked on a substrate 210, and comprises a first structure 280 with a surface step structure.例文帳に追加

面発光レーザ２００は基板２１０上に下部ミラー２１２、活性層２１４、上部ミラー２１６が積層された積層構造を有し、表面段差構造を有する第１の構造体２８０を備える。 - 特許庁

After the growth mask is etched away, an active layer 16 and a p-type GaN layer 17 are successively grown over the entire surface of the substrate, in such a manner as to cover the n-type GaN layer 15, to form a light-emitting device structure.例文帳に追加

成長マスクをエッチング除去した後、ｎ型ＧａＮ層１５を覆うように基板全面に活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、発光素子構造を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer group 20 is constituted on a substrate 11 by laminating one by one an n-type emitter layer 12, a p-type base layer 13, an active layer 14, an n-type base layer 15, and a p-type emitter layer 16.例文帳に追加

基板１１上において、ｎ型エミッタ層１２、ｐ型ベース層１３、活性層１４、ｎ型ベース層１５、及びｐ型エミッタ層１６が順次積層されてなる半導体層群２０を形成する。 - 特許庁

The display panel with the built-in optical sensor has an active matrix substrate 100 having a pixel area in which pixels are arranged like a matrix, and at least a part of the pixel area, an optical sensor part 4 is formed.例文帳に追加

光センサ内蔵表示パネルは、マトリクス状に画素が配置された画素領域を有するアクティブマトリクス基板１００を有し、画素領域の少なくとも一部に光センサ部４が形成される。 - 特許庁

The active matrix type display device includes a substrate, a plurality of video signal lines VL, a plurality of pixels PX connected to the respective video signal lines, and a plurality of protection wirings set at fixed potential.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置は、基板と、複数の映像信号線ＶＬと、各映像信号線に接続された複数の画素ＰＸと、一定の電位に設定される複数の保護配線と、を備えている。 - 特許庁

A lattice strain relaxing layer 12, a clad layer 13, an active layer 14, and a clad layer 15 are formed with InAlGaP on an n-GaP substrate 11 which is transparent to InAlGaP semiconductor element radiation light.例文帳に追加

ＩnＡlＧaＰ系半導体素子放射光に透明なｎ‐ＧaＰ基板１１上に、ＩnＡlＧaＰによって格子歪緩和層１２,クラッド層１３,活性層１４及びクラッド層１５を形成する。 - 特許庁

A light receiver 16 having a photosensitive-selenium-based layered structure is disposed on an active-matrix substrate 18 including a thin-film transistor(TFT) array 20 having a scan circuit 26 and a read circuit 28.例文帳に追加

走査回路２６および読み出し回路２８を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ２０を含むアクティブマトリックス基板１８上に、上記セレン基材積層構造の光受信器１６を配置する。 - 特許庁

To provide a technology for manufacturing a semiconductor integrated circuit device for preventing generation of local silicon deletion(pit) in a silicon substrate at the time of oxide film etching by buffered HF liquid added with surface active agent.例文帳に追加

界面活性剤が添加されたバッファドＨＦ液で酸化膜エッチングを行う時、シリコン基板に局所的なシリコンの削れ（ピット）が生じない半導体集積回路装置の製造技術を提供する。 - 特許庁

A protruding resonator forming part including an N-type semiconductor layer 12, an active layer 13, and a P-type semiconductor layer 14 is formed on the center of the epitaxial layer of a substrate 11.例文帳に追加

基板１１のエピタキシャル層における中央部には、ｎ型半導体層１２、活性層１３及びｐ型半導体層１４を含む凸状部からなる共振器形成部が形成されている。 - 特許庁

In the manufacture of a substrate for fabricating such a semiconductor device, first, a trench is formed in the n-type main semiconductor layer 1, an active layer is formed in the bottom of the trench by ion implantation and heat treatment.例文帳に追加

このような半導体装置の作成用基板の製造は、まず、ｎ型主半導体層１に、トレンチを形成し、イオン注入および熱処理により、トレンチの底面に活性層を形成する。 - 特許庁

The mesa region 10 of an approximately cylindrical shape having an n-side multilayer reflective film 12, an active layer 13, a current narrowing layer 14, and a p-side multilayer reflective film 15 laminated in this order, is formed in a substrate 11.例文帳に追加

基板１１に、ｎ側多層反射膜１２，活性層１３，電流狭窄層１４，ｐ側多層反射膜１５がこの順に積層された略円柱状のメサ領域１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a gallium nitride epitaxial wafer for obtaining a semiconductor device having a structure capable of reducing distribution of emission wavelength of an active layer including a well layer provided on a gallium nitride substrate.例文帳に追加

窒化ガリウム基板上の設けられた井戸層を含む活性層の発光波長の分布を縮小可能な構造の半導体素子を提供するための窒化ガリウム系エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element includes, on a substrate 10 composed of n-type GaAs; an n-type clad layer 12 composed of Al_xGa_1-xP; an active layer 13 composed of GaInP; and the p-type clad layer 15 composed of Al_xGa_1-xP.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上に、Ａｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｎ型クラッド層１２、ＧａＩｎＰからなる活性層１３、およびＡｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｐ型クラッド層１５を有する。 - 特許庁

Plural TAB(tape automated bonding) substrates 2 on which driving ICs 7 are provided respectively are connected to an active matrix substrate 1 with an ACF(anisotropic conductive film) and moreover the driving IC 7... and source buss lines 6... are connected with the ACF.例文帳に追加

駆動用ＩＣ７がそれぞれ設けられた複数のＴＡＢ基板２…を、ＡＣＦを介してアクティブマトリクス基板１に接続し、駆動用ＩＣ７…とソースバスライン６…とをＡＣＦを介して接続する。 - 特許庁

By heat treatment, a multi-step in a crossing shape is formed on the surface of a sapphire substrate, and also, each stabilized region 1, in which the step is eliminated, is formed while each chemically-active region 2 is formed around each stabilized region.例文帳に追加

熱処理によって、サファイヤ基板表面に交差状マルチステップを形成するとともに、ステップが排除された安定化領域１と、その周辺に化学的活性領域２とを形成する。 - 特許庁

To appropriately supply signals to each of auxiliary capacitance wires divided into two channels in an active matrix substrate to be used for a liquid crystal display device and so on driven with a DOT drive method.例文帳に追加

ＤＯＴ駆動方式される液晶表示装置などに用いられるアクティブマトリクス基板において、２系統に分けられた補助容量配線のそれぞれに対して適切に信号を供給する。 - 特許庁

A multilayer film mirror 1300, an active layer 1200, and a refractive index period structure layer 1020 of which a refractive index changes periodically are laminated in a direction vertical to the inplane direction of a substrate 1500.例文帳に追加

多層膜ミラー１３００と、活性層１２００と、周期的に屈折率が変化する屈折率周期構造層１０２０とが、基板１５００の面内方向に垂直な方向に積層する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a first MOSFET and a second MOSFET, each of which has a plurality of layers in different electrically insulated active regions of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基体の電気的に絶縁された活性領域内にそれぞれ複数の層を有する第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタおよび第２のＭＯＳＦＥＴトランジスタを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal display reducing afterimages in an active matrix type liquid crystal display installing pixel electrodes and common electrodes on a same substrate and applying voltage to them to drive liquid crystal molecules.例文帳に追加

同一基板上に画素電極と共通電極を配置し、これらに電圧を印加して液晶分子を動かして表示を行うアクティブマトリクス型液晶表示装置の残像を低減する。 - 特許庁

An optical element comprises: a mesa structure that is formed on a substrate and includes an active layer therein; and a dielectric film formed so as to overlap the edge face of the mesa structure.例文帳に追加

本発明に係る光素子は、基板上に形成されたメサ構造であってその内部に活性層を含むものと、該メサ構造の端面に重なるように形成された誘電体膜と、を備えるものである。 - 特許庁

Diffusion of Ga is analyzed with a laminate formed by laminating a Ga-doped MgZnO layer, an undoped MgZnO layer, a nitrogen-doped MgZnO layer, an undoped active layer, and a nitrogen-doped MgZnO layer on a ZnO substrate.例文帳に追加

ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。 - 特許庁

To improve yields in an active matrix substrate, its manufacturing method, an optoelectronic device and its manufacturing method by reducing initial defects and damage on an insulation layer caused by an ion implantation.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置とその製造方法において、イオン注入に起因する絶縁膜の初期欠陥やダメージを低減させて歩留まりを向上させること。 - 特許庁

Since all sides of the semiconductor substrate 11 with the active region 19 formed therein can be covered with insulator, pressure resistance and humidity resistance of the semiconductor device is improved.例文帳に追加

従って、活性領域１９が形成される半導体基板１１の側面の全てを絶縁物により被覆することができるので、半導体装置の耐圧性および耐湿性を向上させることができる。 - 特許庁

By etching after coating and calcining a Ti-Ag-Cu based active metal paste, the heater substrate equipped with the heat generating resister layer having a titanium nitride layer as the main component can be obtained.例文帳に追加

Ｔｉ−Ａｇ−Ｃｕ系活性金属ペーストを塗布、焼成した後、エッチングすることにより、窒化チタン層を主成分とする発熱抵抗体層を具備したヒーター基板を得ることができる。 - 特許庁

To obtain a reliable, high-frequency module for reducing the influence of a sealing resin used for securing the packaging strength of an active element onto a multilayer substrate and obtaining stable characteristics.例文帳に追加

多層基板上への能動素子の実装強度を確保するために用いられる封止樹脂の影響が少なく、安定した特性を得ることができ、信頼性の高い高周波モジュールを得る。 - 特許庁

The active region is composed of a source region 2, a drain region 3, and a channel region under a gate oxide film 5, and is formed on the semiconductor substrate 1 directly below the electrode pad 12.例文帳に追加

活性領域は、ソース領域２、ドレイン領域３、及びゲート酸化膜５下のチャネル領域から構成され、活性領域は、電極パッド１２のほぼ直下の半導体基板１に形成されている。 - 特許庁

A body part 61a of a scanning line 3a and a data line 6a is composed of a low resistant metal such as aluminum or aluminum alloy in an active matrix substrate 10 of a liquid crystal device.例文帳に追加

液晶装置のアクティブマトリクス基板１０では、走査線３ａ、およびデータ線６ａの本体部分６１ａは、アルミニウムまたはアルミニウム合金といった低抵抗金属から構成されている。 - 特許庁