「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method for an active matrix substrate eliminating a metallic luster-like reflection characteristic of a pixel electrode in a conventional reflection type LCD to improve display quality.例文帳に追加

従来の反射型ＬＣＤで問題となっている画素電極での金属光沢的な反射特性をなくし、表示品位を飛躍的に改善するアクティブマトリックス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An inside first DBR film 3a, an outside first DBR film 13, a quantum well active layer 5, a second DBR film 7 and an SiO_2 film 10 are formed on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ型のＧａＡｓ基板１上には、内側第１ＤＢＲ膜３ａ、外側第１ＤＢＲ膜１３、量子井戸活性層５、第２ＤＢＲ膜７及びＳｉＯ_2膜１０を形成している。 - 特許庁

An active material body is formed on the plurality of salients 121 of the collector substrate 122 to form an electrode, follwed by storing a structure including the electrode and the separator in an outer jacket 14 of a battery.例文帳に追加

集電体基板１２２の複数の凸部１２１に活物質体と形成し、電極を形成した後、この電極およびセパレータを含む構造物を電池外装１４の内部に収納する。 - 特許庁

These active ingredients can cure a majority of dermatoses without side effects, being compatible with a wide range of diseases including inflammations, dermatoses and incised wounds, unlike specialty medicines used for solely treating oxygen's substrate specificity and specific diseases treated by western pharmaceuticals.例文帳に追加

皮膚疾患の多くは副作用無く治癒でき、酵素の基質特異性及び西洋医薬の特定の疾患のみ治療する専門薬と違い、広範な疾患、炎症、皮膚病、切り傷に対応できる。 - 特許庁

In this structure, the distance D from the interface of the n-type substrate 1 and the buffer layer 11 to the center 5a of the active layer 5 is set longer than the beam spot radius (a) of 1/e^2 of laser beam.例文帳に追加

この構造において、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面から、活性層５の中心５ａまでの距離Ｄが、レーザ光の１／ｅ^２のビームスポット半径ａよりも長くなるようにする。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate capable of suitably forming a thick insulating film around an organic semiconductor film of a thin film light-emitting element without injuring the thin film light-emitting element.例文帳に追加

薄膜発光素子を損傷することなく、当該薄膜発光素子の有機半導体膜の周りに厚い絶縁膜を好適に形成することのできるアクティブマトリクス基板を提供することにある。 - 特許庁

To appropriately supply signals to each of auxiliary capacitance wiring divided into two lines in an active matrix substrate used in a liquid crystal display or the like driven by a DOT driving system.例文帳に追加

ＤＯＴ駆動方式される液晶表示装置などに用いられるアクティブマトリクス基板において、２系統に分けられた補助容量配線のそれぞれに対して適切に信号を供給する。 - 特許庁

The light emitting diode comprises a p-type nitride semiconductor layer (3), an active layer (4), an n-type nitride semiconductor layer (5) and a current diffusion layer (6) which are arranged on a silicon support substrate (1) through a buffer layer (2).例文帳に追加

発光ダイオードはシリコン支持基板（１）の上にバッファ層（２）を介して配置されたｐ型窒化物半導体層（３）、活性層（４）、ｎ型窒化物半導体層（５）及び電流拡散層（６）を有する。 - 特許庁

Further, an (n) type transparent element substrate 90 made of a group III-V compound semiconductor having larger band gap energy than the active layer 5 is stuck on the second main surface of the layer 50 to be stuck.例文帳に追加

また、該貼り合せ対象層５０の第二主表面に活性層５よりもバンドギャップエネルギーが大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型透明素子基板９０が貼り合される。 - 特許庁

To provide a substrate for a microchip which can hold in a high density a functional group fixating a biochemically active substance and which can be manufactured by a simplified cheap method, as well as to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

生化学的活性物質を固定化する官能基を高密度に保持できる、簡便で安価な方法により製造することが可能な、マイクロチップ用基板とその製造方法を提供すること。 - 特許庁

There are laminated in this order: a substrate; an n-type contact layer; an active region consisting of a plurality of barrier layers and quantum well layers, wherein the highest portion thereof is the quantum well layer; a blocking layer; and a p-type contact layer.例文帳に追加

基板と、ｎ型コンタクト層と、複数のバリア層及び量子井戸層からなり最上部が量子井戸層である活性領域と、ブロッキング層と、ｐ型コンタクト層とがこの順に積層されている。 - 特許庁

The light emitting diode elements are formed with a high heat conductive substrate, a non-conductor type protective layer, a metal bonding layer, a mirror plane protective layer, an ohmic contact epitaxy layer, an upper coating layer, an active layer, and a lower coating layer.例文帳に追加

発光ダイオード素子は、高導熱基板と、非導体型保護層と、金属接着層と、鏡面保護層と、オーミックコンタクトエピタキシ層と上被覆層と活性層と下被覆層とを形成してなる。 - 特許庁

The nitride-based light emitting element has such a structure that a substrate 110, n-type clad layer 130, active layer 140, p-type clad layer 150, lattice cell layer 160, and ohmic contact layer are laminated in order.例文帳に追加

窒素物系発光素子は、基板１１０、ｎ型クラッド層１３０、活性層１４０、ｐ型クラッド層１５０、格子セル層１６０及びオーミック接触層が順次に積層された構造よりなっている。 - 特許庁

To efficiently make the gaseous starting material to be fed into plasma, furthermore to maintain the thermal energy of a plasma jet, to allow the plasma jet in which the concn. of active seed is high to act on a substrate and to improve the film forming rate.例文帳に追加

供給された原料ガスを無駄なくプラズマ化でき、且つ、プラズマジェットの熱エネルギーを維持し、活性種濃度が高濃度のプラズマジェットを基板に作用させ、成膜速度を向上させる。 - 特許庁

The photodiode 44 is, for example, a surface light receiving type, and provided on the substrate 12 to block the hole 32 to photodetect the light leaked from the active region via the hole 32.例文帳に追加

フォトダイオード４４は、例えば面受光型であって、貫通孔３２を塞ぐようにしてＧａＮ基板１２上に設けられ、貫通孔３２を介して活性領域から漏れ出た光を受光する。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an active layer 3, a p-type first clad layer 4, a p-type second clad layer 5 and a p-type contact layer 6 are laminated in this order on a principal plane of a GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の主面上には、ｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型第１クラッド層４、ｐ型第２クラッド層５およびｐ型コンタクト層６がこの順に積層されている。 - 特許庁

The super-junction semiconductor substrate 1 is configured in such a manner that n-type semiconductor layers 21, 2 of a parallel pn structure are formed at a boundary region between an active area 24 and a peripheral breakdown-resistant structure area 25.例文帳に追加

超接合型半導体基板１の、活性領域部２４と周辺耐圧構造部２５の境界の領域が、並列ｐｎ構造部のｎ型半導体層２１，２となるようにする。 - 特許庁

In addition, a device which is constructed by laminating and growing at least an n-type nitride semiconductor as a device structure formed on the obtained second nitride semiconductor 3 as a substrate, an active layer and a p-type nitride semiconductor is provided.例文帳に追加

また、得られた第２の窒化物半導体３を基板としこの上に素子構造として少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、ｐ型窒化物半導体を積層成長させてなる素子。 - 特許庁

In the substrate where patterning is performed using this mask, a movable region of the carrier consisting of the protruded section in the active layer expanded to the outside from the channel region (i.e., a leakage region) is contracted.例文帳に追加

このマスクを用いてパターニングされた基板では、チャンネル領域から外に拡がる活性層の上記の突出部分から成るキャリアの移動可能領域（すなわち漏れ領域）が縮小する。 - 特許庁

A surface light-emitting laser 100 is formed by laminating a lower mirror 112, an active layer 114, and an upper mirror 116 on a semiconductor substrate 110, and a step structure 150 in a convex shape is provided on the upper mirror.例文帳に追加

面発光レーザ１００は、半導体基板１１０上に、下部ミラー１１２、活性層１１４、上部ミラー１１６が積層され、上部ミラー上に凸型の段差構造１５０が設けられている。 - 特許庁

The surface light-emitting laser element 10 is constituted by forming a DBR layer 12, an active layer 15, and a DBR layer 18 or the like on a substrate 11 and a resonator for laser oscillation is constituted of the DBR layers 12, 18.例文帳に追加

面発光レーザ素子10は、基板11上にＤＢＲ層12、活性層15およびＤＢＲ層18等が形成されたものであり、レーザ発振させるための共振器がＤＢＲ層12，18により構成されている。 - 特許庁

To increase the proportion of the perfects to the whole lot of final products and to reduce the cost for active matrix EL display devices by checking the operation of a TFT substrate before depositing an EL material.例文帳に追加

アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、ＥＬ材料を成膜する前にＴＦＴ基板の動作の確認をおこない、最終製品の良品率を向上させ、原価を低減すること。 - 特許庁

A fin-shaped active region 13 is formed within a semiconductor substrate 11 and includes a first side face, a second side face parallel with the first side face, and an upper surface mutually connecting the first and second side faces.例文帳に追加

フィン状の活性領域１３は、半導体基板１１内に設けられ、第１の側面、前記第１の側面に平行する第２の側面、及び前記第１、第２の側面を繋ぐ上面を有する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable coating composition which can form a cured coating film which has outstanding scuff resistance, weatherability, and adhesion to a plastic substrate, especially to those substrates made of polycarbonate resin.例文帳に追加

優れた耐擦り傷性、耐候性、さらにプラスチック製基材、特にポリカーボネート樹脂製基材に対する付着性を有する硬化塗膜を形成しうる活性エネルギー線硬化型塗料組成物を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor laser element 30, a clad layer 3 of the first conductivity type, an active layer 4, and a clad layer 5 of the second conductivity type are formed sequentially above a semiconductor substrate 1 of the first conductivity type.例文帳に追加

半導体レーザ素子３０は、第１導電型の半導体基板１の上方に第１導電型のクラッド層３、活性層４、第２導電型のクラッド層５が順次形成されている。 - 特許庁

To provide a resin composition curable with active energy rays, having good releasability from a mold, especially a mold made of polycarbonate, and giving a cured product generating little warpage of a substrate caused by cure shrinkage.例文帳に追加

鋳型、特にポリカーボネート製鋳型からの離型性が良好であり、かつ硬化収縮による基板の反りが小さい硬化物を得ることが可能な活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride gallium-based semiconductor light-emitting device, having a structure capable of reducing the distribution of a light-emitting wavelength of an active layer, including a well layer provided to a nitride gallium substrate.例文帳に追加

窒化ガリウム基板上の設けられた井戸層を含む活性層の発光波長の分布を縮小可能な構造の窒化ガリウム系半導体発光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

The pixel selection transistor TR1 having an active layer 12, a gate insulation film 13 and a gate electrode 14 is formed on a substrate 10, and an inter-layer insulation film 16 and a passivation film 17 are stacked thereon.例文帳に追加

基板１０上に、能動層１２、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４を備えた画素選択トランジスタＴＲ１が形成され、この上に層間絶縁膜１６、パッシベーション膜１７が積層されている。 - 特許庁

At this time, the amorphous silicon is altered into single-crystal silicon through liquid-phase epitaxy to easily form the region differing in crystal plane on the surface of the wafer for the active layer of the laminated substrate.例文帳に追加

このとき、アモルファスシリコンを単結晶シリコンに液相エピタキシーにより変質させれば、貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成できる。 - 特許庁

In this case, optical characteristics of a quantum well of an active layer are obtained as the sum of optical anisotropy by the substrate and optical anisotropy by the strain field in the vicinity of the oxidized layer 108a.例文帳に追加

この場合に、活性層における量子井戸の光学特性は、基板による光学異方性と、酸化層１０８ａ近傍の歪み場による光学異方性とを加算して有することができる。 - 特許庁

On the silicon active layer (=SOI layer) (of an SOI substrate 104), dummy gate patterns 111 and 112 are formed and, thereafter, gate grooves 130 and 132 are provided by removing the gate patterns 111 and 112.例文帳に追加

（ＳＯＩ基板の１０４の）シリコン活性層（＝ＳＯＩ層）１０３上に、ダミーゲートパターン１１１、１１２を形成し、その後、これらのダミーゲートパターン１１１、１１２を除去して、ゲート溝１３０、１３２を設ける。 - 特許庁

For example, word lines GC0, GC1 are formed to be embedded in the surface of a semiconductor substrate 10 corresponding to areas between active regions AA0, AA1, AA2 with a nitride film for charge storage provided therebetween.例文帳に追加

例えば、アクティブ領域ＡＡ０，ＡＡ１，ＡＡ２の相互間に対応する半導体基板１０の表面部に、電荷蓄積用の窒化膜を介して、ワード線ＧＣ０，ＧＣ１を埋め込み形成する。 - 特許庁

The via hole is formed, where the via hole passes through the insulation region of a semiconductor layer and a buffer layer from the surface side of the semiconductor layer having an active region and the insulation one to a semiconductor substrate.例文帳に追加

活性領域と絶縁領域とを有する半導体層の表面側から、この半導体層の絶縁領域およびバッファ層を貫通して半導体基板に至るバイア・ホールを形成する。 - 特許庁

In the photovoltaic device, a rear-side electrode layer 9, a semiconductor photo-active layer 10, a transparent front-side electrode layer 5, and a current collection wiring layer 4 are formed on an insulating substrate 8.例文帳に追加

本発明の光起電力装置では、絶縁性基板８上に裏面電極層９、半導体光活性層１０、透明表面電極層５及び集電配線層４が形成される。 - 特許庁

In semiconductor laser elements 21 and 22, a number of layers 24-28, including an active layer 26 are laminated and formed on a substrate 23 and a luminous region 26a, is formed in mesa part 29.例文帳に追加

半導体レーザ素子（以下、素子と略称）２１，２２は、基板２３上に、活性層２６を含む多数の層２４〜２８が積層形成され、メサ部２９内に発光領域２６ａが形成されている。 - 特許庁

Also, the memory cell comprises a floating grid transistor and a control grid within an active semiconductor area which is formed in a region of a substrate and is delimited by an isolation region.例文帳に追加

該メモリ素子は、基板の１つの領域に形成されかつ分離領域によって境界を画定された能動的半導体領域の内部にフローティング・グリッド・トランジスタおよびコントロールグリッドを備える。 - 特許庁

The plastic substrate for an active matrix display has at least one barrier layer against oxygen and water vapor on a plastic base material and has one or more plasma-resistant layers as the outermost layer.例文帳に追加

プラスチツク基材上に少なくても１層以上の酸素・水蒸気バリア層を有し、且つ最外層に耐プラズマ層を１層以上設けたことを特徴とするアクティブマトリックス用表示用プラスチック基板。 - 特許庁

Since the migration of Cr in the substrate is inhibited by the Cr-trapping material, migration of Cr to the catalytic active component and reaction of Cr with the alkali metal or alkaline earth metal can be suppressed.例文帳に追加

Ｃｒ捕捉材によって基材中のＣｒの移動が阻止されるので、Ｃｒが触媒活性成分側へ移動してアルカリ金属又はアルカリ土類金属と反応するのを抑制できる。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate for reduced occurrence of leakage failure at a gate electrode and a source wiring, and to provide a liquid- crystal display device which require correction of defective pixels.例文帳に追加

ゲート電極とソース配線のリーク不良の発生率の低減が可能なアクティブマトリクス基板を提供するとともに、さらに画素部の欠陥修正が不要である液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

Trench element separation region 16 is so formed as to define an active region on a semiconductor substrate 2, and a drain diffusion layer is so formed as to be sandwiched between the trench element separation regions 16.例文帳に追加

半導体基板２上の活性領域を画定するようにトレンチ素子分離領域１６が形成され、トレンチ素子分離領域１６に挟まれるようにドレイン拡散層が形成される。 - 特許庁

To provide a transistor substrate for a liquid crystal display device preventing damage of a gate electrode when carrying out ion implantation in source/drain are of an active layer, and carrying out activation by irradiation of a laser beam.例文帳に追加

アクティブ層のソース／ドレイン領域にイオン注入を行い、レーザビームの照射による活性化を行う際に、ゲート電極の損傷を防止する液晶表示装置用トランジスタ基板を提供する。 - 特許庁

To enhance the utilization efficiency of active species and to carry out a high-speed plasma treatment, without troubles when carrying out a plasma treatment to a comparatively large substrate, in an atmospheric pressure plasma treatment apparatus.例文帳に追加

大気圧プラズマ処理装置において、比較的大型の基板に対してプラズマ処理を行なう際にも支障がなく、活性種の利用効率を高くすることを可能とし、高速のプラズマ処理を可能とする。 - 特許庁

An n-type GaAlAs buffer layer 14, an n-type GaAs substrate 16, an n-type GaAlAs clad layer 18, and a GaAs active layer 20 (emission region) are formed on an n-type electrode 12.例文帳に追加

ｎ形電極１２上にｎ型ＧａＡｌＡｓバッファ層１４、ｎ形ＧａＡｓ基板１６、ｎ形ＧａＡｌＡｓクラッド層１８、ＧａＡｓ活性層２０（発光領域）が形成されている。 - 特許庁

A group III-V semiconductor device comprises a compositionally graded body 108 disposed over a substrate 102 and below a buffer layer 110 supporting an active area 112 of the group III-V semiconductor device.例文帳に追加

III−Ｖ族半導体装置は、基板１０２の上およびIII−Ｖ族半導体装置の活性領域１１２を支持するバッファ層１１０の下に配置された組成傾斜本体１０８を備える。 - 特許庁

Resist patterns (monitor patterns 13a-13d) for measuring line widths are formed on a substrate having a STI surface 11 and an active area surface 12 in the same process as that for forming resist patterns for a mask.例文帳に追加

ＳＴＩ表面１１と活性領域表面１２とを有する基板上に、マスク用のレジストパターンの形成と同一工程で、線幅測定用のレジストパターン（モニタパターン１３ａ〜１３ｄ）を形成する。 - 特許庁