「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(41ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress harmful effect of dopant in a conductive semiconductor layer of a GaN-based device having a structure in which the conductive semiconductor layer is inserted between a substrate and an active layer.例文帳に追加

基板と能動層との間に導電性半導体層を挿入した構成をもつＧａＮ系デバイスにおいて、導電性半導体層中のドーパントの悪影響を抑制する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable resin composition capable of obtaining a cured product that has good mold releasability from a mold made from polycarbonate and has a little warpage of a substrate due to cure shrinkage.例文帳に追加

ポリカーボネート製鋳型からの離型性が良好で、硬化収縮による基板の反りが小さい硬化物を得ることが可能な活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A resonator structure including a buffer layer 102, a lower semiconductor DBR 103 and an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107, and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上にバッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁

The electrode structure 10 has a substrate 11, electrode active material layers 12A and 12B which are divided on the surface side, and a high resistance member 13 having an electrical resistance higher than that of electrolyte.例文帳に追加

電極構造体１０は、基材１１と、表面側が分割された電極活物質層１２Ａ、１２Ｂと、電解質より電気抵抗の高い高抵抗部材１３とを有する。 - 特許庁

A substrate 100 is overlaid with a lower clad layer 101, active layer 102, first upper clad layer 103, etching stop layer 104, and second upper clad layer 106 as a ridge in this order.例文帳に追加

基板１００上に、下クラッド層１０１、活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、リッジとしての第２上クラッド層１０６がこの順に積層されている。 - 特許庁

A semiconductor laser element is provided with an Si clad layer 13, an active layer 14, and a Zn clad layer 15, which are successively laminated upon a GaAs (100) substrate 11, and the clad layer 1 is formed in the shape of a mesa stripe.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、GaAs(100)基板１１上に順次に積層されたSiクラッド層１３、活性層１４及びZnクラッド層１５を備え、Znクラッド層１５がメサストライプに形成されている。 - 特許庁

In an SOI substrate 12, an SOI active layer 3 is formed on a buried oxide film 2, and at least a part of the layer 3 is formed by ALE (atomic layer epitaxy: atomic layer epitaxial growth).例文帳に追加

埋め込み酸化膜２上に、ＳＯＩ活性層３が形成され、この少なくとも一部がＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシャル成長）によって形成されているＳＯＩ基板１２。 - 特許庁

Selective MOVPE growth is conducted, by using a patterning substrate, and an active layer and an optical waveguide layer are formed directly.例文帳に追加

ＩｎＰ上に選択ＭＯＶＰＥ成長用の酸化膜によるマスクパターンを形成し、パターニング基板を用いて選択ＭＯＶＰＥ成長を行い、活性層と光導波路層を直接形成する。 - 特許庁

The electrostatic discharge protection transistor is provided with a p-type semiconductor substrate 1, and transistors 21, 22 and 23 are formed in an active area surrounded by a device isolation area 2.例文帳に追加

本発明の静電放電保護トランジスタでは、Ｐ型半導体基板１からなり、周囲を素子分離領域２によって囲まれた活性領域に、トランジスタ２１, ２２, ２３が設けられている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of suppressing disconnection of connecting wirings connecting the wirings formed under the interlayer insulating film of an active element array substrate and its manufacturing method.例文帳に追加

アクティブ素子アレイ基板の層間絶縁膜下に形成された配線間を接続する接続配線の断線を抑制できる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a readout method of pixel data in a latch circuit without destroying it in an active matrix substrate which can be adapted to an electrophoretic display device provided with a latch circuit in a pixel.例文帳に追加

画素内にラッチ回路を備えた電気泳動表示装置に適用できるアクティブマトリクス基板において、ラッチ回路内の画素データを破壊することなく読み出す方法を提供する。 - 特許庁

An upper surface (active surface) 3a of the IC 3 is flush with the upper surface 1b of the substrate 1 comprising the wiring pattern 2, with the distance L from the lens IC capable of accurately setting without adjustment.例文帳に追加

ＩＣ３上面（能動面）３ａは配線パターン２を含む基板１上面１ｂと同一面となっていて、レンズＩＣ間距離Ｌは無調整で精度がでる構成である。 - 特許庁

The cost of a high-definition high-definition liquid crystal display device having a large capacity is reduced by applying the TFTs 21 and 22 to an active matrix substrate.例文帳に追加

更にこのような第１及び第２のｐ型ｐ−ＳｉＴＦＴ２１、２２をアクティブマトリクス基板に適用し高密度大容量且つ高精細な液晶表示装置の低価格化を図る。 - 特許庁

A TFT active matrix circuit is formed on a glass substrate 1 by using two sheets of photomasks, and an acrylic resin film 10, of which the surface is a flat electric insulating film, is formed on the circuit.例文帳に追加

ガラス基板１上に２枚のフォトマスクを用いてＴＦＴアクティブマトリクス回路を形成し、その上に表面が平坦な電気絶縁膜であるアクリル系樹脂膜１０を形成する。 - 特許庁

An active region 7 for formation of DRAM cells is prescribed by a separation trench 40 formed in a silicon substrate 1, and an isolation insulating film 4 is formed in the separation trench 40.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルが形成される活性領域７は、シリコン基板１に形成された分離トレンチ４０により規定され、分離トレンチ４０内には分離絶縁膜４が形成される。 - 特許庁

This adhesive tape type antiphlogistic sedative patch is obtained by forming an adhesive layer containing the nonsteroidal antiphlogistic sedative as the active ingredient and a percutaneous absorption promoter on a substrate.例文帳に追加

支持体上に、有効成分の非ステロイド系消炎鎮痛剤と経皮吸収促進剤とを含有する粘着剤層が形成された粘着テープ型消炎鎮痛貼付剤である。 - 特許庁

At least an n-type ZnO-based semiconductor clad layer 2, a ZnO-based semiconductor active layer 3, and a p-type ZnO-based semiconductor clad layer 4 are successively deposited on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に少なくとも、ｎ型ＺｎＯ系半導体クラッド層２と、ＺｎＯ系半導体活性層３と、ｐ型ＺｎＯ系半導体クラッド層４とを順次積層している。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises, on a substrate 101, an active layer 102, a clad layer 103, a contact layer 104, a passivation film 105, an upper part electrode 106, and a lower part electrode 107.例文帳に追加

半導体光素子は、基板１０１上に活性層１０２、クラッド層１０３、コンタクト層１０４、パッシベーション膜１０５、上部電極１０６、及び下部電極１０７から構成される。 - 特許庁

To reduce vertical stripe shaped display unevenness in an active matrix type liquid crystal display device in which a horizontal scanning driving circuit and a vertical scanning driving circuit are integrally formed on a glass substrate.例文帳に追加

水平走査駆動回路及び垂直走査駆動回路をガラス基板上に一体形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置における、縦縞状の表示むらの低減を図る。 - 特許庁

Thus, the active matrix substrate having functions on both sides can be made by more lightweight and at lower cost in comparison with a method of laminating two pieces of substrates which are separately made.例文帳に追加

これにより、別々に作成した２枚の基板を貼り合わせるような方法と比べてより軽量かつ低コストで両面に機能を有するアクティブマトリックス基板を作成することができる。 - 特許庁

An SOI substrate W2 is constituted, by forming a silicon oxide film 22 on a bulk silicon layer 23 and on an active silicon layer 21 used for forming a circuit pattern on the oxide film 22.例文帳に追加

ＳＯＩ基板Ｗ２は、バルクシリコン層２３上にシリコン酸化膜２２を形成し、そのシリコン酸化膜２２上に回路パターンを形成すべき活性シリコン層２１を形成して構成される。 - 特許庁

With the active layer 5 includes a quantum well layer of 10 nm or less, the contact layer 9 is growth through the temperature difference LPE with a substrate temperature of 700°C or less.例文帳に追加

さらに、活性層５が厚さ１０ｎｍ以下の量子井戸層を含む場合には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を基板温度７００℃以下の温度差ＬＰＥ法により成長させる。 - 特許庁

There is provided a substrate for active matrix display which is manufactured by a solvent cast method and uses, as a base material, a polycarbonate resin with a glass-transition temperature of 180°C or higher.例文帳に追加

ソルベントキャスト法により製造することを特徴とする、ガラス転移温度が１８０℃以上であるポリカーボネート樹脂を基材としたアクティブマトリクス型表示装置用基板により達成できる。 - 特許庁

The active matrix substrate also has a plurality of first CS wirings including sections substantially parallel to each other and a plurality of second CS wirings including sections substantially parallel to each other.例文帳に追加

また、アクティブマトリクス基板は、互いに実質的に平行な部分を含む複数の第１ＣＳ配線と、互いに実質的に平行な部分を含む複数の第２ＣＳ配線とを備える。 - 特許庁

On a quartz substrate 111, a base protective film 112 is formed, a first semiconductor film 113 is formed, a lower insulating film 114 is formed, and an active semiconductor film 115 is formed.例文帳に追加

石英基板１１１上に下地保護膜１１２を形成し、第一半導体膜１１３を形成し、下側絶縁膜１１４を形成し、活性半導体膜１１５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor optical element according to one embodiment has a lower cladding layer, an upper cladding layer, and a bulk-structured active layer, on one main surface side of a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、半導体基板の一方の主面側に、下部クラッド層、上部クラッド層、及びバルク構造の活性層を有している。 - 特許庁

A first and second floating gates are formed on the both sidewalls of an active region formed on the substrate via a first and second coupling gate insulating films, respectively.例文帳に追加

基板上に形成されている活性領域の両側壁には、それぞれ第１および第２カップリングゲート絶縁膜を介在して第１および第２フローティングゲートが形成されている。 - 特許庁

To provide an Au fine particle catalyst that is active to an oxidation-reduction reaction and inactive to a methanol oxidation reaction as an oxygen electrode catalyst for a direct methanol fuel cell and that is carried by a carbon substrate.例文帳に追加

直接メタノール型燃料電池の酸素極触媒として、酸素還元反応には活性で、メタノール酸化反応には不活性であるＡｕ微粒子触媒を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate and its manufacturing method equipped with a thin film transistor array capable of stabilizing the quality by preventing arc discharge upon film formation with use of a plasma CVD.例文帳に追加

プラズマＣＶＤを使用して成膜するとき、アーク放電を防止して品質を安定させることができる薄膜トランジスタアレイを備えるアクティブマトリックス基板と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electro-optical device, a color filter substrate and an electronic apparatus in which a module can be designed without considering the thickness of active components constituting a power supply circuit.例文帳に追加

電源回路を構成する受動部品の厚さを考慮することなくモジュール設計を進めることができる電気光学装置及びカラーフィルター基板並びに電子機器を提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 2 is provided with a semiconductor laminate 1 including an active layer 7, and by partitioning its prescribed range by an insulating layer 3, a light emitting part 11 is formed.例文帳に追加

半導体基板２には、活性層７を含む半導体積層体１が設けられており、その所定範囲が絶縁層３によって仕切られることにより、発光部１１が形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a marker layer 2, a first cladding layer 3, an etch stop layer 4, a second cladding layer 5, an active layer 6, a third cladding layer 7, and a cap layer 8 are successively grown.例文帳に追加

半導体基板１上にマーカー層２，第一クラッド層３，エッチストップ層４，第二クラッド層５，活性層６，第三クラッド層７及びキャップ層８を順次成長させる。 - 特許庁

The laser oscillation element has quantum dots formed on a GaAs(311)A substrate in its active layer to a density of 2×10^10/cm^2 to 1×10^11/cm^2.例文帳に追加

レーザ発振素子において、その活性層は、２×１０^１０／ｃｍ^２〜１×１０^１１／ｃｍ^２の密度でＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上に量子ドットが形成されている。 - 特許庁

The device 100 has a substrate 110, a bottom dielectric stack 120 reflective to the light within a predetermined wavelength range, and an organic active region 130 that generates semi-laser light.例文帳に追加

このデバイス１００は、基板１１０と、所定範囲の波長光に対して反射性であるボトム誘電体スタック１２０と、準レーザ光を発生する有機活性領域１３０とを有する。 - 特許庁

A sidewall film 6 of a boron and phosphorus-containing silicon oxide film is formed in the sidewall of a lamination film of a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 on the active region of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の活性領域上にあるシリコン酸化膜２とシリコン窒化膜３との積層膜の側壁にボロン及びリンを含んだシリコン酸化膜のサイドウォール膜６を形成させる。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型基板１０１と、下部半導体層と、活性層１０６と、上部半導体層と、電流阻止層１１５とを備えている。 - 特許庁

The active matrix substrate comprises a data line drive circuit (101), provided on one end side of a plurality of data lines (35), and an inspection cum precharge circuit (201) provided on the other end side.例文帳に追加

本発明のアクティブマトリクス基板は、複数のデータ線（３５）の一端側に設けられたデータ線駆動回路（１０１）と、その他端側に設けられてた検査兼プリチャージ回路（２０１）とを備える。 - 特許庁

At least an active layer 106, a p-type first semiconductor layer 109, and p-type second semiconductor layers 110, 111 are provided sequentially on an n-type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１０１上に順に活性層１０６、ｐ型の第一半導体層１０９およびｐ型の第二半導体層１１０，１１１を少なくとも備える。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate and an active matrix type liquid crystal display device for simultaneously suppressing a back gate effect and the fluctuation of the characteristics of a thin film transistor due to an optical leakage current.例文帳に追加

バックゲート効果及び光リーク電流による薄膜トランジスタの特性の変動を同時に抑制する、薄膜トランジスタアレイ基板及びアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The patterns 16a to 16c and the pads 17a to 17c are those which are reduced in resistance an active layer formed on the substrate 10A via an insulating layer through impurity diffusion.例文帳に追加

配線パターン１６ａ〜１６ｃ及び電極パッド１７ａ〜１７ｃは、シリコン基板１０Ａ上に絶縁層を介して形成された活性層を不純物拡散により低抵抗化したものである。 - 特許庁

An active area of the 2nd element can be formed avoiding the interface between the base substrate and 2nd semiconductor layer, so leak current can be suppressed and characteristics of a device can be improved.例文帳に追加

上記第２の素子の活性領域を、上記支持基板と第２の半導体層との界面を避けて形成できるので、リーク電流を抑制でき、デバイスの特性を向上できる。 - 特許庁

In forming a memory cell transistor of a flash memory, an STI 2 (shallow trench isolation) is formed on a silicon substrate 1, and a gate insulating film 5 and a floating gate electrode 4b are stacked and formed on an active region 3.例文帳に追加

フラッシュメモリのメモリセルトランジスタの形成で、シリコン基板１にＳＴＩ２を形成し、活性領域３にはゲート絶縁膜５、フローティングゲート電極４ｂを積層形成する。 - 特許庁

To provide an active matrix liquid crystal display integrating the peripheral drive circuit and balanced as a whole in which thin film transistors having different characteristics can be integrated on the same substrate without increasing the process.例文帳に追加

本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method of producing an optically active compound that is very effective for the optical resolution with high resolution efficiency of the substrate alcohol by using a new type of acylateing agent.例文帳に追加

基質アルコールの光学分割に非常に有効で分割効率も高くかつ反応活性も高い、新しいタイプのアシル化剤を用いる、光学活性化合物の製造法を提供する。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, n-type waveguide layer 3, n-type carrier block layer 4, an active layer 5, p-type carrier block layer 6, and p-type waveguide layer 7 are successively layered on an n type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１上に、ｎ型クラッド層２、ｎ型導波層３、ｎ型キャリアブロック層４、活性層５、ｐ型キャリアブロック層６、ｐ型導波層７が順次積層されている。 - 特許庁