「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an active energy ray-curable resin composition that provides a coating film having antifogging performance when a coating film is formed by irradiating the composition with active energy rays, that prevents warpage of a substrate and has excellent adhesion although the composition has a high curing rate.例文帳に追加

活性エネルギー線を照射してコーティング塗膜を作成した際、防曇性能を有した塗膜が得られ、かつ硬化速度が速いながらも基材の反りを防ぐと共に密着性に優れた活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A positive electrode active material layer 2 and a positive electrode current collector layer 4 are laminated at one face of an electrolyte film 1 including lithium ion conductive glass ceramics as a supporting substrate, and a negative electrode active material layer 3 and a negative electrode current collector layer 5 are laminated at the other face.例文帳に追加

支持基材としてのリチウムイオン伝導性ガラスセラミックスを含む電解質フィルム１の一方の面に正極活物質層２、正極集電体層４が積層され、他方の面に負極活物質層３、負極集電体層５が積層された。 - 特許庁

A first resin layer 18 is provided on the active surface 10A of the semiconductor substrate 10, set thicker than the height of a part of the through-electrode 12 protruding from the active surface 10A, and openings that make, at least, parts of the through-electrodes 12 exposed to the outside.例文帳に追加

半導体基板１０の能動面１０Ａ側に設けられ、かつ能動面１０Ｂ側に突出した貫通電極１２の高さよりも厚く、貫通電極１２の少なくとも一部を露出する開口を有した第１の樹脂層１８を備える。 - 特許庁

The energy gap of the current diffusion layer 16 is made larger than that of the active layer 14 while the GaP substrate 12 and the InGaP current diffusion layer 16 at the top layer are made transparent to the radiation light from the InAlGaP active layer 14, for raised light-emission efficiency.例文帳に追加

また、電流拡散層１６のエネルギーギャプを、活性層１４のエネルギーギャプよりも大きくして、ＧaＰ基板１１と最上層のＩnＧaＰ電流拡散層１６とをＩnＡlＧaＰ活性層１４からの放射光に対して透明にして発光効率を高める。 - 特許庁

In the anti-slip resin coated sheet obtained by applying an active energy beam curable composition to a substrate sheet and irradiating the coated sheet with active energy beam to form a cured resin layer, a humectant is added to the cured resin layer.例文帳に追加

基材シートの上に活性エネルギー線硬化性組成物を塗布し活性エネルギー線を照射して得られる硬化樹脂層を表面に有する防滑性樹脂塗工シートにおいて、該硬化樹脂層中に保湿剤を含有する防滑性樹脂塗工シート。 - 特許庁

The anode region 18 surrounds part of the active region 4b, the cathode region 16 is brought into contact with the outer periphery of the anode region 18 and the outer periphery of the cathode region 16 is surrounded by the active region 4b in a plan view in the semiconductor substrate 13.例文帳に追加

半導体基板１３を平面視したときに、アノード領域１８は、活性領域４ｂの一部を囲んでおり、カソード領域１６は、アノード領域１８の外周に接しており、カソード領域１６の外周が活性領域４ｂによって囲まれている。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable resin composition giving a coating film with antifogging performance when the coating film is made on irradiation with active energy rays, and preventing the substrate from warpage despite being high in curing rate and excellent in water resistance.例文帳に追加

活性エネルギー線を照射してコーティング塗膜を作成した際、防曇性能を有した塗膜が得られ、かつ硬化速度が速いながらも基材の反りを防ぐと共に耐水性に優れた活性エネルギー線硬化型コーティング用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the lens sheet having a lens part obtained by hardening an active energy ray- curing composition on at least one surface of a translucent substrate, the molar concentration of the active energy ray-curing composition which constitutes the lens part is ≤3.5 mM.例文帳に追加

透光性基材の少なくとも一方の面に、活性エネルギー線硬化性組成物を硬化して得られるレンズ部を有するレンズシートにおいて、レンズ部を構成する前記活性エネルギー線硬化性組成物が酸のモル濃度が３．５ｍＭ以下であるレンズシート。 - 特許庁

In the deficiency detecting method for the active matrix substrate or active matrix liquid crystal panel equipped with preliminary wiring formed by being insulated and intersected by a signal line and, the short circuit of the preliminary wiring and the signal line is detected by giving a counter electrode signal to the preliminary wiring.例文帳に追加

信号線に絶縁され交差して形成された予備配線を備えたアクティブマトリクス基板又はアクティブマトリクス液晶パネルの欠陥検出方法において、予備配線に対向電極信号を与え、予備配線と信号線との短絡を検出する。 - 特許庁

The organic thin film semiconductor transistor comprises a substrate, a gate electrode, a gate insulating layer, an organic semiconductor active layer, a source-drain electrode, and a protective layer, and further, a buffer layer installed between the above-mentioned organic semiconductor active layer and the above-mentioned protective layer.例文帳に追加

基板、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体活性層、ソース−ドレイン電極、および保護層を含み、前記有機半導体活性層と前記保護層との間に緩衝層が介設されていることを特徴とする有機薄膜半導体トランジスター。 - 特許庁

The semiconductor device packaged to include a semiconductor has a structure in which a mesh-like conductive layer 16m is formed on the semiconductor substrate 10 having an active element formed thereon, and a semiconductor chip 19 having an active element formed thereon is mounted on its upper layer.例文帳に追加

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置であって、能動素子が形成された半導体基板１０上にメッシュ状導電層１６ｍが形成されており、その上層に、能動素子が形成された半導体チップ１９がマウントされた構成とする。 - 特許庁

The semiconductor laser 10 comprises a structure which has a buffer layer 2, a clad layer 3, a light confinement layer 4, an active layer 5, a light confinement layer 6, a clad layer 7, and a contact layer 8 laminated in order on a substrate 1 and is equipped with a window member 11 adjacently to the active layer 5.例文帳に追加

半導体レーザ１は、バッファ層２、クラッド層３、光閉じ込め層４、活性層５、光閉じ込め層６、クラッド層７およびコンタクト層８が基板１上に順次積層され、活性層５に隣接して窓部材１１を備える構造からなる。 - 特許庁

The current flowing between the active layer 6 including an pn junction interface and the n-type GaAs substrate 1 is suppressed by making the conductivity type of an underlying heterobarrier layer 5 same as that of a part abutting on the underlying heterobarrier layer 5 of the active layer 6.例文帳に追加

さらに、下ヘテロ障壁層５の導電型を活性層６の下ヘテロ障壁層５に接する部分の導電型と同一にしてｐｎ接合界面を含む活性層６とｎ型ＧａＡｓ基板１との間に流れる電流を抑えるようにした。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes an active layer 104 formed on a substrate 101, a ridge waveguide 107a formed on the active layer 104, and a semiconductor laminate body which emits light from at least one of a front end face and rear end face.例文帳に追加

半導体発光素子は、基板１０１の上に形成された活性層１０４及び該活性層１０４の上に形成されたリッジ導波路１０７ａを含み、前端面及び後端面の少なくとも一方から光を放射する半導体積層体を有している。 - 特許庁

The surface of an active region L surrounded with an element isolation groove 2 on a substrate is flat and horizontal at the center of the region L, but the shoulder of the active region is a slope that declines downward to the side wall of the element isolation groove 2.例文帳に追加

素子分離溝２に囲まれた活性領域Ｌの基板１の表面は、活性領域Ｌの中央部では平坦な水平面となっているが、活性領域Ｌの肩部では、素子分離溝２の側壁に向かって下降する傾斜面となっている。 - 特許庁

This semiconductor element includes an element separating film which is arranged in a prescribed area of a first-conductivity substrate and limits an active region, a second-conductivity impurity diffusing layer formed on the surface of the active region, and a silicide layer covering the impurity diffusing layer.例文帳に追加

この素子は、第１導電型基板の所定の領域に配置され、活性領域を限定する素子分離膜と、活性領域の表面に形成された第２導電型不純物拡散層と第２導電型不純物拡散層を覆うシリサイド層とを含む。 - 特許庁

A current injection region 102 on an n-type InP substrate 101 is provided with a first laser active layer 103 and a second laser active layer 104 while a first current constriction layer 107 and a second lamp bulb constriction layer 108 are equipped around the current injection region 102.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０１上の電流注入領域１０２は、第１のレーザの活性層１０３と第２のレーザの活性層１０４を備え、その周囲には、第１の電流狭窄層１０７および第２の電球狭窄層１０８を備える。 - 特許庁

The element chip 71 is bored, the conductive material 7b is arranged between the second substrate 75 or the third substrate 78 and the element chip 71 at a position corresponding to the boring part, and the active element 72 and the electro-optical element 79 are electrically connected.例文帳に追加

素子チップ７１に開孔し、第２基板７５または第３基板７８と素子チップ７１の間の、この開孔部に対応する位置に導電材料７ｂを配置し、アクティブ素子７２と電気光学素子７９を電気的に接続する。 - 特許庁

The LED is comprised of a substrate 78, a buffer layer 76 formed on the substrate, one or more patterned layers 72 deposited on top of the buffer layer, and one or more active layers 70 formed on or between the patterned layers.例文帳に追加

基板７８と、基板上に形成されたバッファ層７６と、バッファ層の上部に堆積された１つ以上のパターニングされた層７２と、パターニングされた層の上または層の間に形成された１つ以上のアクティブ層７０から構成される。 - 特許庁

A first reflection film 12, an active layer 13 and a second reflection film 14 are formed in one surface of a substrate 11 and electrode layers 15, 16 are formed in a front surface of the second reflection film 14 and a rear surface of the substrate 11, respectively.例文帳に追加

基板１１の一表面に第１の反射膜１２と、活性層１３と、第２の反射膜１４とが形成され、その第２の反射膜１４の表面および基板１１の裏面には電極層１５、１６がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A semiconductor device 100 is provided with a first substrate 101, with which a passive element 107 is formed on one side and a shielding layer 113 is formed on the other side; and a second substrate 117, with which an active element 119 is formed on one side.例文帳に追加

半導体装置１００は、一方の面に受動素子１０７が形成され且つ他方の面にシールド層１１３が形成された第１の基板１０１と、一方の面に能動素子１１９が形成された第２の基板１１７とを備える。 - 特許庁

The VCSEL 10A includes a GaAs substrate 100, an n-type lower DBR 102 formed on the substrate, an active region 104, a current constriction layer 108, a p-type upper DBR 106, and an annular p-side electrode 110.例文帳に追加

ＶＣＳＥＬ１０Ａは、ＧａＡｓ基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、電流狭窄層１０８と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、環状のｐ側電極１１０とを有する。 - 特許庁

According to a manufacturing method of the element, the element isolation film which defines the active region on the semiconductor substrate defined the sell region is formed, the charge storing insulation film is formed on the whole surface of the semiconductor substrate in which the element isolation film is formed.例文帳に追加

この素子の製造方法によると、セル領域が定義された半導体基板に活性領域を限定する素子分離膜を形成し、素子分離膜が形成された半導体基板の全面に電荷貯蔵絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A tilt angle is set to θ_0, where a virtual surface that includes the edge of the active region and is vertical to the substrate surface is inclined toward a resist pattern until it comes into contact with the resist pattern with a point on the substrate closest to the resist pattern as a support.例文帳に追加

活性領域の縁を含み、かつ基板表面に対して垂直な仮想面を、レジストパターンに最も近い基板上の点を支点として、レジストパターンに向かって、レジストパターンに接触するまで傾けたときのチルト角をθ_０とする。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable ink composition which is easily curable within a short period of time even in high humidity, which is excellent in adhesive properties to a substrate and in flexibility, and with which a wrinkle and curl of the substrate are suppressed, and to provide an inkjet recording method, and printed matter.例文帳に追加

高湿下でも短時間で硬化し易く、基材への密着性、及び、柔軟性に優れ、基材のしわ及びカールを抑制することができる活性エネルギー線硬化型インク組成物、インクジェト記録方法、及び印刷物を提供する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable resin composition that is excellent in adhesion to a metal substrate such as aluminum, and further does not cause peeling or appearance change of a coating film when the coated metal substrate is folded or boiled.例文帳に追加

アルミニウム等の金属基材との密着性に優れ、更には、被覆された金属基材の折り曲げ時や煮沸時にも塗膜の剥離や外観変化が生じない活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

A columnar mesa section 17 is provided on a substrate 10, where the columnar mesa section 17 includes a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, an upper DBR layer 15, and a contact layer 16, in this order starting from the side of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、上部ＤＢＲ層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含む柱状のメサ部１７が設けられている。 - 特許庁

A thin film semiconductor device includes a glass substrate 51, an amorphous silicon film 53 provided on the substrate, a plurality of thin and long crystal grains 31 crystallized on the amorphous silicon film, and a thin film transistor having an active layer 11 arranged on the crystal grains.例文帳に追加

薄膜半導体装置は、ガラス基板５１と、該基板上に設けられたアモルファスシリコン膜５３と、該アモルファスシリコン膜に結晶化された複数の細長い結晶粒３１と、該結晶粒に活性層１１が配置された薄膜トランジスタと含む。 - 特許庁

To provide an image forming method capable of obtaining an image with high flexibility and generating no problem such as cracking even when the image is formed on a composite substrate and a substrate with a thin thickness by using an ink to be cured with an active light beam.例文帳に追加

活性光線により硬化するインクを用い、複合基材や厚みの薄い基材に画像を形成した場合にも、柔軟性が高く、ひび割れ等の問題を生じない画像が得られる画像形成方法を提供することである。 - 特許庁

The metal-single crystal complex is constituted of a single crystal substrate composed of the principal constituent of a metal compound single crystal jointed to a metal substrate composed of the principal constituent of copper or a copper alloy through an intermediate layer composed of the principal constituent of an active metal.例文帳に追加

銅または銅合金を主成分とする金属基板に、活性金属を主成分とする中間層を介して金属化合物単結晶を主成分とする単結晶基板を接合してなる金属−単結晶複合体を用いる。 - 特許庁

A method of manufacturing a substrate in which an operation for bonding an active element 8 composed of a first material to the surface of a support 2 composed of a second material when manufacturing a substrate, especially for optics, electronics or optoelectronics, is also provided.例文帳に追加

更に、特に光学、電子工学又は光電子工学用の基板を製造する際に第１の材料から成る活性要素８を第２の材料から成る支持体２の表面に接合する操作を行う基板製造方法にも関する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate, which is formed at low cost by a selective transfer method on a low heat-resistant substrate, such as a plastic board or the like and having a performance equivalent to a prior art or more and to provide a method for manufacturing the same and a display unit.例文帳に追加

プラスチック基板等の低耐熱基板上に選択転写法により低コストで形成され、且つ従来と同等以上の性能を有するアクティブマトリクス基板及びその製造方法、表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor element mounting substrate or a heat sink has at least a thin film layer 2 consisting of an active metal layer, a thin film layer 3 consisting of an Ni3Mo layer, a thin film layer 4 consisting of a Cu layer, a thin film layer 5 consisting of an Ni layer and an Au thin film layer 6 on an AlN substrate 1.例文帳に追加

ＡｌＮ基板１に活性金属からなる薄膜層２と、Ｎｉ_3 Ｍｏからなる薄膜層３と、Ｃｕからなる薄膜層４と、Ｎｉからなる薄膜層５と、Ａｕ薄膜層６とを少なくとも有することを特徴としている。 - 特許庁

ACF 26a opened at the side on the active region 51 of a semiconductor chip 28 is bonded onto the glass substrate 33, and the protruding electrode 24 on the semiconductor chip 28 is heat compressed to the transparent electrode 24 on the glass substrate 33.例文帳に追加

半導体チップ２８の能動領域５１上を開口したＡＣＦ２６ａをガラス基板３３に貼り付け、半導体チップ２８上に形成された突起電極２４とガラス基板３３上に形成された透明電極２４を熱圧着する。 - 特許庁

The tab part 11 is formed by pressurizing the three-dimensional porous body electrode substrate, and high compression parts 12 pressurized at high density relative to the tab part 11 are formed in boundaries between the tab part 11 of the three-dimensional porous body electrode substrate and active material-filled parts 13.例文帳に追加

三次元多孔体電極基板を加圧しタブ部１１を形成し、前記三次元多孔体電極基板の前記タブ部１１と活物質充填部１３の境界にタブ部１１よりも高密度に加圧された高圧縮部１２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a semiconductor substrate that highly sensitively evaluates a device active region while executing stable measurement even if using a simple structure for measurement in a method for evaluating a semiconductor substrate by using a leakage current.例文帳に追加

半導体基板のリーク電流による評価方法において、測定のための構造が単純であっても、安定した測定を行うことができ、デバイス活性領域を感度良く評価することができる半導体基板の評価方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 101 includes an n-type GaAs substrate 1 as a semiconductor substrate, and an n-type AlGaInP first clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type AlGaInP second clad layer 6 which are formed thereupon in order.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０１は、半導体基板としてのｎ型ＧａＡｓ基板１と、その上側に順に形成されたｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６とを備える。 - 特許庁

This organic memory device comprises a substrate, a first electrode formed on the substrate, an organic memory layer formed on the first electrode, a second electrode formed on the organic memory layer, and an embossed structure forming an active memory region in the organic memory layer.例文帳に追加

基板、前記基板上に形成された第１電極、前記第１電極上に形成された有機メモリ層、前記有機メモリ層上に形成された第２電極、及び前記有機メモリ層にメモリ活性領域を形成するエンボス構造物を含む。 - 特許庁

A semiconductor laser device is equipped with a first semiconductor including an active layer with a pair of resonant planes on a substrate, and a second semiconductor with an edge face which confronts the resonant planes and forms an angle with the horizontal direction of the substrate.例文帳に追加

基板上に一対の共振面が形成された活性層を含む第１の半導体と、共振面と対向すると共に基板水平方向に対して傾斜した角度の端面を有する第２の半導体とを備えた半導体レーザ素子ある。 - 特許庁

The biosensor made of a substrate coated with a hydrophobic highly polymerized compound by spincoating has a functional group for immobilizing a physiologically active substance on the uppermost surface on the substrate, and analyzes the interaction between biomoleculars by surface plasmon resonance.例文帳に追加

疎水性高分子化合物をスピンコートによりコーティングした基板から成るバイオセンサーで、基板上の最表面には生理活性物質を固定化することができる官能基を有し、表面プラズモン共鳴により生体分子間の相互作用を分析する。 - 特許庁

To propose a wiring structure applicable to a large screen, in particular, to provide a wiring structure in an input terminal portion, provided at a terminal portion of an active matrix substrate in a liquid crystal display, for an electrical connection with circuit wiring provided on another substrate.例文帳に追加

大画面に適用しうる配線の構造、特に液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基板の端部に設けられ、他の基板に設けた回路の配線と電気的に接続するための入力端子部における配線の構造について提案する。 - 特許庁

Further, the matter that the scratch and the dust are stuck to the outer surfaces 302, 402 of the active matrix substrate 10 and the counter substrate 20 is eliminated, and even when the scratch and the dust are stuck to the outer surfaces 981, 991 of the convex lenses 98, 99, such a scratch and dust aren't displayed on a projection picture.例文帳に追加

また、アクティブマトリクス基板１０、対向基板２０の外面３０２、４０２に傷や塵が付くことがなく、凸レンズの外面９８１、９９１に傷や塵が付いても、このような傷や塵は投射画像に映し出されることがない。 - 特許庁

Subsequently, a support 7 is deposited on the stripping face of the single crystal SiC layer 1a of the deposition substrate 6 and the base substrate 3 is removed thus obtaining a structure where the support 7 is deposited on the single crystal SiC layer 1a becoming the active region of the element.例文帳に追加

続いて、堆積用基板６の単結晶ＳｉＣ層１ａの剥離面に支持体７を堆積させたのち、ベース基板３を除去し、素子の活性領域となる単結晶ＳｉＣ層１ａの上に、支持体７が堆積された構成とする。 - 特許庁

To obtain the excellent display quality level by eliminating the influence of a back gate phenomenon and the influence of other caused by a light shielding film in an electrode substrate for a display device used as an array substrate of an active matrix type liquid crystal display device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板として用いられる表示装置用電極基板において、光遮蔽膜に起因するバックゲート現象の影響やその他の影響をなくして、優れた表示品位が得られるようにする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device wherein it can be avoided as much as possible for a light beam propagated in a plate surface direction while reflection is repeated in a transparent substrate among light beams made incident in the transparent substrate to reach an active region of an integrated circuit.例文帳に追加

透明基板に入射する光のうち、透明基板内を反射を繰り返しながら板面の方向に伝搬する光が集積回路の能動領域に到達することをできるだけ排除できる液晶表示装置の提供。 - 特許庁