「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, the memory module is configured so that a memory chip comprising a stacked memory mounted on one face of module substrate and a memory chip comprising a stacked memory mounted on a face of the other side of the module substrate are set active by turns and simultaneously.例文帳に追加

また、モジュール基板の一方の面に搭載された積層メモリが有するメモリチップと、モジュール基板の他方の面に搭載された積層メモリが有するメモリチップとが交互に同時にアクティブに設定される構成とする。 - 特許庁

To obtain a structure wherein a hollow portion is formed between a translucent member and an active element on a semiconductor substrate, without applying heavy load and conducting a pattern alignment at the jointing of the translucent member and the semiconductor substrate.例文帳に追加

光透過性部材と半導体基板上の能動素子との間に中空部分を形成する構造を得るために、光透過性部材と半導体基板との接合時に、高荷重を掛けること及びパターン合わせを不要にする。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate wherein photolithographic alignment of a terminal pad in a terminal disposing direction can be largely secured and the breakage of an insulating film due to deflection of an insulation substrate generated when a driver for driving a liquid crystal is mounted is suppressed.例文帳に追加

端子配設方向に対する端子パッドのフォトアライメントを大きくとることができ、また、液晶駆動用のドライバを実装する際の絶縁性基板のたわみによる絶縁膜の割れが抑止されるアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate for an electro-optical device realizing a high definition and a high aperture ratio, in a display using an organic semiconductor for an active matrix element, and also to provide the electrooptical device and a method for manufacturing the substrate for the electro-optical device.例文帳に追加

有機半導体をアクティブマトリクス素子に用いたディスプレイにおいて、高精細かつ高開口率の実現を可能とする電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductive material 7b is arranged between the second substrate 75 or the third substrate 78 and the element chip 71 at a position corresponding to the peripheral part of the element chip 71, and the active element 72 and the electro-optical element 79 are electrically connected.例文帳に追加

第２基板７５または第３基板７８と素子チップ７１の間の、素子チップ７１の周辺部に対応する位置に、導電材料７ｂを配置し、アクティブ素子７２と電気光学素子７９を電気的に接続する。 - 特許庁

To prevent a next process from accepting harmful effect even if an insulating substrate 10 is left as it is for a long period of time after depositing polysilicon layers to form the active layers of a semiconductor device on the substrate 10 and forming it into a designated pattern.例文帳に追加

絶縁性の基板１０に半導体装置の能動層となるべきポリシリコン層を堆積し、所定のパターンに形成した後、当該基板１０を長期間放置しても、後の工程に悪影響を及ぼすことのないようにする。 - 特許庁

A plurality of recessed parts 42 are arranged on a surface of an active matrix substrate 31 in contact with a liquid crystal layer 32, and a plurality of protruding parts 41 are arranged on a surface of a counter substrate 30 in contact with the liquid crystal layer 32.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板３１における液晶層３２に接する面上に、複数の窪み部４２が設けられているとともに、対向基板３０における液晶層３２に接する面上に、複数の凸部４１が設けられる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces deterioration in the electrical characteristics of a semiconductor layer due to the floating effect of a substrate and which exhibits superior electrical characteristics, as well as to provide a manufacturing method for such a semiconductor device, an active matrix substrate, an electro-optic device, and an electronic apparatus.例文帳に追加

基板浮遊効果に起因する半導体層の電気的特性の劣化を抑制し、優れた電気的特性を示す半導体装置とその製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

The resultant film is baked under specified temperature conditions to disperse silicon into the glass substrate in order to achieve a high adhesion between the photo-catalyst active layer and the substrate while retaining a high activity of the photo-catalyst.例文帳に追加

この膜を所定温度条件下で焼成することによって、シリコンをガラス基材側に分散させることによって、高い光触媒活性を維持しつつ、光触媒活性層とガラス基材との間に高度な密着性を実現する。 - 特許庁

An active matrix substrate (substrate for display panel) 1 mounting the IC chip (for instance, gate driver IC4 or source driver IC5) forms first metal wiring layers 14a-14c connected electrically to the terminal of the IC chip on an optical transmissive base substrate (for instance, glass substrate 11) composing it and a second metal wiring layer 12.例文帳に追加

ＩＣチップ（例えば、ゲートドライバＩＣ４又はソースドライバＩＣ５）が実装されるアクティブマトリクス基板（表示パネル用基板）１であって、それを構成する光透過性のベース基板（例えば、ガラス基板１１）上に、ＩＣチップの端子に電気的に接続される第１の金属配線層１４ａ〜１４ｃと、第２の金属配線層１２とを形成する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display element is provided with the upper side transparent substrate 13 and the lower side substrate 19 on which transparent electrode patterns 14 with no thin film active element are formed and a liquid crystal layer 15 arranged in a gap formed by placing the transparent electrode pattern sides of the upper transparent substrate and the lower substrate opposite to each other.例文帳に追加

薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された上側透明基板１３と、薄膜能動素子を有さない透明電極パターン１４が形成された下側基板１９と、上側透明基板及び下側基板の透明電極パターン側を対向させて形成した間隙に設けた液晶層１５とを備える。 - 特許庁

In the flux-applying method for applying flux to the substrate by jetting flux, including solvent and an active component toward the substrate in the flow soldering process for mounting the electronic components on the substrate using the solder material, jetted flux is stuck to the substrate while jetted flux substantially maintains a solution state.例文帳に追加

はんだ材料を用いて電子部品を基板に実装するフローはんだ付けプロセスにおける、溶剤および活性成分を含むフラックスを基板に向けてノズルから噴射することによってフラックスを基板に塗布するフラックス塗布方法において、噴射されたフラックスが溶液状態を実質的に維持したままで基板に付着するようにする。 - 特許庁

The MOS field-effect transistor includes a device isolating region disposed on a predetermined portion of the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain region spaced apart from each other about a channel region within the active region, a gate electrode formed on the active region between the source region and the drain region, and a gate insulating layer formed between the active region and the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定する素子分離領域を含み、活性領域内でチャンネル領域を介在してソース領域及びドレイン領域が互いに離隔されて形成されており、ソース領域とドレイン領域間の活性領域上にゲート電極が形成されており、活性領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成されているトランジスタ。 - 特許庁

This semiconductor laser is provided with an active layer 51 formed on a semiconductor substrate 49, a pair of cleaved end surfaces 55 that are formed by cleaving a wafer comprising the active layer 51, and a window layer 50 that is formed on at least one of the cleaved end surfaces 55 and has the band gap energy larger than that of the active layer 51 and the lattice constant smaller than that of the active layer 51.例文帳に追加

本発明の半導体レーザは、半導体基板４９上に形成された活性層５１と、上記活性層５１を有するウエハを劈開することにより形成された一対の劈開端面５５と、少なくとも一方の上記劈開端面５５上に形成され上記活性層５１より大きいバンドギャップエネルギーを有しかつ上記活性層５１より格子定数が小さい窓層５０と、を備える。 - 特許庁

To manufacture a high-performance color-filter-on-TFT-array substrate by securing the conduction between the switching active element and pixel electrode of the color-filter-on-TFT-array type liquid crystal panel.例文帳に追加

カラーフィルタオンＴＦＴアレイ型液晶パネルのスイッチング能動素子と画素電極の導通を確保し、高性能なカラーフィルタオンＴＦＴアレイ基板を製造する。 - 特許庁

An isolation insulating film 26 is formed so that an active region of a first access transistor TrA1 and a substrate contact region Rsub can be integrated with each other in a plan view.例文帳に追加

第１のアクセストランジスタＴｒＡ１の活性領域と基板コンタクト領域Ｒｓｕｂが平面視して一体になるように分離絶縁膜２６を形成する。 - 特許庁

To provide a transflective liquid crystal display device which is provided with a reflective layer on an inner-surface side of an active substrate, the liquid crystal display device being improved reflection factor and made free of coloration.例文帳に追加

アクティブ基板の内面側に反射層が設けられた半透過反射型の液晶表示装置において、反射率が向上し、色づきがなくなるようにする。 - 特許庁

In this case, the embedded insulation film 20 is projected over the surface of the substrate 10 and extended over the edge 15 of the groove 14 to the active area 31.例文帳に追加

ここで、埋め込み絶縁膜２０は、基板１０の表面よりも突出して、溝１４の縁１５を越えて活性領域３１上にまで延伸して形成される。 - 特許庁

The layer (2) is coated with an active energy ray curable composition having a gloss different from that of the paint film of layer (1) wholly or partially on the paint film of the layer (1) on a substrate.例文帳に追加

（ロ）前記の（イ）の塗膜の上に全面あるいは部分的に、（イ）の塗膜とは異なる光沢を有する活性エネルギー線硬化性組成物を塗布した層。 - 特許庁

Here, a border line DL of split exposure is at least positioned on a partition PAR where an active region which formes a pixel part is divided, in the semiconductor substrate.例文帳に追加

このとき、分割露光の境界線ＤＬは、少なくとも、半導体基板において、画素部が形成される活性領域が区画される領域ＰＡＲ上に位置している。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate capable of reducing power consumption in normal use and miniaturizing a peripheral part, an electrophoretic display and a method for driving the same, electronic equipment.例文帳に追加

通常使用時の消費電力の低減と周辺部の小型化が図れるアクティブマトリクス基板、電気泳動表示装置およびその駆動方法、電子機器を提供する。 - 特許庁

A memory cell array has a plurality of spaced apart isolation regions and active regions, and those regions are arranged on a substrate substantially parallel to one another in the column direction.例文帳に追加

メモリーセルアレーは離隔された複数の離隔領域及びアクティブ領域を備え、それらは基板上において縦方向に互いに実質的に平行に配置されている。 - 特許庁

To provide a means to from recesses and projections to prevent mirror reflection of a reflection electrode without increasing the processes for the manufacture of an active matrix substrate.例文帳に追加

本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。 - 特許庁

First and second active regions arranged at a specified interval in a first direction are defined by an element isolation structural body 2 formed on a surface of the substrate 1.例文帳に追加

基板表面上に形成された素子分離構造体により、第１の方向にある間隔を隔てて配置された第１及び第２の活性領域が画定されている。 - 特許庁

A DFB laser having a pin structure and an EA modulator having the pin structure are constituted on a common substrate 11, and the active-layer structures 13 and 19 of both elements are abutted and jointed.例文帳に追加

共通の基板１１上にpin構造のＤＦＢレーザとpin構造のＥＡ変調器が構成され、両素子の活性層構造１３，１９が突合せ接合されている。 - 特許庁

On the surface part of a substrate (10), at least one concave portion (20) and/or convex portion (21) is formed, which scatters or diffracts a light generated in an active layer (12).例文帳に追加

基板（１０）の表面部分には活性層（１２）で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも１つの凹部（２０）及び／又は凸部（２１）を形成する。 - 特許庁

A pattern of a first catalytic layer 18 is formed on a substrate 10 on which an active matrix element 4 is formed after providing an interlayer insulating film 16 and an adhesive layer 17.例文帳に追加

アクティブマトリクス素子４を形成した基板１０上に、層間絶縁膜１６および密着層１７を設けたのち、第１触媒層１８のパターンを形成する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable coating composition that can form a curing film that is excellent in adhesion with a substrate, and has excellent abrasion resistance and weatherability.例文帳に追加

基材との密着性に優れ、かつ優れた耐摩耗性および耐侯性を有する硬化被膜を形成しうる活性エネルギー線硬化型被覆組成物を提供する。 - 特許庁

To prevent malfunction of a circuit due to a displacement current which charges or discharges a parasitic capacitor composed of an insulating film between a supporting substrate and an active layer by a dv/dt surge.例文帳に追加

ｄｖ／ｄｔサージにより、支持基板と活性層との間の絶縁膜にて構成される寄生容量を充放電する変位電流による回路誤動作を防止する。 - 特許庁

To provide a means to form recesses and a projections to prevent the mirror reflection of a reflection electrode without increasing the number of processes for manufacturing an active matrix substrate.例文帳に追加

本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。 - 特許庁

An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の第１面１１に、ｎ型クラッド層２１，活性層２２，ｐ型クラッド層２３，ｐ側コンタクト層２４およびｐ側電極３０をこの順に積層する。 - 特許庁

The total thickness ratio obtained by dividing total thickness (μm) of an electrode substrate by the total thickness (μm) of an electrode active material layer is not less than 0.045 and not more than 0.31.例文帳に追加

電極基板の総厚（μｍ）を電極活物質層の総厚（μｍ）で除した比を総厚比とし、この総厚比を０．０４５以上０．３１以下とした。 - 特許庁

The heat generating resister layer of this heater substrate is the active metal nitride layer of the thickness of 10 μm or less, and superior in flatness with variance of thickness of 20% or less.例文帳に追加

これらヒーター基板は発熱抵抗体層は厚さ１０μｍ以下の活性金属窒化物層であり、厚さのバラツキが２０％以下と平坦性が優れている。 - 特許庁

A lower clad layer 102, an active layer 103 and an upper clad layer 104 are stacked in order from the lowest layer on a principal surface of a substrate 101 made of GaAs.例文帳に追加

ＧａＡｓからなる基板１０１の主面上には、下層から順に下部クラッド層１０２、活性層１０３および上部クラッド層１０４が積層されている。 - 特許庁

To provide means for forming unevenness that prevents mirror reflection of a reflection electrode without increasing the number of manufacturing steps of an active matrix substrate.例文帳に追加

本発明は、アクティブマトリクス基板の作製工程を増やすことなく、反射電極の鏡面反射を防ぐ凸凹を形成する手段を提供することを課題とする。 - 特許庁

A main semiconductor region 3 is composed of an n-type semiconductor layer 6, an active layer 7, and a p-type semiconductor layer 8 while having a light emitting function, and arranged on a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の上にｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とから成る発光機能を有する主半導体領域３を配置する。 - 特許庁

To provide a means, in which various organic matter contamination adhered to an optical element, in particular, a surface of a fluorite substrate is removed by fluorine active species within a vacuum deposition chamber.例文帳に追加

真空成膜槽内で、光学素子、特に蛍石基板表面に付着した種々の有機物汚染をフッ素活性種により除去することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor multilayer structure 3 is provided with an n-type contact layer 11, an active layer 12, a p-type electron stopping layer 13 and a p-type contact layer 14 sequentially from the substrate 2 side.例文帳に追加

半導体積層構造３は、基板２側から順に、ｎ型コンタクト層１１と、活性層１２と、ｐ型電子阻止層１３と、ｐ型コンタクト層１４とを備えている。 - 特許庁

The composition is coated on a substrate 0.1-1,000 μm thickness and cured by an active energy ray such as an electron beam, etc., to obtain a coating.例文帳に追加

そして、被覆剤組成物を基材上に０．１〜１０００μｍの厚さに塗布し、電子線等の活性エネルギー線により硬化させることにより被覆物が得られる。 - 特許庁

To certainly prevent an optical leakage current of a TFT (thin film transistor) in an active matrix substrate applied to a reflective or transflective liquid crystal device.例文帳に追加

反射型或いは半透過反射型の液晶装置に適用されるアクティブマトリクス基板において、ＴＦＴの光リーク電流を確実に防止できるようにする。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate for a display device which is loaded together with a plurality of kinds of TFTs having different gate insulating film thicknesses and with which a high-performance and high-speed operation is possible.例文帳に追加

異なるゲート絶縁膜厚を有する複数種類のＴＦＴを混載し、高性能で高速動作が可能な表示装置用アクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which a SIMOX substrate, having a high- quality active layer and an embedded oxide film (BOX), can be manufactured under low-energy, low-dose conditions.例文帳に追加

低エネルギー条件、かつ低ドーズ条件で、高品質の活性層及び埋め込み酸化膜（ＢＯＸ）を備えたＳＩＭＯＸ基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The patterns 16a to 16c are coupled with each other through coupled strips 24a to 24f, constituted of a high-resistance active layer provided on the substrate 10A via the insulating layer.例文帳に追加

配線パターン１６ａ〜１６ｃ間は、シリコン基板１０Ａ上に絶縁層を介して設けた高抵抗の活性層で構成した連結帯２４ａ〜２４ｆで連結される。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 21, an n-AlGaAs clad layer 22, an undoped AlGaAs optical guide layer 23, an undoped active layer 24, an undoped AlGaAs optical guide layer 25, a p-AlGaAs clad layer 25, and a p-GaAs cap layer 27 are in sequence laminated.例文帳に追加

n-GaAs基板21の上に、n-AlGaAsクラッド層22、アンドープAlGaAs光ガイド層23、アンドープ活性層24、アンドープAlGaAs光ガイド層25、p-AlGaAsクラッド層26、p-GaAsキャップ層27を順次積層する。 - 特許庁

To provide an active matrix type substrate which suppresses hydration due to moisture in anisotropic conductive resin for mounting a drive IC of a drawing line of a liquid crystal display panel.例文帳に追加

液晶表示パネルの引き出し配線の駆動ＩＣ実装用異方導電性樹脂中の水分による水和を抑制するアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁