「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor device includes a silicon substrate having the line-state patterns which become the active areas separated by the wiring between elements, the gate electrode or the trench element.例文帳に追加

半導体装置は、素子間配線・ゲート電極もしくはトレンチ素子によって分離された活性領域となるライン状パターンを有するシリコン基板を含む。 - 特許庁

To mount a plurality of pieces of active elements having a high withstand voltage and a carrier travelling characteristic on a common substrate by using a compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体層を利用して、高い耐圧とキャリア走行特性とを有するの能動素子を複数個共通の基板上に搭載する。 - 特許庁

Active regions 1c, 1b are defined in a semiconductor substrate within a memory cell area and a logic circuit area, respectively, by an isolation insulation film 4.例文帳に追加

ロジック回路領域及びメモリセル領域における半導体基板には素子分離絶縁膜４によって活性領域１ｃ，１ｂがそれぞれ区画されている。 - 特許庁

A field oxide film 102 is formed on a semiconductor substrate 101 while a gate oxide film 103 and a gate electrode 104 are formed in an active region.例文帳に追加

半導体基板１０１上にフィールド酸化膜１０２を形成し、活性領域にゲート酸化膜１０３及びゲート電極１０４を形成する。 - 特許庁

Consequently, about ≥97.7% of laser light generated from the active layer 5 is distributed on the upper layer of the interface between the n-type substrate 1 and the buffer layer 11.例文帳に追加

これにより、活性層５で発生するレーザ光の約９７．７％以上は、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面よりも上層に分布する。 - 特許庁

After a dummy gate electrode is formed on the active element part of a silicon substrate 11, a TEOS film 22 is deposited on the entire surface and then the surface is planarized.例文帳に追加

たとえば、シリコン基板１１の能動素子部上にダミーのゲート電極を形成した後、全面に、ＴＥＯＳ膜２２を堆積し、その表面を平坦化する。 - 特許庁

A semiconductor layer for a light-emitting element layered with an n-type semiconductor layer 2, an active layer and a p-type semiconductor layer 3 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。 - 特許庁

The welded portion 1a of the substrate 1 with the active material removed beforehand is next pressed and energized with a pair of roller type welding electrodes 3, 3.例文帳に追加

次に、活物質の除去を行った基板１の溶接箇所１ａに対して、予め一対のローラ形溶接電極３，３で加圧・通電を行う。 - 特許庁

The biosensor is composed of a substrate coated with a hydrophobic polymeric compound and modified with a compound having an optically active group.例文帳に追加

疎水性高分子化合物でコーティングした基板から成るバイオセンサーであって、光活性基を有する化合物で修飾されている上記のバイオセンサー。 - 特許庁

Thereby a semiconductor substrate can be obtained which is suitably used in an active element such as TFT and has high quality of polycrystalline silicon film, having large particle diameters.例文帳に追加

これにより、ＴＦＴ等のアクティブ素子に好適な、大粒子径の高品質な多結晶シリコン膜を備えた半導体基板を得ることができる。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate whose defect can be corrected with high precision without causing breaking of a signal wiring line nor damage to a pixel electrode.例文帳に追加

信号配線の断線や画素電極の損傷の発生を伴うことなく、欠陥修正を高精度で行うことができるアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

To form an indium-containing smooth structure between a substrate and an active region of a III nitride light emitting device to improve the surface characteristics of a device layer.例文帳に追加

デバイス層の表面特性を向上するために、III族窒化物発光デバイスの基板と活性領域の間に、インジウムを含む平滑構造を形成する。 - 特許庁

This filter circuit is an active filter circuit for which an operational amplifier AMP1 and capacitors C1 and C2 are formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明のフィルタ回路は、演算増幅器ＡＭＰ１および容量Ｃ１，Ｃ２が同一の半導体基板に形成されているアクティブフィルタ回路である。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a P-type field effect transistor formed in a first active region 103a on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１００における第１の活性領域１０３ａに形成されたＰ型の電界効果型トランジスタを備えている。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor device by preventing impurities from creeping from a glass substrate and the like into an active layer in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、ガラス基板等からの不純物の回り込み活性層に進入するのを抑制して、半導体装置の信頼性を向上させる。 - 特許庁

The active matrix board comprises; a transparent substrate having gate lines, source lines, gate pads, and source pads; a light-curing low permittivity protective film; and pixel electrodes arranged thereon.例文帳に追加

ゲート線、ソース線、ゲートパッド、ソースパッドを有する透明基板と、光硬化性低誘電率保護膜と、この上に配設される画素電極とからなる。 - 特許庁

A rear-surface electrode 19 formed on the rear surface of the semiconductor substrate 11 is connected with the active region 20 via the pierced electrode 16.例文帳に追加

半導体基板１１の下面に形成された裏面電極１９は、この貫通電極１６を介して活性領域２０と接続されている。 - 特許庁

This element comprises a cell region defined on a semiconductor substrate, and plurality of parallel element isolation films which are formed on the cell region and define an active region.例文帳に追加

この素子は、半導体基板に定義されたセル領域と、セル領域に形成されて活性領域を限定する複数個の平行な素子分離膜を含む。 - 特許庁

Active regions 10b covered with the protection film 12 and element separation regions 13 exposed from the protection film 12 are formed on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

その後、半導体基板１０に、保護膜１２に覆われた活性領域１０ｂと保護膜１２から露出した素子分離領域１３とを形成する。 - 特許庁

The isolation insulating film is formed, which isolates a silicon layer of an SOI substrate into multiple active regions, to form a gate electrode through a gate insulation film.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のシリコン層を複数の活性領域に分離する分離絶縁膜を形成して、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極を形成する。 - 特許庁

The first lens wafer has a planar lower wafer surface adjacent and parallel to the planar upper surface of the upper substrate layer of the electro-active lens assembly.例文帳に追加

第１レンズウエハは、電気駆動レンズアセンブリの上側の基板層の上側の平表面に平行で近接する、下側のウエハ平表面を有する。 - 特許庁

An MQW active layer 19 and a p-type superlattice cap layer 20 are formed sequentially on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１の上には、ＭＱＷ活性層１９と、該ＭＱＷ活性層１９上に形成されたｐ型超格子キャップ層２０とが形成されている。 - 特許庁

This semiconductor laser is provided with a first conductivity type clad layer 102, an active layer 103 and a second conductivity type clad layer 106 on a first conductivity type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

第一導電型半導体基板１０１上に、第一導電型クラッド層１０２、活性層１０３および第二導電型クラッド層１０６を有する。 - 特許庁

In the step S101, a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are sequentially grown on a semiconductor substrate by a liquid epitaxy method.例文帳に追加

成長工程Ｓ１０１では，半導体基板上に第１クラッド層と活性層と第２クラッド層とを液相エピタキシ法により順次成長させる。 - 特許庁

In the element termination region 200, a trench 700 is formed in a closed-loop shape enclosing the device active region 100 substantially perpendicularly to a substrate surface.例文帳に追加

素子終端領域２００には、基板表面に略垂直に、素子活性領域１００を取り囲む閉ループ状にトレンチ７００が形成されている。 - 特許庁

The ferroelectric film is arranged between the electrode and the semiconductor substrate, so that carrier can be implanted stably in the active layer.例文帳に追加

このように電極と半導体基板との間に強誘電体膜を備えていることから、活性層にキャリアを安定して注入することができる。 - 特許庁

To effectively protect a pixel electrode 30 from stress even through an inorganic buffer layer is used as a substrate for forming a thin film active element 90.例文帳に追加

薄膜アクティブ素子９０を形成するための下地として無機バッファ層を用いるにもかかわらず、応力から画素電極３０を有効に保護する。 - 特許庁

The active element array type substrate is provided with a plurality of pixel structures thereon and each pixel structure is provided with a bottom gate type thin film transistor and a pixel electrode.例文帳に追加

アクティブ素子アレイ型基板上には複数の画素構造を備えるとともに、各画素構造はボトムゲート型薄膜トランジスタおよび画素電極を備えている。 - 特許庁

The upper surface 8a in the semiconductor layer 8 is positioned at the upper portion of the upper surface 1a of the semiconductor substrate 1 in an active region 100c.例文帳に追加

そして、半導体層８の上面８ａは、活性領域１００ｃにおける半導体基板１の上面１ａよりも上方に位置している。 - 特許庁

The transistor includes an active area defined on a semiconductor substrate, and a pair of source/drain areas mutually formed apart and isolated.例文帳に追加

このトランジスタは、半導体基板に定義された活性領域と、活性領域内に互いに離隔されて形成された一対のソース／ドレイン領域を含む。 - 特許庁

The peak wavelength of the EL spectrum of the carrier trap layer is the longer wavelength equivalent to the band gap of the substrate and than the peak wavelength of the EL spectrum of the active layer.例文帳に追加

キャリアトラップ層のＥＬスペクトルのピーク波長は、基板のバンドギャップに相当する波長及び活性層のＥＬスペクトルのピーク波長よりも長い。 - 特許庁

A channel ion implantation region is formed by ion-implanting a dopant of a first conductivity type in the active region of the semiconductor substrate using the mask pattern.例文帳に追加

前記マスクパターンを前記半導体基板の活性領域に第１導電型のドープ剤をイオン注入してチャンネルイオン注入領域を形成する。 - 特許庁

Next, the silicon monocrystal substrate 1 is removed by dry etching using fluorine- based active seeds from the back side to produce SiN as a support layer (d).例文帳に追加

続いて、裏面からフッ素系活性種を用いたドライエッチングによりシリコン単結晶基板１を除去して、支持層となるSiＮを製作する（ｄ）。 - 特許庁

To provide a method for producing an optically active α-fluorine compound having high optical purity without using a substrate having a bulky ester part.例文帳に追加

エステル部分が嵩高い基質を用いることなく、光学純度が高い光学活性α−フッ素化合物を製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an active energy radiation-curing resin composition which is excellent in applicability and adhesion to a substrate and contains a urethane (meth)acrylate oligomer.例文帳に追加

塗工性に優れるうえ、基材との接着性に優れたウレタン（メタ）アクリレート系オリゴマーを含有する活性エネルギー線硬化型樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

An element isolation region is formed on a semiconductor substrate 10, on which a high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1 and a semiconductor active layer 2 are laminated.例文帳に追加

高濃度不純物拡散半導体層１、半導体活性層２が積層された半導体基板１０に素子分離領域が形成されている。 - 特許庁

Consequently, aluminum is prevented from intruding a high-impurity doped active region 102 of a silicon substrate 101 from a part where the titanium nitride film becomes thin.例文帳に追加

これによって、チタン窒化膜が薄くなった部分からアルミニウムがシリコン基板１０１の高不純物ドープ活性領域１０２へ侵入するのを防止する。 - 特許庁

The semiconductor laser device has a semiconductor laminated layers 10 which is composed of a group III-V nitride semiconductor containing an active layer formed on a substrate.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、基板の上に形成された活性層を含むIII−Ｖ族窒化物半導体からなる半導体層積層体１０を備えている。 - 特許庁

The line pattern of the inner layer of the three layer substrate can be utilized as a line for applying a bias voltage and a varactor diode can be employed as the active element.例文帳に追加

３層基板の内層の線路パターンを、バイアス電圧印加用の線路として利用することができ、アクティブ素子としてバラクタダイオードを用いることができる。 - 特許庁

While securing the easiness of handling for manufacturing by making the thickness of the piezoelectric element substrate 55 increased, the sheet-like piezoelectric active part 58 can be formed.例文帳に追加

圧電体基板５５の厚みを厚くすることで製造時のハンドリング容易性を確保しつつ、薄板状の圧電活性部５８を形成することができる。 - 特許庁

A gallium nitride semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, and a gallium nitride semiconductor layer of a second conductivity type are sequentially disposed on a support substrate 13.例文帳に追加

第１導電型窒化ガリウム系半導体層、活性層及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層が支持基体１３上に順に配置されている。 - 特許庁

A capacity element 1 formed on a first interlayer insulating film 6 formed on a semiconductor substrate 1 having a semiconductor active element 5.例文帳に追加

半導体能動素子５を有する半導体基板１上に形成された第１層間絶縁膜６の上には、容量素子１５が形成されている。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate provided with preferred peripheral circuits which do not cause decrease in brightness of electro-luminescent elements and has a less occupied area.例文帳に追加

エレクトロルミネッセンス素子の輝度の低下を生じさせることがなく、かつ、占有面積の少ない好適な周辺回路を備えたアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

In an area (active area S) respectively opposing to a plurality of band-shaped waveguides 15 on the back surface of the substrate 10, a plurality of recesses 16 are provided.例文帳に追加

基板１０の裏面の、複数の帯状導波路１５のそれぞれに対向する領域（活性領域Ｓ）には、複数の窪み１６が設けられている。 - 特許庁

The negative electrode current collector 11 has a grain-shaped protruding part 11B on a surface at which the negative electrode active material layer 12 of a substrate 11A is formed.例文帳に追加

負極集電体１１は、基材１１Ａの負極活物質層１２が形成される面に粒子状の突起部１１Ｂを有している。 - 特許庁