「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

The substrate dimensions of the active matrix substrate 14 of the liquid crystal panel 10 for display and the transparent substrate 21 of the patterned retardation plate 20 are made the same.例文帳に追加

パターン化位相差板２０の透明基板２１には、上記表示用液晶パネル１０の端子形成部１４ａと対向する割れ防止領域２１ａが設けられることにより、表示用液晶パネル１０のアクティブマトリクス基板１４とパターン化位相差板２０の透明基板２１との基板寸法が同一とされる。 - 特許庁

Active matrix elements, etc., are formed on one side plastic substrate 103, a color filter, etc., are formed on the other side plastic substrate 103, thereafter, both are stuck together by making the plastic substrates 103 inside and the supporting substrate 101 is removed by etching or a mechanical grinding processing.例文帳に追加

一方のプラスチック基板１０３にアクティブマトリックス素子等を形成し、他方のプラスチック基板１０３上にカラーフィルタ等を形成した後、これらをプラスチック基板１０３を内側にして貼り合わせ、支持基板１０１をエッチングまたは機械的研磨処理によって除去する。 - 特許庁

The semiconductor device 2 is provided with: a semiconductor substrate 13 having an active area 11 on its surface; at least one electrode pad 12 provided at a peripheral part on the surface of the semiconductor substrate 13; and a through electrode 14 which penetrates the semiconductor substrate 13 and is connected to the electrode pad 12.例文帳に追加

半導体装置２は、表面に活性領域１１を有する半導体基板１３と、半導体基板１３の表面の周縁部に設けられた少なくとも１つの電極パッド１２と、半導体基板１３を貫通し且つ電極パッド１２と接続する貫通電極１４とを備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 1001; a first active region 1003 of a first conductivity type formed in the semiconductor substrate 1001; and a first MISFET 1050 of a first channel type, having a first gate insulating film 1030a on the first active region 1003 and a first gate electrode 1032a and being formed on the first active region 1003.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１００１と、半導体基板１００１内に形成された第１導電型の第１の活性領域１００３と、第１の活性領域１００３上に形成された第１のゲート絶縁膜１０３０ａと第１のゲート電極１０３２ａとを有し、第１の活性領域１００３上に形成された第１チャネル型の第１のＭＩＳＦＥＴ１０５０とを備える。 - 特許庁

At either side of a positive or negative pole collector in substrate plate form, a successive stacking is provided for the positive or negative pole active material layer, the negative or positive pole active material, and the negative or positive pole collector.例文帳に追加

基体となる平板状の正極もしくは負極集電体の両面に、正極もしくは負極活物質層、固体電解質層、負極もしくは正極活物質層、および負極もしくは正極集電体を順次積層した。 - 特許庁

The active layer is vapor phase grown on a substrate at a first growth temperature (T3) and all of the nitride semiconductor layers which are laminated upon another after the active layer is grown are grown at another growth temperature (T4) which is higher than the first temperature (T3) by ≤250°C.例文帳に追加

基体上に活性層を第１の成長温度（Ｔ３）で気相成長し、その気相成長後に積層される全ての窒化物半導体層の成長温度（Ｔ４）を第１の成長温度（Ｔ３）から２５０℃高い温度以下とする。 - 特許庁

This semiconductor layer is provided with a first light-emission part 6 formed of a semiconductor laminate part composed of an active layer 3 determined by a first emission wavelength and pinched by clad layers 2 and 4 which have each a larger band gap than the active layer 3, being formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、第１の発光波長で定まる活性層３をその活性層３よりバンドギャップの大きいクラッド層２、４により挟持する半導体積層部からなる第１の発光部６が設けられている。 - 特許庁

In the HVIC, a dielectric layer 2 and an SOI active layer 3 are laminated on the surface of a silicon substrate 1, and transistors 4 are formed on the surface of the SOI active layer 3, and further, a trench isolation region 5 is formed in the periphery of the transistors 4.例文帳に追加

このＨＶＩＣは、シリコン基板１の表面に誘電体層２とＳＯＩ活性層３を積層し、ＳＯＩ活性層３の表面にトランジスタ４を形成し、トランジスタ４の周りにトレンチ分離領域５を形成したものである。 - 特許庁

The solid electrolyte cell has a structure in which a positive electrode collector layer 12, a positive electrode active material layer 13, a solid electrolyte layer 14, a negative electrode active material layer 15 and a negative electrode collector layer 16 are sequentially laminated on a substrate 11.例文帳に追加

固体電解質電池は、基板１１上に、正極集電体層１２と正極活物質層１３と固体電解質層１４と負極活物質層１５と負極集電体層１６とが順次積層された構造を有する。 - 特許庁

When manufacturing the positive electrode that becomes the positive electrode layer 1 of a non-aqueous electrolyte battery 100, a substrate that becomes the positive electrode current collector 11 of the positive electrode layer 1, and the positive electrode active material that becomes a constituting material of the positive electrode active material layer 12 is prepared.例文帳に追加

非水電解質電池１００の正極層１となる正極体を製造するにあたって、正極層１の正極集電体１１となる基板と、正極活物質層１２の構成材料となる正極活物質を用意する。 - 特許庁

A gate electrode 104a is formed on an active region of a semiconductor substrate 101, and a gate interconnect line 104b, consisting of the same material as the gate electrode 104a, is formed on an element isolation insulating film 102 surrounding the active region simultaneously.例文帳に追加

半導体基板１０１の活性領域上にゲート電極１０４ａを形成すると共に、該活性領域を囲む素子分離絶縁膜１０２上に、ゲート電極１０４ａと同一材料からなるゲート配線１０４ｂを形成する。 - 特許庁

This thin film transistor has an insulating undercoat thin film layer which covers the glass substrate, a semiconductor active layer 26 of polycrystalline silicon formed on the insulating undercoat thin film layer, and a gate electrode 28 which is insulated and formed on the semiconductor active layer 26.例文帳に追加

ガラス基板を覆う絶縁性アンダーコート薄膜層と、この絶縁性アンダーコート薄膜層上に形成される多結晶シリコンの半導体活性層２６と、この半導体活性層２６上に絶縁して形成されるゲート電極２８とを備える。 - 特許庁

To obtain an image display device which is provided with an active matrix substrate which has a driving circuit which has active elements such as thin film transistors of high performance which operate with high-speed mobility, etc. in a driving circuit for driving a pixel part which is arranged in matrix shape.例文帳に追加

マトリクス状に配置された画素部を駆動するための駆動回路に高速の移動度で動作する高性能の薄膜トランジスタ等のアクティブ素子を持つ駆動回路を有するアクティブ・マトリクス基板を備えた画像表示装置を得る。 - 特許庁

The via hole 110 can be formed to be separated from the active element 100 without enlarging the earth inductance, the via hole 110 can be formed on the semiconductor substrate 109 without damaging the active element 100 and the high yield of the semiconductor device can be enhanced.例文帳に追加

接地インダクタンスを大きくしないでビアホール１１０を能動素子１００から離して形成でき、能動素子１００を損傷することなくビアホール１１０を半導体基板１０９に形成できて、半導体装置の歩留まりを高くできる。 - 特許庁

Before the trench for SJ is formed in an active region of an epitaxial substrate, a second mask oxide film thinner than a first mask oxide film for formation of the trench for SJ in the active region is formed in a scribe region to form an alignment marker.例文帳に追加

エピ基板の活性領域にＳＪ用トレンチを形成する前に、スクライブ領域に、活性領域へのＳＪ用トレンチ形成のための第一マスク酸化膜の厚さよりも厚い第二マスク酸化膜を形成してアライメントマーカーを形成する。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 12 of the semiconductor device 10, formed are: a first active region 14 in which a semiconductor element is formed; a second active region 16 in which a semiconductor element is formed; and an inactive region in which a gate pad 18 is formed.例文帳に追加

半導体装置１０の半導体基板１２には、半導体素子が形成される第１活性領域１４と、半導体素子が形成される第２活性領域１６と、ゲートパッド１８が形成される非活性領域が形成されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin-film transistor includes the steps of forming the substrate, forming the active layer thereon by using the polycrystalline or amorphus titanium oxide, and forming the insulating film on the active layer.例文帳に追加

また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板を形成する段階と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて活性層を形成する段階と、前記活性層上に絶縁膜を形成する段階とを含む。 - 特許庁

To provide an aqueous composition for enhancing immobilization efficiency when a physiologically active substance is immobilized on the surface of a solid-state substrate, enhancing the reproducibility of a spot shape and a spot size, and dissolving the physiologically active substance.例文帳に追加

本発明の目的は、固相基板表面に生理活性物質を固定する際、固定化効率を向上させ、かつスポット形状、サイズの再現性を向上させる為、生理活性物質を溶解させる為の水溶液組成物を提供することにある。 - 特許庁

In this electromagnetic wave detector 50, provided with the semiconductor film 2 for generating the charge, sensing the electromagnetic wave, and an active matrix array for reading out the charge generated in the semiconductor film 2, the active matrix array is formed, a resin substrate as a base.例文帳に追加

電磁波に感応して電荷を生成する半導体膜２と、半導体膜２内で生成された電荷を読み出すためのアクティブマトリクスアレイとを備えた電磁波検出器５０において、前記アクティブマトリクスアレイが樹脂基板をベースに形成されている。 - 特許庁

In the upper part of a semiconductor substrate 101, the surface height of an active region 124 provided on a first specified region 121 and the height of the surface of an active region 126 provided on a second specified region 122 are different from each other.例文帳に追加

半導体基板１０１上において、第１の特定の領域１２１に設けられた活性領域１２４表面位置高さと、第２の特定の領域１２２に設けられた活性領域１２６表面位置高さとが互いに異なる。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with an active region 12A, composed of GaN based semiconductor grown on a substrate 11 composed of Si, and an insulating oxide film 12B which is formed through oxidation of the GaN based semiconductor and arranged around the active region 12A.例文帳に追加

半導体装置は、ＳｉＣからなる基板１１上に成長したＧａＮ系半導体からなる活性領域１２Ａと、該活性領域１２Ａの周囲にＧａＮ系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜１２Ｂとを有している。 - 特許庁

The semiconductor laser device comprises a lower clad layer, a barrier layer, the active region having the quantum well layer and an upper clad layer laminated on the active region, on a GaAs substrate in such a manner that the quantum well layer is made of In_xGa_1-xAs_1-yP_y, and x is 0.69 or more.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、下クラッド層、バリア層と量子井戸層を有する活性領域、及び上クラッド層を積層してなる半導体レーザ装置において、前記量子井戸層がＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ_1-yＰ_yからなり、ｘが０．６９以上である。 - 特許庁

In the method of manufacturing a transistor, a trench is formed into an active region on a semiconductor substrate and a gate electrode is formed on the active region to prevent the leakage current, the gate oxide integrality(GOI) damage and the reverse narrow width effect of the transistor.例文帳に追加

半導体基板上に活性領域の溝を形成し活性領域にゲート電極を形成して漏洩電流、ジー・オー・アイ（Gate Oxide Integrality：GOI）損傷、及びトランジスタの逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）を防ぐことを特徴とするトランジスタの製造方法。 - 特許庁

A surface of the laminated substrate at the side of the wafer for the active layer is irradiated with the high-energy light under a condition that a material of the wafer for the active layer is not fused but amorphous silicon having a high coefficient of light absorption is fused to fuse and solidify the silicon in a window part.例文帳に追加

高エネルギ光を、活性層用ウェーハの素材は溶融しないが、吸光係数が高いアモルファスシリコンは溶融する条件で貼り合わせ基板の活性層用ウェーハ側の面に照射し、この窓部内のシリコンを溶融させて固化させる。 - 特許庁

To provide a catalyst capable of synthesizing an optically active β-hydroxy carbonyl compound using ketone as a reactive substrate and a method of synthesizing the optically active β-hydroxy carbonyl compound using the catalyst by a asymmetric aldol reaction.例文帳に追加

ケトンを反応基質として用いて光学活性β−ヒドロキシカルボニル化合物を合成することのできる触媒及びこの触媒を用いて不斉アルドール反応により光学活性β−ヒドロキシカルボニル化合物を合成する方法を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the cadmium negative electrode 11 of an alkaline storage battery, the cadmium negative electrode 11 is formed by applying an active material paste containing a cadmium active material made of cadmium oxide as a major constituent and an organic high-polymer paste agent to an electrode substrate 11a.例文帳に追加

本発明のアルカリ蓄電池用カドミウム負極１１の製造方法は、酸化カドミウムを主体とするカドミウム活物質と有機高分子糊料とを含有する活物質ペーストを電極基板１１ａに塗布して形成するようにしている。 - 特許庁

The image forming material comprises an image forming layer, which is provided on a hydrophilic substrate, contains core/shell structure particulates which comprises a chemically active shell and a core with a softening point lower by 40°C than that of the chemically active shell, and a hydrophilic polymer.例文帳に追加

親水性支持体上に、化学的活性シェルと軟化点が該化学的活性シェルより４０℃低いコアを有するコア／シェル構造微粒子及び親水性ポリマーを含有する画像形成層を有することを特徴とする画像形成材料。 - 特許庁

To provide a self alignment method wherein a semiconductor memory array of floating gate memory cells is formed on a semiconductor substrate which has a plurality of insulting regions which are arranged being isolated and has active regions which are arranged on the substrate in parallel practically with each other in a row direction.例文帳に追加

隔置された複数の絶縁区域及び基板上に設けられる行方向で実質的に互いに平行な能動区域を有する、半導体基板に浮動ゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整列方法。 - 特許庁

That is, active species are prevented from reaching the filter substrate 211 by forming the antioxidation metal film 22 and the filtration function of the filter substrate 211 is prevented from deterioration by forming such a layer limited to the surface.例文帳に追加

すなわち、抗酸化金属膜２２を設けることによって活性種がフィルタ基材１１に到達しないようにし、この層を表面に限定して設けることによってフィルタ基材211の濾過機能が損なわれないようにした。 - 特許庁

The substrate processor has a reaction chamber 10 for processing a substrate 41, process-gas feeding means 11, 12, 13 for feeding a process gas into the reaction chamber 10, and heat sources 20 for activating the process gas to generate active species in it.例文帳に追加

基板４１に処理を施す反応室１０と、反応室１０内に処理用ガスを供給する処理用ガス供給手段１１、１２、１３と、処理用ガスを活性化して活性種を生成するための熱源２０とを備える。 - 特許庁

The liquid crystal display device 10 is formed by injecting a liquid crystal between an active matrix substrate 15 and a counter substrate 24 through a liquid crystal injection port 80 and by sealing the injection port 80 with the sealing part 22.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１５と対向基板２４との間に液晶注入口８０から液晶が注入され、液晶注入口８０が封止部２２によって封止されて形成された液晶表示装置１０である。 - 特許庁

The metal pad is formed in a pad region on a substrate partitioned into an active region and the pad region, and then a protective film is formed all over the surface of the substrate containing the metal pad, and then the protective film is selectively removed to open up the metal pad.例文帳に追加

アクティブ領域とパッド領域とに区分される基板上のパッド領域に金属パッドを形成し、、金属パッドを含む基板の全面に保護膜を形成し、保護膜を選択的に除去して金属パッドを開放する。 - 特許庁

A liquid crystal panel 150 is an active matrix type TFT liquid crystal panel having a lower polarizing plate 135, a lower glass substrate 130, a liquid crystal layer 125, an upper glass substrate 115, a CF barrier 110, and an upper polarizing plate 105.例文帳に追加

液晶パネル１５０は、下部偏光板１３５、下部ガラス基板１３０、液晶層１２５，上部ガラス基板１１５，ＣＦバリア１１０、上部偏光板１０５を有するアクティブマトリクス方式のＴＦＴ液晶パネルである。 - 特許庁

This quantum cascade laser is configured by including a semiconductor substrate, and an active layer which is formed on the substrate, and has a cascade structure in which unit laminates 16 comprising a light emission layer 17 and an injection layer 18 are laminated in a multi-stage.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。 - 特許庁

MOS transistors M1 to M9 are formed on the SOI substrate having the silicon substrate, the BOX oxide film, and a silicon active layer, and a bottom of source diffusion layer and a bottom of a drain diffusion layer are formed reaching the BOX oxide film.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＭ１〜Ｍ９は、シリコン基板、ＢＯＸ酸化膜及びシリコン活性層を有するＳＯＩ基板に形成され、かつ、ソース拡散層の底部及びドレイン拡散層の底部がＢＯＸ酸化膜に到達して形成されている。 - 特許庁

On an insulating substrate 5 of the active matrix substrate 2, gate lines 6 are spaced apart in parallel and source lines 7 are provided at mutual intervals orthogonally to the lines 6 while insulated therefrom.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板２の絶縁性基板５の上には、互いに平行に間隔を開けて複数のゲートライン６が設けられ、該ライン６とは直交しかつ絶縁性を保持し、互いに間隔を開けて複数のソースライン７が設けられる。 - 特許庁

The high-frequency module includes a mounting substrate, having an electrode 21 for a signal and an electrode 22 for matching; a capacitor 24 connected to the electrode 21 for the signal at one end; and an active element 20 which is mounted on the mounting substrate and has a bonding pad 20a.例文帳に追加

信号用電極２１及びマッチング用電極２２を有する実装基板と、一端が信号用電極２１に接続されたキャパシタ２４と、実装基板に搭載され、ボンディングパッド２０ａを有する能動素子２０とを備える。 - 特許庁

The diode includes a conductive silicon carbide substrate for electrical contact, and a group III nitride active portion on a silicon carbide substrate for generating a desired frequency of photons under the application of current across the diode.例文帳に追加

ダイオードは、電気的接触のための導電性シリコンカーバイド基板と、ダイオードを横断する電流の適用下で所望の周波数の光子を生成するための、シリコンカーバイド基板上のＩＩＩ族の窒化物の活性部分を含む。 - 特許庁

The multilayer wiring layer 120 of the semiconductor device 100 is formed on the surface of the semiconductor substrate 110 on the side of the active surface, and a part 122 positioned at the edge of the semiconductor substrate 110 is removed over the entire periphery.例文帳に追加

また半導体装置１００の多層配線層１２０は半導体基板１１０の能動面側の面に形成されており、かつ半導体基板１１０の縁に位置する部分１２２が全周にわたって除去されている。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes a semiconductor substrate and an active layer which is formed on the substrate and has a cascade structure formed by multistage-laminating unit laminate structures 16 each including an emission layer 17 and an injection layer 18.例文帳に追加

半導体基板と、基板上に設けられ、発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて半導体発光素子を構成する。 - 特許庁

A first insulating film 101 is formed on a substrate to be processed 100 by oxidizing the surface to be processed 100a of the substrate to be processed 100 with oxygen atom active species produced from processing gas as first gas.例文帳に追加

被処理基板１００が有する被処理面１００ａを第１のガスとしての処理ガスにより生成された酸素原子活性種によって酸化することで、被処理基板１００に第１の絶縁膜１０１を形成する。 - 特許庁

In a coated substrate for ink printing of an ink jet composed of a substrate on which a porous coating is coated, the porous coating is composed of silica covalently bonded to an active ligand via an reactive radical.例文帳に追加

多孔性コーティングがその上に被覆されている基体からなるインクジェットインク印刷用の被覆基体であって、多孔性コーティングを、反応基を介して活性配位子に共有結合的に結合されたシリカから成るものとする。 - 特許庁

The power device includes: a metal support substrate 10; and a group-III nitride conductive layer 20, a group-III nitride active layer 30, and an electrode 40 that are sequentially formed on one principal surface 10m of the metal support substrate 10.例文帳に追加

本パワーデバイスは、金属製支持基板１０と、金属製支持基板１０の一方の主面１０ｍ側に順次形成されているＩＩＩ族窒化物導電層２０、ＩＩＩ族窒化物能動層３０および電極４０と、を含む。 - 特許庁

In a package circuit board and a package using the package circuit board, a microelectronic element chip is mounted using a semiconductor substrate instead of a printed circuit board, and an active element or a passive element is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

このパッケージ回路基板及びこれを用いたパッケージは、印刷回路基板に代わって半導体基板を使用して微細電子素子チップを実装し、この半導体基板上には、能動素子又は受動素子が形成されている。 - 特許庁

A TFT substrate 10 of an active matrix drive display unit has a TFT element including a gate electrode layer 12, gate insulation film 13, semiconductor pattern layer, and source/drain electrode layers successively formed on a glass substrate 11.例文帳に追加

アクティブマトリクス駆動表示装置のＴＦＴ基板１０は、ガラス基板１１上に順次に形成される、ゲート電極層１２、ゲート絶縁膜１３、半導体パターン層、及び、ソース／ドレイン電極層を含むＴＦＴ素子を有する。 - 特許庁