「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a vibration device with stable electric characteristics in which damage of an active region of a semiconductor substrate caused by a laser beam used in tuning a vibration element may be suppressed.例文帳に追加

振動素子のチューニングの際に用いるレーザー光による半導体基板の能動領域へのダメージを抑制し、電気的特性の安定した振動デバイスを提供する。 - 特許庁

The light emitting element is provided, on a substrate, with an active layer 5 of the quantum well structure formed by alternately laminating a quantum well layer 51 and a barrier layer.例文帳に追加

本発明に係る発光素子は、基板上に、量子井戸層５１とバリア層を交互に積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子である。 - 特許庁

A photodiode 2 composed of a cathode contact layer 5, an active layer 6, and an anode contact layer 7 is provided on a semi-insulating InP substrate 4.例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ基板４上に、積層されて設けられたカソードコンタクト層５、活性層６、およびアノードコンタクト層７からなるフォトダイオード２が設けられている。 - 特許庁

A first chip has an active surface 8 having bonding pads 9 disposed in the periphery of the chip, and mounted on a substrate or an interposer board 3 in a face-up manner.例文帳に追加

第１のチップ１は、周辺にボンディングパッド９が配置された能動面８を有しており、基板またはインターポーザボード３上にフェースアップで実装されている。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 13 of the device, the resistance zone region 1 on the surface of which the active region is formed at least partly and which is used for forming the resistance zone is formed.例文帳に追加

半導体基板１３の上に、少なくともその表面の一部が活性領域とされた、抵抗帯を形成すべき抵抗帯領域１が形成されている。 - 特許庁

To provide a technique which improves a production yield and covers a conductive substrate with an active reagent solution or suspension using a pad printing technique.例文帳に追加

生産歩留まりの向上を目的として、パッド印刷技法を使って導電性の基材上に活性試薬溶液または懸濁液を被覆する手法を提供する。 - 特許庁

In a substrate for active elements, on the upper side of a channel layer 12 and a contact layer 14, a low reflective layer 2a is formed, on which an uppermost layer of source wiring 6b is provided.例文帳に追加

アクティブ素子基板において、チャネル層１２及びコンタクト層１４の上部に低反射層２ａを形成し、その上に最上層ソース配線６ｂを設ける。 - 特許庁

To manufacture a highly reliable substrate, in which damages to an active layer and dislocations of the crystal due to influence of natural oxidation of an AlxGa1-xAs layer during etching do not occur.例文帳に追加

Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ層のエッチング時の自然酸化による影響で活性層の損傷、結晶の転移が発生せず、信頼性の高いものを製造すること。 - 特許庁

In the semiconductor laminate 6; an n-type clad layer 9, an active layer 11, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 15 are laminated successively on a substrate 7.例文帳に追加

半導体積層部６は、基板７上に、ｎ型クラッド層９、活性層１１、ｐ型クラッド層１３、及びｐ型コンタクト層１５が順次積層されてなる。 - 特許庁

Plenty of oxygen ions (active oxygen) are generated on the surface of the substrate 100 in parallel with the reduction and HC and CO in waste gas are efficiently oxidation-removed with the oxygen ions.例文帳に追加

それと同時に、基板 100表面上に多量の酸素イオン（活性酸素）が生成し、この酸素イオンによって排ガス中のHC及びCOが効率よく酸化浄化される。 - 特許庁

A first inductance element 80 and a second inductance element 40 which are different in inductance value and applicable frequency are formed on an active surface side of a base substrate 10.例文帳に追加

基体１０の能動面側に、相互にインダクタンス値または適用可能周波数の異なる第１インダクタ素子８０および第２インダクタ素子４０が形成されている。 - 特許庁

To remarkably improve light emitting characteristics in a semiconductor light emitting element having a semiconductor layer containing Al and provided between a substrate and an active layer containing nitrogen.例文帳に追加

基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、発光特性を著しく改善する。 - 特許庁

A semiconductor substrate is injected with ions of well impurity ions and channel impurity ions in active region and then heated rapidly.例文帳に追加

この方法は、半導体基板の活性領域にウェル不純物イオンとチャンネル不純物イオンとを注入した後に、急速熱処理工程を適用することを特徴とする。 - 特許庁

On the other hand, the noise radiated from the light irradiation part 5 toward the active matrix substrate 3 or toward the semiconductor thick film 1 can be shielded by an electromagnetic shield 13.例文帳に追加

一方、光照射部５からアクティブマトリクス基板３、または半導体厚膜１に向けて輻射されるノイズは、電磁シールド１３によって遮蔽することができる。 - 特許庁

The main substrate 30 makes a lending-out forbidding signal MDINH inactive and allows to make the game machine preparation signal PRDY active when the credit number is zero.例文帳に追加

主基板３０は、クレジット数が０の場合に貸出禁止信号ＭＤＩＮＨを非アクティブとして、遊技機準備信号ＰＲＤＹをアクティブにすることを許容する。 - 特許庁

The organic photovoltaic component includes an encapsulation, a substrate, a bottom electrode having at least translucency, an organic photovoltaic active functional layer having at least one layer, a top electrode and a corresponding electric contact.例文帳に追加

包封材、基板、少なくとも半透明である底部電極、少なくとも１層の有機光起電活性機能層、頂部電極、及び、対応する電気接点からなる。 - 特許庁

This cell array comprises an element isolation film formed on a semiconductor substrate, and a plurality of active regions which are restricted by the element isolation film and formed at constant pitches.例文帳に追加

このセルアレイは半導体基板に形成された素子分離膜と、素子分離膜によって限定されて一定のピッチで形成された複数個の活性領域を有する。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer, an active layer 14, and a p-type semiconductor layer are deposited on a substrate 11, and a p-side electrode 22 is provided on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

基板１１にｎ型半導体層，活性層１４およびｐ型半導体層が積層され、ｐ型半導体層の上にはｐ側電極２２が設けられている。 - 特許庁

A gate dielectric 14 (for example, gate oxide film) is preferably formed on a surface of an active field 10 on a semiconductor substrate defined by a separation trench area 12.例文帳に追加

ゲート誘電体14（例えば、ゲート酸化膜）が、好ましくは分離トレンチ領域12によって画定された、半導体基板上の能動領域10の表面に形成される。 - 特許庁

In a semiconductor laser element 1, an n-type cladding layer 5, an active layer 6, a first p-type cladding layer 7, and a ridge 12 are formed above an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。 - 特許庁

An IGBT 11, which uses a signal-crystal silicon substrate as an active region has a gate electrode connected to a control signal source PG via a gate driver 13.例文帳に追加

単結晶シリコン基板を活性領域として用いるＩＧＢＴ１１は、ゲートドライバ１３を介して制御信号源ＰＧに接続されたゲート電極を有する。 - 特許庁

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 are formed on an active region which is partitioned by an element isolation region 12 formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１に形成された素子分離領域１２によって区画された活性領域上にゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁

Static electricity generated on each data line 3 in producing a TFT active matrix substrate 10 is discharged to a common line 110 through a bidirectional diode 30A.例文帳に追加

ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０の製造時に各データ配線３に発生する静電気は、双方向ダイオード３０Ａを介して共通配線１１０に放電される。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device in which an active layer with a reduced defect density is formed on a substrate made of silicon carbide, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

炭化ケイ素からなる基板上に欠陥密度の低減された活性層が形成された炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

On a substrate 20, a gate electrode 21, a gate insulation film 22, an intrinsic amorphous silicon layer 23 for working as an active region and an impurity containing amorphous silicon layer 24 are formed.例文帳に追加

基板２０上にゲート電極２１、ゲート絶縁膜２２、活性領域として働く真性非晶質シリコン層２３、不純物含有非晶質シリコン層２４を形成する。 - 特許庁

A dummy gate 20 is formed on a light permeable substrate 10 and covered with an insulation oxide layer 30, an active silicon layer 40 and a photo resist film.例文帳に追加

光透過性基板１０上にダミーゲート２０を形成し、それを絶縁酸化物層３０とアクティブシリコン層４０、フォトレジスト膜で覆い、裏面露によりレジスト膜をパターニングする。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting device includes a substrate, a reflective electrode, a first conductivity type semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type semiconductor layer that are sequentially stacked.例文帳に追加

本発明による半導体発光素子は、基板、反射電極、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順次に積層される。 - 特許庁

The semiconductor laser element 102 is fixed on an electrode pattern 106 by solder layers 107 by turning a side where the active layer 103 exists to a silicon substrate 104-side.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０２は、その活性層１０３の存在する側をシリコン基板１０４側に向けて、電極パターン１０６の上にハンダ層１０７で固定している。 - 特許庁

A TJS laser element 1 comprises a GaAs substrate 2, a first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, a GaAs contact layer 6, and electrodes 7a and 7b.例文帳に追加

ＴＪＳレーザ素子１は、ＧａＡｓ基板２、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、ＧａＡｓコンタクト層６、及び電極７ａ，７ｂを有する。 - 特許庁

The semiconductor laser element includes a semiconductor substrate, a first conductivity-type lower clad layer, an active layer, a second conductivity-type upper clad layer, an electrode and a reflection film.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、半導体基板、第１導電型の下部クラッド層、活性層、第２導電型の上部クラッド層、電極、及び反射膜を備えている。 - 特許庁

The semiconductor substrate for radiation reception has a radiation-absorbing active-area 2, and receives electromagnetic radiation within a wavelength range between λ_1 and λ_2, wherein λ_2 is larger than λ_1.例文帳に追加

放射受光用半導体基体は、放射吸収性活性領域２を有しλ_１とλ_２の間の波長範囲の電磁放射を受光し、ここでλ_２＞λ_１である。 - 特許庁

The group III nitride compound semiconductor light-emitting diode includes a substrate, a buffer layer, an N-type semiconductor material layer, an active layer, and a P-type semiconductor material layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒素化合物半導体発光ダイオードは、基板と、バッファ層と、Ｎ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを備えている。 - 特許庁

Thereafter, the semiconductor substrate 11 is heated whereby the stress distortion is given to the active region 11a of the n-type transistor region A by the stress distortion generating film 27.例文帳に追加

その後、半導体基板１１を加熱することにより、応力歪み生成膜２７によりｎ型トランジスタ領域Ａの活性領域１１ａに応力歪みを与える。 - 特許庁

A semiconductor laser device has a lower clad layer 3, an active layer 4, an upper clad layer 5, a contact layer 9 and an insulated film 6 on the surface of a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ装置は、半導体基板２の上面に、下側クラッド層３、活性層４、上側クラッド層５、コンタクト層９、絶縁膜６が生成されている。 - 特許庁

The illustrated scanning driver circuit including a level shift circuit 20 is composed of polycrystal TFTs, and can be formed on the same glass substrate as the active matrix liquid crystal.例文帳に追加

レベルシフト回路２０を含む図示走査ドライバ回路は、多結晶ＴＦＴにより構成して、アクティブマトリックス液晶と同一のガラス基板上に構成することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser having a structure can reduce a barrier against electrons implanted in an active layer, in a semiconductor laser formed on a p-type substrate.例文帳に追加

ｐ型基板に形成される半導体レーザにおいて、活性層に注入される電子に対する障壁を低減可能な構造を有する半導体レーザを提供する。 - 特許庁

This biosensor comprising a substrate coated with a hydrophobic polymer compound has a linker for immobilizing a physiologically active substance on the surface of the biosensor.例文帳に追加

疎水性高分子化合物でコーティングした基板から成るバイオセンサーであって、生理活性物質をバイオセンサーの表面に固定化するためのリンカーを有している上記バイオセンサー。 - 特許庁

This alkaline battery is provided with a nickel positive electrode 11 in which a positive electrode active material composed mainly of nickel hydroxide is retained on a conductive substrate composed of a foamed nickel.例文帳に追加

本発明のアルカリ蓄電池は、発泡ニッケルからなる導電性基板に水酸化ニッケルを主体とする正極活物質が保持されたニッケル正極１１を備えている。 - 特許庁

Oxygen active species are generated by bringing the ozone- containing solution into contact with an alkaline solution on the surface of the substrate to be cleaned and decomposing the ozone dissolved in the ozone- containing solution.例文帳に追加

被洗浄基板表面で、オゾン含有溶液とアルカリ溶液を接触させ、オゾン含有溶液中の溶存オゾンを分解して活性酸素種を発生させる。 - 特許庁

A method of manufacturing an array substrate for an active matrix type liquid crystal display device includes a photolithographic process which uses pattern exposure by laser holography.例文帳に追加

レーザーホログラフィーによるパターン露光を用いたフォトリソ法で形成される工程を有することを特徴としたアクティブマトリクス型液晶表示素子アレイ基板の製造方法。 - 特許庁

the active layer is hydrogenized for 20-180 seconds with a plasma hydrogen in an atmosphere of hydrogen concentration 90% or higher with a glass substrate at 300-420°C.例文帳に追加

水素濃度９０％以上の雰囲気でプラズマ化した水素により、ガラス基板温度が３００℃〜４２０℃のもとで、活性層を２０秒〜１８０秒間水素化する。 - 特許庁

In an active matrix substrate of a TFT liquid crystal device, a transparent conductive film which constitutes a pixel electrode 1 and a terminal electrode 11 is formed from Ti oxide.例文帳に追加

ＴＦＴ液晶装置のアクティブマトリクス基板において、画素電極１および端子電極１１を構成する透明導電膜を、Ti酸化物によって形成する。 - 特許庁

A floating gate electrode 6 is made on one flank of the control gate electrode 4 besides being in the active region between the STI films 2 on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上におけるＳＴＩ膜２同士の間の活性領域で且つコントロールゲート電極４の一側面上にはフローティングゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate having an ESD protective circuit connected to at least one row conductor so as to protect a TFT from electrostatic discharge (ESD).例文帳に追加

ＴＦＴを静電気放電（ＥＳＤ）から保護するために少なくとも１つの行導体に接続されたＥＳＤ保護回路を有するアクティブマトリクス基板を提供する。 - 特許庁

In the thin film transistor, the active layer formed of a non-single crystal germanium film and a gate oxide film formed of a zirconium oxide or a hafnium oxide are formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に、非単結晶ゲルマニウム膜からなる活性層と、酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウムからなるゲート酸化膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁