「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for fabricating the vertical light emitting diode (VLED) die includes the steps of: providing a carrier substrate 24A; forming on the carrier substrate an n-type confinement structure having at least one etch stop layer; forming an active layer on the n-type confinement structure; forming a p-type confinement layer on the active layer; and removing the carrier substrate.例文帳に追加

垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）ダイを製造する方法は、キャリア基板２４Ａを提供するステップと、少なくとも１つのエッチング停止層を有するｎ型閉じ込め構造をキャリア基板に形成するステップと、ｎ型閉じ込め構造に活性層を形成するステップと、活性層にｐ型閉じ込め層を形成するステップと、キャリア基板を除去するステップとを含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10, an active area 50 formed in the semiconductor substrate 10, a silicide layer 45 formed on the upper layer of the active area 50, a first inter layer insulating film 15 formed on the semiconductor substrate 10 and silicide layer 45, and a contact plug 60 which is formed on the silicide layer 45 and passes through the first inter layer insulating film 15.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０内に形成された活性領域５０と、活性領域５０の上面に形成されたシリサイド層４５と、半導体基板１０およびシリサイド層４５の上に形成された第１の層間絶縁膜１５と、シリサイド層４５上に形成され、第１の層間絶縁膜１５を貫通するコンタクトプラグ６０とを備えている。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic thin film transistor comprises a step for preparing a substrate, a step for forming a gate electrode on the substrate, a step for forming a gate insulating film all over the surface of the substrate including the gate electrode, a step for forming an organic active layer on the gate insulating film by back exposure, and a step for forming source and drain electrodes on the active layer.例文帳に追加

有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極を含む基板の全面にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に背面露光によって有機アクティブ層を形成する段階と、前記アクティブ層上にソース及びドレイン電極を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The EEPROM is provided with: a semiconductor substrate; component isolation films that define active regions on the semiconductor substrate; at least one insulating film that fills up a trench formed on the active region; a floating gate insulating film formed on the insulating film; and a floating gate conductive film formed on the floating gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板、半導体基板に活性領域を定義する素子分離膜、活性領域に形成されたトレンチを充填する少なくとも一つの絶縁膜、絶縁膜上に形成された浮遊ゲート絶縁膜、及び浮遊ゲート絶縁膜上に形成された浮遊ゲート導電膜を備えるＥＥＰＲＯＭである。 - 特許庁

A semiconductor device includes a device isolated structure which is formed on a semiconductor substrate, and defines an active region; a surrounded channel structure which connects a source region and a drain region, and is separated from the semiconductor substrate under the active region by a predetermined distance; and a gate electrode surrounding the surrounded channel structure.例文帳に追加

本発明は半導体素子及びその製造方法に関し、特にゲート電極でサラウンディングチャンネル構造を取り囲むよう素子を設計することにより、電流駆動能力とショートチャンネル效果の改善によってトランジスタの制御能力を向上させ、高速の低電圧半導体素子を形成することができる技術である。 - 特許庁

A chamfer portion is formed at an end portion of the active matrix substrate having at least a pixel portion of a pair of substrates disposed to be opposed to each other, and wirings (a source line, a gate line, a storage capacitor line, a leading out wiring, and the like) over the active matrix substrate are electrically connected by a common wiring formed in the chamfer portion.例文帳に追加

対向して配置された一対の基板のうち、少なくとも画素部を有するアクティブマトリクス基板の端部に面取り部を形成し、面取り部に形成された共通配線によって、アクティブマトリクス基板上の配線（ソース線、ゲート線、保持容量線、引き出し線等）が電気的に接続される。 - 特許庁

A semiconductor element having a multi-channel includes a semiconductor substrate on which an element isolation film is formed, many trenches formed in an active region of the semiconductor substrate, and a channel active region that links sidewalls facing each other in the trench regions and the surface of which is used as a channel region.例文帳に追加

本発明は、素子分離膜が形成された半導体基板、半導体基板の活性領域内に形成された多数のトレンチ及びそれぞれのトレンチ領域内の対向する側壁を連結し、表面がチャネル領域として用いられるチャネル活性領域を含む多重チャネルを有する半導体素子からなる。 - 特許庁

The uniform oxide film 30 having a film thickness less than 5 nm is formed on at least one surface of a wafer 1 for an active layer and a wafer 2 for supporting a substrate, by a prescribed oxide film forming method, and the wafer 1 for the active layer and the wafer 2 for supporting the substrate are laminated via the uniform oxide film 30.例文帳に追加

活性層用ウェーハ１及び支持基板用ウェーハ２の少なくとも一方の表面に、所定の酸化膜形成法により膜厚が5nm未満の均一な酸化膜３０を形成し、その後、該均一酸化膜３０を介して前記活性層用ウェーハ１と支持基板用ウェーハ２を貼り合わせる。 - 特許庁

The semiconductor optical amplifier includes a substrate 210, a first clad layer 220 deposited on the substrate 210, an active layer 230 deposited on the first clad layer 220 having a plurality of sections S_1, S_2 and S_3 with different band gaps arranged in a longitudinal direction thereof, and a second clad layer 240 deposited on the active layer 230.例文帳に追加

基板２１０と、基板２１０上に積層された第１のクラッド層２２０と、長さ方向に沿ってバンドギャップが相異なる複数のセクションＳ_１、Ｓ_２、Ｓ_３を有し、第１のクラッド層２２０の上に積層された活性層２３０と、活性層２３０の上に積層された第２のクラッド層２４０と、を備える。 - 特許庁

The light-emitting device comprises: a substrate; and a multilayer structure including an n-type semiconductor layer formed on the substrate in a light-emitting region and a non-light-emitting region, an active layer formed on the n-type semiconductor layer in the light-emitting region and a p-type semiconductor layer formed on the active layer in the light-emitting region.例文帳に追加

発光装置は、基板と、前記基板上の発光領域及び非発光領域に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上の前記発光領域に形成された活性層と、前記活性層上の前記発光領域に形成されたｐ型半導体層と、を有する多層構造と、を備える。 - 特許庁

To provide a biochip of high sensitivity and high throughput which fixes an antibody to the surface of a substrate at an arbitrary position without coating the substrate with an adsorption inhibitor, suppresses the adsorption and bonding an unnecessary physiologically active material to a part other than the arbitrary position and can detect a physiologically active material, and its manufacturing method.例文帳に追加

吸着防止剤をコーティングすることなしに、抗体を基体表面の任意の位置に固定化し、それ以外の部分への不要な生理活性物質の吸着および結合を抑制する、高感度でハイスループットな生理活性物質の検出ができるバイオチップおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the glass substrate for the magnetic disk comprises: an activator removing step (S110) removing the surface active agent from a polishing pad having a plurality of nap holes formed therein; and a polishing step (S120) polishing the glass substrate in a disk shape with the polishing pad from which the surface active agent is removed.例文帳に追加

本発明における磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、複数のナップ孔が形成された研磨パッドから界面活性剤を除去する活性剤除去工程（Ｓ１１０）と、界面活性剤が除去された研磨パッドを用いて円盤状のガラス基板を研磨する研磨工程（Ｓ１２０）と、を含む。 - 特許庁

The carrier concentration of the Si-GaAs substrate 1 is set to 1×10^17 cm^-3 or larger and 7×10^17 cm^-3 or smaller, and the number of atoms diffused from the Si-GaAs substrate 1 to the active layer 4 is reduced, thus obtaining a semiconductor laser having improved emission characteristics of the active layer 4.例文帳に追加

Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１のキャリア濃度を１×１０^１７ｃｍ^−３以上７×１０^１７ｃｍ^−３以下とすることによって、Ｓｉ−ＧａＡｓ基板１から活性層４へと拡散する原子の数を低減して、活性層４の発光特性に優れた半導体レーザとすることができる。 - 特許庁

Since the presence of the oxide film 4 can eliminate the effect of the difference in the characteristics of the substrate on the formation of the USG film 5, the USG film 5 with a constant film thickness can be formed on any of the semiconductor substrate 1, the p+-type active region 3 and the n+-type active region 2.例文帳に追加

下地の特性の相違がＵＳＧ膜５の形成にもたらす影響を酸化膜４の存在によってなくすことができるので、半導体基板１上、Ｐ＋型活性領域３上、Ｎ＋型活性領域２上にかかわらず一定の膜厚を有するＵＳＧ膜５を形成することができる。 - 特許庁

Subsequently, a slope connected to the active surface of the electronic element from the surface of the wiring substrate is formed (a slope formation process), a metal wiring connecting an electrode terminal on the active surface to a wiring pattern on the wiring substrate is formed (a metal wiring formation process).例文帳に追加

続いて、電子素子の周囲に、配線基板の表面から電子素子の能動面に繋がる斜面を形成し（スロープ形成工程）、この斜面の表面に液滴吐出法により能動面上の電極端子と配線基板上の配線パターンとを接続する金属配線を形成する（金属配線形成工程）。 - 特許庁

A mesa structure (first mesa structure) 13 formed on the lower face 11a of the semiconductor substrate 11 is such a mesa structure that has a so-called element function in which an active layer 12 is a light emitting layer, and a mesa structure (second mesa structure) 23 formed on the upper face 11b of the semiconductor substrate 11 is a dummy mesa structure having no active layer.例文帳に追加

半導体基板１１の下面１１ａに形成されたメサ構造（第１のメサ構造）１３は活性層１２が発光部となる、いわば素子機能を有するメサ構造であり、半導体基板１１の上面１１ｂに形成されたメサ構造（第２のメサ構造）２３は、活性層をもたないダミーのメサ構造である。 - 特許庁

The nitride series semiconductor laser element 100 includes an n-type GaN substrate 1; an n-type cladding layer 3 formed on the n-type GaN substrate 1; an active layer 4c formed on the n-type cladding layer 3 for generating laser light; and light exit end surface 20a from which the laser light generated at the active layer 4c is emitted.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子１００は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１上に形成されたｎ型クラッド層３と、ｎ型クラッド層３上に形成され、レーザ光を生成する活性層４ｃと、活性層４ｃで生成されたレーザ光が出射される光出射端面２０ａとを備えている。 - 特許庁

A power feeding line 13 for anode oxidation extending in the row direction out of power feeding lines 13 for anode oxidation of a lattice shape is provided in the upper edge part of an active element substrate forming region 3, and a power feeding line 13 for anode oxidation extending in the column direction is provided in the left edge part of the active element substrate forming region 3.例文帳に追加

格子状の陽極酸化用給電ライン１３のうち行方向に延びる陽極酸化用給電ライン１３は、アクティブ素子基板形成領域３の上辺部に設けられ、列方向に延びる陽極酸化用給電ライン１３は、アクティブ素子基板形成領域３の左辺部に設けられている。 - 特許庁

The method for forming the charge storage layer in the semiconductor nonvolatile memory in the logic process, comprises a step for forming a select gate on an active region on a substrate; a step for forming long polysilicon gates partly overlapping on the active region on the substrate; and a step for filling the charge storage layer between the long polysilicon gates.例文帳に追加

論理工程において不揮発性メモリ・セルにおける電荷貯蔵層を形成する方法は、基板のアクティブ領域の上にセレクト・ゲートを形成するステップ、その基板のアクティブ領域に部分的に重なる長いポリシリコン・ゲートを形成するステップ、及びその長いポリシリコン・ゲートの間に電荷貯蔵層を充填するステップを含む。 - 特許庁

This method comprises a step for forming an element separating film which demarcates the active region and the field region by forming a trench in a specified region on a semiconductor substrate, and then burying an insulating film; and a step for etching the semiconductor substrate in the active region into a specified depth, so that the surface becomes a curved surface.例文帳に追加

半導体基板上の所定の領域にトレンチを形成した後、絶縁膜を埋め込むことにより、アクティブ領域とフィールド領域を画定する素子分離膜を形成する段階と、前記アクティブ領域の半導体基板を所定の深さにエッチングするが、表面が曲面となるようにエッチングする段階とを含む。 - 特許庁

In a semiconductor device where a capacitor comprising a ferroelectric film is integrated on a semiconductor substrate where an active element is formed, at least an insulating film principally comprising SiN is formed between the active element, e.g. a transistor, formed on the semiconductor substrate and the ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体膜からなるキャパシタが、能動素子が形成された同一半導体基板上に集積された半導体装置において、前記半導体基板上に形成されたトランジスタなどの能動素子と、前記強誘電体からなるキャパシタとの間に主成分がＳｉＮからなる絶縁膜がすくなくとも形成されている。 - 特許庁

After a substrate 101 formed with a pattern 101a is dipped in water 102 to be washed, it is placed in a reaction chamber of a specified vessel which can be sealed, Then, a liquefied carbon dioxide added with a surface active agent is supplied into the reaction chamber, and then the substrate 101 is dipped in the liquefied carbon dioxide added with a surface active agent.例文帳に追加

パターン１０１ａが形成された基板１０１を水１０２に浸漬して水洗した後、基板１０１を所定の密閉可能な容器の反応室内に載置し、この反応室内に界面活性剤が添加された液化二酸化炭素を導入し、界面活性剤が添加された液化二酸化炭素１０３に浸漬させる。 - 特許庁

The connection terminals 12 and the connection terminals 14 are in the shape of being projected to the side of the active surface 10a and the side of a back surface 10b through the substrate 10, and the connection terminals 12 and the connection terminals 14 are provided with a so-called microstrip line structure in a direction crossing the active surface 10a of the substrate 10.例文帳に追加

接続端子１２及び接続端子１４は基板１０を貫通して能動面１０ａ側及び裏面１０ｂ側に突出した形状であり、接続端子１２及び接続端子１４は基板１０の能動面１０ａに交差する方向に対して所謂マイクロストリップライン構造を有している。 - 特許庁

The method for forming a protective coating film by applying a composition containing a siloxane compound (A) having an alkoxysilyl group in a molecule and an active energy-line sensitive cationic polymerization initiator (B) on a substrate, and irradiating with an active energy-line is characterized by carrying out pre-heating before irradiating with the active energy-line.例文帳に追加

アルコキシシリル基を分子内に有するシロキサン化合物（Ａ）と、活性エネルギー線感応性カチオン重合開始剤（Ｂ）とを含有する組成物を基材に塗布し、活性エネルギー線を照射して保護被膜を形成する方法において、活性エネルギー線照射の前に予備加熱を行うことを特徴とする保護被膜形成方法。 - 特許庁

After forming a thin film from the first semiconductor substrate 11 and before flattening the surface of the active layer 11b by the vapor-phase etching, an organic substance 14 adhering to the surface of the active layer 11b is removed and a native oxide film 15 generated on the surface of the active layer 11b is removed after removing the organic substance 14.例文帳に追加

第１半導体基板１１を薄膜化した後、気相エッチングにより活性層１１ｂ表面を平坦化する前に、活性層１１ｂ表面に付着する有機物１４を除去し、有機物１４を除去した後にこの活性層１１ｂ表面に生成された自然酸化膜１５を除去する。 - 特許庁

As the platen roller for transferring the thermally active gelatinization sheet with the thermally active gelatinization layer at the rear face side of the recording face of the sheet-like substrate, a platen roller passed through a contact treatment wherein a compound (a) that can be contained as a solid plasticizer in the thermally active gelatinization layer is brought into contact with a surface of a roller part is used.例文帳に追加

シート状基材の記録面の裏面側に熱活性糊化層を有する熱活性糊化シートを搬送するためのプラテンローラとして、ローラ部分の表面に、前記熱活性糊化層に固体可塑剤として含有し得る化合物（ａ）を接触させる接触処理を施したプラテンローラを用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a biochip of high sensitivity as high throughput constituted so as to fix a physiologically active material such as protein, a molecule for capturing it or the like to the surface of a substrate at an arbitrary position but not to adsorb an unnecessary physiologically active material to a part other than the arbitrary position and capable of detecting the physiologically active material.例文帳に追加

蛋白質、またはそれを捕捉する分子等の生理活性物質を基板表面の任意の位置に固定化し、それ以外の部分には不要な生理活性物質が吸着しない、高感度でハイスループットな生理活性物質の検出ができるバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the method for measuring the physiologically active substance using the biosensor fixed to a substrate, the detection or measurement of the substance interacting with the physiologically active substance and the measurement of the biological activity of the physiologically active substance are performed in the same biosensor.例文帳に追加

生理活性物質を基板に固定化したバイオセンサーを用いた測定方法において、該生理活性物質と相互作用する物質の検出または測定と、該生理活性物質の生物学的活性の測定とを、上記した同一のバイオセンサーにおいて行うことを特徴とする、上記の測定方法。 - 特許庁

In a semiconductor optical device that emits or receives light substantially perpendicularly to or in parallel to an active surface formed on a semiconductor substrate, an electrode formed on the active surface side and connected to the active surface has a stepped shape or a taper shape at an end of the electrode.例文帳に追加

半導体基板に形成された活性面にほぼ垂直方向または平行方向に発光または受光する半導体光装置において、活性面側に形成され、活性面と接続された電極は、その端部においてステップ形状またはテーパ形状を有する半導体光装置により、解決できる。 - 特許庁

In the respective pixels arranged like a matrix on a transparent substrate 15, the active layer 11 of the photodetector is arranged in piles to the active layer 10 of the thin film transistor via an insulating film 17 so that a light shielding layer to the active layer 10 of the thin film transistor for controlling voltage of a transparent electrode 4 can be commonly used.例文帳に追加

透明基板１５上にマトリクス状に配置された各画素において、透明電極４の電圧を制御する薄膜トランジスタの活性層１０に対する遮光層を兼用するように、薄膜トランジスタの活性層１０に絶縁膜１７を介して受光素子の活性層１１を重ねて配置する。 - 特許庁

In this SOI semiconductor integrated circuit, semiconductor residue layers which exist between transistor active regions 155b and a body- contact active region 155a and are smaller in thickness than those of the active regions 155b and 155a are arranged on the embedded insulating layer of an SOI substrate and covered with the element separating layers of partial trenches.例文帳に追加

トランジスタ活性領域１５５ｂ及びボディコンタクト活性領域１５５ａの間に存在するトランジスタの活性領域及びボディコンタクトの活性領域より薄い半導体残余物層がＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層の上に配置され、しかも半導体残余物層は部分トレンチの素子分離層によって覆われる。 - 特許庁

An active layer polysilicon film 2 to form the n-chTFT of a CMOS transistor of a driver circuit, an active layer polysilicon film 3 to form the p-chTFT of the same element, and an active layer polysilicon film 4 to form a pixel and sampling n-chTFT are formed on a transparent substrate 1 which constitutes the display device.例文帳に追加

表示装置を構成する透明基板１上に、ドライバ回路ＣＭＯＳトランジスタのｎ−ｃｈＴＦＴを形成するための活性層ポリシリコン膜２、同ｐ−ｃｈＴＦＴを形成するための活性層ポリシリコン膜３、画素・サンプリングｎ−ｃｈＴＦＴを形成するための活性層ポリシリコン膜４を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing carbon nanotubes comprises a step of manufacturing a substrate equipped with a metal fine particle layer on a basic substrate by dropping and drying, on the basic substrate, a catalyst solution containing metal fine particles fabricated by an active liquid surface continuous vacuum deposition method, and a step of arranging the substrate in a chamber and subjecting the substrate to a chemical vapor deposition (CVD) treatment to manufacture the carbon nanotubes.例文帳に追加

活性液面連続真空蒸着法により作製した金属微粒子を含む触媒溶液を基礎基板上に滴下し乾燥させ基礎基板上に金属微粒子層を備える基板を製造する工程と、基板をチャンバー内に配置し基板に化学気相成長（ＣＶＤ）処理しカーボンナノチューブを製造する工程とを含むカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

Between the active matrix substrate 100a and the counter substrate 100b, the counter substrate 100b having an alignment regulating structure 21 has a dielectric structure 30 made of the same dielectric material as the alignment regulating structure 21, between a signal line 18 and a counter electrode 12.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１００ａおよび対向基板１００ｂのうち、配向規制構造体２１を有する対向基板１００ｂは、配向規制構造体２１と同一の誘電体材料から形成された誘電体構造体３０を信号配線１８と対向電極１２との間に有する。 - 特許庁

Collector, base, and emitter regions are formed on a substrate, a second substrate is mounted, an original substrate is completely or partially removed, a non-active collector region is removed or is set to a semi-insulator, and wiring and contact are performed from the original back surface of a chip.例文帳に追加

基板上にコレクタ、ベースおよびエミッタ領域を形成し、第２の基板を取り付けた後に、本来の基板を完全にまたは部分的に除去し、非活性コレクタ領域を除去するか、または半絶縁体とし、チップの本来の裏面からワイヤリングおよびコンタクトを実施する。 - 特許庁

The method is provided for manufacturing the semiconductor device 1 comprising a mounting substrate 400 and an electronic component 100 having a bump 130 electrically connected to the mounting substrate 400 on its active surface, wherein the electronic component 100 is mounted on the mounting substrate 400 through a resin layer 250.例文帳に追加

実装基板４００と実装基板４００に電気的に接続されたバンプ１３０を能動面に有する電子部品１００とを備え、実装基板４００に電子部品１００が樹脂層２５０を介して実装される半導体装置１の製造方法である。 - 特許庁

To provide an active energy ray curable resin composition for coating, wherein hardness is obtained even when applied to a plastic substrate of a thin film such as a film substrate, and there is low contraction and little warpage (curl) of the film during curing; and to provide a film substrate having a cured layer in which the composition is cured.例文帳に追加

フィルム基材等の薄膜のプラスチック基材への塗工した際にも硬度が得られ、且つ、硬化の際も低収縮でフィルムの反り（カール）が少ないコーティング用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、及び該組成物を硬化させた硬化層を有するフィルム基材に関するを提供する。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable resin composition from which a cured material having bending resistance, low yellowing tendency and adhesiveness to a substrate is obtained, and also to provide an optical component in which the cured material having bending resistance, low yellowing tendency and adhesiveness to a substrate is laminated on the substrate.例文帳に追加

得られる硬化物が耐屈曲性、低黄変性および基材への密着性を有する注型用活性エネルギー線硬化性樹脂組成物、並びに耐屈曲性、低黄変性および基材への密着性を有する硬化物が基材上に積層された光学部品を提供する。 - 特許庁

The lead acid storage battery having a positive electrode substrate made of lead-calcium based lead alloy contains antimony and arsenic at least at a part on the surface of the positive electrode substrate and/or in the positive electrode active material filled or coated on the positive electrode substrate, and contains aluminum ion in the electrolytic liquid.例文帳に追加

鉛−カルシウム系鉛合金から成る正極基板を備える鉛蓄電池において、正極基板表面に少なくとも一部、および／または該正極基板に充填・塗布された正極活物質中にアンチモンおよび砒素を含み、且つ電解液中にアルミニウムイオンを含む鉛蓄電池。 - 特許庁

The semiconductor laser device contains a substrate 11, a semiconductor multilayer film 20 which contains an active layer and is formed on the substrate 11, a first electrode 13 that is brought into contact with the upper surface of the semiconductor multilayer film 20, and a second electrode 14 that is brought into contact with the backside of the substrate 11.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ装置は、基板１１と、基板１１上に形成され活性層を含む半導体多層膜２０と、半導体多層膜２０の上面と接触する第１の電極１３と、基板１１の裏面側に接触する第２の電極１４とを含む。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a silicon substrate 21 in which gold, platinum or copper is diffused, a passive element formed on the first main surface of the substrate 21, and electrodes 27a formed on the first main surface of the substrate 21 to flip-chip mount a semiconductor chip 32 having an active element.例文帳に追加

金または白金または銅が拡散されたシリコン基板２１と、シリコン基板２１の第１主面上に形成された受動素子と、シリコン基板２１の第１主面上に形成され、能動素子を有する半導体チップ３２をフリップチップ実装するための電極２７ａとを形成する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating a silicon substrate that evaluates a dot defect of a device active region precisely through nondestructive inspection by evaluating the silicon substrate while enhancing sensitivity of a CL method, and a method of manufacturing a semiconductor device using the method of evaluating the silicon substrate.例文帳に追加

ＣＬ法の感度を向上させてシリコン基板を評価することで、デバイス活性領域の点欠陥を精密に非破壊検査により評価することができるシリコン基板の評価方法、及びその評価方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the molded object made of the synthetic resin wherein a substrate is flocked with piles through an adhesive layer, the substrate comprises a polyolefinic resin or a metal and an active layer comprising a modified thermoplastic elastomer having a specific composition is arranged between the substrate and the adhesive layer.例文帳に追加

基体に接着剤層を介してパイルが植毛されて成る合成樹脂製成形体であって、上記の基体がポリオレフィン系樹脂または金属から成り、上記の基体と接着剤層との間には特定組成の変性熱可塑性エラストマーから成る活性部が配置されている。 - 特許庁

This detector is produced by adhering an active matrix substrate 1 equipped with a charge accumulating capacity 4 and TFT 5 with an opposite substrate 2 comprising a semiconductor substrate via a connecting material (photosensitive resin 3) having conductivity and adhesiveness which is patterned corresponding to a pixel electrode of the charge accumulating capacity 4.例文帳に追加

電荷蓄積容量４およびＴＦＴ５を具備したアクティブマトリクス基板１と、半導体基板を備えた対向基板２とを、電荷蓄積容量４の画素電極に対応させてパターニングされた導電性および接着性を有する接続材（感光性樹脂３）を用いて接着する。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of a GaAs substrate 1, an active element, i.e., comb-like gate structure field effect transistor 3A formed on the surface of the GaAs substrate 1, and a plurality of serial resonator circuits 7 formed on a multilayer wiring layer on the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１の表面に形成された能動素子である櫛型ゲート構造電界効果トランジスタ３Ａと、ＧａＡｓ基板１の表面上の多層配線層に形成された複数の直列共振回路７とから構成されている。 - 特許庁