「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The element includes a semiconductor substrate, trenches for defining first active regions formed in predetermined areas of the semiconductor substrate, first element isolation films filled in the trenches, second element isolation films formed on the first element isolation films, and second active regions on the first active regions buried in spaces between the second element isolation films adjacent to each other.例文帳に追加

半導体基板と、前記半導体基板の所定領域に形成されて第１活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチ内にギャップフィルされている第１素子分離膜と、前記第１素子分離膜の上に形成されている第２素子分離膜と、隣接する前記第２素子分離膜との間の空間に埋め込まれた前記第１活性領域上の第２活性領域とを含む。 - 特許庁

Disclosed are the resin sheet for substrate having a resin layer in which the semiconductor chip is buried and a contact layer for a support substrate which is made of an active energy beam-curing type resin material and/or a cured body thereof; and the sheet for substrate obtained by burying the semiconductor chip in the resin sheet for substrate.例文帳に追加

半導体チップが埋め込まれる樹脂層と、活性エネルギー線硬化型樹脂材料及び／又はその硬化物からなる、支持基板に対する密着層とを有することを特徴とする基板用樹脂シート、及び該基板用樹脂シートに半導体チップが埋め込まれてなる基板用シートである。 - 特許庁

As regards a ferroelectric liquid crystal display device A, in a lower substrate 20 pixel electrodes 12 and active elements 10 are formed on a transparent substrate 14 and an alignment layer 8 is laminated thereon, and in an upper substrate 19 a common electrode 4 and an alignment layer 6 are successively laminated on a transparent substrate 2.例文帳に追加

強誘電性液晶表示装置Ａによれば、下基板２０においては透明基板１４上に画素電極１２とアクティブ素子１０とを形成し、これらの上に配向膜８を積層し、さらに上基板１９においては、透明基板２上に共通電極４と配向膜６とを順次積層する。 - 特許庁

A substrate 1, which supports a function layer comprising an active layer 3 and reflective mirrors 2 and 4, is transparent with respect to the oscillation wavelength, and an additional reflecting mirror 8 on the side opposite to the function layer of the substrate 1 and the reflecting mirror 2 on the substrate 1 side are used, so that a substrate part is used as an optical resonator.例文帳に追加

面発光レーザ装置では、活性層３と反射鏡２、４から成る機能層を支持する基板１が発振波長に対して透明であり、基板１の機能層側の反対にある追加的反射鏡８と基板１側の反射鏡２を用いて基板部分を光学共振器として使用する。 - 特許庁

This semiconductor laser device comprises a semiconductor substrate 1, an active layer formed internally in the semiconductor substrate 1, an electrode formed on two electrode surfaces facing each other on the semiconductor substrate 1 and a dielectric film 5 formed on the emission end face 3 of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

本発明にかかる半導体レーザ素子は、半導体基板１と、半導体基板１の内部に形成された活性層と、半導体基板１の相対向する２つの電極面上に形成された電極と、半導体基板１の発光端面３上に形成された誘電体膜５とを備えた半導体レーザ素子である。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition that can be patterned by exposure to active rays such as UV rays and has higher adhesion to a wafer, a glass substrate or an organic substrate as a substrate compared to a conventional electronic/electric insulating material, and excellent liquid repelling property.例文帳に追加

紫外線などの活性光線の露光によりパターニングが可能で、基材となるウエーハやガラス基材、有機基板等への接着力が、従来の電子・電気絶縁材料よりも高く、かつ撥液性にも優れたポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a light-emitting device, designed to form multi-layers containing at least one active layer on the front side of a substrate composed of a semiconductor material, thereafter, at least partially remove the substrate thus formed, and then join the multi-layers to a hetero-substrate.例文帳に追加

少なくとも１つの活性層を含んでいる多重層を半導体材料から成る基板の表側上に形成した後、この基板を少なくとも部分的に除去し、その後多重層をヘテロ基板と接合するようにした光放射デバイスを提供する。 - 特許庁

A substrate 1 in which a surface including electric wirings 2 is made flat by making surface roughness ≤3 μm and embedding the electric wirings 2 in grooves provided in the substrate as a substrate on which at least the optical active device 3 and the optical waveguides 4 and 5 are mounted.例文帳に追加

少なくとも光学能動素子３及び光導波路４，５を実装する基板として、表面粗さを３μｍ以下とし、基板に設けた溝に電気配線２を埋め込むことにより、電気配線２を含む表面を平坦にした基板１を用いる。 - 特許庁

Successively, a TFT 106 is formed, using the polycrystalline silicon film 104' as an active layer and transferred to a plastic substrate, by sticking the substrate to the surface of the TFT 106, and finally peeling the glass substrate 101 through the heat insulating film 102.例文帳に追加

続いて、多結晶シリコン膜１０４’を活性層に用いてＴＦＴ１０６を形成し、ＴＦＴ１０６上にプラスチック基板を貼り合わせ、最後に断熱膜１０２を介してガラス基板１０１を剥離することによって、ＴＦＴ１０６の転写が完成する。 - 特許庁

Successively, a TFT 106 is formed by using the polycrystalline silicon film 104' as an active layer and transferred to a plastic substrate, by sticking the substrate to the surface of the TFT 106, and finally peeling the glass substrate 101 via the peelable film 102.例文帳に追加

続いて、多結晶シリコン膜１０４’を活性層に用いてＴＦＴ１０６を形成し、ＴＦＴ１０６上にプラスチック基板を貼り合わせ、最後に剥離膜１０２を介してガラス基板１０１を剥離することによって、ＴＦＴ１０６の転写が完成する。 - 特許庁

In the display device, the peripheral driving circuit and an active matrix circuit are formed on a first substrate, and a spacer, for maintaining an interval between the first substrate and a second substrate and is made of a resin material, is disposed at the upper part of the peripheral driving circuit.例文帳に追加

周辺駆動回路及びアクティブマトリクス回路が第１の基板に形成され、前記第１の基板と第２の基板との基板の間隔を保持する、樹脂材料でなるスペーサーが前記周辺駆動回路の上方に配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a plastic substrate for an indicating element which is small in a coefficient of linear expansion while satisfying the transparency, solvent resistance, liquid crystal resistance, heat resistance, low retardation value, etc., required as the substrate for the display element and more particularly a plastic substrate for an active matrix indicating element.例文帳に追加

表示素子用基板として要求される、透明性、耐溶剤性、耐液晶性、耐熱性や、リタデーション値が低いこと等を満足しつつ、線膨張係数の小さい表示素子用プラスチック基板、特にアクティブマトリックス表示素子用プラスチック基板を提供する。 - 特許庁

The top emission type EL element 100 has an active structure, and comprises a substrate 10, an organic EL laminate 20 laminated on the substrate 10, and a sealing plate 40 adhered on the substrate 10 by an adhesive 30 so as to cover this organic EL laminate 20.例文帳に追加

トップエミッション型ＥＬ素子１００は、アクティブ構造をとり、基板１０と、基板１０上に積層された有機ＥＬ積層体２０と、この有機ＥＬ積層体２０を覆うように、基板１０上に接着剤３０により接着された封止板４０とから成る。 - 特許庁

This epitaxial substrate 1 is provided with: the GaN substrate 10 having a principal surface 10a inclined with respect to a c-plane or -c-plane of a GaN crystal; and the active layer 23 formed on the principal surface 10a of the GaN substrate 10 and having an InGaN well layer 23a.例文帳に追加

エピタキシャル基板１は、ＧａＮ結晶のｃ面または−ｃ面に対して傾斜した主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、ＧａＮ基板１０の主面１０ａ上に設けられたＩｎＧａＮ井戸層２３ａを有する活性層２３とを備える。 - 特許庁

To provide an AM(active matrix) substrate having display performance of both of satisfactory reflection and transmission having high visibility and manufactured at a low cost with a relatively simple method without complicating the manufacturing process of the substrate and its manufacturing method and an LCD(liquid crystal display) in which the substrate is used.例文帳に追加

ＡＭ基板の製造工程を複雑にすることなく、比較的簡単な方法で、視認性の高い良好な反射と透過の両表示性能を有し、且つ安価に製造できるＡＭ基板及びその製造方法とそれを用いたＬＣＤを提供する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride semiconductor laser, an n-type cladding layer 2, an n-type guide layer 3, an active layer 4 and an undoped guide layer 5 are formed on an n-type GaN substrate in an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。 - 特許庁

A light-emitting portion has a lower clad layer 12 grown in order on a n-type GaAs substrate, an active layer 13, and an upper clad layer 15.例文帳に追加

発光部は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に順次成長された下部クラッド層１２、活性層１３及び上部クラッド層１５を有している。 - 特許庁

To provide a new method for a forming silicone coating in a substrate, and to provide a carrier vehicle for various water- and oil-soluble active components.例文帳に追加

基台上にシリコーンコーティングを形成する新規な方法並びに種々の水溶性および油溶性活性成分のための搬送ビヒクルを提供する。 - 特許庁

To prevent a p doptant from being diffused from a substrate to an active layer and to make luminance higher and stabler by suppressing the formation of a non-light-emission center.例文帳に追加

基板から活性層へのｐドーパントの拡散を防止することができ、非発光センターの形成を抑制してより一層の高輝度化及び安定化をはかる。 - 特許庁

To provide a metallic substrate for an electrode plate capable of smoothly taking out high current while increasing capacity by increasing the coating amount of an active material.例文帳に追加

活物質の塗工量を増大させて高容量化を図りながらも大電流を支障なく取り出せる電極板用金属基材を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser element is constituted with an n-type contact layer 3, an n-type clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type first clad layer 6a formed successively on a sapphire substrate 2.例文帳に追加

サファイア基板２上にｎ−コンタクト層３、ｎ−クラッド層４、ＭＱＷ活性層５およびｐ−第１クラッド層６ａが順に形成される。 - 特許庁

To provide a solar cell module capable of achieving the insulation of a power generation active part from the peripheral part of a light- transmitting substrate and in its turn from a frame in a high productivity.例文帳に追加

発電活性部分と周辺部、ひいては、フレームとの絶縁を、高い生産性で実現することを可能とした太陽電池モジュールを提供すること。 - 特許庁

On the main surface 41a of the active matrix substrate 41, a display area 31 and a nondisplay area 32 arranged adjacent to the display area 31 are defined.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板４１の主表面４１ａ上には、表示エリア３１と、表示エリア３１に隣り合って配置される非表示エリア３２とが規定される。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the step of sequentially forming an SiO_2 film 3 and an HSQ film 4 so as to cover the recess 5 formed on an active layer 2 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の活性層２に形成したリセス５を覆うように、ＳｉＯ_2膜３とＨＳＱ膜４を順に形成する。 - 特許庁

To provide an inspection, method by which any imperfection of a pixel driving cell on an active matrix substrate is accurately detected even when there is variation of on-resistance of pixel selection switching elements.例文帳に追加

画素選択スイッチチング素子のオン抵抗にバラツキがあったとしても、アクティブマトリクス基板上の画素駆動セルの欠陥を正確に判定すること。 - 特許庁

To provide a display device with high yield and a less number of masks by simultaneously fabricating a thin film transistor and its terminal connecting portion on an active matrix substrate.例文帳に追加

アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for accurately grinding a thin substrate warped by the formation of resin or the like on its active surface.例文帳に追加

薄い基板、特に能動面に樹脂等が形成されて反りが生じた基板の研削を精度よく行なうことのできる基板の研削方法を提供する。 - 特許庁

An n-type clad layer 11, an active layer 12, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 14, are formed in this order on a conductive substrate 10.例文帳に追加

導電性の基板１０上にｎ型クラッド層１１、活性層１２、ｐ型クラッド層１３およびｐ型コンタクト層１４がこの順に形成されている。 - 特許庁

In the temperature-reducing process after growing a p-type GaAs cap layer 508, the substrate is exposed to AsH3 atmosphere to prevent introduction of group-V defect into the active layer.例文帳に追加

p型GaAsキャップ層５０８成膜後の降温過程において、基板をAsH_3雰囲気に曝し、活性層にＶ族欠陥が導入されることを防止する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate which can be manufactured with high reliability and high yield by suppressing the occurrence of poor disconnection or the occurrence of poor connection when mounted.例文帳に追加

断線不良の発生や実装時の接続不良の発生を抑制し、信頼性が高く高歩留まりで製造可能なアクティブマトリックス基板を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURE OF FIRST MOSFET AND SECOND MOSFET IN DIFFERENT ELECTRICALLY INSULATED ACTIVE REGIONS OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基体の電気的に絶縁された異なる活性領域内に第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタおよび第２のＭＯＳＦＥＴトランジスタを作成する方法 - 特許庁

Furthermore, the solid-state imaging apparatus has an element 39 serving as a passive element or an active element provided at the substrate surface side and arranged so as to be overlapped with the photoelectric conversion part PD.例文帳に追加

さらに、基板表面側に在って光電変換部ＰＤ上に重ねて配置された受動素子あるいは能動素子となる素子３９を有する。 - 特許庁

To provide a display device having a good yield with a small number of masks by simultaneously forming a thin film transistor and a terminal connection part in an active-matrix substrate.例文帳に追加

アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR, SWITCHING CIRCUIT, ACTIVE ELEMENT SUBSTRATE, ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT, THERMAL HEAD, DROPLET DISCHARGING HEAD, PRINTER DEVICE, AND THIN FILM TRANSISTOR DRIVEN LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE例文帳に追加

薄膜トランジスタ、スイッチング回路、アクティブ素子基板、電気光学装置、電子機器、サーマルヘッド、液滴吐出ヘッド、印刷装置、薄膜トランジスタ駆動発光表示装置 - 特許庁

On a sapphire substrate 10, an n-type GaN layer 12, an InGaN/GaN active layer 14, a p-type GaN layer 16, and a transparent electrode layer 18 are stacked to constitute a light-emitting diode.例文帳に追加

sapphire基板１０の上にｎ型GaN層１２、InGaN/GaN活性層１４、ｐ型GaN層１６、透明電極層１８を積層して発光ダイオードを構成する。 - 特許庁

To electrically inspect the active matrix substrate in its large size state as it is with high efficiency and high precision and to easily manufacture a probe frame for inspection at low cost.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板を大判のまま、効率および精度ともに高く電気的検査を行い、しかも検査用のプローブフレームを容易かつ安価に作製する。 - 特許庁

DEVELOPING SOLUTION FOR DEVELOPING PHOTOSENSITIVE RESIN, IMAGE FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING COLOR FILTER, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE WITH COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

感光性樹脂現像用現像液、画像形成方法、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ付アクティブマトリックス基板の製造方法、及び液晶表示素子 - 特許庁

The active matrix substrate has a peripheral region with a gate driver 21 (a second electrical circuit) and a source driver 22 (a first electrical circuit).例文帳に追加

本発明のアクティブマトリクス基板は、ゲートドライバ２１（第２の電気回路）およびソースドライバ２２（第１の電気回路）が設けられた周辺領域を有している。 - 特許庁

In the plan view of the surface of a semiconductor substrate, a fillet CN1 is formed to the corner of the source/drain active layers 6c1, 6d1 of a MOS transistor TR1.例文帳に追加

半導体基板の表面の平面視において、ＭＯＳトランジスタＴＲ１のソース／ドレイン活性層６ｃ１，６ｄ１のコーナーに面取りＣＮ１を施す。 - 特許庁

This is a method of manufacturing a semiconductor light emitting device which has such a structure that an active layer 6 which generates light of a prescribed wavelength is formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に所定の波長を持つ光を発生する活性層６を設ける半導体発光素子の製造方法である。 - 特許庁

On a silicon substrate 1, an insulating film 2a for element isolation is buried in a trench 1a to form STI 2, and an active regions 3 is isolated and formed.例文帳に追加

シリコン基板１は、トレンチ１ａに素子分離用絶縁膜２ａを埋め込んでＳＴＩ２を形成し、活性領域３を分離形成している。 - 特許庁

A first clad layer 12, an active layer 13, a second clad layer 14, a current diffusion layer 15 and a contact layer 16 are laminated sequentially on a substrate 11.例文帳に追加

基板１１上に第１クラッド層１２、活性層１３、第２クラッド層１４、電流拡散層１５、コンタクト層１６が順次積層されている。 - 特許庁

A lower-part semiconductor multilayer film reflection layer 3, a lower-part clad layer 4, an active layer 5, and an upper-part clad layer 6 are laminated on an n-type substrate 2.例文帳に追加

ｎ型基板２上に、下部半導体多層膜反射層３、下部クラッド層４、活性層５、上部クラッド層６を積層した構造を有する。 - 特許庁

A buffer layer 2, a lower SCH layer 3, an active layer 4, an upper SCH layer 5, an electronic stop layer 6 and an etching stop layer 7 are laminated on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にバッファー層２、下部ＳＣＨ層３、活性層４、上部ＳＣＨ層５、電子ストップ層６、エッチングストップ層７を積層する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM DEVICE, ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING, ELECTROOPTICAL DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板及び電気光学装置 - 特許庁