「active substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

First, a diaphragm region is defined on an SOI substrate comprising three layers of an active layer 1, a support layer 2 and an insulation layer 3 sandwiched by these layers 1 and 2.例文帳に追加

まず、活性層１と支持層２とそれらの間に挟まれた絶縁層３との３層からなるＳＯＩ基板に、ダイアフラム領域を画定する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR PREPARING THE SAME, LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND ACTIVE MATRIX SUBSTRATE AND FLAT DISPLAY HAVING THE SAME例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物及びその調製方法、積層体及びその製造方法、並びにアクティブマトリックス基板及びそれを備えた平面表示装置 - 特許庁

To prevent an insulating film buried in a trench separation region from being dug down, and to prevent a substrate leak accompanied by the silicide formation of an active region edge sidewall.例文帳に追加

トレンチ分離領域内に埋め込まれた絶縁膜の掘れ下がりを防止し、活性領域端部側壁のシリサイド形成に伴う基板リークを防止する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the polishing of a semiconductor substrate at the ends of active regions can be prevented at the time of removing films formed on the active regions and having nonuniform thicknesses by the CMP method.例文帳に追加

活性領域上に形成された不均一な膜厚の膜をＣＭＰ法によって除去する際、活性領域の端部において半導体基板まで削ってしまうことを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The distance between a lower end of the end region 5a and the active layer 12 in a direction perpendicular to the principal surface 3a of the n-type InP substrate 3 is larger than the distance between a lower end of the principal region 5b and the active layer 12 in the same direction.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板３の主面３ａに垂直な方向における端部領域５ａの下端と活性層１２との距離は、同方向における主領域５ｂの下端と活性層１２との距離より大きい。 - 特許庁

A method of manufacturing the thin film field-effect transistor is provided, in which at least a gate electrode, an insulating film, an active layer, a source electrode, and a drain electrode are formed on a substrate and the source electrode and the drain electrode are provided on the active layer.例文帳に追加

基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、ソース電極およびドレイン電極が形成され、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法である。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable composition achieving both of curability and substrate adhesiveness in high level, to provide an active energy ray-curable resin composition containing the composition, and to provide a cured product obtained by curing the composition.例文帳に追加

硬化性及び基材密着性を高いレベルで両立する活性エネルギー線硬化性組成物及びそれを含んでなる活性エネルギー線硬化性樹脂組成物、並びに、それらを硬化してなる硬化物を提供する。 - 特許庁

To provide a constitution of storing capacities where such problems as a decrease in a numerical aperture or an increase in gate wiring resistance are not caused for an active matrix substrate composing an active matrix type liquid crystal display device of twice scanning lines method.例文帳に追加

２倍走査線方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板において、開口率の低下やゲート配線抵抗の増大といった問題が生じることのない蓄積容量の構成を提供する。 - 特許庁

This semiconductor device has an active region 12A formed with a GaN based semiconductor growing on a SiC substrate 11, and an insulating oxide film 12B formed with the GaN based semiconductor oxidized around the active region 12A.例文帳に追加

半導体装置は、ＳｉＣからなる基板１１上に成長したＧａＮ系半導体からなる活性領域１２Ａと、該活性領域１２Ａの周囲にＧａＮ系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜１２Ｂとを有している。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes: an n-type nitride semiconductor layer 3 provided over a semiconductor substrate 1; an active layer 5 arranged over the n-type nitride semiconductor layer; and a p-type nitride semiconductor layer 8 arranged over the active layer.例文帳に追加

半導体基板１上に設けられた、ｎ型窒化物半導体層３と、ｎ型窒化物半導体層の上部に配置された活性層５と、活性層の上部に配置されたｐ型窒化物半導体層８とを備える。 - 特許庁

An active layer 2 (semiconductor layer) is formed by poly-crystalizing amorphous silicon on an insulating substrate 1 by laser annealing, and a drain region 2d and a source region 2s are formed so as to face each other in the active layer 2.例文帳に追加

絶縁基板１にアモルファスシリコンをレーザーアニールにより多結晶化してなる能動層２（半導体層）が形成され、この能動層２の中に、互いに対向してドレイン領域２ｄとソース領域２ｓが形成されている。 - 特許庁

Sidewalls 28 are formed on side faces of active regions 16 each having a Fin shape, and thereafter a substrate region 40 surrounded by element separation grooves 29, and large in widths in a channel longitudinal direction and a channel width direction relative to the active region 16 is formed.例文帳に追加

Ｆｉｎ形状の活性領域１６の側面に側壁２８を形成した後、素子分離溝２９に囲まれ、活性領域１６よりチャネル長方向およびチャネル幅方向の幅が広い基板領域４０を形成する。 - 特許庁

As the platen roller for transferring the thermally active gelatinization sheet with the thermally active gelatinization layer at the rear face side of the recording face of the sheet-like substrate, a platen roller of which the roller part contains a fluorine atom-containing rubber is used.例文帳に追加

シート状基材の記録面の裏面側に熱活性糊化層を有する熱活性糊化シートを搬送するためのプラテンローラとして、ローラ部分がフッ素原子含有ゴムを含有することを特徴とするプラテンローラを用いる。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing this semiconductor element includes a step of forming the second-conductivity impurity diffusing layer in a prescribed area of the active region by limiting the active region by forming the element separating film in the prescribed area of the substrate.例文帳に追加

この素子の製造方法は、第１導電型基板の所定の領域に素子分離膜を形成して活性領域を限定し、活性領域の所定の領域に第２導電型不純物拡散層を形成する段階を含む。 - 特許庁

In the groove 27, the source electrode 31 which electrically connects the top surface of the active layer 25 to the silicon substrate 21 and an insulating layer 70 which insulates a portion of the source electrode 31 in the groove 27 from the active layer 25 are formed.例文帳に追加

溝２７内には、能動層２５の表面とシリコン基板２１とを電気的に接続するソース電極３１と、ソース電極３１の溝２７内の部分を能動層２５に対して絶縁する絶縁層７０とが形成されている。 - 特許庁

In the method, a semiconductor laminate having at least an active layer 12 and first- and second-conductivity clad layers 11 and 13, respectively, formed on and under the active layer 12 is formed on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０に、少なくとも活性層１２と、活性層の上層および下層にそれぞれ配置された第１導電型のクラッド層１１および第２導電型のクラッド層１３を有する半導体積層体を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit according to this invention, a portion is lapped and arranged on an active element forming region on a surface of a semiconductor substrate wherein the active element is formed, and there is provided the connection pad having a bonding region and a probing region.例文帳に追加

本発明の半導体集積回路は、半導体基板表面の、活性素子が形成される活性素子形成領域上に一部を重ねて配置され、ボンディング領域とプロービング領域とを有する接続パッドを備えている。 - 特許庁

Because all the catalyst active substances 22 are surely contacted with both of the electrode substrate 21 and the electrolyte thin film 23, all pieces of the catalyst active material 22 can be made to effectively work as sites of a three-phase boundary.例文帳に追加

全ての触媒活性物質２２が電極基材２１及び電解質薄膜２３の双方に確実に接触しているため、全ての触媒活性物質２２を三相界面のサイトとして有効に働かせることができる。 - 特許庁

The wafer 10 for an active layer is peeled in a high flatness from a cleaved surface in a hydrogen-bubble forming region in the case of a heat treatment at a low temperature because the (111) wafer is adopted as the wafer 10 for the active layer for a laminated SOI substrate.例文帳に追加

貼り合わせＳＯＩ基板用の活性層用ウェーハ１０として（１１１）ウェーハを採用したので、低温熱処理時、活性層用ウェーハ１０は水素バブル形成領域の劈開面から高い平坦性で剥離される。 - 特許庁

In this semiconductor laser element, an active layer area I of layer structure including an active layer and a waveguide layer area II butt- joined therewith are formed on a semiconductor substrate, and the butted joint surface J is a vertical surface inclined at 45 degrees to the crystal azimuth (011) of a conductor material comprising at least the active layer in the active layer area I.例文帳に追加

活性層を含む層構造の活性層領域Ｉとそれにバットジョイント接合する導波路層領域IIとが半導体基板の上に形成されており、バットジョイント接合面Ｊは、活性層領域Ｉにおける少なくとも活性層を構成する半導体材料の結晶方位［０１１］に対して４５°の角度で傾斜する垂直面である半導体レーザ素子。 - 特許庁

The method comprises adding an alkali solution to a cathode material being a battery component obtained by dismantling a lithium ion battery to dissolve a cathode substrate to which a cathode active material is firmly adhered to thereby form a slurry containing the cathode active material, adding a surfactant solution to the formed slurry to disperse the cathode active material in the slurry, and separating the cathode active material from the alkali solution.例文帳に追加

リチウムイオン電池を解体して得られる電池解体物の正極材に、アルカリ溶液を添加して正極活物質が固着した正極基板を溶解して、正極活物質を含有するスラリーを生成し、生成したスラリーに界面活性剤溶液を添加してスラリー中の正極活物質を分散させ、正極活物質とアルカリ溶液とを分離することを特徴とする。 - 特許庁

The flash memory includes an element isolation film and an active region formed at a substrate, a plurality of stacked gates formed on the active region, a deep implant region formed at a lower portion of the element isolation film and the active region between the stacked gates, and a shallow implant region formed at a surface of the active region between the stacked gates.例文帳に追加

基板に形成された素子分離膜及び活性領域と、前記活性領域上に形成された複数のスタックゲートと、前記各スタックゲートの間の素子分離膜の下側及び活性領域に形成された深いインプラント領域と、前記各スタックゲートの間の活性領域の表面に形成された浅いインプラント領域とを含んでフラッシュメモリを構成する。 - 特許庁

To improve after-image characteristics of a radiological image detecting device equipped with a radiation image detector having a bias electrode, a photoconductive layer, a substrate-side charge transport layer, and an active matrix substrate stacked, in this order.例文帳に追加

バイアス電極と、光導電層と、基板側電荷輸送層と、アクティブマトリクス基板とがこの順に積層された放射線画像検出器を備えた放射線画像検出装置において、残像特性の向上を図る。 - 特許庁

An n-type GaN contact layer 2, a MQW active layer 3, and a p-type AlGaN clad layer 4 are sequentially formed on a GaN substrate 1 and an n-electrode 8 is also formed at the rear surface of the GaN substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ基板１上にｎ型ＧａＮコンタクト層２、ＭＱＷ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４が順に形成されており、ＧａＮ基板１の裏面にはｎ電極８が形成される。 - 特許庁

The light emitting part B is made of the p-type semiconductor layer 3, the active layer, and the n-type semiconductor layer 2, and a sapphire substrate which is a substrate for crystal growth is removed from a surface in the thickness direction of the light emitting part B.例文帳に追加

ｐ形半導体層３と上記活性層とｎ形半導体層２とで発光部Ｂを構成し、発光部Ｂの厚み方向の一面から結晶成長用基板であるサファイア基板が除去されている。 - 特許庁

As a result, the deformation of the active matrix substrate 20 due to its own weight can be prevented by the rigidity of the base substrate 50 to eliminate the generation of stress on the semiconductor film, and it is possible to suppress the deterioration in the semiconductor film.例文帳に追加

その結果、ベース基板５０の剛性により、アクティブマトリックス基板２０の自重による撓みが生じないので、半導体膜に応力が生じることがなくなり、半導体膜の劣化を抑えることができる。 - 特許庁

A p-InGaAs clad layer 2, an AlInGaP-MQW active layer 3, a n-InGaAs clad layer 4 and an InGaP adhesion layer 5 are sequentially crystal-grown on a GaAs substrate 1 of a growth substrate.例文帳に追加

成長基板のＧａＡｓ基板１上にｐ−ＩｎＧａＡｓクラッド層２、ＡｌＩｎＧａＰ−ＭＱＷ活性層３、ｎ−ＩｎＧａＡｓクラッド層４及びＩｎＧａＰ接着層５を順次結晶成長させる。 - 特許庁

To provide a transparent composite sheet that has high surface smoothness, low linear expansion coefficient and excellent transparency and can be used as an optical sheet, a plastic substrate for display element and a substrate for active matrix display element.例文帳に追加

高い表面平滑性を有し、低線膨張係数で透明性に優れた、光学シート、表示素子用プラスチック基板又はアクティブマトリックス表示素子用基板として好適に利用できる透明複合シートを提供する。 - 特許庁

To improve optical coupling efficiency by planarizing the surface of a substrate including a wiring layer and facilitating height adjustment between optical waveguides and an optical active device about an optical wiring substrate having planarized electric wiring.例文帳に追加

平坦化電気配線を有する光配線基板に関し、配線層を含む基板の表面を平坦化して光導波路と光学能動素子との高さ合わせを容易にして光結合効率を向上する。 - 特許庁

In the semiconductor memory device 1, an STI 16 is provided in a part of the upper layer of a silicon substrate 11, and the upper layer of a silicon substrate 11 is partitioned into a plurality of active areas AA extending in the Y direction.例文帳に追加

半導体記憶装置１において、シリコン基板１１の上層部分の一部にＳＴＩ１６を設け、シリコン基板１１の上層部分をＹ方向に延びる複数本のアクティブエリアＡＡに区画する。 - 特許庁

To provide a biosensor using high active lipid modification enzyme, that excels in storage reliability; that allows oxidation current value to be low when substrate concentration is 0; and that may quantify a substrate with high precision.例文帳に追加

高活性の脂質修飾酵素を用いて、保存信頼性が高く、しかも基質濃度が０の場合の酸化電流値が低く、基質を高精度で定量することができるバイオセンサを提供することをも目的とする。 - 特許庁

An oxide film as a film having positive charge is added to the surface of a semiconductor substrate having a gettering layer composed of oxygen-induced defects (BMD: Bulk Micro Defects) in the region in a semiconductor substrate different from a device active region.例文帳に追加

デバイス活性領域と異なる半導体基板内部の領域に、酸素起因欠陥（ＢＭＤ）よりなるゲッタリング層を有する半導体基板の表面に、正の電荷を有する膜である酸化膜を付加する。 - 特許庁

The active device array substrate 200 includes a first substrate 210, multiple scan lines 220, multiple data lines 230, multiple pixel units 240, an electrostatic discharge protection circuit 250 and at least one conductive pattern 260.例文帳に追加

アクティブデバイスアレイ基板２００は、第１の基板２１０、複数の走査線２２０、複数のデータ線２３０、複数の画素ユニット２４０、静電気放電保護回路２５０及び少なくとも１つの導電パターン２６０を有する。 - 特許庁

The liquid crystal panel 1 is constituted to be of reflective electric field control double refraction mode (ECD mode) wherein a liquid crystal is homogeneously arrayed between an active matrix substrate and a counter substrate respectively applied with parallel alignment.例文帳に追加

液晶パネル１は、いずれも平行配向処理が施されたアクティブマトリクス基板および対向基板の間で液晶がホモジニアス配列した反射型の電界制御複屈折モード（ＥＣＤモード）に構成されている。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises a nitride substrate and a semiconductor layer part including an active layer structure emitting light of a peak emission wavelength λ and formed on a principal surface of the nitride substrate.例文帳に追加

窒化物基板と、ピーク発光波長λの光を発する活性層構造を含み前記窒化物基板の主面上に形成された半導体層部とを有し、式を満たすことを特徴とする半導体発光素子。 - 特許庁

To provide a technology to more uniformly inject driving current into an active layer having a wide area in a surface-emitting nitride semiconductor light emitting device employing a nitride semiconductor substrate or a ZnO substrate.例文帳に追加

窒化物半導体基板やＺｎＯ基板を採用する面発光型の窒化物半導体発光素子において、広い面積の活性層に、より均一に駆動電流を注入するための技術を提供する。 - 特許庁

For forming TFTs 10, 20 and 30 on an active matrix substrate 2, a semiconductor film 10a constituted of an amorphous silicon film is formed on a substrate 100 and the semiconductor film 10a is laser-annealed.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板２にＴＦＴ１０、２０、３０を形成するにあたって、基板１００上にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜１０ａを形成した後、この半導体膜１０ａにレーザアニールを行なう。 - 特許庁

After forming a silicon oxide film and a metal silicificated film on a silicon substrate in order, the substrate is heat-treated in an atmosphere containing active oxygen to remove impurities contained in the silicon oxide film and the metal silicificated film.例文帳に追加

シリコン基板上にシリコン酸化膜および金属珪酸化膜を順に形成した後、活性酸素を含む雰囲気中で熱処理を行い、シリコン酸化膜および金属珪酸化膜に含まれる不純物を除去する。 - 特許庁

An active matrix substrate 1 provided with a charge storage capacity 4 and a TFT 5 is electrically connected to a facing substrate 2, provided with a semiconductor layer with a radiation cut-off layer 7 and a conductive connecting material 3 inbetween.例文帳に追加

電荷蓄積容量４およびＴＦＴ５を具備したアクティブマトリクス基板１と、半導体層を備えた対向基板２とを、放射線遮断層７および導電性接続材３を介して電気的に接続する。 - 特許庁

A light receiving chip 1A is composed of a semiconductor support substrate 10 and a semiconductor active layer 12 formed on one surface of the substrate 10 and arranged as confronting a light source, and is provided on the photovoltaic device.例文帳に追加

半導体支持基板１０と、この半導体支持基板１０の一の面側に設けられる半導体活性層１２とにより構成され、光源と対向配置される受光チップ１Ａを光起電力装置に設けた。 - 特許庁

To make a TFT substrate, which is used as a TFT active matrix substrate for a liquid crystal display device, adaptive to both of an operational state for displaying an ordinary animation and a stand-by state for a still picture.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴアクティブマトリクス基板などとして用いられるＴＦＴ基板において、通常の動画表示の動作状態と、静止画表示の待機状態とのいずれにも適応可能にする。 - 特許庁

On a collector substrate 12 in an electrode active material non-coated area 7 formed on the end part in the width direction (Y-axis direction) of a positive electrode plate 2, a slit 21 parallel to the width direction of the charge collector substrate 12 is formed.例文帳に追加

正極板２の幅方向（Ｙ軸方向）端部に形成された電極活物質未塗工領域７における集電基板１２に、集電基板１２の幅方向に平行なスリット２１を形成した。 - 特許庁

Grooves 20 an 34 long in a direction orthogonal with the direction of the rubbing treatment are formed on the surfaces of both substrates, an active matrix substrate 10 and a counter substrate 30, which surfaces are to be subjected to the rubbing treatment.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１０及び対向基板３０の両基板のラビング処理が実施される面上に、ラビング処理の方向に直交する方向に長い溝部２０及び３４がそれぞれ形成されている。 - 特許庁

When TFTs 10, 20 and 30 are formed on an active matrix substrate 2, an amorphous silicon semiconductor film 10a is formed on a substrate 100 and subjected to laser annealing.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板２にＴＦＴ１０、２０、３０を形成するにあたって、基板１００上にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜１０ａを形成した後、この半導体膜１０ａにレーザーアニールを行なう。 - 特許庁