「atmospheric pressure field」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

It generates plasma within the reacting vessel 2 under pressure close to atmospheric pressure by applying an alternating current field between the electrodes 3, 4 for generating plasma after introducing gas for generating plasma into the reacting vessel 2.例文帳に追加

反応容器２にプラズマ生成用ガスを導入すると共にプラズマ生成用電極３、４の間に交流電界を印加することにより、大気圧近傍の圧力下で反応容器２内にプラズマを生成する。 - 特許庁

This gas for a plasma discharge treatment is used for a plasma discharge treatment carried out by applying an electric field under pressure close to the atmospheric pressure and contains N_4^+ ions having a time-averaged density not smaller than 8.0×10^16[m^-3].例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で電界をかけて行うプラズマ放電処理に用いられるプラズマ放電処理用ガスであって、時間平均密度が８．０×１０^１６［ｍ^−３］以上のＮ_４^＋イオンを含有する。 - 特許庁

A plurality of paired electrodes (a power input electrode 1 and a ground electrode 2) are provided for forming an electric field for forming the plasma under an atmospheric pressure or under a pressure near thereto, and the electric field for producing the plasma is generated in a region in the lower vicinity opposing to the paired electrodes.例文帳に追加

大気圧下またはその近傍の圧力下でプラズマを形成するための電界を形成する複数の電極対（電力投入電極１と接地電極２）が設けられ、この電極対が対向する下方近傍領域に、プラズマを発生させるための電界が発生する。 - 特許庁

This method manufactures polarized rare gas by irradiating the exciting light into a polarization cell 6 in a magnetic field, by mixing raw material gas including the rare gas and quench gas with alkaline metal vapor by being supplied to the polarization cell 6, and maintains pressure in the polarization cell 6 in 0.05 atmospheric pressure to 0.6 atmospheric pressure when irradiating the exciting light.例文帳に追加

希ガス及びクエンチガスを含む原料ガスを偏極セル６に供給してアルカリ金属蒸気と混合し、磁場内で偏極セル６内に励起光を照射することにより偏極希ガスを製造する方法であって、励起光の照射時における偏極セル６内の圧力を、０．０５気圧以上０．６気圧以下に維持する。 - 特許庁

The atmospheric pressure plasma generator is characterized in that a sine wave electric field is supplied to the pair of electrodes 2; and glass bodies 1 filled with an inert gas are arranged between the pair of electrodes.例文帳に追加

そして、一対の電極（２）には正弦波電界を供給するとともに、一対の電極間に、不活性ガスが封入されたガラス体（１）が配置されていることを特徴とする。 - 特許庁

The carbon fiber is used as the electrode material releasing electrons according to the field emission by impressing a negative voltage on the coiled carbon fiber under conditions close to atmospheric pressure.例文帳に追加

そして、コイル状炭素繊維に常圧に近い条件下でマイナス電圧を印加することにより、電界放出により電子を放出する電極材料として用いられるものである。 - 特許庁

The glow discharge is generated under the atmospheric pressure, to generate the plasma P from the plasma generation gas by applying an AC field into the reaction vessel 1, at the position corresponding to the area between the electrodes 2, 3.例文帳に追加

電極２、３の間に対応する位置において反応容器１内に交流電界を印加することにより、大気圧下でグロー状の放電を生じさせてプラズマ生成用ガスからプラズマＰを生成する。 - 特許庁

To obtain a coiled carbon fiber for an electrode material capable of carrying out field emission under conditions close to atmospheric pressure and at a low voltage and to provide use thereof.例文帳に追加

常圧に近い状態、低電圧で電界放出を可能とすることができる電極材料用のコイル状炭素繊維及びその用途を提供する。 - 特許庁

Supplied between the electrodes 2 and 3 is an electric field of alternate or pulse current to generate a dielectric barrier discharge under about an atmospheric pressure.例文帳に追加

この誘電体バリア放電でプラズマ生成用ガスからプラズマを生成すると共にこのプラズマで電極２、３の間に導入された被処理物４をプラズマ処理するプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

In the method, the atmospheric pressure plasma treatment device is cleaned by filling a discharge space with gas and applying a high frequency electric field to generate plasma.例文帳に追加

大気圧プラズマ処理装置のクリーニング方法において、放電空間にガスを供給して満たし、高周波電界によりプラズマを発生させることを特徴とする大気圧プラズマ処理装置のクリーニング方法。 - 特許庁

To measure a position and a posture without being affected by magnetic field, atmospheric pressure, temperature and the like, based on a plurality of optical information sources arranged on an object surface.例文帳に追加

オブジェクト表面上に配設された複数の光学情報源に基づいて、その位置や姿勢を磁界や気圧、温度などの影響を受けずに計測する。 - 特許庁

To provide light emitting elements in which no cross talk is caused and light emission is conducted by a very low driving voltage in an atmospheric pressure environment and to provide a field emission display having the elements.例文帳に追加

クロストークが生じることがなく、かつ、周辺雰囲気が大気圧の状態において非常に低い駆動電圧で発光を行うことができる発光素子及びそれを具えるフィールドエミッションディスプレイを提供する。 - 特許庁

In a display front surface plate 1, gas including first thin film forming gas is supplied to electric discharging space under atmospheric pressure or vicinity of the atmospheric pressure, high frequency electric field is applied to the electric discharging space to stimulate the gas and a reflection preventing film 6 is formed on at least one of the surfaces of a base material 4 by exposing the base material 4 to the stimulated gas.例文帳に追加

本発明に係るディスプレイ用前面板１では、大気圧又はその近傍の圧力下、放電空間に第１薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、前記放電空間に高周波電界を印加することにより前記ガスを励起させ、励起した前記ガスに基材４を晒すことにより基材４の少なくとも一方の面上に反射防止膜６が形成されている。 - 特許庁

Feed gas is introduced between counter electrodes under pressure near atmospheric pressure in a laminate formation process of the semiconductor element, and a pulsive electric field is applied between counter electrodes for changing the feed gas into the glow discharge plasma and for forming the thin film in the manufacturing method of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子の積層体成形工程において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The cell made of the high-molecular resin is arranged between two counter electrodes and, after an electric field is applied across the counter electrodes under a nitrogen atmosphere in a pressure atmosphere near to atmospheric pressure to produce discharge, a part subjected to discharge treatment is exposed to an oxygen-containing gas to perform the hydrophilizing treatment of the cell made of the resin.例文帳に追加

対向する２つの電極間に高分子樹脂製セルを配置し、大気圧近傍の圧力雰囲気で、窒素雰囲気下で前記対向電極間に電界を印加して放電を発生させた後、酸素を含むガスに放電処理した部分を曝すことで前記樹脂製セルを親水化処理する。 - 特許庁

Simultaneously with introduction of a process gas containing TMG being an organogallium compound, nitrogen (N_2) and hydrogen (H_2) in a space between a pair of electrodes (12H, 12E) under a pressure close to atmospheric pressure, and electric field is applied between the electrodes (12H, 12E) so as to induce electric discharge.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で一対の電極１２Ｈ，１２Ｅ間に、有機ガリウム化合物であるＴＭＧと窒素（Ｎ_２）と水素（Ｈ_２）とを含有するプロセスガスを導入するとともに、電極１２Ｈ，１２Ｅ間に電界を印加して放電を生成する。 - 特許庁

With respect to a reversible image display device which has particles sealed between two opposed substrates, at least one of which is transparent, and displays an image by producing an electric field between the substrates to move the particles, the air pressure between the substrates is reduced from the atmospheric pressure.例文帳に追加

少なくとも一方が透明である二枚の対向する基板間に粒子を封入し、この基板間に電界を発生させて前記粒子を移動させることにより画像の表示を行う可逆式画像表示装置において、前記基板間の気圧を大気圧に対して減圧させる。 - 特許庁

This is the forming method of the transparent electroconductive film wherein a gas is introduced into a discharge space under the atmospheric pressure or its neighboring pressure, and wherein the substrate is exposed to the gas made in a plasma state by applying an electric field, and wherein the transparent electroconductive film containing two or more kinds of metal dopants is formed.例文帳に追加

大気圧もしくはその近傍の圧力下で放電空間にガスを導入し、電界をかけてプラズマ状態とした該ガスに基材を晒して、２種以上の金属ドーパントを含有する透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の形成方法。 - 特許庁

The substrate processing apparatus has metal components at least a part of metal surfaces of which is exposed to the inside of a treatment chamber, wherein the top surfaces of the metal components to be exposed to the inside of a treatment chamber are beforehand subjected to the electric field compound polishing followed by the baking treatment under pressure below the atmospheric pressure.例文帳に追加

処理室内に少なくとも一部の金属表面が露出される金属部品を具備する基板処理装置であって、前記処理室内に露出される金属部品の表面には、予め、電界複合研磨が施された後、大気圧未満の圧力下でベーキング処理がなされている。 - 特許庁

The field electron emission source having higher electron emission capability is manufactured by forming a layer of field electron emission material 103 containing carbon nano twists on the surface of the negative electrode substrate 100, applying atmospheric plasma 261 generated at a pressure of 0.1 atm -2 atm onto the surface of the negative electrode substrate 100, and raising carbon nano twists in the field electron emission material 103.例文帳に追加

カーボンナノツイストを含む電界電子放出材料１０３を陰極基板１００表面に形成し、陰極基板１００の表面に０．１ａｔｍから２ａｔｍの圧力範囲で発生させた大気圧プラズマ２６１を照射して、電界電子放出材料１０３に含まれるカーボンナノツイストの起毛処理を行い、電子放出能力を向上させた電界電子放出源を製造する。 - 特許庁

Plasma generating gas is introduced into the chamber 1 and an alternating field is applied between the high voltage electrode 2 and the earth electrode 3 to generate dielectric barrier discharge between the high voltage electrode 2 and the earth electrode 3 under atmospheric pressure.例文帳に追加

チャンバー１内にプラズマ生成用ガスを導入すると共に高圧電極２と接地電極３の間に交流電界を印加することにより、高圧電極２と接地電極３の間に大気圧下で誘電体バリア放電を発生させる。 - 特許庁

Multiple electrodes are arranged at opposing positions for a single electrode in a processing vessel to form multiple sets of electrode pairs, and discharge plasma is generated by the application of an electric field between the multiple sets of electrode pair under atmospheric pressure or the vicinity for plasma processing between each electrode.例文帳に追加

処理容器内に設置された１つの電極に対し、複数の電極を対向配置して複数組の電極対を設け、それら複数組の電極間に大気圧近傍下で電界を印加することにより放電プラズマを発生させて、各電極間でプラズマ処理を行う。 - 特許庁

The method for treating an exhaust gas by passing the exhaust gas through a low-temperature plasma reaction field under atmospheric pressure is characterized in that the exhaust gas is passed while a plurality of rows of eddy groups each comprising linearly joined spectacle-like eddies of the exhaust gas are formed.例文帳に追加

大気圧環境下にある低温プラズマ反応場に排ガスを通過させてこの排ガスを処理する排ガス処理方法において、前記排ガスによる眼鏡状の渦が一列に連なって成る渦群を複数列形成させながら排ガスを通過させることを特徴とする。 - 特許庁

The energy of airflow of the atmosphere is balance flow energy composed of mass of the air, atmospheric pressure and the field of three-dimensional gravitation basic energy source of the universe, and is based on new second-generation natural science explained as Second Class perpetua mobilia as complex wave energy.例文帳に追加

本発明は、大気圏の空気の流れのエネルギは、空気の質量と、大気圧と、宇宙の3次元万有引力基礎エネルギ源の場とが構成する平衡流動エネルギであり複合波動エネルギである第2種永久運動であると説明する新しい第2世代の自然科学に基づいています。 - 特許庁

In a nearly atmospheric pressure condition, microwave and the plasma generating gas are made to pass through the slit 300 and a high electric field is formed in the vicinity of the slit 300 to generate plasma in the irradiation part 34, and thereby a prescribed treatment is applied on the outer circumference face 800 by the plasma.例文帳に追加

略大気圧条件下において、マイクロ波とプラズマ生成用ガスとをスリット３００に通過させることにより、スリット３００付近に高電界を形成し、照射部３４にプラズマを生成し、プラズマにより外周面８００に所定の処理を施す。 - 特許庁

To provide a substance applicable to a highly sensitive sensor by solving the problem of poor sensitivities associated with the application of conventional substances containing Ni, Fe and O as temperature-, magnetic- or gas sensors, due to too little change in the electric resistivities in response to changes in a temperature, a magnetic field or an atmospheric gas pressure.例文帳に追加

従来、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｏを含む物質では、温度、磁場、雰囲気ガス圧力の変化に伴い、その電気抵抗率の変化は小さくて、温度、磁場、ガスセンサーに応用した場合の感度が低いため、高感度センサーに使用可能な物質を提供することが技術的課題である。 - 特許庁

A plasma treatment apparatus is provided with a discharge inhibition 6 having an exposed surface 6a to a plasma generation space 13 for generating a plasma near atmospheric pressure, and electric field generating means for generating the plasma near the exposed surface 6a out of the plasma generation space 13 by generating an electric field through the electric discharge inhibiting section 6.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、大気圧近傍でプラズマを発生させるためのプラズマ発生空間１３に対する露出面６ａを有する放電禁止部６と、放電禁止部６を介して電界を発生させることによってプラズマ発生空間１３のうち露出面６ａ近傍にプラズマを発生させるための電界発生手段とを備える。 - 特許庁

Under a nearly atmospheric pressure condition, the microwave and plasma generation gas are made to pass through the slit 42 and an electric field of the microwave is concentrated to form a high electric field in the vicinity of the slit 42, and the plasma generation gas is ionized to generate plasma P, and by the plasma P, a treatment object surface 800 of a treatment object 80 is applied a prescribed treatment.例文帳に追加

略大気圧条件下において、マイクロ波とプラズマ生成用ガスとをスリット４２に通過させることによりマイクロ波の電界を集中させスリット４２付近に高電界を形成し、プラズマ生成用ガスを電離させプラズマＰを生成し、プラズマＰにより処理対象物８０の処理対象面８００に所定の処理を施す。 - 特許庁

The discharge plasma processor comprises three or more electrodes forming two or more discharge spaces and a solid dielectric covering at least one of opposed surfaces of the electrodes forming the discharge spaces, so that applying an electric field between the opposed electrodes causes a discharge plasma to be generated under a pressure near the atmospheric pressure.例文帳に追加

３枚以上の電極によって２つ以上の放電空間を形成してなり、前記放電空間を形成する電極対向面の少なくとも一方は固体誘電体で被覆されてなり、前記対向電極間に電界を印加することによって大気圧近傍の圧力下で放電プラズマを発生するようになされた放電プラズマ処理装置。 - 特許庁

The plasma etching treatment method repeatedly performs plasma etching and plasma ashing for treating an object to be treated by generating glow discharge plasma obtained by applying an electric field between opposed electrodes in which at least one confronted surface is covered with a solid-state dielectric under pressure near atmospheric pressure.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間に電界を印加することにより得られるグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理するプラズマエッチングとプラズマアッシングを繰り返して行うことを特徴とするプラズマエッチング処理方法。 - 特許庁

The discharge plasma processing method and the apparatus thereof are characterized, by setting a solid dielectric on at least one opposite surface of a pair of opposed electrodes under a pressure near the atmospheric pressure, introducing a process gas between the opposed electrodes, applying a pulse-like electric field to obtain a plasma, and exposing a circuit board to the plasma.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを回路基板に接触させることを特徴とする回路基板の放電プラズマ処理方法及び装置。 - 特許庁

Regarding the fresnel lens 3 for a display, gas containing thin layer forming gas is supplied in a discharge space under atmospheric pressure or near the pressure, the gas is excited by applying a high frequency electrical field in the discharge space, and a base material 4 is exposed to the exited gas, then, an anti-reflection film 6 is formed on at least one side of the base material 4.例文帳に追加

本発明に係るディスプレイ用フレネルレンズ３では、大気圧又はその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、前記放電空間に高周波電界を印加することにより前記ガスを励起させ、励起した前記ガスに基材４を晒すことにより基材４の少なくとも一方の面上に反射防止膜６が形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises the steps of introducing a material gas between facing electrodes under a pressure near atmospheric pressure, in the case of forming the interlayer insulating film and/or the passivation film of the element, applying a pulse-like electric field between the opposed electrodes, thereby generating the glow discharge plasma in the material gas, and forming the interlayer insulating film and/or the passivation film.例文帳に追加

半導体素子における層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜のプラズマＣＶＤ法による形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより、原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜の形成を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

The protective film for polarizer is characterized by having a reflection preventing layer, which is obtained with a method for generating discharge plasma for example by applying a pulsed electric field between electrodes placed opposite to each other under a pressure close to atmospheric pressure in an gaseous atmosphere containing a metal compound, formed on a substrate film whose absolute value of photoelastic constant is not more than 20×10-7 cm2/kgf.例文帳に追加

光弾性係数の絶対値が２０×１０^-7ｃｍ^2 ／ｋｇｆ以下である基材フィルム上に、例えば、大気圧近傍の圧力下、金属化合物を含むガス雰囲気中で、対向電極間にパルス化された電界を印可することにより、放電プラズマを発生させる方法で得られた反射防止層が形成されていることを特徴とする偏光子保護フィルム。 - 特許庁

In the lenticular lens for display 2, an antireflection film 6 is formed on at least either surface of base material 4 by supplying gas containing thin film forming gas to discharge space and applying high frequency electric field to the discharge space under atmospheric pressure or pressure near it, so that the gas is excited, and exposing the base material 4 to the excited gas.例文帳に追加

本発明に係るディスプレイ用レンチキュラーレンズ２では、大気圧又はその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し、前記放電空間に高周波電界を印加することにより前記ガスを励起させ、励起した前記ガスに基材４を晒すことにより基材４の少なくとも一方の面上に反射防止膜６が形成されている。 - 特許庁

When a base material is arranged on the space between a pair of counter electrodes under the pressure approximate to the atmospheric pressure, and pulselike voltage whose voltage rising time is ≤100 μs and electric field strength is 1 to 100 kV/cm is applied between counter electrodes 3, 4 to execute discharge plasma treatment, applied voltage or pulse frequency is continuously changed during the treating time.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極３、４間に基材が配置され、該対向電極３、４間に電圧立ち上がり時間が１００μｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍのパルス状の電圧を印加して、放電プラズマ処理を行うに当たり、処理時間中に印加電圧又はパルス周波数を連続的に変化させる。 - 特許庁

In an atmosphere containing 0.5-50 vol% of oxygen under a pressure close to the atmospheric pressure, a solid state dielectric is provided on at least one of the opposite faces of a pair of opposite electrodes and discharge a plasma, generated by applying a pulse electric field between the pair of opposite electrodes, is brought into contact with the metal electrode prior to wire bonding.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、水素を０．５〜５０体積％含有する雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間にパルス化された電界を印加することにより発生させた放電プラズマをワイヤボンディング前の金属電極に接触させることを特徴とする金属電極の酸化膜除去方法。 - 特許庁

This method for the hydrophilization treatment of the polyimide base material comprises treatment of the polyimide base material in an atmosphere of ≥45% relative humidity under a pressure of nearly atmospheric pressure with a glow discharge plasma, especially treatment with the glow discharge plasma generated by impressing a pulse-shaped electric field between counter electrodes in which at least one of opposite sides is covered with a solid dielectric substance.例文帳に追加

大気圧の近傍の圧力下、相対湿度４５％以上の雰囲気下でポリイミド基材をグロー放電プラズマによる処理、特に、電極対向面の少なくとも一方の対向面が固体誘電体で被覆された対向電極間にパルス状電界を印加して発生するグロー放電プラズマによる処理を行うことを特徴とするポリイミド基材の親水化処理方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor element comprises the steps of introducing a material gas between the counterposed electrodes under the pressure which is close to the atmospheric pressure, in the case of forming the low permittivity interlayer insulating thin film in the element, applying a pulse-like electric field between the opposed electrodes to generate the glow discharge plasma in the material gas, and forming the thin film.例文帳に追加

半導体素子における低誘電率層間絶縁薄膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

In the method for decomposing waste gas, the fluorine compound gas is decomposed by plasma produced by disposing a solid dielectric material on at least one of the opposing faces of a pair of electrodes facing each other under pressure near the atmospheric pressure and then by applying a pulsed electric field between the pair of electrodes facing each other.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間にパルス状の電界を印加することにより生成されたプラズマによりフッ素化合物ガスを分解することを特徴とする排ガス分解処理方法。 - 特許庁

The method for manufacturing semiconductor element in forming the electrode thin film such as a transparent conductive thin film, silicide thin film, metal thin film, and the like, by plasma CVD method comprises the steps of introducing raw gas between opposed electrodes under vicinity of atmospheric pressure, and making raw gas in glow-discharge plasma state by applying pulsed electric field between the opposed electrodes.例文帳に追加

半導体素子における透明導電薄膜、シリサイド薄膜及び金属薄膜などの電極薄膜のプラズマＣＶＤ法による形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜の形成を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁

When a silicon single crystal is produced by pulling a crystal according to the Czochralski method while applying an equiaxially symmetrical cusp magnetic field about a pulling axis to a melt 4 housed in a crucible 1a, the atmospheric pressure is controlled so as to have a specific defined value in the process for pulling the singled crystal.例文帳に追加

(1) 坩堝内に収容される溶融液に引上げ軸に対して等軸対称のカスプ磁場を印加しつつ結晶を引上げるチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、単結晶の引上げ過程では雰囲気圧力が特定値以上になるように制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 - 特許庁

This particulate matter processing device is provided with a plasma processing device 10 for charging particulate matter in exhaust gas by atmospheric pressure plasma and a catalyst processing device 20 for inducing the charged particulate matter in the exhaust gas G2 fed into from the plasma processing device 10 into a catalyst layer 22 selectively by an applied electric field to decompose and process it by catalyst action in the catalyst layer 22.例文帳に追加

排ガス中の粒子状物質を大気圧プラズマにより荷電させるプラズマ処理装置１０と、プラズマ処理装置１０から送入される排ガスＧ２中の荷電した粒子状物質を、印加電界により選択的に触媒層２２に誘導して、触媒層２２の触媒作用によって分解処理する触媒処理装置２０を備える。 - 特許庁

In the method, a solid dielectric is fitted to at least one of facing electrodes of a pair under atmospheric pressure in an atmosphere containing at least 4 vol.% of oxygen, and the glass substrate is brought into contact with discharge plasma generated by applying a pulse electric field between the electrodes.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、酸素を４体積％以上含有する雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間にパルス化された電界を印加することにより発生させた放電プラズマを液晶用ガラス基板に接触させることを特徴とする液晶用ガラス基板の洗浄方法。 - 特許庁

Using high frequency electric field generated by a first high frequency power supply 51 and a second high frequency power supply 52 in a facing region 31 between a main electrode 101 and a first sub-electrode 102 and mixed gas supplied from a first gas supply means 41, a thin film is formed on a surface of a base material F by atmospheric pressure plasma discharge generated in the facing region 31.例文帳に追加

主電極１０１と第１の副電極１０２間に第１の高周波電源５１と第２の高周波電源５２とにより対向領域３１に発生した高周波電界及び第１のガス供給手段４１により供給された混合ガスにより対向領域３１で発生した大気圧プラズマ放電により基材Ｆ表面に薄膜形成する。 - 特許庁