「c surface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

SURFACE MODIFYING METHOD FOR C-CONTAINING MATERIAL例文帳に追加

Ｃ含有材料の表面改質方法 - 特許庁

A primarily processed surface C is formed in the forming die and the primarily processed surface C is measured with a displacement sensor 8.例文帳に追加

成形型に一次加工面Ｃを形成し、変位センサ８で一次加工面Ｃを測定する。 - 特許庁

Then, the surface of the slab 11 is exposed to water (b), with an oxidized film 16 formed on this surface (c).例文帳に追加

次に、スラブ１１の表面を水に晒し(b)、この表面に酸化膜１６を形成する(c)。 - 特許庁

A GaN monocrystal board 1 has the main surface (such as an M surface) excepting the c surface.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。 - 特許庁

The surface temperature of the sun is assumed to be about 6000°C.例文帳に追加

太陽の表面温度は約6000℃とされている。 - Tatoeba例文

The cogging of a B-surface direction is obtd. by press- forging an A-surface and C-surface in the square blank 4.例文帳に追加

Ｂ面方向鍛伸は角形素材４のＡ面及びＣ面を加圧鍛造する。 - 特許庁

The cogging of the C-surface direction is obtd. by press-forging the A-surface and the B-surface of the square blank 5.例文帳に追加

Ｃ面方向鍛伸は角形素材５のＡ面及びＢ面を加圧鍛造する。 - 特許庁

The apex (C) of the curved surface (S2) is located at more outward part of each of the cutouts (45) than the intersections (A).例文帳に追加

曲面（S2）の頂点（C）は、交点（A）よりも、切り欠き部（45）の外側にする。 - 特許庁

The content of C in the surface part is 0.9 to 2.0 wt.% and the surface hardness is ≥63 in Rockwell C hardness.例文帳に追加

表面部のＣが０．９〜２．０重量％、表面硬さがロックウェルＣ硬さで６３以上である。 - 特許庁

A gallium nitride substrate 10 has a gallium polarity c surface 10_Ga and a nitrogen polarity c surface 10_N (1.A).例文帳に追加

窒化ガリウム基板１０は、ガリウム極性のｃ面１０_Gaと窒素極性のｃ面１０_Nを有する（１．Ａ）。 - 特許庁

The main surface of the p-GaN layer 1 is a c-face.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層１の主面はｃ面である。 - 特許庁

Surface temperatures T1, T2 satisfy a relation T1-T2≤100(°C) on condition that the surface temperature of the pressure roller 231 is T1(°C), and the surface temperature of the pressure roller 232 is T2(°C).例文帳に追加

加熱ローラ２３１の表面温度をＴ１（℃）とし、加圧ローラ２３２の表面温度をＴ２（℃）とすると、表面温度Ｔ１・Ｔ２は、Ｔ１−Ｔ２≦１００（℃）を満足する。 - 特許庁

Then, the deposition on the surface of each dust-proof glass is removed by each second cleaning member 68Y, C, M, K.例文帳に追加

そして、第２清掃部材６８Y，C，M，Kで防塵ガラス表面の付着物を除去する。 - 特許庁

Concretely, e.g. in the case of 0.08≤C%≤0.30, the following expression is applied: V={0.003×cast piece surface temperature °C+0.5}-{0.005×cast例文帳に追加

具体的には、例えば、０．０８≦Ｃ（％）≦０．３０の場合、下式（１）を適用する。 - 特許庁

Assuming that deduction of the surface C weight percentage of the rolling surface from the surface C weight percentage of the raceway surface is a difference in surface C weight percentage, if a surface C weight percentage is preferably within the range of 0.05 to 0.31 rather than 0.1 to 0.35, further longer life can be achieved.例文帳に追加

軌道面表面Ｃ重量％から転動面表面Ｃ重量％を減じた値を表面Ｃ重量％の差としたとき、表面Ｃ重量％の差が０．０１〜０．３５、より好ましくは０．０５〜０．３１の範囲にあるときに更なる長寿命化を図ることができる。 - 特許庁

(C) When the secondary molded body 3 is etched, its surface is roughened, and the surface of the circuit non-forming body 2 is not roughened.例文帳に追加

(C)二次成形基体３をエッチング処理すると、前記表面部分は粗面化し、回路非形成体２は粗面化しない。 - 特許庁

Consequently, a coin C does not come into surface contact with a slide fall surface 58a of the bottom part 58 and comes into point contact with two points of the coin edge.例文帳に追加

このため、底部(58)の滑落面(58a)と硬貨(C)とが面接触せずに、硬貨エッジの２点において点接触する。 - 特許庁

Furthermore, a metallic heat radiator plate 8 larger than the project area of the semiconductor element is installed on the surface of the upper-level semiconductor element 1-c on the opposite side to the circuit surface 9-c of the semiconductor element 1-c through the heat-conductive adhesive 6.例文帳に追加

また、上段の半導体素子1−cの回路面9−cとは反対側の面に熱伝導接着剤6を介して半導体素子投影面積より大きい金属製の放熱板8が搭載されている。 - 特許庁

Further, an end surface protective film 14 is formed on the first resonator end surface A which is the -c surface.例文帳に追加

さらに、この−ｃ面である第１共振器端面Ａに対して端面保護膜１４を形成する。 - 特許庁

The first hetero-junction 40b constitutes a c-surface and the second hetero-junction 50b constitutes an a-surface or an m-surface.例文帳に追加

第１ヘテロ接合４０ｂはｃ面であり、第２ヘテロ接合５０ｂはａ面又はｍ面である。 - 特許庁

The surface conditioning agent is oxypropylenemethyl glucoside expressed by chemical formula (1), (in the formula, each of (a), (b), (c) and (d) is an integer of 0-50 and (a)+(b)+(c)+(d)≤50).例文帳に追加

（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄはそれぞれ０〜５０の整数、１≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦５０） - 特許庁

Pellets of metal silicon are disposed with a specified interval on one surface of a 20 mm-thick C/C composite plate.例文帳に追加

厚さ２０ｍｍのＣ／Ｃコンポジット板の片面に金属珪素のペレットを一定間隔で置く。 - 特許庁

The GaN buffer layer may also have an N polarity ((000-1) surface, -c surface).例文帳に追加

またＧａＮバッファ層の極性がＮ極性（（０００−１）面、−ｃ面）であってもよい。 - 特許庁

The boundary surface Sb is a vertical surface, and the scanning shaft C is directed to the vertical direction.例文帳に追加

境界面Ｓｂは鉛直面であり、走査軸Ｃは鉛直方向を向いている。 - 特許庁

First, uneven processing is performed on a surface of a sapphire substrate 10 having a c-plane as a primary surface.例文帳に追加

まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。 - 特許庁

Next, polyimide is made by heating it at 350°C for four hours, and an oxygen plasma treatment is applied to the surface.例文帳に追加

次に、３５０℃で４時間加熱してポリイミド化する。 - 特許庁

piece surface temperature °C+30}... equ. (1).例文帳に追加

Ｖ＝｛0.003×鋳片表面温度(℃)＋0.5｝〜｛0.005×鋳片表面温度(℃)＋3.0｝…式（１） - 特許庁

The electron emission layer 12 is formed in a part of the C surface of the substrate 11, and the electrode 18 may be formed in a region of the C surface of the substrate 11 where the electron emission layer 12 is not formed.例文帳に追加

また、電子放出層１２は、基板１１のC面の一部分に形成され、電極１８は、基板１１のC面の電子放出層１２が形成されていない領域に形成されてもよい。 - 特許庁

A recessed part 1K whose inner surface is a hemispherical surface constituting a measuring chamber C is formed on the upper surface of a measuring stand 1.例文帳に追加

測定台１の上面に測定室Ｃを構成する内面半球面状の凹部１Ｋを形成する。 - 特許庁

The second guide rail 10 is formed with a parts supply surface A and a non-aligned parts removal surface C on its upper surface.例文帳に追加

第２のガイドレール10の上面にはパーツ供給面Ａと、不整列パーツ排除面Ｃとが形成されている。 - 特許庁

The surface layer is formed while being reduced in difference in the atomic % of oxygen in a top most surface and in a central section of the surface layer and the atomic % in oxygen atom, fluorine atom and carbon atoms with C-O bond and C=0 bond controlled on the top most layer of the surface layer.例文帳に追加

最表面と表面層中心部における酸素の原子％の差が小さく、表面層の最表面における酸素原子とフッ素原子とC-O結合及びC＝O結合を持つ炭素原子の原子％が制御された表面層を形成する。 - 特許庁

Further, the images C and C' are formed on the surface of the second regular-size paper sheet by the image forming part 14.例文帳に追加

さらに、画像形成部１４は、画像Ｃ、Ｃ’を２枚目の定型用紙の表面に形成する。 - 特許庁

The cooling is performed on an area where the surface temperature is 1,500°C or higher and 1,700°C or lower when the cooling is not performed.例文帳に追加

冷却しない場合の表面温度が１５００℃以上、１７００℃以下の領域を冷却する。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the element separating groove 2 is oxidized to form an oxide film 3 with a thickness of d (Fig. 1 (c)).例文帳に追加

次に、素子分離溝２の表面を酸化して膜厚ｄの酸化膜３を形成する（図１（c））。 - 特許庁

An epitaxial wafer of the semiconductor laser diode 10 is formed on a c-surface (000_1) ZnO substrate 12 of oxygen (O) polarity.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０のエピタキシャルウェハが、酸素（O）極性のc面(000_1)ZnO基板１２上に形成される。 - 特許庁

Also, the nitrogen concentration N% and the carbon concentration C% in the surface layer part satisfy the inequality of (N%+0.23)/C%≥0.33.例文帳に追加

また、表層部の窒素濃度Ｎ％と炭素濃度Ｃ％とが（Ｎ％＋０．２３）／Ｃ％≧０．３３なる式を満足する。 - 特許庁

The fracture surfaces 27 and 29 are not formed by dry etching, and are different from a conventional cleavage surface, such a c-surface, an m-surface, or a a-surface, or the like.例文帳に追加

割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 - 特許庁

(T shows a steel plate surface temperature °C at the finishing stand entry side.).例文帳に追加

Ｙ＞-0.024Ｔ＋31.03 但し、Ｔ：仕上スタンド入側の鋼板表面温度（℃）。 - 特許庁

Unevenness is formed on a -C plane which is a surface of the semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。 - 特許庁

A carrier C has a resin coating layer on a core material surface.例文帳に追加

キャリアＣは、芯材表面に樹脂被覆層を有したものである。 - 特許庁

In opening/closing operation of a shutter member 60, a deposition attached on the surface of each dust-proof glass 48Y, C, M, K is removed by each first cleaning member 67Y, C, M, K made of a nonwoven fabric provided on the end portion of each shield member 66Y, C, M, K.例文帳に追加

シャッター部材６０の開閉動作のときは、各遮蔽部材６６Y，C，M，Kの先端に設けられた不織布からなる第１清掃部材６７Y，C，M，Kにより各防塵ガラス４８Y，C，M，Kの表面に付着した付着物を除去する。 - 特許庁

In the charging process, the rubber composition has a surface temperature Ts of ≥30°C and ≤70°C and a central temperature of ≥50°C and ≤90°C, and the difference therebetween (Tc-Ts) is ≥20°C and ≤40°C.例文帳に追加

上記投入工程における、上記ゴム組成物の表面温度Ｔｓが３０℃以上７０℃以下であり、上記ゴム組成物の中心部温度Ｔｃが５０℃以上９０℃以下であり、差（Ｔｃ−Ｔｓ）が２０℃以上４０℃以下である。 - 特許庁

A discharge port (F) is provided on the surface (9), a valve and a filter are provided, and it is put on a skin surface (C) and fixed.例文帳に追加

面（９）に排気口（Ｆ）を設け弁、フィルターを備え皮膚面（Ｃ）に被せて定着する。 - 特許庁

There is provided the polylactic acid-based film wherein at least one surface has a surface nitrogen concentration N/C of ≥1.0×10^-3 (hereinafter, the surface having the surface nitrogen concentration N/C of ≥1.0×10^-3 is referred to as surface A).例文帳に追加

フィルムの少なくとも一方の表面の表面窒素濃度Ｎ／Ｃが、１．０×１０^−３以上であるポリ乳酸系フィルム（以下、表面窒素濃度Ｎ／Ｃが１．０×１０^−３以上の表面を、面Ａとする。）。 - 特許庁

To provide a method which enables a manufacture of a surface treatment anti-glare plate (1) by applying a surface treatment liquid (C) to an anti-glare surface (10a) of a glareproof substrate (10) to dry, and forming a surface treatment film (11) without producing any surface irregularity.例文帳に追加

防眩性基板(10)の防眩面(10a)に表面処理液(C)を塗布し、乾燥して、ムラを生ずることなく、表面処理膜(11)を形成して、表面処理防眩板(1)を製造しうる方法を提供する。 - 特許庁