「c surface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The heating process is performed at a board surface temperature of 80-230°C.例文帳に追加

この加熱処理は、基板表面温度で８０〜２３０℃の範囲で行う。 - 特許庁

To measure the surface temperature of a silicon wafer of about 100°C in noncontact manner.例文帳に追加

１００℃程度のシリコンウエハの表面温度を非接触で測定する。 - 特許庁

The flat plate 18 is separated at the bonded surface to make a bar 19, the bar is cut along surfaces B, C and the multilayer films 22b, 24, 25 are formed on surfaces besides the inclined surface 13.例文帳に追加

平板(18)を接合面で分離してバー(19)とし、これを面(B,C)で切断して、斜面(13)以外の表面に多層膜(22b,24,25)を形成する。 - 特許庁

(c) Airspace 250 meters or more above the land or water surface 例文帳に追加

ハ　地表又は水面から二百五十メートル以上の高さの空域 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(c) A silicon film is formed on the surface of the insulating film and the substrate.例文帳に追加

（ｃ）絶縁性の膜、及び基板の表面にシリコン膜を形成する。 - 特許庁

Air is introduced into the gap between the inner surface of the hollow body C and the protruded part 4 of the male mold 5 to release the hollow body C.例文帳に追加

中空体Ｃの内面と雄金型５の凸部４との間に気体を導入して離型させる。 - 特許庁

After that, a p-side metal electrode 110 and an n-type metal electrode 111 are formed on the upper surface of the wafer and at the substrate side, respectively (Fig.3 (c)).例文帳に追加

その後、p側金属電極110をウエハ上面へ、n型金属電極111を基板側へ形成する（図３（c））。 - 特許庁

Next, the base 15 of the tower crane C is fixed on the plane surface part of the mount 16 and then the tower crane C is erected.例文帳に追加

次に、該架台の水平面部上に該タワークレーンＣの基礎部１５を締結し、該タワークレーンＣを立設する。 - 特許庁

Resin coat layers a, b1 and c are formed on the sliding contact surface of a crankshaft 33 sliding by bearings 22a and 23a and a rocking piston 28.例文帳に追加

軸受（22a，23a）と揺動ピストン（28）とに摺動するクランク軸（33）の摺接面に樹脂コート層（a，b１，c）を形成する。 - 特許庁

The sensor 4 is selectively mounted on at least two of sensor mounting surfaces (surface A, surface B, surface C) of the sensor mounting member 5.例文帳に追加

センサ４は、センサ取付部材５における少なくとも２面のセンサ取付面（Ａ面、Ｂ面、Ｃ面）に選択的に取付けられる。 - 特許庁

The light emitting surface 11 of the surface light source element 1 and a non-displaying surface 21 of a liquid crystal panel 2 are arranged opposite to each other (c).例文帳に追加

（ｃ）面光源素子１の発光面１１と液晶パネル２の非表示面２１とが対向するように配置される。 - 特許庁

The planes a to c of the outer ring 2 provided with the insulator layer 6 is to be a surface treated for improved adhesiveness such as a surface processed with surface roughening.例文帳に追加

外輪２の絶縁層６が設けられる面ａ〜ｃを、粗面化処理面等の密着性向上処理面とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a surface treated glare-proofing board (1) by applying a surface treating liquid (C) onto a glare-proofing surface (1a) of a glare-proofing base board (10) and drying to form a surface treated film (11) on the glare-proofing surface (1a) without causing unevenness.例文帳に追加

防眩性基板(10)の防眩面(1a)に、表面処理液(C)を塗布し、乾燥させて、この防眩面(1a)に、ムラを生ずることなく表面処理膜(11)を形成して表面処理防眩板(1)を製造しうる方法を提供する。 - 特許庁

The water absorption of concrete C is low on the surface of concrete C in contact with recessed sections 15 and its surface is transferred in the dark color, while the water absorption of concrete C is high on the surface of concrete C in contact with the projected sections 16 and its surface is transferred in the whitish color to form a three- dimensional pattern easily on the surface of concrete C by the arrangement.例文帳に追加

これによって、凹状部１５に接触するコンクリートＣの表面では、コンクリートＣの吸水率が低く、その表面が黒っぽく転写される一方、凸状部１６に接触するコンクリートＣの表面では、コンクリートＣの吸水率が高くなり、その表面が白っぽく転写され、コンクリートＣの表面に簡易に立体模様を形成することができる。 - 特許庁

In the surface layer removing step, a part of the surface layer C2 including an upper surface layer of the surface layer C1 of the billet C in the semi-molten state is removed.例文帳に追加

表層除去工程では、半溶融状態のビレットＣの表層Ｃ１のうち上部表層を含む表層Ｃ２の一部を除去する。 - 特許庁

Further, the surface hardness of the pressure roller C is 50 degrees or below, and the surface roughness thereof is Rz≤2 μm.例文帳に追加

更には加圧ローラＣの表面硬度を５０度以下、表面粗さＲｚをＲｚ≦２μｍとする。 - 特許庁

Surface reforming coefficient = total number of functional groups/total number of C existing on the surface of the organic insulation film...(1).例文帳に追加

表面改質係数＝官能基の総数／有機絶縁膜表面に存在するＣの総数……(1) - 特許庁

The aqueous liquid detergent composition comprises (A) 10-30 mass% anionic surface active agent, (B) 0.5-5 mass% amphoteric surface active agent, and (C) 1-10 mass% silicate.例文帳に追加

下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有することを特徴とする水性液体洗浄剤組成物。 - 特許庁

A GaN layer 2 is epitaxially grown on a sapphire substrate 1 having a surface C as a main surface (Fig.1a).例文帳に追加

Ｃ面を主面とするサファイア基板１上にＧａＮ層２をエピタキシャル成長させる（図１ａ）。 - 特許庁

It is desirable that the glass transition temperature of the surface layer 3 is 100°C or less.例文帳に追加

表層３のガラス転移温度が１００℃以下であることが好ましい。 - 特許庁

On the rear surface of the case 1, a card loading part 4 for the IC card C is provided.例文帳に追加

ケース１の後面にＩＣカードＣ用のカード装填部４を設ける。 - 特許庁

The clip C is pressed in along a clip mounting surface 6 of the vertical wall 4.例文帳に追加

クリップＣは縦壁４のクリップ装着面６に沿って押し込まれる。 - 特許庁

An Al layer 17 is formed on the surface of the Ti oxide 16 (c).例文帳に追加

Ｔｉ酸化物１６の表面にＡｌ層１７を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

The rod-like movable member 13 slides on the surface of the molding object C after the surface of the molding object C in the mold 10 is solidified.例文帳に追加

棒状可動部材１３は、金型１０内の成型対象Ｃの表面が凝固した以降に、成型対象Ｃの表面に対して摺動する。 - 特許庁

In reinforcement work for an inner peripheral surface of a tunnel, a cement layer C is provided on the inner peripheral surface of the tunnel, and the anchor part 12 is embedded in the cement layer C before hardening thereof.例文帳に追加

トンネル内周面の補強工事の場合であれば、トンネル内周面にセメント層Ｃを設け、その硬化前に、セメント層Ｃにアンカー部１２を埋む。 - 特許庁

When the toilet paper is brought down from an upper space C between a surface A and a surface B, the toilet paper is supported and fixed from below because a lower space D is narrower than the space C.例文帳に追加

Ａ面とＢ面との上部隙間Ｃよりトイレットペーパーを落とし込むと下部隙間ＤはＣより狭いため下方から支えられ固定保持される。 - 特許庁

The bank path 24 (downflow surface 32) is made spiral about the center axis C and the downflow surface 32 is declined toward the center axis C.例文帳に追加

バンク通路２４（流下面３２）を中心軸Ｃ周りに螺旋形状に形成し、その流下面３２を中心軸Ｃに向かって下り傾斜にする。 - 特許庁

The surface area of the heating element corresponding to the output is specified, the temperature of the heating element is 1,600°C or higher, and the surface of the refractory is preheated to 1,250°C or higher.例文帳に追加

出力に対応した発熱体表面積を特定し、発熱体を１６００℃以上とし、耐火物表面を１２５０℃以上に予熱する。 - 特許庁

Then, the compound is applied on the surface of the inorganic matter, and the inorganic matter having a C=C bond in the terminal on its surface is dispersed in solvent and heated.例文帳に追加

次に、その化合物を無機物の表面にコートし、表面に末端Ｃ＝Ｃ結合を持つようになった無機物を溶媒中に分散させ、加温する。 - 特許庁

Polyphenylene sulfide is molded with a mold surface temperature on the design surface side of the molded article made 125°C or above and that on the rear side made 110°C or below.例文帳に追加

成形品の意匠面側の金型表面温度を１２５℃以上とし、裏側の金型表面温度を１１０℃以下にして、ポリフェニレンサルファイドを成形する。 - 特許庁

Each of the channel parts 4 has a depth and a width enough to form a space where dirt on a surface C to be cleaned up is adequately housed between the surface of the wet sheet 1 and the surface C to be cleaned up when the wet sheet 1 thus obtained contacts the surface C to be cleaned up.例文帳に追加

凹条部４は、ウエットシート１が清掃対象面Ｃと当接したときに、ウエットシート１の表面と清掃対象面Ｃとの間に、清掃対象面Ｃ上の汚れを収容し得る空間が形成されるに足る深さ及び幅を有している。 - 特許庁

Dust in the exhaust air C can be caught and separated by the filter body 46 when the exhaust air C passes through the circumferential surface part 42.例文帳に追加

周面部42を排気風Ｃが通過する際に排気風Ｃ中の塵埃をフィルタ体46で捕捉して分離できる。 - 特許庁

While the wafer surface temperature is 130 to 150°C in first pressurization, it is 180 to 200°C in second pressurization.例文帳に追加

すなわち、ウエハ表面温度は、第１回目の加圧時は、１３０〜１５０℃であるが、第２回目の加圧時は、１８０〜２００℃となる。 - 特許庁

A (C-C) surface has six reinforcing ribs 9a, 9b, 9c, (9d, 9e, 9f) on it, at which vibrating modes other than the multiple of 3 can be restrained.例文帳に追加

Ｃ−Ｃでは、６本の補強リブ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｆが配置されており、３の倍数以外の振動モードを抑制できる。 - 特許庁

A diode D is disposed on the surface of the displacement unit 24 of the terminal board C for electrically connecting to the adjacent terminal board C.例文帳に追加

端子板Ｃの変位部２４の表面にダイオードＤを配置し、隣接する端子板Ｃと電気的に接続する。 - 特許庁

The first tilted C plate and the second tilted C plate have optical axes tilted with respect to respective plate surface normals.例文帳に追加

第１傾斜Ｃプレート及び第２傾斜Ｃプレートは、各々のプレート面法線に対して光軸が傾いている。 - 特許庁

Preferably, an amount of surface electrification (μ C/g) of the electrification control resin is in the range of 10≤|C|≤600.例文帳に追加

前記帯電制御樹脂の表面帯電量Ｃ（μ・クーロン／ｇ）は、１０≦｜Ｃ｜≦６００の範囲にあることが好ましい。 - 特許庁

The thermoplastic resin sheet (S) for thermally sticking together of the invention has a sticking surface (Sa) of which Vicat softening temperature (Tb1) is 75°C-100°C.例文帳に追加

本発明の熱貼合用熱可塑性樹脂シート(S)は、貼合面(Sa)のビカット軟化温度(Ｔｂ1)が７５℃〜１００℃である。 - 特許庁

In this rolling, it is preferable that the temperature of a material is the room temperature to 180°C and the surface temperature of the work rolls is the room temperature to 180°C.例文帳に追加

該圧延では、材料温度を室温〜１８０℃、ワークロール表面温度を室温〜１８０℃とするのが望ましい。 - 特許庁

A projecting part P projects toward the center axis C at the inner peripheral surface of a side face 42 surrounding the center axis C.例文帳に追加

突出部Ｐは、中心軸Ｃを囲む側面４２の内周面において、中心軸Ｃ側へと突出する。 - 特許庁

Whenever the chips C in a tank body 12 are discharged, the chips C deposited on the surface 39 of the shutter 35 are removed.例文帳に追加

タンク本体12内のチップＣを排出させる度に、シャッタ35の表面39に付着したチップＣを取り除くことができる。 - 特許庁

The fixing control part controls so that the surface temperature of the fixing roller may be adjusted to 180°C when the surface temperature of the oil coating roller is lower than 100°C, while the surface temperature of the fixing roller may be adjusted to 170°C when the surface temperature of the oil coating roller is higher than 100°C.例文帳に追加

つまり、定着制御部により、オイル塗布ローラの表面温度が１００°Ｃよりも低いときに各定着ローラの表面温度を１８０°Ｃに調節する一方、オイル塗布ローラの表面温度が１００°Ｃよりも高いときに各定着ローラの表面温度を１７０°Ｃに調節するように制御する。 - 特許庁

The SiC crystal is grown on a growth surface of a seed crystal serving as an Si surface using an Si-Cr-Ni-C melt comprising Si, C, Cr and Ni or an Si-Cr-C melt.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｃ、ＣｒおよびＮｉを含むＳｉ−Ｃｒ−Ｎｉ−Ｃ融液またはＳｉ−Ｃｒ−Ｃ融液により、種結晶の成長面をＳｉ面としてＳｉＣ結晶を成長させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a surface-treated anti-glaring plate by applying a surface treatment solution (C) to the anti-glaring surface (10a) of an anti-glaring substrate (10) and drying the coated anti-glaring substrate (10) to form a surface treatment film (11) without causing irregularity.例文帳に追加

防眩性基板(10)の防眩面(10a)に表面処理液(C)を塗布し、乾燥して、ムラを生ずることなく、表面処理膜(11)を形成して、表面処理防眩板(1)を製造しうる方法を提供する。 - 特許庁

Part of the light reflected by the B surface is further reflected by the surface of the substrate 10, then exits from the B surface, or C or E.例文帳に追加

また、Ｂ面で反射した一部の光は、さらに基板１０の表面で反射した後、Ｂ面またはＣ，Ｅから出射する。 - 特許庁