「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the performance of a semiconductor integrated-circuit device where a storage internode capacitance for an SRAM and an element having an analog capacitance are formed on a single substrate.例文帳に追加

ＳＲＡＭの蓄積ノード間容量と、アナログ容量を有する素子とを単一の基板上に形成した半導体集積回路装置の性能の向上を図る。 - 特許庁

The display device includes a driving transistor 22, a write-in transistor 23, a holding capacitance 24, and an auxiliary capacitance 26 used as an auxiliary of an equivalent capacity of an organic EL (Electro Luminescence) element 21.例文帳に追加

駆動トランジスタ２２、書込みトランジスタ２３および保持容量２４に加えて、有機ＥＬ素子２１の等価容量の補助として補助容量２６を設ける。 - 特許庁

The 3-terminal active element 3 has feedback capacitance between the input terminal 4 and the output terminal 5 and the transmission line 1 and the feedback capacitance form a parallel resonance circuit.例文帳に追加

ここで、３端子能動素子３は、入力端子４と出力端子５間に帰還容量を有し、伝送線路１と帰還容量とは並列共振回路を形成する。 - 特許庁

A control voltage Vt for feedback-controlling an oscillation frequency is input to the other of the terminals of the variable capacitance element of each of the n variable capacitance circuits.例文帳に追加

ｎ個の可変容量回路の可変容量素子の他方端子には、発振周波数をフィードバック制御するための制御電位Ｖｔが共通入力される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which prevents capacitance electrodes from deforming due to stress and has a high-reliability capacitance element, having stable characteristics.例文帳に追加

応力による容量電極の変形を防止し、特性の安定した高信頼性の容量素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A filmed lower electrode 25 is formed along an inner face of the trench for the capacitance element 21, and a capacitance film 26 is formed along a surface of the lower electrode 25.例文帳に追加

そして、容量素子用溝２１の内面に沿って、膜状の下部電極２５が形成され、その下部電極２５の表面に沿って、容量膜２６が形成されている。 - 特許庁

In an integrated bi-polar circuit element, a stepped collector dopant profile reduces a transit time and a parasitic capacitance between an emitter and a collector due to a minimum increase of the parasitic capacitance.例文帳に追加

集積バイポーラ回路素子において、階段状のコレクタ・ドーパント・プロファイルは、寄生キャパシタンスの最小の増加により、エミッタ・コレクタ間通過時間及び寄生抵抗を低減する。 - 特許庁

The capacitance of the variable capacitance element 14 is such that it is lowered, when the potential difference between the drain electrode D and the gate electrode G of the transistor Tr10 is increased.例文帳に追加

その可変容量素子１４の容量は、トランジスタＴｒ１０のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇの間の電位差が増加すると低下することを特徴としている。 - 特許庁

To prevent generation of parasitic capacitance between anode electrodes of each organic EL element of two pixels when auxiliary capacitance is formed over between the two pixels.例文帳に追加

補助容量を２つの画素間に跨って形成するに当たり、２つの画素の各有機ＥＬ素子のアノード電極間に寄生容量が発生しないようにする。 - 特許庁

A signal voltage Vs is applied to a memory capacitance Cm via the first TFT element 1 and the memory capacitance Cm is charged till it reaches the signal voltage Vs.例文帳に追加

信号電圧Ｖｓが第１のＴＦＴ素子１を介してメモリ容量Ｃｍに印加されて、メモリ容量Ｃｍは信号電圧Ｖｓに達するまで充電される。 - 特許庁

The radio signal receiver is provided with: an antenna element 21 which receives a radio signal; a parasitic element 22 which is arranged closely to the above antenna element; and a variable capacitance element 23 interposed between the parasitic element and the ground.例文帳に追加

無線信号を受信するアンテナ素子２１と、 前記アンテナ素子に近接配置した寄生素子２２と、 前記寄生素子と接地との間に介在させた可変静電容量素子２３と、を備えたことを特徴とする無線信号受信装置。 - 特許庁

Or the defective capacitance in the display abnormality of a pixel can be revised, by preparing a switching element for repair in the pixel and by cutting off a defective switching element, when a defect is generated in the switching element and by connecting the switching element for repair, instead of the defective switching element.例文帳に追加

または補修用スイッチング素子を画素内に準備しておきスイッチング素子に欠陥が生じた場合欠陥スイッチング素子を切り離し補修用スイッチング素子を接続して画素の表示異常の不具合品を手直しできる。 - 特許庁

To provide a display device which is not configured to suppress OFF-current of a switching transistor and to increase capacitance of a capacitance element but is made resistant to an influence by parasitic capacitance or wiring capacitance, and to provide a driving method therefor, especially a driving method by a dot matrix system.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑えたり、容量素子の容量を大きくする構成ではなく、寄生容量又は配線容量の影響を受けにくい表示装置、及びその駆動方法、特に面積階調方式による駆動方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A resultant initial surge current flows into an output terminal Y of the low voltage circuit via capacitance of the first element 5 and the second element 3.例文帳に追加

この状態で、初期サージ電流が第１素子５と第２素子３の容量を介して低耐圧回路の出力端子Ｙに流入する。 - 特許庁

When electric power is fed to the power-feed metal plate 30, the antenna element 10 is excited via a coupling capacitance Cs between the power-feed metal plate 30 and the antenna element 10.例文帳に追加

給電金属板３０に給電されて、アンテナ素子１０との間の結合容量Ｃｓを介してアンテナ素子１０が励振される。 - 特許庁

A capacitance element (10) and a fuse element (20) are arranged on the partial region of an insulated film (5) formed on the front surface of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面に形成された絶縁膜（５）の一部の領域上に容量素子（１０）及びヒューズ素子（２０）が配置されている。 - 特許庁

To provide an element structure and a method for manufacturing the same for suppressing an increase of an unnecessary capacitance in the element as small as possible and for improving a transistor characteristic.例文帳に追加

素子内での不要なキャパシタンスの増加を最小限に抑え、トランジスタ性能を改善する素子構造及び方法を提供すること。 - 特許庁

On the insulating film layer a6, the inductive element pattern is provided with the belt-like patterns b63 and b64 to form the capacitance element C62 for adjusting characteristics.例文帳に追加

絶縁膜層ａ６上で、誘導素子パターンに帯状パターンｂ６３，ｂ６４を設けて特性調整用の容量素子Ｃ６２を形成する。 - 特許庁

The capacitance element C_1 has a polycide lower electrode layer 24a on a doped polysilicon lower electrode layer 16a through a silicon oxide dielectric layer 18a, and the other capacitance elements C_2-C_4 have the same constitutions as that of the capacitance element C_1.例文帳に追加

容量素子Ｃ_１は、ドープトポリシリコンからなる下部電極層１６ａの上に酸化シリコンからなる誘電体膜１８ａを介してポリサイドからなる上部電極層２４ａを形成したもので、他の容量素子Ｃ_２〜Ｃ_４も容量素子Ｃ_１と同様の構成を有する。 - 特許庁

To provide a temperature compensation piezoelectric oscillator for performing temperature compensation by utilizing the nonlinear part of the capacitance characteristics of a variable capacitance element and reducing phase noise degradation due to noise by turning the noise level and phase of a control voltage to be applied to the variable capacitance element to be common-mode.例文帳に追加

可変容量素子の容量特性の非線形部分を利用して温度補償を行うと共に、前記可変容量素子に印加する制御電圧のノイズレベルと位相を同相にすることにより、ノイズによる位相雑音劣化を減少する温度補償型圧電発振器を提供する。 - 特許庁

In a liquid crystal device, on a first substrate 10 on which two-terminal nonlinear element 14 is formed, an auxiliary capacitance line 17, an auxiliary capacitance 18, and an interlayer insulating film formed on the upper layer side of the auxiliary capacitance 18 and the two-terminal nonlinear element 14 are further formed.例文帳に追加

液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。 - 特許庁

Then, the control voltage generating part generates the control voltage for controlling the capacitance of the variable capacitance element, applies the generated control voltage to the dielectric part of the variable capacitance element, and inverts the application direction of the control voltage to be applied to the dielectric part, with predetermined timing.例文帳に追加

そして、制御電圧発生部は、可変容量素子の容量を制御する制御電圧を生成し、生成した制御電圧を可変容量素子の誘電体部に印加し、かつ、誘電体部に印加する制御電圧の印加方向を所定のタイミングで反転させる - 特許庁

The inductance of a loop including the element and a gate driver is reduced to 1/3 of the inductance of the conventional element and the capacitance of a capacitor of a part generating an on-gate current in the gate driver is enhanced to be a required capacitance to attain the above.例文帳に追加

そのためには、同素子及びゲートドライバを含むループのインダクタンスを従来の１／３に低減させると共に、ゲートドライバ内のオンゲート電流発生部分のコンデンサ容量を必要な値にまで強化させる。 - 特許庁

Since redundant drive current flowing through an electric motor 2 is charged to a capacitance element C1 and reused, by the capacitance element C1 connected to one terminal of the electric motor 2, the power consumption of the electric motor 2 can be reduced.例文帳に追加

モータ２の一方の端子に接続された容量素子Ｃ１によって、モータ２に流れる余分な駆動電流が容量素子Ｃ１にチャージされて再利用されるので、モータ２の消費電力を削減することができる。 - 特許庁

A first inverter load 40A is connected between a first connecting point P1 between a first switching element 21 and a second switching element 22, and a second connecting point P2 between the first high-capacitance capacitor 51A and the low-capacitance capacitor 52.例文帳に追加

第一スイッチング素子２１・第二スイッチング素子２２間の第一接続点Ｐ１と第一大容量コンデンサ５１Ａ・小容量コンデンサ５２間の第二接続点Ｐ２との間に第一インバータ負荷４０Ａを接続する。 - 特許庁

In this case, the effective area of at least one portion of the first variable-capacitance diode element VCD(A) is set smaller than that of a portion, to which the second variable-capacitance diode element VCD(B) corresponds.例文帳に追加

ここで、第１の可変容量ダイオード素子ＶＣＤ（Ａ）の少なくとも一つの部分の実効面積を、第２の可変容量ダイオード素子ＶＣＤ（Ｂ）の対応する部分の実効面積よりも小さく形成する。 - 特許庁

The negative feedback circuit 13 has a serial connection circuit, including series-connected diode D1 and a first capacitance element C11, and a second capacitance element C12 connected between an anode of the diode D1 and a ground.例文帳に追加

上記負帰還回路１３は、ダイオードＤ1と第１のキャパシタンス素子Ｃ11とが直列に接続された直列接続回路と、上記ダイオードＤ1のアノードとグランドとの間に接続された第２のキャパシタンス素子Ｃ12とを有する。 - 特許庁

A variable capacitance element of a variable capacitor C2(1VC) is connected to a fixed capacitance element of a fixed capacitor C1(1C) in series thereto, and AC power supply voltages AC are fed to terminals T1, T2 at both ends which are serially connected.例文帳に追加

可変コンデンサＣ２（１ＶＣ）の可変容量素子を固定コンデンサＣ１（１Ｃ）の固定容量素子に直列接続して、直列接続の両端の端子Ｔ１、Ｔ２に交流の電源電圧ＡＣを供給する。 - 特許庁

When the inclination of the transition in a node nd is Δnd and the inclination of the transition in the node nnd is -Δnnd, an output load capacitance of the load driving amplifier becomes (1+Δnnd/Δnd) times capacitance value of the capacitance element 104.例文帳に追加

ノードｎｄの遷移の傾きがΔｎｄ、ノードｎｎｄでの遷移の傾きが−Δｎｎｄであった場合に負荷駆動アンプの出力負荷容量は容量素子１０４の容量値の（１＋Δｎｎｄ／Δｎｄ）倍となる。 - 特許庁

Thereby, a large level difference is not generated on the element substrate 20 even in such a state that a thick insulating layer 72 for capacitance is formed on the surface of the lower electrode 62 for capacitance, since the film thickness of the lower electrode 62 for capacitance is thin.例文帳に追加

従って、容量用下電極６２の表面に厚い容量用絶縁層７２が形成された状態においても、容量用下電極６２の膜厚が薄いので、素子基板２０上に大きな段差が発生しない。 - 特許庁

To provide a pressure sensitive sensor element that does not vary capacitance under a constant pressure, is small, and has high versatility.例文帳に追加

一定圧力下で静電容量が変化せず、しかも小型で汎用性の高い感圧センサ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element of small parasitic capacitance along with its manufacturing method.例文帳に追加

寄生静電容量が小さい半導体光素子の作製方法及び半導体光素子を提供すること。 - 特許庁

To automatically compensate temperature so that signals may not affected by loss due to a temperature-sensitive element and an internal capacitance.例文帳に追加

感温素子による損失や内部容量の影響を信号が受けずに、温度補償を自動的に行う。 - 特許庁

A package surrounding the variable capacitance element is formed of the side wall frame 110 and the ceiling wall 111.例文帳に追加

これら側壁枠１１０と天井壁１１１とにより、可変容量素子を取り囲む容器が形成されている。 - 特許庁

The feedback capacitance element 3 is connected between the inversion input terminal of the differential amplifier 1 and an output terminal.例文帳に追加

帰還容量素子３は、差動増幅器１の反転入力端子と出力端子の間に接続される。 - 特許庁

The switching element 5 is connected in parallel with the capacitor 10 for smoothing so that the parasitic capacitance 5c is negligible.例文帳に追加

スイッチ素子５は平滑用コンデンサ１０と並列接続しているので、その寄生容量５ｃは無視できる。 - 特許庁

A parasitic capacitance Cp of the transistor and an external capacitor element are used individually or in combination for forming the capacitor C.例文帳に追加

トランジスタの寄生容量Ｃｐ，外部容量素子を単独で、または組み合せてキャパシタＣを形成する。 - 特許庁

To configure a nonlinear resistance change element whose low varistor voltage characteristics are compatible with the low capacitance characteristics.例文帳に追加

低バリスタ電圧特性と低静電容量特性とが両立する非線形抵抗変化素子を構成する。 - 特許庁

Moreover, the liquid crystal write switching element 105 is connected to an auxiliary capacitance 106 and a pixel electrode 107.例文帳に追加

液晶書き込みスイッチ素子１０５は、補助容量１０６および画素電極１０７に接続されている。 - 特許庁

To provide a higher performance laminated capacitance element by more reducing an electrode resistance thereof.例文帳に追加

積層型容量素子の電極抵抗をより低減して、より高性能の積層型容量素子を提供する。 - 特許庁

This cell detection device includes a substrate 1, and a capacitance detection element disposed on the substrate 1.例文帳に追加

本発明に係る細胞検出装置は基板１及び基板１上に配置される容量検出素子を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element arranged to have an excellent heat dissipation properties, a low threshold current, and a capacitance.例文帳に追加

放熱性が良く、閾値電流が低く、静電容量が小さい構成の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which can reduce output capacitance by reducing the area of a pn junction.例文帳に追加

ｐｎ接合部の面積を縮小して出力容量を低減することが可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration of a ferroelectric element by hydrogen, and to suppress an increase of stray capacitance between wirings.例文帳に追加

水素による強誘電体素子の劣化を抑制し、かつ配線間の浮遊容量の増大0を抑制する。 - 特許庁

To solve the problem that in an optical element for modulating light, a mesa is easily chipped and parasitic capacitance of an electrode pad is large.例文帳に追加

光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。 - 特許庁