「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In the capacitance variable circuit Cv, a switch element SW1 is turned on/off by a transmission signal outputted from a control circuit 11 to change the capacitance.例文帳に追加

容量可変回路Ｃｖは制御回路１１から出力される送信信号によりスイッチ要素ＳＷ１がオンオフされ容量を変化させる。 - 特許庁

According to this configuration, an output from the amplifier element 3 is fed back to the input terminal through a capacitance C_12, an inductance L and a capacitance C_11, and oscillation is caused.例文帳に追加

これによれば、増幅素子３からの出力が、容量Ｃ_１２、インダクタンスＬ、容量Ｃ_１１を通って入力端へ帰還し、発振が行われる。 - 特許庁

A capacitance sensor 1a is constituted of a capacitance type detection element 1, a circuit board 6 on which a detection circuit is mounted, and a power source part 7.例文帳に追加

静電容量センサ１ａは、静電容量型の検出素子２と、検出回路が実装された回路基板６と、電源部７とで構成されている。 - 特許庁

The value of input capacitance Cin with respect to a low-impedance fixed potential of the connecting part between the detection element 10 and the capacitance detection circuit 30 is within a range of 1.5 pF<Cin<20 pF.例文帳に追加

検出素子１０と容量検出回路３０の接続部の低インピーダンスの固定電位に対する入力容量の値Ｃｉｎが、１．５ｐＦ＜Ｃｉｎ＜２０ｐＦの範囲とする。 - 特許庁

Thus, the semiconductor device 1 comprises the MIM capacitance element of a structure in which the capacitance film 26 is sandwiched between the lower electrode 25 and the upper electrode 28.例文帳に追加

これにより、半導体装置１は、容量膜２６を下部電極２５および上部電極２８で挟み込んだ構造のＭＩＭ容量素子を備えている。 - 特許庁

To improve the reliability of a semiconductor element having a capacitance film made of a material having a high dielectric constant by reducing the leakage current in the capacitance film.例文帳に追加

高誘電率材料からなる容量膜を有する半導体素子において、当該膜中の漏れ電流を低減し、素子の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To provide a more simply and more inexpensively configured voltage generation circuit for generating a control voltage for controlling a capacitance of a variable capacitance element.例文帳に追加

可変容量素子の容量を制御するための制御電圧を発生する電圧発生回路において、より簡易で、かつ、より低価格な構成を提供する。 - 特許庁

The matching circuit 12 is composed of a 1st capacitance element C1 interposed between the base end and ground, a 1st inductance element L1 having one end connected to the base end, and a 2nd capacitance element C2 interposed between its other end and the ground.例文帳に追加

整合回路１２は、基端とグランドとの間に介装した第１キャパシタンス素子Ｃ１と基端に一端を接続した第１インダクタンス素子Ｌ１とこれの他端とグランドの間に介装した第２キャパシタンス素子Ｃ２とからなる。 - 特許庁

The production process of a semiconductor device has the steps of generating a matrix for associating capacitance changes of a variable capacitance element with high frequency power changes of reflected waves, setting a specific value from this matrix as an initial capacitance of the variable capacitance element, and measuring the above power of reflected waves and comparing it against a predetermined upper limit.例文帳に追加

可変容量素子の容量変化と高周波電力の反射波の電力変化とを対応させたマトリックスを生成し、このマトリックスから特定の値を可変容量素子の初期容量として設定し、上記反射波の電力を計測して所定の上限値と比較する工程を備える。 - 特許庁

Even when an off current is generated at the thin film transistor connected in series to the light emitting element, this off current charges this capacitance until the capacitance of the light emitting element itself holds a predetermined voltage again.例文帳に追加

発光素子と直列に接続された薄膜トランジスタにオフ電流が生じても、このオフ電流は発光素子自体の容量が再び所定の電圧を保持するまでこの容量を充電する。 - 特許庁

The estimated result is used to generate a trimming data for correcting the resistance value of the resistance element and/or the capacitance value of the capacitance element that are used in an internal circuit 5, and the trimming data is stored in a data holding circuit 6.例文帳に追加

この結果に基づいて、内部回路５に用いられている抵抗素子の抵抗値および／または容量素子の容量値を補正するトリミングデータを生成し、データ保持回路６に格納しておく。 - 特許庁

Still further, one terminal of a first capacitance element C1 is electrically connected to the gate of the first transistor Tn1, and one terminal of a second capacitance element C2 is electrically connected to the output terminal OUT.例文帳に追加

さらに、第１トランジスタのゲートには第１容量素子Ｃ１の一方の端子が電気的に接続され、出力端子ＯＵＴには第２容量素子Ｃ２の一方の端子が電気的に接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is equipped with a capacitance element in the same semiconductor device to make the overall device compact, the capacitance element having larger electrostatic capacity than conventionally.例文帳に追加

同一半導体装置内に容量素子を備えて装置全体の小型化を図るとともに、従来に比べて大きな静電容量の容量素子を備える半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A parasitic capacitance insertion unit 17 generates a net list corrected by the addition of a remark to a net list generated by a circuit simulation net list generation unit 14 about the insertion of a parasitic capacitance element, the same in parasitic capacitance as the parasitic capacitance value in the parasitic capacitance list, into between the nodes, and passes the corrected net list to a circuit simulation execution unit 18.例文帳に追加

寄生容量挿入部１７は、回路シミュレーション用ネットリスト生成部１４にて生成されたネットリストに、寄生容量リストに保存された寄生容量値を持つ寄生容量素子をノード間に挿入する記述を追加することで修正したネットリストを生成し、回路シミュレーション実行部１８に渡す。 - 特許庁

The oscillation frequency control part 12 has a ΣΔ modulation circuit 40 for performing the ΣΔ modulation of a first control signal for switching the high capacitance state and low capacitance state of a first variable capacitance element included in the first variable capacitance part 21.例文帳に追加

発振周波数制御部１２は、第１の可変容量部２１に含まれる第１の可変容量素子の高容量状態と低容量状態とを切り替える第１の制御信号をΣΔ変調するΣΔ変調回路４０を有している。 - 特許庁

To provide a semiconductor element where the gate-source capacitance of a FET acting like a main switch element can be short-circuited with a low impedance.例文帳に追加

主スイッチ素子となるＦＥＴのゲート・ソース間容量を低いインピーダンスで短絡することが可能な半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a MIM capacitive element wherein electric capacitance of the MIM capacitive element per unit area is increased.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子を備えた半導体装置において、ＭＩＭ容量素子の単位面積あたりの電気容量を大きくする。 - 特許庁

Each pixel arranged in a matrix form comprises a driven element 50, a TFT for switching, a TFT for element drive, and holding capacitance Cs.例文帳に追加

マトリクス状に配置された各画素は、被駆動素子５０、スイッチング用ＴＦＴ、素子駆動用ＴＦＴ、保持容量Ｃｓを備える。 - 特許庁

A reactance element 2a and a capacitance element 2b are mounted on the device board 2, and connected in parallel to constitute an impedance matching circuit 11.例文帳に追加

上記基板２にリアクタンス素子２ａとキャパシタンス素子２ｂとを実装し、並列に接続してインピーダンス整合回路１１を構成する。 - 特許庁

A variable capacitance element 8 is connected between the ground and a drain bias application terminal 7 of a tip short-circuit stub 3 and the electric length of the tip short-circuit stub 3 is changed by adjusting the capacitance of the variable capacitance element 8 with a drain bias voltage.例文帳に追加

先端短絡スタブ３のドレインバイアス印加端子７側と接地との間に可変容量素子８を接続し、この可変容量素子８の容量値をドレインバイアス電圧により調整することにより先端短絡スタブ３の電気長を変化させる。 - 特許庁

All parasitic capacitance of the organic EL element 127 is defined as synthesis of parasitic capacitance Cel in the light emitting area 127b with added capacitance Csub in the light non-emitting area 127c, so that the rise of the anode potential of the organic EL element 127 is made gentle when correcting the mobility.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１２７の全寄生容量を、発光領域１２７ｂでの寄生容量Ｃelと非発光領域１２７ｃでの付加容量Ｃsub との合成とすることで、移動度補正時に有機ＥＬ素子１２７のアノード電位の上昇を緩やかにする。 - 特許庁

To provide a frequency variable antenna which is less influenced in its frequency switching by capacitance value variations of an element used for the frequency switching and is reduced in inductor loss due to the element, in comparison with a case that, for example, a varicap diode is used as the element for frequency switching.例文帳に追加

バリキャップダイオードのような容量値のばらつきの影響が少なく、かつ、インダクタによる損失も低減できる周波数可変アンテナを実現する。 - 特許庁

The signal detecting element (T1) includes the capacitance detecting electrode (41) and the capacitance detecting dielectric film (42), provided on the side between the capacitance detection electrode (41) and the object contacting side.例文帳に追加

当該信号検出素子（Ｔ１）は、容量検出電極（４１）と、当該容量検出電極（４１）の当該対象物が接触する側に設けられる容量検出誘電体膜（４２）とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a capacitance detecting circuit and a method, and a finger print sensor, which improve S/N ratios by reducing the effects of disturbance noise, and detect a very small capacitance value Cs and a capacitance change value ΔCs of a sensor element with sufficient sensitivity.例文帳に追加

外乱ノイズの影響を低下させ、Ｓ／Ｎ比を向上させ、センサ素子の微少な容量値Ｃs，容量変化値ΔＣsを高感度で検出する容量検出回路，方法，指紋センサを提供する。 - 特許庁

To set the capacitance of a snubber capacitor used in common for a two semiconductor switching elements to a value which is identical to the capacitance of the snubber capacitor having a larger capacitance, when an independent snubber circuit is provided to each semiconductor switching element.例文帳に追加

２つの半導体スイッチング素子に共通で使用されるスナバコンデンサの容量を、各半導体スイッチング素子に独立したスナバ回路を設けたときの容量が大きい方のスナバコンデンサの容量と同等とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is equipped with a PIP capacitance element usable for a high withstanding voltage circuit.例文帳に追加

高耐圧回路部にも使用できるＰＩＰ容量素子を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce influence by noise, and to provide an MIM (metal-insulator-metal) type capacitance element with good layout efficiency.例文帳に追加

ノイズの影響を低減できるともに、レイアウト効率のよいＭＩＭ型容量素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element that reduces parasitic capacitance and suppresses deterioration in high-temperature characteristics.例文帳に追加

寄生キャパシタンスの低減及び高温特性の劣化の抑制が可能な半導体光素子を提供する。 - 特許庁

The IC card 10 includes a card body 30 for storing a semiconductor chip 20 and a capacitance element 42.例文帳に追加

ＩＣカード１０は半導体チップ２０および容量素子４２を収納するカード本体３０を有する。 - 特許庁

The variable capacitance element 1 is formed using a function layer 4 sandwiched between first and second substrates 2 and 3.例文帳に追加

可変容量素子１を、第１，第２の基板２，３に挟まれた機能層４を用いて形成する。 - 特許庁

The capacitance element (15) is connected between the output end of the inverter circuit (13) and a reference voltage node.例文帳に追加

容量素子（１５）は、インバータ回路（１３）の出力端と基準電圧ノードとの間に接続されている。 - 特許庁

In this case, the change in voltage of the data line Ls is delayed in accordance with the capacitance value of the variable element Ev21.例文帳に追加

その際、可変素子Ｅｖ２１の容量値に応じてデータラインＬｄの電圧の変化が遅延する。 - 特許庁

The organic EL element 10 and the additional capacitance 11 are connected in parallel to a driving power supply 12.例文帳に追加

有機ＥＬ素子１０と付加容量１１とは、駆動電源１２に対して並列に接続されている。 - 特許庁

To reduce element capacitance between adjoining gates, in a semiconductor device that includes a T-type electrode.例文帳に追加

Ｔ字型電極を有する半導体装置において、隣接ゲート間の素子容量を低減させる。 - 特許庁

The manufacturing method for a ferroelectric-capacitance element is at first to form a lower electrode 2 on a substrate 1.例文帳に追加

強誘電体容量素子の製造方法は、まず、基板１上に、下部電極２を形成する。 - 特許庁

To reduce the parasitic capacitance between a high-frequency circuit element and a substrate, and moreover, enhance the mechanical strength.例文帳に追加

高周波回路素子と基板との間の寄生容量を低減し、しかも、機械的な強度を高める。 - 特許庁

A laminated demultiplexer is provided with a high-pass filter circuit equipped with first to third capacitance elements and a first inductance element; a first low-pass filter circuit equipped with fourth to sixth capacitance elements and a second inductance element; and a second low pass filter circuit equipped with seventh and eight capacitance elements and a third inductance element.例文帳に追加

積層型分波器が，第１〜第３のキャパシタンス素子と，第１のインダクタンス素子と，を備えるハイパスフィルタ回路と，第４〜第６のキャパシタンス素子と，第２のインダクタンス素子と，を備える第１のローパスフィルタ回路と，第７，第８のキャパシタンス素子および第３のインダクタンス素子と，を備える第２のローパスフィルタ回路と，を具備する。 - 特許庁

To obtain a voltage non-linear resistance element with small capacitance fluctuation at temperature changes.例文帳に追加

温度の変動に際しての容量特性の変動の小さな電圧非直線性抵抗体素子を得る。 - 特許庁

To provide an electronic circuit device including a capacitive element, capable of increasing the capacitance per unit area.例文帳に追加

単位面積当たりの容量を大きくできる容量素子を含む電子回路装置を提供する。 - 特許庁

To form an effective punch-through stopper without increasing the junction capacitance in a CMOS element.例文帳に追加

ＣＭＯＳ素子において、接合容量を増大させることなく、効果的なパンチスルーストッパを形成する。 - 特許庁

A control signal Fsel is applied to a switching element 132 included in a capacitance switching circuit 130.例文帳に追加

容量スイッチ回路１３０を構成するスイッチング素子１３２には、制御信号Ｆｓｅｌが印加される。 - 特許庁

SILICON STRUCTURE, CAPACITANCE ELEMENT USING SILICON STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON STRUCTURE例文帳に追加

シリコン構造体、当該シリコン構造体を用いた容量素子および当該シリコン構造体の作製方法 - 特許庁

To provide an inductance element which can be reduced in floating capacitance while at the same time being improved in Q value.例文帳に追加

浮遊容量を低減し、Ｑを向上させることが可能なインダクタンス素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a static-electricity countermeasure element having small capacitance and also excellent in durability against repeated use.例文帳に追加

静電容量が小さく、且つ、繰り返し使用の耐久性に優れる静電気対策素子を提供する。 - 特許庁

LINEAR ELEMENT COLUMN VALUE ESTIMATION METHOD, CAPACITANCE DETECTION METHOD, INTEGRATED CIRCUIT, TOUCH SENSOR SYSTEM, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

線形素子列値推定方法、静電容量検出方法、集積回路、タッチセンサシステム、及び電子機器 - 特許庁