「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an electrochemical element such as the electric double layer capacitor which reduces the internal resistance to reduce the capacitance at the high current discharge without reducing the capacitance of a polar electrode.例文帳に追加

分極性電極の静電容量を低下させることなく、内部抵抗を低減させ大電流放電時の容量低下の小さい電気二重層キャパシタなど電気化学素子を提供すること。 - 特許庁

The main part of a pressure-sensitive surface 31a of a capacitance-type pressure sensor element 11 is covered with a conductive shield layer 43.例文帳に追加

静電容量式圧力センサ素子１１の圧力感知面３１ａの主要部を導電性シールド層４３によって覆う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, which can attempt an occupied area of an MIM capacitance element to reduce.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の占有面積の縮小を図ることができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of stably manufacturing a ferroelectric capacitance element in which a coverage defect is not generated when a contact hole is formed.例文帳に追加

コンタクト孔形成時にカバレッジ不良の発生のない、強誘電体容量素子の安定な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of reducing the errors in analog/digital conversion, caused by bias dependency of a capacitance element.例文帳に追加

容量素子のバイアス依存性に起因するアナログ／デジタル変換の誤差を低減することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a latch circuit stably holding data while suppressing a charge share between a storage node and a capacitance element.例文帳に追加

記憶ノードと容量素子との間のチャージシェアを抑制しつつ、データを安定的に保持することができるラッチ回路を実現する。 - 特許庁

As for the Miller element in the Miller integration circuit, a capacitor 4 having the characteristics of variable capacitance depending on the bias voltage is used.例文帳に追加

ミラー積分回路のミラー素子に、バイアス電圧によって静電容量が変化する特性を有するコンデンサ４を用いる。 - 特許庁

To provide a recess transistor reducing gate capacitance and improving the switching speed of an element, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲートキャパシタンスを低減し、素子のスイッチング速度を向上させることのできるリセストランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-speed MIS field-effect transistor which has a low capacitance and includes element isolation regions having fine high-temperature characteristics.例文帳に追加

低容量且つ高温特性が良好な素子分離領域を有する高速なＭＩＳ電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

A lower metal layer 2B is provided on a lower interlayer dielectric 1 in an MIM capacitance element forming region 2000.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子形成領域２０００の下層層間絶縁膜１の上には、下層金属層２Ｂが設けられている。 - 特許庁

This semiconductor device includes a substrate 100, an insulating film 210 formed on the substrate 100, and a capacitance element 300.例文帳に追加

この半導体装置は、基板１００、基板１００上に形成された絶縁膜２１０、及び容量素子３００を備える。 - 特許庁

To provide a light-receiving element at low cost that employs an interference filter, having reduced junction capacitance and superior response speed and sensitivity.例文帳に追加

接合容量を減らし、応答速度及び感度の優れた干渉フィルタを利用した受光素子を安価で提供する。 - 特許庁

To provide an NAND flash memory element for reducing capacitance between floating gates, and reducing inter-cell interference effects.例文帳に追加

フローティングゲート間のキャパシタンスを減らし、セル間のインターフェランス効果を減少させたＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

Namely, a recessed part or stepped part is provided in a lower electrode of the capacitance element, and the upper electrode is provided so as to be fitted therein.例文帳に追加

すなわち、容量素子の下部電極に凹部または段差部を設け、そこに上部電極を入り込むように設けている。 - 特許庁

A tuner circuit 102 includes a variable capacitance element, is connected to the antenna 101 and resonates in a frequency of transmitting/receiving signals.例文帳に追加

同調回路１０２は、可変容量素子を有してアンテナ１０１に接続されて送受信号の周波数に共振する。 - 特許庁

At least, a part of the lower electrode for the capacitance element is formed of the same high- melting point metallic material as the plugs 9.例文帳に追加

プラグ９と同一の高融点金属材料によって容量素子の下部電極の少なくとも一部が形成されている。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator in which a variance in stray capacitance due to a variance in a mount position of a piezoelectric vibrating element can be reduced.例文帳に追加

圧電振動素子のマウント位置のバラツキによる浮遊容量のバラツキを低減することができる圧電振動子を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film capacitor element in which a capacitance value is highly precise and of which the quality can easily be enhanced, and to provide a method therefor.例文帳に追加

容量値の精度が高く品質も向上させやすい薄膜キャパシタ素子と、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

To reduce a pressure loss and capacitance of a piezoelectric element without preventing a piezoelectric transversal effect thereof.例文帳に追加

圧電素子の圧電横効果を妨げることなく、圧電素子の圧力損失を低減すると共に、圧電素子の静電容量を低減する - 特許庁

The capacitance element C1 uses a parasitic capacity parasitic on an unused bonding pad 24a in the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

容量素子Ｃ１は、半導体集積回路の未使用のボンディングパッド２４ａに寄生する寄生容量を使用するようにした。 - 特許庁

To prepare a winded capacitance element via a separator 5 a pre-etched aluminum anode foil 1 and an facing aluminum cathode foil 6.例文帳に追加

予めエッチドアルミ陽極箔１と、対向アルミ陰極箔６とを、セパレータ５を介して巻回したコンデンサ素子を準備する。 - 特許庁

When the displacement electrode is displaced under an external force, the external force is detected as a change of capacitance value of the capacity element C0.例文帳に追加

外力の作用により変位電極が変位すると、容量素子Ｃ０の容量値の変化として、外力が検出される。 - 特許庁

Next, the switch element 74 is made on-state, to charge the DAC capacitance CD with the set voltage Va again (4th process).例文帳に追加

次に、スイッチ素子７４をオフ状態にして、再度、ＤＡＣ容量ＣＤにセット電圧Ｖａを充電する（第４工程）。 - 特許庁

To provide a variable capacitance element which can have its driving voltage set small and can make compact a device using the same.例文帳に追加

駆動電圧を小さく設定することができ、その用いられたデバイスの小型化が可能な可変容量素子を提供する。 - 特許庁

The electrostatic capacity detecting element (1) comprises the signal detecting element (4) for accumulating charges corresponding to the electrostatic capacitance, and the signal-amplifying element (T1) for amplifying the signal, corresponding to the charges accumulated by the signal detection element (4).例文帳に追加

当該静電容量検出素子（１）は、当該静電容量に応じた電荷を蓄積する信号検出素子（４）、当該信号検出素子（４）が蓄積した電荷に対応した信号を増幅する信号増幅素子（Ｔ１）を含んでいる。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a main element with an insulated gate bipolar transistor structure, and a sense element with an insulated gate bipolar transistor structure having a larger feedback capacitance than the main element.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ構造を有するメイン素子と、前記メイン素子よりも帰還容量が大きい絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ構造を有するセンス素子とを備えている。 - 特許庁

The via connection region 122 is connected to the lower layer 131 of the wiring layer metal 13, or the lower electrode of the capacitance element C1, and the via connection region 162 is connected to the upper layer 132 of the one-wiring layer metal 13, or an upper electrode of the capacitance element C1.例文帳に追加

ビア接続領域１２２は配線層メタル１３の下部層１３１、すなわち容量素子Ｃ１の下部電極と接続され、ビア接続領域１６２は容量素子Ｃ１の上部電極である一配線層メタル１３の上部層１３２と接続されている。 - 特許庁

Moreover, the voltage boosted by the voltage Vc of the capacitance element C1 rather than a supply voltage Ve in a charge pump form, can be applied to the electric motor 2, by charging to the capacitance element C1, and switching the connection of power terminals TA, TB by switches SW1-SW4.例文帳に追加

また、容量素子Ｃ１へのチャージとスイッチＳＷ１〜ＳＷ４による電源端子ＴＡ，ＴＢの接続の切り換えにより、チャージポンプ形式で電源電圧Ｖｅよりも容量素子Ｃ１の電圧Ｖｃ分押し上げた電圧をモータ２に印加することができる。 - 特許庁

To provide a light-emitting device capable of suppressing an off-current of a switching transistor and luminosity irregularity of light-emitting elements of pixels otherwise caused by variation in characteristics of the driving transistors without increasing capacitance of a capacitance element and an element substrate.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑え、容量素子の大容量化を図らずとも、駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度ムラを抑えることができる発光装置及び素子基板の提案を課題とする。 - 特許庁

Each capacitance element on the underside is allowed to serve as an MOS capacitance element C1 having an electrode of an n-type semiconductor region 4 formed on the semiconductor substrate 1 and the other electrode of an upper electrode 6 formed on the n-type semiconductor region 4 via an insulating film 5.例文帳に追加

下側の容量素子は、半導体基板１に設けたｎ型半導体領域４と、ｎ型半導体領域４上に絶縁膜５を介して設けた上部電極６とを両電極とするＭＯＳ型の容量素子Ｃ１とすることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a capacitive element can be integrated more highly without lowering the capacitance value of the element and which can be manufactured highly efficiently even when the capacitive element has a required capacitance value with high accuracy and is highly integrated, and to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

所要の容量値を高精度に有する容量素子、及び高集積した容量素子を備える半導体装置であっても、容量値が低下することがなく更に高集積化することができると共に、高効率で製造することができる半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The high frequency component is provided with: the low pass filter including a first inductance element, a second inductance element connected in series with the first inductance element, a first capacitance element connected in parallel with the first and second inductance elements, and a second capacitance element connected to a position between the first and second inductance elements and ground; and the directional coupler comprising the first inductance element and the third inductance element coupled to each other.例文帳に追加

第１のインダクタンス素子と、前記第１のインダクタンス素子と直列に接続される第２のインダクタンス素子と、前記第１及び第２のインダクタンス素子と並列接続される第１のキャパシタンス素子と、前記第１のインダクタンス素子と第２のインダクタンス素子との間からグランドに至る間に接続される第２のキャパシタンス素子とを有するローパスフィルタと、前記第１のインダクタンス素子と第３のインダクタンス素子とを結合させてなる方向性結合器を備えた高周波部品。 - 特許庁

To provide a capacitance detecting circuit and a method, and a finger print sensor, which improve S/N ratios by reducing the effects of disturbance noise, and detect a very small capacitance value Cs and a capacitance change value ΔCs of a sensor element constituted of row wires and column wires with sufficient sensitivity.例文帳に追加

外乱ノイズの影響を低下させることで、Ｓ／Ｎ比を向上させ、列配線と行配線とで構成されるセンサ素子の微少な容量値Ｃs及び容量変化値ΔＣsを十分な感度で検出する容量検出回路および検出方法並びに指紋センサを提供する。 - 特許庁

However, the capacitance Cs of the element 121 also changes at the same time and in accordance with the change, the detection signal Vc of an impedance change detecting part 122 changes, the capacitance of variable capacitance diodes 104b and 106c of the circuits 104 and 106 changes and an impedance matching state is returned again.例文帳に追加

しかし同時に、キャパシタンス素子１２１のキャパシタンスＣｓも変化し、この変化に応じてインピーダンス変化検出部１２２の検出信号Ｖｃが変化し、整合回路１０４，１０６の可変容量ダイオード１０４ｂ，１０６ｃのキャパシタンスが変化し、再びインピーダンス整合状態に戻る。 - 特許庁

In a test mode, an adjustment controller 24 outputs a stage select signal SLS for selecting a pipe stage under adjustment, and a capacitance select signal SLC for instructing to select the capacitance element to be set as the SCF capacitance, thereby adjusting the pipeline A/D converter 1.例文帳に追加

調整制御部２４はテストモードにおいて、調整対象のパイプステージを選択するステージ選択信号ＳＬＳと、ＳＣＦ容量として設定する容量素子の選択を指示する容量選択信号ＳＬＣを出力し、パイプラインＡ／Ｄ変換器１の調整を行う。 - 特許庁

The silicon substrate layer 110 below the capacitance element 201 is provided with an opening 117 filled with a rubber-like elastomer 118.例文帳に追加

容量素子２０１の下部のシリコン基板層１１０には、ゴム状弾性体１１８が充填された開口部１１７が形成されている。 - 特許庁

To obtain a result enhanced in accuracy from circuit simulation by taking into account the parasitic capacitance element to occur between resistance elements.例文帳に追加

抵抗素子間に発生する寄生容量素子をも考慮した回路シミュレーションが実施でき、回路シミュレーション結果の高精度化を図る。 - 特許庁

A parallel capacitance element 3 contained in the electric power system 1 is replaced with a equivalent voltage source 9, for region division.例文帳に追加

また、電力系統１に含まれる並列キャパシタンス要素３を等価電圧源９に置き換えることにより、領域分割を行なう。 - 特許庁

Secondly, the switch element 74 is made from on-state to off-state, to charge the DAC capacitance CD with a set voltage Va (2nd process).例文帳に追加

次に、スイッチ素子７４をオン状態からオフ状態にして、ＤＡＣ容量ＣＤにセット電圧Ｖａを充電する（第２工程）。 - 特許庁

An LF tuning capacitance element is inserted between the balanced resonance circuit and a sample coil, or at an intermediate part of the balanced resonance circuit.例文帳に追加

また、平衡共振回路とサンプルコイルとの間、または平衡共振回路の中途に、ＬＦ用同調容量素子を挿入した。 - 特許庁

To reduce a distance calculation error even in the electrical power transmission line which includes capacitance element in the section to be protected and also generates a charging current.例文帳に追加

被保護区間にキャパシタンス成分があって充電電流が生じるような送電線であっても、距離演算誤差を少なくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor light receiving apparatus capable of suppressing a leakage current from a semiconductor light receiving element and generation of parasitic capacitance.例文帳に追加

半導体受光素子からのリーク電流や寄生容量の発生を抑制することができる半導体受光装置を提供する。 - 特許庁

A relation of T>τ is established between a time constant τof an auxiliary capacitance line 22 and a time T for which a 2nd switch element is open.例文帳に追加

補助容量線２２の時定数τと、第２のスイッチ素子が開いている時間Ｔとの間に、Ｔ＞τの関係が成立する。 - 特許庁

To provide a MEMS device which has a small parasitic capacitance applied to a MEMS element through a semiconductor substrate and is superior in reliability.例文帳に追加

半導体基板を介してＭＥＭＳ素子に印加される寄生容量が小さく、信頼性に優れたＭＥＭＳ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a dielectric capacitance element which can keep uniformity inside an etched semiconductor substrate.例文帳に追加

エッチング後の形状の半導体基板内での均一性を保つことが可能な誘電体容量素子の製造方法を提供する。 - 特許庁