「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device comprising a crown type capacitance element, which can prevent tilting or collapse of a capacitive electrode.例文帳に追加

王冠型の容量素子を備える半導体装置の製造に際し、容量電極の傾斜又は倒壊の発生を防止する方法を提供する。 - 特許庁

To compensate characteristic degradation due to the inductance component of an inductance element connecting a driving circuit and a stripline and the capacitance component of an EA modulator.例文帳に追加

駆動回路とストリップ線路を接続するインダクタンス素子のインダクタンス成分及びＥＡ変調器の容量成分による特性劣化を補償すること。 - 特許庁

An auxiliary capacitive element 160 is formed of a semiconductor layer 109 which is counter-arranged via a gate insulating film and an auxiliary capacitance line 162.例文帳に追加

補助容量素子１６０は、ゲート絶縁膜を介して対向配置される半導体層１０９と補助容量線１６２とによって構成される。 - 特許庁

An element, which is deviated from a range of the capacitance of a normal product is judged such that it contains a porous part and that its density is insufficient, and it is regarded as defective.例文帳に追加

そして、正常品の静電容量の範囲を外れる素子は、ポーラスな部分を含んでいた緻密さが不足していると判断し、不良品とする。 - 特許庁

The connector main body of a connector is assembled into an opening in the case main body in such a way as to cover the capacitance type pressure sensor element and the circuit board 9.例文帳に追加

静電容量型圧力センサ素子及び回路基板９を覆うようにしてケース本体内の開口部にコネクタのコネクタ本体を組み入れる。 - 特許庁

A control signal for driving is generated based on a comparison result with the target value, and the control signal for the driving is impressed to a driving capacitance element.例文帳に追加

目標値との比較結果に基づいて駆動用の制御信号を生成し、この駆動用の制御信号を駆動用静電容量素子に印加する。 - 特許庁

The semiconductor device, when positive excessive voltage is applied to the electrostatic capacitance element, is protected from excessive voltage in a first operation mode where it is clamped to low voltage by punch-through operation.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、静電容量素子の片側電極に保護素子として動作するための電極を近接配置している。 - 特許庁

By switching on these TFT3, 4 by the gate line of the prestage, the capacitance of the organic EL element EL is discharged before own line is selected.例文帳に追加

これらＴＦＴ３、４を前段のゲートラインによってオンすることにより、自己のラインが選択される前に、有機ＥＬ素子ＥＬの容量の放電を行う。 - 特許庁

To provide a light-emitting device and a lighting device, in which erroneous lighting of a light-emitting element can be suppressed by reducing stray capacitance.例文帳に追加

浮遊容量を小さくすることに着目し、これにより、発光素子の誤点灯を抑制することができる発光装置及び照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which electric interference applied from the outside is reduced enough and which includes a formed capacitance element that exhibits a desired characteristic.例文帳に追加

外部からの電気的な干渉が十分に低減されるとともに、所望の特性を発揮する容量素子が形成される半導体装置、を提供する。 - 特許庁

After the opening of a capacitance element is formed, a dielectric thin film 28, which covers the opening and the surface of the resistor 26, is formed.例文帳に追加

容量素子の開口部２７を形成した後、開口部２７を覆い且つポリシリコン抵抗体２６の表面をも被覆する誘電体薄膜２８を形成する。 - 特許庁

A series capacitance element is formed by serially connecting a MOS capacitor MOS1 and a MOS capacitor MOS2 to each other between high potential and low potential.例文帳に追加

高電位と低電位の間にＭＯＳ容量ＭＯＳ１とＭＯＳ容量ＭＯＳ２とを直列に接続して直列容量素子を形成する。 - 特許庁

A VCO (Voltage-Controlled Oscillation) circuit 20 has a coil, a capacitative element 24 which is in parallel with the coil and has a constant capacitance value, and adjustable capacitative elements 22, 23.例文帳に追加

ＶＣＯ回路（２０）は、コイル（２１）と、このコイルに並列の一定容量値の容量素子（２４）と、調整可能な容量素子（２２、２３）とを有する。 - 特許庁

A reverse direction charging period is set by a reverse bias voltage VM with respect to a parasitic capacitance of the light emitting element just prior to the lighting period of every one scanning.例文帳に追加

一走査毎の点灯期間の直前に発光素子の寄生容量に対して逆バイアス電圧ＶＭによる逆方向充電期間が設定される。 - 特許庁

A first capacitative element 22 is formed of one or a plurality of varactors, with the capacitance thereof being adjustable by an analog control voltage V_tune.例文帳に追加

第１容量素子（２２）は、１つまたは複数のバラクタ−から形成され、その容量は、アナログ制御電圧（Ｖ_ｔｕｎｅ）により調整可能である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for preventing short-circuiting between a collector and a base, without increasing the size of an element and parasitic capacitance, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

素子サイズや寄生容量を増大させずに、コレクタ/ ベース間のショートが防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device improved in position and slope accuracy of a semiconductor element while keeping capacitance of the package small.例文帳に追加

パッケージの静電容量を小さく抑えたままで、半導体光素子の位置及び傾きの精度を向上することが可能な光半導体装置を提供する。 - 特許庁

The electric circuit has a function capable of setting a potential difference between the both electrodes of the capacitance element by using a constant-current source.例文帳に追加

そして本発明は、容量素子の両電極間の電位差を定電流源を用いて設定できる機能を有する電気回路を提供する。 - 特許庁

A power supply maintenance part 5 comprises a diode 7 and a capacitance element 8 connected in series between internal power voltage and reference potential.例文帳に追加

電源保持部５は、ダイオード７と静電容量素子８とからなり、内部電源電圧と基準電位との間に直列接続された構成からなる。 - 特許庁

The input element 26 is provided for a computer 10 and used for an input to a touchpad 18 sensitive to a change in capacitance.例文帳に追加

本発明の入力要素２６は、コンピュータ１０に配設され、静電容量の変化に応答するタッチパッド１８への入力を行うために用いられる。 - 特許庁

To provide a process for fabrication of a solid electrolytic capacitor element of good leakage current characteristics, good tanδ and ESR characteristics, and high electrostatic capacitance.例文帳に追加

漏れ電流特性が良く、ｔａｎδ・ＥＳＲ特性の良い、高い静電容量を有する固体電解コンデンサ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element with improved refresh characteristics by reducing parasitic capacitance and improving punch-through characteristics, and provide its manufacturing method.例文帳に追加

寄生キャパシタンスの低下及びパンチスルー特性の改善により、リフレッシュ特性を向上させた半導体素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is superior in reliability and has the capacitance element of an MIM type structure of high precision, and its manufacturing method.例文帳に追加

信頼性に優れ、高精度なＭＩＭ型構造の静電容量素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a penetration type laminated layer capacitor to obtain a circuit where a plurality of electrostatic capacitance elements are connected in parallel with only one element.例文帳に追加

１つの素子で複数の静電容量成分を並列接続する回路を実現することが可能な貫通型積層コンデンサを提供すること。 - 特許庁

To reduce a loss at a frequency conversion time by compensating a junction capacitance of a diode by connecting an inductance element to the diode of an even harmonic mixer.例文帳に追加

偶高調波ミキサのダイオードにインダクタンス素子を接続することにより、ダイオードの接合容量を補償して周波数変換時の損失を低減する。 - 特許庁

Therefore, the opposed parts of the flat electrodes 21 and 25 are equal to the above flat electrode 25 in size, so that the capacitor element 20 is capable of having the expected capacitance.例文帳に追加

従って、一対の平面電極21、25の対向部分が前記平面電極25の大きさと一致するので、該コンデンサ素子20は所期のキャパシタンスを発揮する。 - 特許庁

The switching drive circuit 11 is provided with a variable capacitance element 14, connected between the drain electrode D and an gate electrode G of the transistor Tr10.例文帳に追加

スイッチング駆動回路１１は、トランジスタＴｒ１０のドレイン電極Ｄとゲート電極Ｇの間に接続される可変容量素子１４を備えている。 - 特許庁

Hereby, the movable element 3a is driven by the noninverting amplifier 10 and the capacitance 11 is detected from the output of the noninverting amplifier 10.例文帳に追加

これにより、非反転増幅器１０により可動エレメント３ａを駆動するとともに、非反転増幅器１０の出力から静電容量１１を検出する。 - 特許庁

The receiving element 30 is made of an electrostatic capacitance type microphone, having few reverberation components in the reception signals which occur at the receipt of the compression waves.例文帳に追加

受波素子３０は、疎密波を受波したときに発生する受波信号における残響成分が少ない静電容量型のマイクロホンにより構成されている。 - 特許庁

The overlapping pixel electrode and common electrode can be used as a storage capacitor, therefore, the storage capacitor on the pixel element can be increased in capacitance.例文帳に追加

重なった画素電極および共通電極は蓄積キャパシタとすることができるため、画素素子上の蓄積キャパシタの容量を増やすことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a thin film capacitance element which attains stable connections of wires within a multilayer wiring.例文帳に追加

多層配線内において安定した配線接続が達成される薄膜の容量素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The capacitance element 300 includes cylindrical lower electrodes 310 formed on the insulating film 210, a dielectric film 320, and an upper electrode 330.例文帳に追加

容量素子３００は、絶縁膜２１０上に形成されたシリンダ型の下部電極３１０、誘電体膜３２０、及び上部電極３３０を備える。 - 特許庁

To prevent an active matrix transflective liquid crystal display element from having coupling capacitance formed between a pixel electrode for transmission and a data line.例文帳に追加

アクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示素子において、透過用画素電極とデータラインとの間に結合容量が発生するのを防止する。 - 特許庁

To provide a capacitance type pressure sensor element which can be soldered without hindrance to output electrodes provided on a second insulating base made of ceramics.例文帳に追加

セラミック製の第２の絶縁性基体に設けた出力電極に対する半田付けを支障なく行える静電容量型圧力センサ素子を得る。 - 特許庁

By grasping the on stage of each temperature switching element on the basis of the voltage in the circuit capacitance part, the temperature change is grasped.例文帳に追加

温度変化検出用の回路内容量部の電圧をもとに、温度スイッチング素子それぞれのオン状態の有無を把握し、温度変化有無を把握する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a trench type element isolating region easy in manufacturing process where the capacitance between adjacent elements is reduced and the stress is relaxed.例文帳に追加

製造工程が簡易で、隣接素子間容量の低減及び応力緩和された溝型素子分離領域を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method in which the resistance of a lower electrode for a capacitance element is lowered while excellent heat-insulating properties are ensured regarding the lower electrode, the manufacturing process of the capacitance element and the manufacturing processes of other semiconductor elements are shared and the increase of the manufacturing cost is avoided.例文帳に追加

容量素子の下部電極についてその低抵抗化を図るとともに優れた耐熱性を確保し、しかも、容量素子の製造工程と他の半導体素子の製造工程とを共有化して製造コストの上昇を抑えた、半導体装置とその製造方法の提供が望まれている。 - 特許庁

In a synchronization time period, a comparator X2 of a second control circuit 36 outputs a H-level control signal to a control node N7, and thereby, a switching element SW3 is turned on, a power source potential Vdd and a capacitance C2 are connected to each other, charging of the capacitance C2 is performed, and a switching element SW2 is turned on.例文帳に追加

同期期間では、第２制御回路３６の比較器Ｘ２は、Ｈレベルの制御信号を制御ノードＮ７に出力し、スイッチング素子ＳＷ３がオン状態になり、電源電位Ｖｄｄと容量Ｃ２とが接続され、容量Ｃ２の充電が行われるとともに、スイッチング素子ＳＷ２がオン状態になる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device comprises a lower electrode D of the MIM capacitance element having a lower electrode D, a capacity insulating film C and an upper electrode U, and the gate electrode G of the MISFET for constituting the CMOS, made of a tantalum films so that the capacity insulating film C of the MIM capacitance element is a thermal oxidation silicon film 17 formed on the tantalum film.例文帳に追加

下部電極Ｄ、容量絶縁膜Ｃおよび上部電極Ｕを有するＭＩＭ容量素子の下部電極Ｄと、ＣＭＯＳを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇをタンタル膜とし、ＭＩＭ容量素子の容量絶縁膜Ｃをタンタル膜上に形成された熱酸化シリコン膜１７とする。 - 特許庁

This induction heating cooker is provided with a resonant capacitor 2 constituting a resonance circuit 6 for generating a high-frequency current in a heating coil 1 in response to operation of a switching element, and uses, for the resonant capacitor 2, a capacitor element having a characteristic changed in capacitance in response to temperature and increased in capacitance when the temperature rises.例文帳に追加

スイッチング素子の動作に応じて加熱コイル１に高周波電流を発生させる共振回路６を構成する共振コンデンサ２を備え、共振コンデンサ２として温度に応じて容量が変化し温度が高くなると容量が大きくなる特性を持つコンデンサ素子を用いるようにした。 - 特許庁

In other words, a movable electrode 8a for diagnosis constituting the capacitance element C3 and the capacitance element C4 is formed integrally with a movable portion 5, and a fixed electrode 8b for diagnosis and a fixed electrode 8c for diagnosis are electrically isolated from a fixed electrode 6b for detection and a fixed electrode 6c for detection.例文帳に追加

つまり、容量素子Ｃ３や容量素子Ｃ４を構成する診断用可動電極８ａが可動部５と一体的に形成されている一方、診断用固定電極８ｂや診断用固定電極８ｃが検出用固定電極６ｂや検出用固定電極６ｃと電気的に分離されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device capable of raising and hightly integrating a MIM capacitance element, reducing a resistance of a gate electrode G of a MISFET for constituting a CMOS in the case of forming this MIM capacitance element and the CMOS on the same semiconductor substrate and simplifying manufacturing steps.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の高容量化および高集積化を図ることができ、また、このＭＩＭ容量素子とＣＭＯＳを同一半導体基板上に形成する際にＣＭＯＳを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極Ｇを低抵抗化するとともに製造工程を簡略化することができる技術を提供する。 - 特許庁

A microstrip line forming a resonance circuit is divided into two microstrip lines 11, 12, and a variable-capacitance element 22 and a coupling capacitor 33 are connected in parallel to the division point of the divided microstrip lines 11, 12 to feed the variable capacitance element 22 with a frequency adjusting bias voltage through a bias feed circuit 52.例文帳に追加

共振回路を形成するマイクロストリップ線路を２分割し、２分割されたマイクロストリップ線路１１，１２の分割された箇所に、可変容量素子２２と結合コンデンサー３３とを並列に接続し、バイアス供給回路５２を介して可変容量素子２２へ周波数調整用バイアス電圧を供給する。 - 特許庁

The capacitance humidity sensor 100 has a first sensor element 11 and a second sensor element 12, both of which have humidity-sensitive films 4 changed in dielectric constant corresponding to humidity formed thereto and are mutually different in the inclination to the humidity change of a capacitance value and the first and second sensor elements 11 and 12 are connected in series.例文帳に追加

湿度に応じて誘電率の変化する感湿膜４が形成された、容量値の湿度変化に対する傾きが互いに異なる第１センサ素子１１と第２センサ素子１２を有してなり、第１センサ素子１１と第２センサ素子１２が、直列接続されてなる静電容量式湿度センサ１００とする。 - 特許庁

A capacitance value of the first series arm 21, a capacitance value of the second series arm 21 and an inductance value of the auxiliary inductor element 25 are each set such that a configuration comprising the first series arm 21, the second series arm 21 and the auxiliary inductor element 25 becomes a high pass filter having an attenuation range located at the frequency f.例文帳に追加

そして、第１の直列腕２１の容量値、第２の直列腕２１の容量値及び補助インダクタ素子２５のインダクタンス値について、第１の直列腕２１、第２の直列腕２１及び補助インダクタ素子２５からなる構成が周波数ｆに減衰域が位置するハイパスフィルタとなるように夫々設定する。 - 特許庁