「capacitance element」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The resonance circuit 35 has an element to change capacitance corresponding to an applied voltage as a capacitor for resonance and has an element reducing the fluctuation of an inductance value against mechanical vibrations such as a chip inductor, for example, as an inductor for resonance.例文帳に追加

共振回路３５は、印加電圧に応じて容量の変化する素子を共振用キャパシタとして有し、機械的な振動に対してインダクタンス値の変動の小さい素子、例えばチップインダクタを共振用インダクタとして有する。 - 特許庁

The crystal oscillator is constituted by connecting a storage circuit 8, a compensation voltage generating circuit 9, an element 11, a variable capacitance element 10, a connecting point X1, a crystal chip 3A, connecting points X1, T1, an oscillation circuit 7, and an output terminal V0.例文帳に追加

温度補償発振器は記憶回路８、補償要圧発生回路９、素子１１、可変容量素子１０、接点Ｘ１、水晶片３Ａ、接点Ｘ２、接点Ｔ１、発振回路７、出力端子Ｖ_０を接続して成る。 - 特許庁

The recovery voltage Vr in the aging processing process S3 is set between the maximum reverse voltage R in actually driving the organic EL element 7 and a breakdown voltage V of the organic EL element 7 depending on a capacitance component of the organic layers 5.例文帳に追加

エージング処理工程Ｓ３の修復電圧Ｖｒは、有機ＥＬ素子７の実駆動時の最大逆電圧Ｒと、有機層５の静電容量成分に依存する有機ＥＬ素子７の破壊電圧Ｖとの間に設定される。 - 特許庁

Use of the capacitance type vibration element provides a wider operating ultrasonic frequency band than use of the piezoelectric type vibration element and can accommodate a case where variations occur in frequency bands of an ultrasonic wave transmitted from the transmission section.例文帳に追加

圧電型振動素子を用いる場合に比べ、静電容量型振動素子を用いる方が、使用超音波周波数帯域が広いので、送信部から送信する超音波の周波数帯域にばらつきが生じる場合に対応できる。 - 特許庁

A signal from a capacitance detection element brought to a selected state based on a selection signal from a row line RL is outputted to an output line OL disposed on the relevant detection element.例文帳に追加

行線ＲＬからの選択信号に基づいて選択状態とされた静電容量検出素子からの信号が当該静電容量検出素子に配置されている出力線ＯＬに出力されるように構成されている。 - 特許庁

To provide a low cost semiconductor device capable of being simply manufacturing irrespective of consolidating bipolar transistor capable of rapidly operating, a resistance element and a capacitance element on the same semiconductor base, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高速動作の可能なバイポーラトランジスタと抵抗素子や容量素子とが同一の半導体基体に混載されているにも拘らず簡便に且つ低コストで製造することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The differential amplification circuit includes: two MOS transistors Tr1, Tr2 forming a differential pair to input differential signals S, XS; two capacitance elements C1, C2 connected in series between drains of the two MOS transistors Tr1, Tr2; and an inductance element L1 connected between a connection node of the two capacitance elements C1, C2 and a bias power terminal GND.例文帳に追加

差動対をなし、差動信号S,ZSが入力される２個のＭＯＳトランジスタTr1,Tr2と、２個のＭＯＳトランジスタTr1,Tr2のドレイン間に直列に接続された２個の容量素子C1,C2と、２個の容量素子C1,C2の接続ノードとバイアス電源端子GND間に接続されたインダクタンス素子L1と、を有する差動増幅回路。 - 特許庁

An inductor element L1 is located between a signal transmission line connected to the dielectric coaxial resonator R1 through a series resonance capacitance Ce1, and a signal transmission line connected to the dielectric coaxial resonator R2 through a series resonance capacitance Ce2.例文帳に追加

インダクタ素子Ｌ１は、誘電体同軸共振器Ｒ１に直列共振容量Ｃｅ１を介して接続される信号伝送線路と、誘電体同軸共振器Ｒ２に直列共振容量Ｃｅ２を介して接続される信号伝送線路との間に挿入される。 - 特許庁

The multi-domain liquid crystal display device includes a control electrode 73 connected to a source terminal of a switching element, and a pixel electrode 71 having an opening formed therein and having a coupling capacitance with the control electrode 73, wherein a partial voltage of a signal voltage is applied through the coupling capacitance to the pixel electrode 71.例文帳に追加

このマルチドメイン液晶表示装置は、制御電極７３はスイッチング素子のソース端子に接続されて、開口部が形成された画素電極７１は制御電極７３との間に結合容量を有し、画素電極７１には結合容量を介して信号電圧の分圧が印加される。 - 特許庁

To obtain a configuration in which allowable phase will not be reduced due to reduction of an MOS capacitance value, even if the input or output voltage of an operational amplifier is in any voltage range, when the voltage-dependent MOS capacitance is used, e.g., as a circuit element for phase compensation of the operational amplifier.例文帳に追加

電圧依存性のあるＭＯＳ容量を、例えばオペアンプの位相補償用回路素子として使用する際に、オペアンプの入力あるいは出力電圧が如何なる電圧領域でも、ＭＯＳ容量値が減少して位相余裕が減少することがない構成を実現する。 - 特許庁

A level difference is formed on the intermediate element 11, so that a difference between the intermediate electrode 11 and the lower electrode 10, and a distance between the intermediate electrode 11 and the upper electrode 12 in an area other than a capacitance formation area, are longer than that in the capacitance formation area.例文帳に追加

そして、中間電極１１に段差を設けることにより、容量形成領域以外の領域における中間電極１１と下部電極１０との間の距離および中間電極１１と上部電極１２との間の距離を容量形成領域における距離より大きくする。 - 特許庁

Pre-charging of a parasitic capacitance C is started on time T0 which is ΔT ahead of the time T1, when a row to be light emitted is changed by the scanning signal SS, and a constant voltage Vpc is applied to a data line and the parasitic capacitance of an organic EL element 10 is pre-charged.例文帳に追加

寄生容量Ｃのプリチャージを、走査信号ＳＳにより発光させる行が切り替えられる時刻Ｔ１よりも期間ΔＴだけ先だった時刻Ｔ０に開始し、データ線には定電圧Ｖｐｃが印加され、有機ＥＬ素子１０の寄生容量が充電される。 - 特許庁

In order to reduce influence of change, due to temperature, of a capacitance value of the internal input capacitance element included in an input part 2 of a piezoelectric transformer 1, a capacitor C1 having a temperature compensation function is connected to a synthesized resonant circuit part 16 in a circuit configuration of this discharge tube lighting device.例文帳に追加

圧電トランス１の入力部２に内在する内部入力キャパシタンス要素の容量値の温度による変化の影響を減少させるため、放電管点灯装置の回路構成における合成共振回路部１６に温度補償機能を有するコンデンサＣ１を接続する。 - 特許庁

The light-detecting section 110 outputs a first detection signal T1, having a level corresponding to an amount of incident light to a photodiode PD, to a detection circuit 40, and the electrostatic capacitance detecting section 120 outputs a second detection signal T2, having a level corresponding to a capacitance value of a capacitive element C, to the detection circuit 40.例文帳に追加

光検出部１１０は、フォトダイオードＰＤに入射される光量に応じた第１の検出信号Ｔ１を検出回路４０へ出力し、静電容量検出部１２０は、容量素子Ｃの容量値に応じた第２の検出信号Ｔ２を検出回路４０へ出力する。 - 特許庁

The capacitance element 15 has a foundation insulating layer 11 wherein a recess 11a is formed in the surface thereof, a lower electrode 12 formed along the inner surface of the recess 11a on the foundation insulating layer 11, a capacitance insulating film 13 which is formed on the lower electrode 12 and composed of a high dielectric or a ferroelectric, and an upper electrode 14 formed on the capacitance insulating film 13.例文帳に追加

容量素子１５は、表面に凹部１１ａが形成された下地絶縁層１１と、下地絶縁層１１の上に凹部１１ａの内面に沿って形成された下部電極１２と、該下部電極１２の上に形成され、高誘電体又は強誘電体からなる容量絶縁膜１３と、該容量絶縁膜１３の上に形成された上部電極１４とを有している。 - 特許庁

To provide a sintering element for a solid electrolytic capacitor which is capable of improving voltage resistance of the solid electrolytic capacitor without enlarging an element size and without reducing electrostatic capacitance of the element, an anode element for the solid electrolytic capacitor, the solid electrolytic capacitor which improves voltage resistance using these elements, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子のサイズを大きくすることなく、かつ素子の静電容量の低下をもたらすことなく、固体電解コンデンサ素子の耐電圧を向上させることのできる固体電解コンデンサ用焼結素子、固体電解コンデンサ用陽極素子、これら素子を用いた耐電圧性に優れた固体電解コンデンサ、およびそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor element having the prescribed capacitance in a laminated composite device in which one or more circuit element patterns are formed on the surfaces of dielectric layers, and the circuit element patterns formed on the circuit element layers are interconnected to constitute an electronic circuit which displays a prescribed function.例文帳に追加

各回路素子層は、誘電体層の表面に、１或いは複数の回路素子パターンを形成してなり、複数の回路素子層に形成された複数の回路素子パターンが互いに接続されて、所定の機能を発揮すべき電子回路を構成している積層型複合デバイスにおいて、所期のキャパシタンスを得ることが出来るコンデンサ素子を提供する。 - 特許庁

In the voltage controlled oscillator provided with a frequency control circuit that controls the capacitance of a variable capacitance element with a voltage received externally to control the oscillating frequency of the oscillator, the frequency control circuit is provided with a reactance circuit connected in parallel with the variable capacitance element and the reactance circuit increases the reactance with a temperature rise to suppress the temperature dependency of the frequency sensitivity characteristics with respect to the change in control voltage.例文帳に追加

可変容量素子の容量値を外部から供給される電圧によって制御することにより発振器の発振周波数を制御する周波数制御回路を備えた発振器に於いて、周波数制御回路が可変容量素子と並列接続したリアクタンス回路を備えたものであり、リアクタンス回路が温度上昇と共にリアクタンス値が増加することにより、制御電圧の変化に対する周波数感度特性の温度依存性を抑圧する。 - 特許庁

A variable capacity element Ct in which capacitance varies in accordance with applied voltage is connected parallelly to an LC parallel resonant circuit Re, the one end part of which is connected to a signal line.例文帳に追加

一端部が信号ラインに接続されたＬＣ並列共振回路Ｒｅに、印加電圧に応じて容量が可変する可変容量素子Ｃｔは並列に接続されている。 - 特許庁

To prevent generation of particles in a capacitance element by eliminating residue of a film formed on the upper electrode at the sidewall portion of the lower electrode circumference, which is generated when the upper electrode is formed.例文帳に追加

容量素子において、上部電極形成時に発生する下部電極外周側壁部の上部電極形成膜のエッチング残さを無くし、パーティクル発生を防止する。 - 特許庁

To provide a dielectric material having 100 to 500 relative dielectric constant and such temperature property that it can be fired at relatively low temperature and that it can be used for adjusting the capacitance in a circuit including a piezoelectric element.例文帳に追加

比誘電率が100 〜500 で比較的低温で焼成でき、圧電素子を含む回路の容量調整にも用いることのできる温度特性を合わせ持つ誘電体材料を提供する。 - 特許庁

To provide a data line driving circuit which is applicable to a PWM control system and speedily charges a parasitic capacitance of a light emitting element without lowering mean luminance.例文帳に追加

ＰＷＭ制御方式に適用が可能であって、しかも平均輝度を低下させることなしに、発光素子の寄生容量を迅速に充電するようにしたデータ線駆動回路を提供する。 - 特許庁

The auxiliary transistor is driven by the potential of a capacitance for receiving a signal and is, therefore, so designed as to be possible to pass the current corresponding to the signal to an organic light emitting element.例文帳に追加

補助トランジスタは信号を受ける容量の電位によって駆動されるため、信号に対応した電流を有機発光素子に流すことができるように設計されている。 - 特許庁

To sharply suppress such nonlinear distortions as the 3rd harmonic frequency distortions more than the conventional technology by considering the junction capacitance characteristics of each variable reactance element for the applied voltage.例文帳に追加

各可変リアクタンス素子の印加電圧に対する接合容量特性を考慮し、従来技術に比較して第３高調波歪などの非線形歪を大幅に抑圧する。 - 特許庁

To carry out accurate self-diagnosis based on a resonance phenomenon between a sensor element and a self-diagnosis frequency in a multi-axis capacitance type physical quantity sensor.例文帳に追加

複数軸の容量式物理量センサにおいて、センサエレメントと自己診断周波数との共振現象を用いた自己診断を行っても、正確な自己診断が行えるようにする。 - 特許庁

To provide an electrochemical element equipped with large capacitance, excellent in voltage retaining and large current discharging characteristics and capabile to charge and discharge by utilizing a graphite material for an electrode material.例文帳に追加

電極材料に黒鉛材料を使用することにより、容量が大きく、電圧保持特性および高電流放電特性の優れた充放電可能な電気化学素子を提供する。 - 特許庁

When the frequency of the digital audio signal is lower, the DC control voltage is reduced and then the capacity of the variable capacitance element increases, so that the cutoff frequency of the noise filter decreases.例文帳に追加

一方、デジタルオーディオ信号の周波数が低ければ、直流制御電圧が低くなり、これにより、可変容量素子の容量が大きくなり、ノイズフィルタのカットオフ周波数が低くなる。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board wherein the reliability of connection is ensured between the circuit board and a mounted circuit element, a parasitic capacitance is reduced, and measures against noise are taken; and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

実装される回路素子との接続信頼性が確保され、更に、寄生容量の低減およびノイズ対策が施された多層の回路基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The amount of replacement with the cation of the second element is maximum at one of the capacitance insulating film 214 and an interface between the first electrode 212 and second electrode 215.例文帳に追加

第２の元素の陽イオンによる置換量は、容量絶縁膜２１４と、第１の電極２１２及び第２の電極２１５との界面のうち少なくとも一方において最大となっている。 - 特許庁

There is provided a semiconductor device having a capacitance element and a second transistor provided over a first transistor, an offset region being provided in a semiconductor layer of the second transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタと容量素子とを有し、第２のトランジスタの半導体層にはオフセット領域が設けられた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In an upper pattern layer 83 of the display panel 10, formation areas of the light-receiving transistor Tr21 and the holding capacitance element C1 are selectively formed with openings 110.例文帳に追加

表示パネル１０上の上部パターン層８３において、受光用トランジスタＴｒ２１および保持容量素子Ｃ１の形成領域に、選択的に開口１１０が設けられている。 - 特許庁

To provide an inductance element easily adjusting a capacitance between a coil wire and a conductor, having a larger designing flexibility, and also having stable and excellent attenuation characteristic with less variation.例文帳に追加

コイル線と導体間の容量の調整が容易で設計の自由度が広く、さらに、ばらつきが少なく安定した良好な減衰特性を有するインダクタンス素子を提供すること。 - 特許庁

When capacitors having capacitances larger than the capacitance C of the element 30 are used as power sources of intermediate potentials, it is possible also to recover electric charges and reuse them.例文帳に追加

中間の電位の電源として、容量性表示素子３０の容量Ｃに比べて大きな容量を有するコンデンサを用いれば、電荷を回収して再利用することも可能となる。 - 特許庁

To reduce the non-etched area on the side face of a lower electrode of a capacitance element by patterning a second conductive film to form upper electrodes of the elements and patterning a first conductive film to the lower electrodes of the elements.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、容量素子の下部電極の側面にエッチング残りをなくし、ショートの原因や不純物濃度のムラが生じる原因を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device improved in such a manner that element characteristic can be improved by restraining the increase in a junction leakage current and junction capacitance.例文帳に追加

接合リーク電流や接合容量の増大を抑制し、素子特性を向上させることができるように改良された半導体装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

Since the stretched extent of a depletion layer formed in the P-N junction of the element VAR is secured to the whole body of the N^+ type layer 56, the fall of the capacitance changing range is suppressed.例文帳に追加

可変容量素子ＶＡＲのＰＮ接合部に形成される空乏層の伸びる範囲がＮ^+ 層５６全体まで確保されるので、容量変化範囲の低下が抑制される。 - 特許庁

To form more micro-projections and recessed parts on the surface of a silicon than in the conventional method, and to make a capacitor electrode to have large capacitance and to manufacture various quantum effect element.例文帳に追加

本発明の課題はシリコン表面に従来法以上に微細な凹凸を形成し、キャパシタ電極の高容量化及び種々の量子効果素子の製造を可能にすることである。 - 特許庁

A lower electrode 39a and a wire 39b of the capacitance element 44 are formed in a wiring layer (a third wiring layer) 39 which is located one layer lower than a wiring layer (a fourth wiring layer) 43 as the outermost layer.例文帳に追加

最上層の配線層（第４配線層）４３よりも一つ下の配線層（第３配線層）３９に容量素子４４の下部電極３９ａと配線３９ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a surface acoustic wave device having an interdigital electrode type capacitive element with a low resistance and high capacitance accuracy and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

この発明は、低抵抗でかつ容量値精度が高いインタデジタル電極型の容量素子を有する新規な弾性表面波装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

Consequently, the intrusion of particles produced by the grinding into the space between the electrodes of the capacitance element can be prevented, because the grinding is performed before the space between the electrodes is connected to the outside through the slits 13.例文帳に追加

このことにより、スリット１３を介して容量素子の電極間の空間と外界とがつながる前に研削を行うため、研削よるパーティクルの電極間への進入を防げる。 - 特許庁

To obtain a solid-state electrolytic capacitor in which a solid-state electrolytic layer composed of fine uniform conductive high molecules is formed into a winding type capacitor element and which has excellent electrical characteristics and large capacitance.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサを得る。 - 特許庁

To provide a high reliability wiring board allowing inspection of a further high speed element and high speed inspection to be performed by reducing stray capacitance generated between wiring layers of the wiring board.例文帳に追加

配線基板の配線層間に生じる浮遊容量を小さくすることで、より高速な素子の検査や、高速の検査ができる高信頼性の配線基板を提供する。 - 特許庁

To obtain a solid electrolytic capacitor having superior electrical characteristics and large capacitance by forming a solid electrolyte layer composed of a dense uniform conductive high polymer in a wound capacitor element.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサを得る。 - 特許庁

To reduce the capacitance of capacitors used, lower the breakdown voltage of diodes used, reduce the loss at a rector, and obtain a so-called zero-voltage switch when a switching element is turned off.例文帳に追加

用いるコンデンサの容量を低減し、用いるダイオードの耐圧を低くし、リアクトルにおける損失を低減しつつ、スイッチング素子のオフ時においていわゆるゼロ電圧スイッチを得る。 - 特許庁

To obtain a solid electrolytic capacitor having a superior electrical characteristic and a large capacitance by forming a solid electrolyte layer composed of a compact uniform conductive high polymer in a wound capacitor element.例文帳に追加

巻回型のコンデンサ素子の内部に、緻密で均一な導電性高分子からなる固体電解質層を生成し、電気的特性に優れかつ大容量の固体電解コンデンサを得る。 - 特許庁